KR860007754A - 정전압 발생회로 - Google Patents
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- G05F1/16—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is ac using tap transformers or tap changing inductors as final control devices combined with discharge tubes or semiconductor devices
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예를 도시한 히로도.
제2도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 회로도.
제3도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,11,31:전원단자, 2,12,43:출력단자, 5,15:출력전압 안정화 콘덴서, 16a~16n,38,41,44a~44n,33,37′:N형 MOS트랜지스터, 35,42,34′,40′:P형 MOS트랜지스터.
Claims (7)
- 한쌍의 주전극과 제어전극과를 보유하고 제1전원단자와 출력단자와의 사이에 접속되는 제1의 극성의 제1의 절연게이트형 전계효과 트랜지스터, 한쌍의 주전극과 제어전 극과를 보유하고 상기 출력단자와 제2 전원단자와의 사이에 접속되는 제2의 극성의 제2의 절연게이트형 전계 효과 트랜지스터, 상기 제1 전원단자에서의 제1 전위와 상기 제2 전원단자에서의 제2 전위와의 사이에 위치한 제1의 중간전위를 상기 제1의 절연게이트형 전계효과 트랜지스터의 제어전극에 부여함과 동시에 상기 제1 전위와 상기 제2 전위와의 사이에 위치한 제2의 중간전위를 상기 제2의 절연게이트형 전계효과 트랜지스터의 제어전극에 부여하는 제어전압 인가 수단을 구비한 정전압 발생회로.
- 제1항 있어서 제1의 중간전위는 제2의 중간전위보다 제1의 극성의 절연게이트형 전계효가 트랜지스터의 최소치 전압과 제2의 극성의 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터의 최소치 전압과를 합친 만큼 큰값을 가지는 정전압 발생회로.
- 제제1항에 있어서 제어전압 인가수단은 제1 전원단자와 제2의 전원단자와의 사이에 접속되어 출력 노우드에 분압전위가 표현되는 분압 전위 발생수단과, 한쌍의 주전극과 제어전극과를 보유하고 한편의 주전극이 제1의 부하소자를 통하여 제1 전원단자에 접속됨과 동시에 제1의 절연게이트형 전계효과 트랜지스터의 제어전극에 접속되며, 타측의 주전극이 제2 전원 단자에 접속되며 제어전극이 상기 분압 전위 발생수단의 출력노우드에 지속되는 제2 극성의 제3의 절연게이트형 전계효과 트랜지스터를 보유하고 이 트랜지스터의 한편 주전극에 제1의 중간전위가 표현되는 제1의 제어전압 발생수단과 한쌍의 주전극과 제어전극과를 보유하고 한편의 주전극이 제2의 부하소자를 통하여 제2 전원단자에 접속됨과 동시에 제2의 절연게이트형 전계효과 트랜지스터의 제어전극에 접속되며 타측의 주전극이 제2 전원단자에 접속되어 제어전극이 상기 분압전위 발생 수단의 출력 노우드에 접속되는 제1 극성의 제4의 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터를 보유하고 이 트랜지스터의 한편 주전극에 제2의 중간 전위가 표현되는 제2의 제어전압 발생수단과를 구비한 정전압 발생회로.
- 제3항에 있어서, 제1의 제어전압 발생수단에서의 제1의 중간전위는 분압전위 발생수단에서의 분압전위와 제3의 절연게이트형 전계효과 트랜지스터의 최소치 전압과의 합친값이고 제2의 제어전압 발생수단에서의 제2의 중간전위는 분압 전위 발생수단에서의 분압전위에서 제4의 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터의 최소치를 차인한 값을 가지는 정전압 발생회로.
- 제3항에 있어서, 제1의 제어전압 발생수단의 제1의 부하소자는 제1 극성의 제5의 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터이고 제2의 제어전압 발생수단의 제2의 부하소자는 제2의 극성의 제6의 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터인 정전압 발생회로.
- 제3항에 있어서, 분압 전위 발생수단은 제1 전원단자와 출력 노우드와의 사이에 접속되는 제1의 극성의 제7의 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터와 출력 노우드와 제2 전원단자와의 사이에 접속되는 제2의 극성의 제8의 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터와를 보유하고 제1의 제어전압 발생수단의 제1의 부하소자는 제1극성의 제5의 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터이고 제2의 제어전압 발생수단의 제2의 부하소자는 제2의 극성의 제6의 절연 게이트형 전계효가 트랜지스터가 있는 정전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 제어전압 인가수단은 제1 및 제2의 출력 노우드를 보유하고 제1 전원단자와 제1의 출력 노우드와의 사이에 접속되는 제1의 저항성 소자와 제1의 출력 노우드와의 사이에 접속되는 제2의 저항성 소자와 제2의 출력 노우드와 제2 전원단자와의 사이에 접속되는 제3의 저항소자와를 보유하는 분압전위 발생수단과 한쌍의 주전극과 제어전극과를 보유하고 한편의 주전극이 제1의 부하소자를 개재하여 제1전원단자에 접속됨과 동시에 제1의 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터의 제어전극에 접속되며 타측의 주전극이 제2 전원단자에 접속되며 제어전극이 상기분압 전위 발생수단의 제1의 출력 노우드에 접속되는 제2의 극성의 제3의 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터를 보유하고 이 트랜지스터의 한편의 주전극에 제1의 중간전위가 표현되는 제1의 제어전압 발생수단과 한쌍의 주전극과 제어전극과를 보유하고 한편의 주전극이 제2의 부하소자를 개재하여 제2전원단자에 접속되며 타측의 주전극이 제1전원단자에 접속되고 제어전극이 상기 분압 전위 발생수단의 제2출력 노우드에 접속되는 제1의 극성의 제4의 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터를 보유하고 이 트랜지스터의 한편의 주전극에 제2의 중간전위가 표현되는 제2의 제어전압 발생수단과를 구비한 정전압 발생회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP65712 | 1985-03-27 | ||
JP60065712A JPS61221812A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 電圧発生回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR860007754A true KR860007754A (ko) | 1986-10-17 |
KR900001474B1 KR900001474B1 (ko) | 1990-03-12 |
Family
ID=13294903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019850007141A KR900001474B1 (ko) | 1985-03-27 | 1985-09-27 | 정전압 발생회로 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4670706A (ko) |
JP (1) | JPS61221812A (ko) |
KR (1) | KR900001474B1 (ko) |
DE (1) | DE3606203C3 (ko) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1985
- 1985-03-27 JP JP60065712A patent/JPS61221812A/ja active Granted
- 1985-09-27 KR KR1019850007141A patent/KR900001474B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1986
- 1986-01-31 US US06/824,830 patent/US4670706A/en not_active Ceased
- 1986-02-26 DE DE3606203A patent/DE3606203C3/de not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-07-24 US US07/735,129 patent/USRE34290E/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0574851B2 (ko) | 1993-10-19 |
US4670706B1 (ko) | 1989-07-25 |
US4670706A (en) | 1987-06-02 |
DE3606203C3 (de) | 1996-08-14 |
JPS61221812A (ja) | 1986-10-02 |
DE3606203A1 (de) | 1986-10-09 |
KR900001474B1 (ko) | 1990-03-12 |
DE3606203C2 (ko) | 1992-07-02 |
USRE34290E (en) | 1993-06-22 |
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A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
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