KR920015551A - 기판 전위 검출 회로를 가진 반도체 집적회로 장치 - Google Patents

기판 전위 검출 회로를 가진 반도체 집적회로 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

기판 전위 검출 회로를 가진 반도체 집적회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 한 실시예의 기판 전위 검출 회로를 도시하는 회로도.

Claims (5)

  1. 기판 전위(VBB)가 소정의 검출 레벨에 도달할때 검출 출력 노드(N11)에 검출 신호를 출력시키는 기판 전위 검출 회로를 가진 반도체 집적 회로 장치로써, 제1입력 트랜지스터(Q3) 및 제2입력 트랜지스터(Q4)를 가진 전류-미러회로(100)와, 제1 및 제2레지스터(R1,R2)가 직렬로 접속되어 내부 기준 전압(VREF)과 기판 전위(VBB)사이의 전위차를 분배하여 상기 제1입력 트랜지스터에 공급될 입력 전압(V1)을 제공하는 제1 레지스터 회로, 및 제3 및 제4레지스터(R3,R4)가 직렬로 접속되어 내부 기준 전압과 접지 전위(GND)사이의 전위차를 분배하여 상기 제2입력 트랜지스터에 공급될 기준 전압(V2)을 제공하는 제2레지스터 회로를 포함하는 반도체 집적 회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전류-미러회로(100)가, 전원 장치(Vcc)와 공통 접합 노드사이에 접속되고, 상기 제1입력 트랜지스터 역할을 하는 P-채널 MOS 트랜지스터 (Q1)와 N-채널 MOS 트랜지스터(Q3)를 갖는 제1직렬 회로와, 상기 전원 장치와 공통 접합 노드사이에 접속되고, 상기 제2입력 트랜지스터 역할을 하는 P-채널 MOS 트랜지스터(Q2)와 N-채널 MOS 트랜지스터(Q4)를 갖는 제2직렬 회로, 및 공통 접합 노드와 접지사이에 접속되고, 전류원으로써 기능하는 N-채널 MOS 트랜지스터(Q5)를 포함하는 반도체 집적 회로장치.
  3. 제1항에 있어서, 내부 기준 전압원(VREF)과 상기 제1레지스터 회로(R1,R2)사이에 접속된 제1스위칭 트랜지스터(Q6)와, 내부 기준 전압원과 상기 제2레지스터 회로(R3,R4)사이에 접속된 제2 스위칭 트랜지스터(Q7)를 가지며, 상기 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터가 거기에 공통으로 입력된 제어 신호(SW1)에 응답하여 턴-온 및 턴-오프되는 반도체 집적 회로 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 공통 접합 노드와 접지사이에 접속된 상기 N-채널 MOS 트랜지스터(Q5)가 그것의 게이트에서 응답하여 턴-온 및 턴오프되는 제어신호(SW2)를 수신하는 반도체 집적 회로 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 검출 출력 노드(N11)에 접속되어 그것으로부터 출력된 상기 검출 신호를 증폭시키는 최소한 하나의 인버터(I1내지 In)를 포함하는 반도체 집적 회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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