KR970023356A - 전압레벨 디텍터 - Google Patents
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- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
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Abstract
[1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야]
본 발명은 전원전압의 변화에 따라 천이전압이 선형적으로 변화하는 전압레벨 디텍터를 구비하는 반도체 장치에 관한 것이다.
[2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제]
일반적으로 드라이버에서 출력전압의 상태가 변하는 천이전압은 반의 전원전압레벨로써 전원전압의 레벨에 따라 선형적(linear)으로 변화된다. 또, 감지회로의 입력전압이 높아지면 출력전압도 높아지는데 고전원전압에서는 상기 입력전압에 비하여 출력전압변화는 비선형적이다. 이에 따라 드라이버의 천이전압 역시 비선형적으로 변화하게 된다. 이와 같은 종래의 전압 레벨 디텍터는 고전원전압에서 불안정한 동작특성을 가지게 된다. 본 발명은 이와 같은 문제를 해결함을 그 과제로 삼고 있다.
[3. 발명의 해결방법의 요지]
전원전압과 접지전압사이에 접속되고 입력전압에 응답하여 소정의 제1노드에 접속된 출력라인으로 소정의 정전압을 출력하는 감지수단과, 전원전압과 상기 감지수단을 구성하는 소정의 제2노드사이에 채널양단이 접속되고 상기 감지수단으로 구성하는 소정의 제3노드에 제어전극이 접속되며 상기 제3노드의 전압을 피드백하여 상기 제2노드로 보상전류공급을 제어하기 위한 보상수단과, 상기 감지수단의 출력단전압에 응답하여 소정의 출력전압을 출력하는 드라이버수단으로 구성되는 전압레벨 디텍터를 구비하며; 저전원전압일때는 상기 보상수단의 전류공급량을 늘리고 고전원전압일때는 상기 보상수단의 전류공급량을 줄여 상기 전원전압변화에 따라 드라이버수단의 천이전압이 선형적으로 변화하는 반도체 장치를 구현하므로써 해결가능하게 된다.
[4. 발명의 중요한 용도]
저전원전압뿐만 아니라 고전원전압에서도 안정적으로 전압레벨을 감지하는 반도체 장치.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 디텍터의 회로도.
Claims (8)
- 반도체 장치에 있어서, 전원전압과 접지전압사이에 접속되고 입력전압에 응답하여 소정의 제1노드에 접속된 출력라인으로 소정의 정전압을 출력하는 감지수단과, 전원전압과 상기 감지수단을 구성하는 소정의 제2노드 사이에 채널양단이 접속되고 상기 감지수단을 구성하는 소정의 제3노드에 제어전극이 접속되며 상기 제3노드의 전압을 피드백하여 상기 제2노드로 보상전류공급을 제어하기 위한 보상수단과, 상기 감지수단의 출력단전압에 응답하여 소정의 출력전압을 출력하는 드라이버수단으로 구성되는 전압레벨 디텍터를 구비하며; 저전원전압일 때는 상기 보상수단의 전류공급량을 늘리고 고전원전압일때는 상기 보상수단의 전류공급량을 줄여 상기 전원전압변화에 따라 드라이버수단의 천이전압변화가 선형적임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 감지수단이 전원전압이 채널일단에 접속되고 접지전압이 게이트에 접속된 제1트랜지스터와, 상기 제1트랜지스터의 채널타단과 소정의 제2노드사이에 채널양단이 접속되고 입력전압이 게이트에 접속된 제2트랜지스터와, 상기 제2노드와 소정의 제1노드사이에 채널양단이 접속되고 입력전압이 게이트에 접속된 제3트랜지스터와, 상기 제1노드와 소정의 제3노드사이에 채널양단이 접속되고 전원전압이 게이트에 접속된 제4트랜지스터와, 상기 제3노드와 접지전압 사이에 채널양단이 접속되고 입력전압이 게이트에 접속된 제5트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 보상수단이 전원전압과 상기 제2노드사이에 채널양단이 접속되고 상기 제3노드가 게이트에 접속된 제6트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 드라이버수단이 전원전압과 접지전압사이에 피모오스 트랜지스터와 엔모오스 트랜지스터가 직렬접속된 씨모오스 인버터임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제1트랜지스터가 피모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2에서 제5트랜지스터가 엔모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제6트랜지스터가 피모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 보상수단이 적어도 1개 이상으로 병렬 접속됨을 특징으로 하는 반도체 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950035079A KR0172379B1 (ko) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 전압 레벨 디텍터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950035079A KR0172379B1 (ko) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 전압 레벨 디텍터 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023356A true KR970023356A (ko) | 1997-05-30 |
| KR0172379B1 KR0172379B1 (ko) | 1999-03-30 |
Family
ID=19429937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950035079A KR0172379B1 (ko) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 전압 레벨 디텍터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0172379B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100429890B1 (ko) * | 2002-07-24 | 2004-05-03 | 삼성전자주식회사 | 데이터 신호의 스큐를 개선하는 데이터 출력 회로 |
-
1995
- 1995-10-12 KR KR1019950035079A patent/KR0172379B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100429890B1 (ko) * | 2002-07-24 | 2004-05-03 | 삼성전자주식회사 | 데이터 신호의 스큐를 개선하는 데이터 출력 회로 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0172379B1 (ko) | 1999-03-30 |
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