KR0172379B1 - 전압 레벨 디텍터 - Google Patents
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
본 발명은 전원전압의 변화에 다라 천이전압이 선형적으로 변화하는 전압레벨 디텍터를 구비하는 반도체 장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
일반적으로 드라이버에서 출력전압의 상태가 변하는 천이전압은 반의 전원전압레벨로써 전원전압의 레벨에 따라 선형적(Linear)으로 변화된다. 또, 감지회로의 입력전압이 높아지면 출력전압도 높아지는데 고전원전압에서는 상기 입력전압에 비하여 출력전압변화는 비선형적이다. 이에 따라 드라이버의 천이전압 역시 비선형적으로 변화하게 된다. 이와같은 종래의 전압레벨 디텍터는 고전원전압에서 불안정한 동작특성을 가지게 된다. 본 발명은 이와같은 문제를 해결함을 그 과제로 삼고 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
전원전압과 접지전압사이에 접속되고 입력전압에 응답하여 소정의 제1 노드에 접속된 출력라인으로 소정의 정전압을 출력하는 감지수단과, 전원전압과 상기 감지수단을 구성하는 소정의 제2노드 사이에 채널양단이 접속되고 상기 감지수단을 구성하는 소정의 제3노드에 제어전극이 접속되며 상기 제3노드의 전압을 피드백하여 상기 제2노드로 보상전류공급을 제어하기 위한 보상수단과, 상기 감지수단의 출력단전압에 응답하여 소정의 출력전압을 출력하는 드라이버수단으로 구성되는 전압레벨 디텍터를 구비하며, 저전원전압 일 때는 상기 보상수단의 전류공급량을 늘리고 고전원전압일 때는 상기 보상수단의 전류공급량을 줄여 상기 전원전압변화에 따라 드라이버 수단의 천이전압이 선형적으로 변화하는 반도체 장치를 구현하므로써 해결가능하게 된다.
4. 발명의 중요한 용도
저전원전압뿐만 아니라 고전원전압에서도 안정적으로 전압레벨을 감지하는 반도체 장치.
Description
제1도는 종래기술에 따른 전압레벨 디텍터의 회로도.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 디텍터의 회로도.
제3도는 전원전압변화에 따른 감지노드전압변화를 보여주는 파형도.
제4도는 전원전압변화에 따른 천이전압변화를 보여주는 파형도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100, 200 : 감지수단 110 : 드라이버수단
150 : 보상수단 Vt : 천이전압
본 발명은 반도체 장치의 전압레벨 디텍터에 관한 것으로, 특히 전원전압의 변화에 따라 천이전압이 선형적으로 변화하는 전압레벨 디텍터에 관한 것이다.
반도체 장치에 있어서, 정전압레벨의 전원전압을 공급하는 것은 대단히 중요하다. 왜냐하면, 반도체 장치의 전원전압은 상기 반도체 장치를 구성하는 여러 소자들 및 회로들의 동작속도와 스트레스(stress)정도등 여러 가지 조건들을 감안하여 미리 설정되기 때문이다. 만약 전원전압이 낮아지는 경우, 동작속도는 느려질 것이고, 반대로 전원전압이 높아지는 경우 고전계에 따라 발생되는 큰 스트레스가 상기 반도체 장치를 구성하는 회로들 및 소자들로 가해질 것이기 때문이다. 상기와 같은 문제점들이 발생되지 않게 하기 위해서는 항상 일정레벨의 전원전압을 공급하는 것이 필요하다. 그러나 일반적으로 상기 반도체 장치를 구성하는 회로들 및 소자들의 사용상태는 변화하므로 상기 반도체 장치의 전원전압레벨도 변화하게 된다. 즉, 상기 반도체 장치에서 순간적으로 많은 회로들 및 소자들이 사용되는 경우, 전원전압레벨은 일시적으로 낮아지게 된다. 즉, 언더슈팅(under shooting)된다.
반대로 상기 반도체 장치에서 많은 회로들 및 소자들이 사용되다가 순간적으로 중단되는 경우, 전원전압레벨은 일시적으로 높아지게 된다. 즉, 오버슈팅(over shooting)된다. 따라서 상기와 같이 일시적으로 낮아지거나 높아진 전원전압레벨을 빠른 시간내에 감지하고 보상하여 주는 장치의 필요성이 제기된다. 상기와 같은 전원전압 및 일반적인 전압의 보상을 위하여 발명된 것이 전압레벨 디텍터(voltage level detcetor)이다. 이러한 전압레벨 디텍터는 반도체 장치에 유통되는 어러 전압레벨변화를 감지하여 보상하여 상기 반도체 장치의 안정성을 높여주는 역할을 수행하므로 반도체 장치내부에 필수적으로 탑재하고 있다.
제1도는 종래기술에 따른 반도체 장치의 전압레벨 디텍터를 보여주는 도면이다.
제1도를 참조하면, 전압레벨 디텍터는 일정한 정전압을 출력하기 위한 감지회로 100와 상기 감지회로 100의 출력에 응답하여 출력전압 Vout을 출력하는 드라이버 110로 구성된다. 상기 감지회로 100에서 트랜지스터들 2, 4, 6은 전원전압단자 VCC와 접지전압단자 VSS사이에 채널들이 직렬로 접속된다. 트랜지스터들 2, 4, 6에서 트랜지스터 2는 피모오스 트랜지스터이고, 트랜지스터들 4, 6은 엔모오스 트랜지스터이다. 상기 트랜지스터들 2, 4, 6의 게이트들은 접지전압단자 VSS, 입력단자 Vin, 전원전압단자 VCC와 개별적으로 접속된다. 드라이버 110에서 피모오스 트랜지스터 20와 엔모오스 트랜지스터 22는 전원전압단자 VCC와 접지전압단자 VSS사이에 채널들이 직렬로 접속된다. 상기 트랜지스터들 20, 22의 게이트들은 상기 감지회로 100를 구성하는 트랜지스터들 4와 6사이의 출력노드 N1에 공통으로 접속된다.
상기 드라이버 110은 전형적인 씨모오스 인버터회로(CMOS inverter circuit)이다.
일반적으로 드라이버 110에서 출력전압 Vout의 상태가 변하는 천이전압(transition voltage) Vt는 반의 전원전압레벨로써 전원전압의 레벨에 따라 선형적(linear)으로 변화된다. 또, 제1도의 회로에서 입력전압 Vin이 높아지면 트랜지스터 4의 전도도가 커지므로 노드 N1의 전압레벨도 그에 비례하여 높아지게 된다. 여기서 상기 입력전압 Vin이 저전압레벨일 경우, 상기 입력전압 Vin이 상승하면 노드 N1의 전압레벨은 상기 입력전압 Vin의 전압에 비례하여 상승하게 되지만, 상기 입력전압 Vin이 고전압레벨일 경우, 노드 N1의 전압 VN1은 입력전압 Vin의 변화에 비례하지 않는다. 제3도에 나타난 것과 같이 제1영역에서, 노드 N1의 전압 Vn1은 입력전압 Vin의 변화에 비례하게 선형적으로 변화하게 되지만 제2영역에서 노드 N1의 전압 VN1은 입력전압 Vin의 변화에 비선형적(non-linear)으로 변화하게 된다. 즉, 제3도에 나타난 것과 같이, 제2영역에서 입력전압 Vin에 대한 노드 N1의 전압변화는 완만하게 이루어진다. 따라서 제4도에 나타난 것과 같이 천이전압이 급격하게 높아지게 된다. 이에 따라 제1도로 도시한 전압레벨 디텍터는 고전원전압에서 불안정한 동작특성을 가지게 된다.
따라서 본 발명의 목적은 고전원전압에서 안정된 동작특성을 가지는 반도체 장치의 전압레벨 디텍터를 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 장치는, 전원전압과 접지전압사이에 접속되고 입력전압에 응답하여 소정의 제1노드에 접속된 출력라인으로 소정의 정전압을 출력하는 감지수단과, 전원전압과 상기 감지수단을 구성하는 소정의 제2노드사이에 채널양단이 접속되고 상기 감지수단을 구성하는 소정의 제3노드에 제어전극이 접속되며 상기 제3노드의 전압을 피드백하여 상기 제2노드로 보상전류공급을 제어하기 위한 보상수단과, 상기 감지수단의 출력단전압에 응답하여 소정의 출력전압을 출력하는 드라이버수단으로 구성되는 전압레벨 디텍터를 구비하며 저전원전압일 때는 상기 보상수단의 전류공급량을 늘리고 고전원전압일 때는 상기 보상수단의 전류공급량을 줄임을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 이용하여 본 발명에 따른 반도체 장치의 전압레벨 디텍터에 대한 바람직한 실시예를 설명하겠다. 도면중 제1도와 동일한 구성을 지니고 있거나 동일동작을 수행하는 회로들 및 소자들에 대해서는 가능한한 동일참조번호 및 동일참조부호를 사용하겠다.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 전압레벨 디텍터를 보여주는 도면이다.
제2도를 참조하면, 전압레벨 디텍터는 일정한 정전압을 출력하기 위한 감지회로 200와 상기 감지회로 100의 출력에 응답하여 출력전압 Vout을 출력하는 드라이버 110 및 전원전압변화를 보상하기 위한 보상회로로 구성된다. 상기 감지회로 200에서 제1에서 제5트랜지스터들 2, 8, 4, 6, 10은 전원전압단자 VCC와 접지전압단자 VSS사이에 채널들이 직렬로 접속된다. 제1 트랜지스터 2는 피모오스 트랜지스터이고, 제2에서 제5트랜지스터들 8, 4, 6, 10은 엔모오스 트랜지스터이다. 상기 제1트랜지스터들 2의 게이트는 접지전압단자 VSS에 접속되고, 제4트랜지스터 6의 게이트는 전원전압단자 VCC와 접속되며, 제2, 제3 및 제5트랜지스터들 8, 4, 10의 게이트들은 입력단자 Vin에 공통으로 접속된다. 드라이버 110은 제1도에서와 같이 전원전압단자 VCC와 접지전압단자 VSS사이에 채널들이 직렬로 접속된 피모오스 트랜지스터 20와 엔모오스 트랜지스터 22로 구성되는 씨모오스 인버터회로(CMOS inverter circuit)이다. 감지회로 200에서 제3트랜지스터 4와 제4트랜지스터 6사이의 노드를 제1노드 N1라고 하고, 제2트랜지스터 8와 제3트랜지스터 4 사이의 노드를 제2노드 N2라고 하며, 제4트랜지스터 6와 제5트랜지스터 10 사이의 노드를 제3노드 N3라고 가정한다. 보상회로 150은 전원전압단자 VCC와 상기 감지회로 200을 구성하는 제2노드 N2사이에 채널이 접속되고, 상기 제3노드 N3에 게이트가 접속된 제6트랜지스터 12로 구성된다. 본 실시예에서 상기 제6트랜지스터는 피모오스 트랜지스터이다.
제3도는 전원전압변화에 따른 감지노드전압변화를 보여주는 파형도이고, 제4도는 전원전압변화에 따른 천이전압변화를 보여주는 파형도이다. 상기 제3도 및 제4도를 이용하여 종래기술에 다른 전압레벨 디텍터와 본 발명의 실시예에 따른 전압레벨 디텍터의 특성을 비교하여 설명하겠다.
종래의 경우 입력전압 Vin이 변화함에 따라 노드 N1의 저압 VN1의 변화는 저전원전압일 경우 선형적이었고, 고전원전압일 경우 비선형적이었다. 이는 제3도의 점선으로 나타낸 파형으로 알 수 있다. 그러나 본 발명에서는 고전원전압에서 보상수단 150을 이용하여 보상하므로써 선형변화상태를 유지하게 된다. 그 과정은 다음과 같다. 즉, 제2도에서 저전원전압일 경우의 노드 N1, N2, N3의 전압레벨을 각각 V1, V2, V3라고 가정한다. 이 때 각 노드들의 전압레벨은 트랜지스터 2와 트랜지스터 12를 통하여 전달되는 전원 전압레벨에 의하여 충전된다. 여기서 고전원전압일 경우 노드 N1, N2, N3의 전압을 V11, V12, V13라고 가정한다. 이때 상기 전압 V13레벨은 상기 V3레벨보다 높으므로 트랜지스터 12를 통하여 공급되는 전류의 양이 저전원전압보다 커지게 된다. 반대로 저전원전압일 경우 상기 전압 V3레벨은 상기 V13레벨보다 높으므로 트랜지스터 12를 통하여 공급되는 전류의 양이 고전원전압보다 작아지게 된다. 이러한 보상수단 150의 동작에 의해 전원전압의 변화에 의해 노드N1의 전압 VN1의 전압은 선형상태를 유지하게 된다. 즉, 제3도의 실선부분이 바로 본 발명에서 도출되는 파형이다. 노드 N1의 전압변화가 선형상태가 되면, 이에 비례하여 전원전압변화에 따른 드라이버 110의 천이전압 Vt변화도 선형상태로 유지하게 된다.
상기와 같은 전압레벨 디텍터가 제공되므로써 고전원전압에서 안정적으로 동작하는 반도체 장치가 구현된다. 본 발명의 실시예에서는 보상수단을 1개로 설정하였으나 필요에 따라 여러개 구비하여 사용하는 것은 당분야에 통상의 지식을 가진 사람이라면 쉽게 유추할 수 있을 것이다.
Claims (8)
- 반도체 장치에 있어서, 전원전압과 접지전압사이에 접속되고 입력전압에 응답하여 소정의 제1노드에 접속된 출력라인으로 소정의 정전압을 출력하는 감지수단과, 전원전압과 상기 감지수단을 구성하는 소정의 제2노드사이에 채널양단이 접속되고 상기 감지수단을 구성하는 소정의 제3노드에 제어전극이 접속되며 상기 제3노드의 전압을 피드백하여 상기 제2노드로 보상전류공급을 제어하기 위한 보상수단과, 상기 감지수단의 출력단전압에 응답하여 소정의 출력전압을 출력하는 드라이버수단으로 구성되는 전압레벨 디텍터를 구비하며, 저전원전압일 때는 상기 보상수단의 전류공급량을 늘리고 고전원전압일 때 상기 보상수단의 전류공급량을 줄여 상기 전원전압변화에 따른 드라이버수단의 천이전압변화가 선형적임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 감지수단이 전원전압이 채널일단에 접속되고 접지전압이 게이트에 접속된 제1트랜지스터와, 상기 제1트랜지스터의 채널타단과 소정의 제2노드사이에 채널 양단이 접속되고 입력전압이 게이트에 접속된 제2트랜지스터와, 상기 제2노드와 소정의 제1노드 사이에 채널양단이 접속되고 입력전압이 게이트에 접속된 제3트랜지스터와, 상기 제1노드와 제3노드사이에 채널양단이 접속되고 전원전압이 게이트에 접속된 제4트랜지스터와, 상기 제3노드와 접지전압사이에 채널양단이 접속되고 입력전압이 게이트에 접속된 제5트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 보상수단이 전원전압과 상기 제2노드사이에 채널양단이 접속되고 상기 제3노드가 게이트에 접속된 제6트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 드라이버수단이 전원전압과 접지전압사이에 피모오스 트랜지스터와 엔오모스 트랜지스터가 직렬접속된 씨모오스 인버터임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제1트랜지스터가 피모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2에서 제5트랜지스터가 엔모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제6트랜지스터가 피모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 보상수단이 적어도 1개 이상으로 병렬접속됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
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| KR1019950035079A KR0172379B1 (ko) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 전압 레벨 디텍터 |
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| KR970023356A (ko) | 1997-05-30 |
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