KR970701452A - 전력 반도체 스위치(A power semiconductor switch) - Google Patents

전력 반도체 스위치(A power semiconductor switch) Download PDF

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Abstract

본 발명의 전력 반도체 장치(2)는 제1전압 공급 라인(3)에 결합시키기 위한 제1주 전극(S), 제2전압 공급 라인(5)에 부하를 통해 접속하기 위한 제1단자(4)에 결합된 제2주 전극(D) 및 전력 반도체 장치(2)의 도전을 인에이블시키기 위해 게이트 제어 신호를 공급하기 위한 제어 단자(GT)에 결합된 절연 게이트 전극(G)를 갖다. 개로 검출 배열은 전력 반도체 장치(2)에 결합된 부하(L)이 개로인 지시를 제공하기 위한 전력 반도체 장치(2)와 집적된다. 이 검출 배열은 기준 전류(Ir) 제공 배역(7,R3,R4,R7,Q1,Q2) 밑 제2주 전극(D)에서 전압에 의존하는 전류(Id)를 유도하기 위한 전류 온도 배역(Q3,Q4)를 갖는다.
이 검출배열은 유도 또는 검출된 전류(Id)가 기준 전류(Ir)보다 클 때 부하(L)이 정상적으로 작동됨을 지시하도록 출력신호(OS)를 제공한다. 이는 기준 전류(Ir)를 사용함으로써 정확히 작동하고 개로가 아닌 부하(L)이 유도 전류(Id)가 기준 전류(Ir)보다 클 때에만 주어짐을 지시하도록 부하(L) 둘레의 가능한 누설 전류 경로를 취할 수 있기 때문에 부하(L)의 상태를 정확히 평가할 수 있다.

Description

전력 반도체 스위치(A power semiconductor switch)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 전력 반도체 스위치 및 자동 시스템의 일예를 나타내는 회로도이다.

Claims (11)

  1. 전력 반도체 스위치에 있어서, 제1전압 공급 라인에 결합시키기 위한 제1주 전극, 제2전압 공급 라인에 부하를 통해 접속하기 위한 제1단자에 결합된 제2주 전극 및 전력 반도체 장치의 도전을 인에이블시키기 위해 게이트 제어 신호를 공급하기 위한 제어 단자에 결합된 절연 게이트 전극를 갖는 전력 반도체 장치 및 기준 전류를 제공하기 위한 수단, 및 제2주 전극에서 전압에 의존하는 전류를 유도하고 유도 전류가 기준 전류보다 클 때 부하가 정상적으로 작동됨을 지시하도록 출력 신호를 제공하기 위한 수단을 포함하고, 전력 반도체 장치에 결합된 부하가 개로임을 지시하기 위해 전력 반도체 장치와 집적된 개로 검출 배열을 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 스위치.
  2. 제1항에 있어서, 기준 전류 제공 수단이 제2트랜지스터가 제1트랜지스터보다 소정의 비율 만큼 더 큰 전류를 운반할 수 있는 것인 제1 및 제2트랜지스터를 포함하는 전류 거울을 포함하고, 상기 제1 및 제2트랜지스터 각각의 제1주 전극이 제1전압 공급 라인에 결합된 것인 제1 및 제2주 전극 및 제어 전극을 각각 갖고, 제1트랜지스터의 제2주 전극이 보조 전압 공급 라인에 결합되며, 제1트랜지스터는 다이오드-접속되고, 제1 및 제2 트랜지스터의 제어 전극이 상호 결합되고, 제2트랜지스터의 제2주 전극이 전력 반도체 장치의 제2주 전극에서 전압에 의존하는 전류를 수용하기 위해 결합된 것을 특징으로 하는 전력 반도체 스위치.
  3. 제2항에 있어서, 전류 전달 및 출력 제공 수단이 제3트랜지스터가 제4트랜지스터보다 소정의 비율 만큼 더 큰 전류를 운반할 수 있는 것인 제3 및 제4트랜지스터를 포함하는 다른 전류 거울을 추가로 포함하고, 상기 제3 및 제4트랜지스터 각각의 제2주 전극이 전력 반도체 장치의 제2주 전극에 결합된 것인 제1 및 제2주 전극 및 제어 전극을 각각 가지며, 제3트랜지스터의 제1주 전극이 제2트랜지스터의 제2주 전극에 결합된 것이고,제3트랜지스터는 다이오드-접속되며, 제3 및 제4트랜지스터의 제어 전극이 상호 결합되며, 제4트랜지스터의제1주 전극이 출력 신호 제공 배열에 결합된 것을 특징으로 하는 전력 반도체 스위치.
  4. 제3항에 있어서, 출력 제공 배열이 제5트랜지스터가 제6트랜지스터보다 소정의 비율 만큼 더 큰 전류를 운반할 수 있는 것인 제5 및 제6트랜지스터를 포함하는 다른 전류 거울을 추가로 포함하고, 상기 제5 및 제6트랜지스터 각각의 제1주 전극이 제1전압 공급 라인에 결합된 것인 제1 및 제2주 전극 및 제어 전극을 각각 가지며, 제5트랜지스터의 제2주 전극이 제4트랜지스터의 제1주 전극에 결합되고, 제5트랜지스터는 다이오드-접속되고, 제5 및 제6트랜지스터의 제어 전극이 상호 결합되고,제6트랜지스터의 제2주 전극이 출력 신호를 결정하는 전압을 제공하도록 결합된 것을 특징으로 하는 전력 반도체 스위치.
  5. 제4항에 있어서, 제6트랜지스터의 제2주 전극이 제6트랜지스터의 제2주 전극에서 전압에 의해 의존적인 출력 신호를 제공하기 위한 출력 인버터 단계로 및 보조 전압 라인에 저항 수단을 통해 결합된 것을 특징으로 하는 전력 반도체 스위치.
  6. 제5항에 있어서, 출력 인버터 스테이지가 추가의 트랜지스터의 제어 전극이 제6트랜지스터의 제2주 전극에 결합되고, 추가의 트랜지스터의 제1 및 제2주 전극이 제1전압 공급 라인과 보조 전압 공급 라인 사이에 결합된 것인 제1 및 제2주 전극 및 제어 전극을 갖는 트랜지스터를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 스위치.
  7. 선행 항 중 어느 한 항에 있어서, 전력 반도체 장치의 절연 게이트 전극에 결합된 디스에이블 수단이 전력 반도체 장치가 도전성일 때 개로 검출 배열을 디스에이블시키기 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 스위치.
  8. 제6항에 있어서, 디스에이블 수단이 추가의 트랜지스터의 제어 전극을 전력 반도체 장치가 도전성일 때 제1전압 공급 라인에 결합시키기 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 스위치.
  9. 제8항에 있어서,디스에이블 수단이 추가의 트랜지스터의 제어 전극과 제1전압 공급 라인 사이에 결합된 제1 및 제2주 전극 및 전력 반도체 장치의 제어 단자에 결합된 제어 전극을 갖는 또 다른 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 다른 트랜지스터의 제어 전극이 입력 버퍼에 의해 전력 반도체 장치의 제어 단자에 결합된 것을 특징으로 하는 전력 반도체 스위치.
  11. 자동 전기 시스템에 있어서, 제1 및 제2전압 공급 라인, 제2전압 공급 라인에 결합된 부하, 및 부하를 스위칭하기 위한 전력 반도체 스위치를 포함하고, 이 전력 반도체 스위치는 제1전압 공급 라인에 결합된 제1주전극, 제2전압 공급 라인에 부하를 통해 접속된 제1단자에 결합된 제2주 전극 및 부하를 스위칭시키기 위한 전력 반도체 장치의 도전을 인에이블시키기 위해 게이트 제어 신호를 공급하기 위한 제어 단자에 결합된 절연 게이트 전극을 갖는 전력 반도체 장치 및 기준 전류를 제공하기 위한 수단, 제2주 전극에서 전압에 의존하는 전류를 유도하기 위한 수단 및 유도 전류가 기준 전류보다 클 때 부하가 정상적으로 작동됨을 지시하도록 출력신호를 제공하기 위한 수단을 포함하고, 전력 반도체 장치에 결합된 부하가개로라는 지시를 제공하기 위한전력 반도체 장치와 집적된 개로 검출 배열을 포함하는 것을 특징으로 하는 자동전기 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960704592A 1994-12-22 1995-12-06 전력반도체스위치및자동전기시스템 KR100355685B1 (ko)

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