KR920020521A - 반도체집적회로 - Google Patents

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KR920020521A
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signal line
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도시로 다까하시
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가나이 쯔또무
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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    • G—PHYSICS
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 로우이네이블의 3상태게이트를 사용한 본 발명의 1실시예의 블럭도.

Claims (9)

  1. 테스트하기 위한 반도체집적회로에 있어서, 제1의 전압레벨이 공급되는 제1단자, 제2의 전압레벨이 공급되는 제2단자, 상기 제1단자와 결합되고, 상기 제1의 전압레벨을 출력하기 위한 출력수단, 상기 출력수단에 결합되고, 상기 제1의 전압레벨을 받는 신호선 및 상기 신호선에 결합되는 여러개의 3상태회로를 포함하며, 상기 여러개의 3상태회로의 각각은 제1의 제어신호와 제2의 제어신호가 공급되고, 상기 제1의 제어신호에 응답해서 각각의 3상태회로는 상기 제1과 제2단자의 한쪽의 단자에 결합되고, 또 상기 제2의 제어신호에 응답해서 상기 한쪽의 단자에 공급되고 있는 전압레벨을 상기 신호선으로 출력하는 반도체집적회로.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 3상태회로의 각각은 상기 제1의 제어신호 및 제2의 제어신호를 받는 입력회로와 상기 입력회로, 상기 제1 및 제2단자 및 상기 신호선에 결합되는 출력회로를 갖는 반도체집적회로.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 출력회로는 P형 MOSFET 및 N형MOSFET를 포함하고, 상기 P형MOSFET의 한쪽의 전극에는 상기 제1단자가 결합되고, 상기 N형MOSFET의 한쪽의 전극에는 상기 제2단자가 결합되고, 상기 P형MOSFET 및 N형MOSFET의 각각의 게이트 전극에는 상기 입력회로에서의 신호선이 공급되며, 상기 P형MOSFET 및 N형MOSFET의 각각 다른쪽의 전극에는 상기 신호선이 결합되는 반도체집적회로.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제1의 전압레벨은 전원전압이고, 상기 제2의 전압레벨은 접지전압인 반도체집적회로.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 출력수단은 논리기능을 검사하기 위한 테스트용 제어신호를 받아서 상기 제1단자와 상기 신호선을 결합하기 위한 스위치수단을 갖는 반도체집적회로.
  6. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 출력수단은 누설전류를 검사하기 위한 테스트용 제어신호를 받아서 상기 제1 단자와 상기 신호선을 결합하기 위한 스위치수단을 갖는 반도체집적회로.
  7. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제1의 전압레벨은 접지전압이고, 상기 제2의 전압레벨은 전원전압인 반도체집적회로.
  8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 출력수단은 논리기능을 검사하기 위한 테스트용 제어신호를 받아서 상기 제1단자와 상기 신호선을 결합하기 위한 스위치수단을 갖는 반도체집적회로.
  9. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 출력수단은 누설전류를 검사하기 위한 테스트용 제어신호를 받아서 상기 제1단자와 상기 신호선을 결합하기 위한 스위치수단을 갖는 반도체집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920006239A 1991-04-24 1992-04-15 반도체집적회로 KR920020521A (ko)

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