KR960706714A - 고 차동 임피던스 및 저 일반 모드 임피던스를 갖는 차동 증폭기(differential amplifier with high differential and low common mode impedance) - Google Patents

고 차동 임피던스 및 저 일반 모드 임피던스를 갖는 차동 증폭기(differential amplifier with high differential and low common mode impedance)

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KR960706714A KR1019960703046A KR19960703046A KR960706714A KR 960706714 A KR960706714 A KR 960706714A KR 1019960703046 A KR1019960703046 A KR 1019960703046A KR 19960703046 A KR19960703046 A KR 19960703046A KR 960706714 A KR960706714 A KR 960706714A
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Abstract

극히 저 일반 모드 감도를 나타내는 고 이득, 저 전압 차동 증폭기는 고 차동 저항, 그러나 저 일반 모드 저항을 나타내는 부하 소자를 포함한다. 부하 소자는 포지티브 차동 부하 저항과 네거티브 차동 부하 저항을 포함하며, 포지티브 차동 부하 저항을 오프세트시킨다. 차동 증폭기의 출력 일반 모드 레벨은 일반 모드 출력 전압이 액티브 레벨로부터 훨씬 멀어져 드리프팅하는 것을 방지하는 전원 전압 아래로 강하되는 게이트 전압으로의 일 p-채널 소스이다. 차동 증폭기는 또한 차동 충전 펌프 회로에서의 사용을 위한 응용을 갖는다. 차동 증폭기의 고 차동 임피던스는 극히 작은 누설의 획득을 허용하면서, 단순화된 바이어싱 결과가 되는 저 일반 모드 임피던스를 허용한다.

Description

고 차동 임피던스 및 저 일반 모드 임피던스를 갖는 차동 증폭기(DIFFERENTIAL AMPLIFIER WITH HIGH DIFFERENTIAL AND LOW COMMON MODE IMPEDANCE)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따라서 구성된 고 이익 차동 증폭기를 나타내는 도, 제4도는 본 발명의 차동 충전 펌프의 일 실시예를 나타내는 도.

Claims (12)

  1. 각각이 공급전류를 수용하는 제1단자, 상기 공급전류를 분배하는 제2단자, 그리고 상기 제1단자로부터 상기 제2단자로 흐르는 공급전류의 양을 제어하며 증폭을 위해 입력신호를 수용하는 상기 제1 및 제2트랜지스터에 있는 상기 제3단자를 포함하는 제1 및 제2트랜지스터; 상기 회로에 전력을 제공하는 전원; 상기 전원을 상기 제1트랜지스터의 상기 제1단자 및 상기 제2트랜지스터의 상기 제1단자에 접속하는 포지티브 차동 부하 저항; 상기 전원을 상기 제2트랜지스터의 제1단자 및 상기 제1트랜지스터의 상기 제1단자에 접속하는 네거티브 차동 부하 저항; 및 상기 제1트랜지스터의 상기 제1단자 및 상기 제2트랜지스터의 상기 제1단자로부터 출력신호를 발생하는 출력단자로 이루어지고, 상기 출력단자는 일반모드감도를 줄이기 위하여 저 일반모드 임피던스를 나타내는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 충전펌프를 생성하기 위하여 상기 제1트랜지스터의 상기 제1단자와 상기 제2트랜지스터의 상기 제1단자에 걸치는 커패시턴스를 생성하기 위한 적어도 하나의 커패시터를 더 포함하며, 상기 입력신호는 상기 적어도 하나의 커패시터에 걸치는 상기 포지티브 차동 부하 저항과 상기 네거티브 차동 부하 저항으로부터 양방향에서 전류가 흐르는 것을 허용하기 위하여 제1 및 제2트랜지스터의 상기 제3단자를 제어하는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 네거티브 차동 부하 저항은 전류를 수용하며 상기 전원에 접속되는 제1단자, 전류 분배용 제2단자, 그리고 상기 제1단자로부터 상기 제2단자로 흐르는 전류의 양을 제어하는 제3단자를 포함하는 제1 및 제2전류원 트랜지스터로 이루어지고, 상기 제1전류원 트랜지스터의 상기 제2단자는 상기 제2트랜지스터의 상기 제2단자에 접속되며, 상기 제2전류원 트랜지스터의 상기 제2단자는 상기 제1트랜지스터의 상기 제2단자에 접속되며, 상기 포지티브 차동로드저항은 각각이 상기 제2단자에 접속된 상기 제3단자를 갖는 제3 및 제4전류원 트랜지스터로 이루어지며, 상기 제3전류원 트랜지스터의 상기 제2단자는 상기 제1트랜지스터의 상기 제1단자에 접속되며, 상기 제4전류원 트랜지스터의 상기 제2단자는 제1전류미러를 생성하기 위해 상기 제2트랜지스터의 상기 제2단자에 접속되며 그리고 상기 제4전류원 트랜지스터의 상기 제3단자는 제1전류원 미러를 생성하기 위해 상기 제2전류원 트랜지스터에 있는 상기 제3단자에 접속되고, 상기 제3전류원 트랜지스터에 있는 상기 제3단자는 제2전류미러를 생성하기 위해 상기 제1전류원 트랜지스터의 상기 제3단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜지스터는 n-채널 MOSFET로 이루어지고, 상기 다수의 전류원 트랜지스터는 상기 전원의 전압 이하의 게이트전압에 P-채널 MOSFET 소스가 되는 상기 출력 단자에서의 출력 일반 모드 레벨을 제공하기 위해 P-채널 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
  5. 제3항에 있어서, 상기 다수의 전류원 트랜지스터는 상기 네거티브 차동부하저항 및 상기 포지티브 차동부하저항이 고 차동 저항 및 일반모드저항을 가지는 상기 제1 및 제2트랜지스터용 부하소자를 포함하도록 실질적으로 등가의 사이즈로 이루어지는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제3 및 제4전류원 트랜지스터는 실질적으로 등가인 제1사이즈로 이루어지고, 상기 제1 및 제2전류원 트랜지스터는 실질적으로 등가인 제2사이즈로 이루어지고, 상기의 제1 및 제2사이즈는 보다 작은 제어된 이득을 실현하기 위하여 유한 잔여 차동 저항을 발생하도록 미스 매치되는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
  7. 드레인, 바이어싱 전류에 접속된 소스, 및 증폭을 위해 입력신호를 수용하는 게이트로 이루어지는 제1 및 제2n-채널 MOSFET; 상기 회로에 전력을 공급하는 전원; 상기 전원을 상기 제1n-채널 트랜지스터의 상기 드레인 및 상기 제2n-채널 트랜지스터의 상기 드레인에 연결하는 포지티브 차동 부하 저항; 상기 전원을 상기 제1n-채널 트랜지스터의 상기 드레인 및 제2n-채널 트랜지스터의 상기 드레인에 연결하는 네거티브 차동 부하 저항; 그리고 상기 제1n-채널 트랜지스터의 상기 드레인과 제2n-채널 트랜지스터의 상기 드레인을 발생시키는 출력단자로 이루어지고 상기 출력단자는 일반모드감도를 줄이기 위하여 저 일반모드 임피던스를 나타내는 것을 특징으로 하는 CMOS 차동 증폭기.
  8. 제7항에 있어서, 충전 펌프를 생성하기 의하여 상기 제1n-채널 MOSFET의 상기 드레인가 상기 제2n-채널 MOSFET의 상기 드레인에 걸쳐 커패시턴스를 생성하기 위한 적어도 하나의 커패시터를 더 포함하며, 상기 입력신호는 상기 적어도 하나의 커패시터에 걸쳐 상기 포지티브 차동 부하 저항과 상기 네거티브 차동 부하 저항으로부터 양방향에서 전류를 스위칭하는 것을 허용하기 위하여 제1 및 제2트랜지스터의 상기 제3단자를 제어하는 것을 특징으로 하는 CMOS 차동 증폭기.
  9. 제7항에 있어서, 상기 네거티브 차동 부하 저항은 제1 및 제2p-채널 MOSFET로 이루어지고, 상기 제1p-채널의 상기 드레인은 상기 제2n-채널 MOSFET의 상기 드레인에 접속되고 상기 p-채널 MOSFET의 상기 드레인은 상기 제1n-채널 MOSFET의 상기 드레인에 접속되고; 상기 포지티브 차동 부하 저항은 각각이 상기 소스에 접속된 상기 게이트를 갖는 제3 및 제4p-채널 MOSFET로 이루어지고, 상기 제3p-채널의 상기 드레인은 상기 제1n-채널 MOSFET의 상기 드레인에 접속되고, 상기 제4p-채널 MOSFET의 상기 드레인은 상기 제2n-채널 MOSFET의 상기 드레인에 접속되고; 상기 제4p-채널 MOSFET의 상기 게이트는 상기 제1전류미러를 생성하기 위해 상기 제2p-채널 MOSFET의 상기 게이트에 접속되고, 상기 제3p-채널 MOSFET의 상기 게이트는 제2전류미러를 생성하기 위해 상기 제1p-채널 MOSFET의 상기 게이트에 접속되며, 상기 전원의 전압 이하의 게이트 전압으로되는 p-채널 MOSFET 소스인 것을 특징으로 하는 CMOS 차동 증폭기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 다수의 p-채널 MOSFET 트랜지스터는 상기 네거티브 차동 부하 저항 및 상기 포지티브 차동 부하 저항이 고 차동 저항 및 저 일반 모드 저항을 가지는 상기 n-채널 MOSFET 트랜지스터용 부하 소자를 포함하도록 실질적으로 등가의 사이즈로 구성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 차동 증폭기.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제3 및 재4p-채널 MOSFET 트랜지스터는 실질적으로 등가인 사이즈로 이루어지고, 상기 제1 및 제2p-채널 MOSFET 트랜지스터는 실질적으로 등가인 제2사이즈로 이루어지고, 상기 제1 및 제2사이즈는 무한보다 작은 제어된 이익을 실현하기 위하여 유한 잔여 차동 저항을 발생하기 위해 미스매치되는 것을 특징으로 하는 CMOS 차동 증폭기.
  12. 전류를 수용하는 제1단자, 제2단자, 그리고 상기 제1단자로부터 상기 제2단자로 흐르는 전류의 양을 제어하는 제3단자를 포함하는 제1 및 제2트랜지스터; 상기 회로에 전력을 공급하는 전원; 상기 전원을 상기 제1트랜지스터의 상기 제1단자 및 상기 제2트랜지스터의 상기 제1단자에 접속하는 포지티브 차동부하 저항과, 상기 전원을 상기 제2트랜지스터의 상기 제1단자 및 상기 제1트랜지스터의 상기 제1단자에 접속하는 네거티브 차동 부하 저항을 포함하는 부하 소자; 및 상기 제1트랜지스터의 상기 제1단자 및 상기 제 트랜지스터의 상기 제1단자에 걸쳐 커패시턴스를 생성하기 위한 적어도 하나의 커패시터로 이루어지며, 상기 제1 및 제2트랜지스터에 있는 상기 제3단자는 충전펌프를 생성시키기 위한 제어신호를 수용하며, 상기 네거티브 차동 부하 저항은 상기 부하 소자가 상기 제1 및 제2트랜지스터에서의 누설을 금지하기 위해 고 차동 임피던스를 나타내도록 하기 위하여 상기 포지티브 차동 저항의 값과 실질적으로 같은 절대값으로 이루어지며, 상기 제어신호는 상기 커패시턴스에 걸쳐 상기 부하 소자로부터 양방향에서 모든 전류를 스위치하기 위하여 제1 및 제2트랜지스터의 상기 제3단자를 제어하는 것을 특징으로 하는 차동 충전 펌프 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960703046A 1993-12-10 1994-12-01 고 차동 임피던스 및 저 일반 모드 임피던스를 갖는 차동 증폭기(differential amplifier with high differential and low common mode impedance) KR960706714A (ko)

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US08/165,398 US5422529A (en) 1993-12-10 1993-12-10 Differential charge pump circuit with high differential and low common mode impedance
PCT/US1994/013703 WO1995016305A1 (en) 1993-12-10 1994-12-01 Differential amplifier with high differential and low common mode impedance

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190123807A (ko) * 2017-03-24 2019-11-01 밀워키 일렉트릭 툴 코포레이션 배터리 팩용 단자 구성

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3262915B2 (ja) * 1993-09-21 2002-03-04 株式会社リコー 電位比較回路
JPH10500260A (ja) 1994-02-15 1998-01-06 ランバス・インコーポレーテッド 位相検出誤りが最小の位相検出器
KR100393317B1 (ko) 1994-02-15 2003-10-23 람버스 인코포레이티드 지연동기루프
US5619161A (en) * 1994-08-31 1997-04-08 International Business Machines Corporation Diffrential charge pump with integrated common mode control
JPH08278916A (ja) * 1994-11-30 1996-10-22 Hitachi Ltd マルチチャネルメモリシステム、転送情報同期化方法及び信号転送回路
EP0718978A1 (en) * 1994-12-23 1996-06-26 STMicroelectronics S.r.l. Differential charge pump
DE69623770T2 (de) 1995-05-26 2003-08-14 Rambus Inc Phasenschieber und verfahren zur phasenverschiebung
US6642746B2 (en) 1996-01-02 2003-11-04 Rambus Inc. Phase detector with minimized phase detection error
US5801564A (en) * 1996-06-28 1998-09-01 Symbios, Inc. Reduced skew differential receiver
US5734617A (en) * 1996-08-01 1998-03-31 Micron Technology Corporation Shared pull-up and selection circuitry for programmable cells such as antifuse cells
US5953276A (en) * 1997-12-18 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Fully-differential amplifier
US6104209A (en) 1998-08-27 2000-08-15 Micron Technology, Inc. Low skew differential receiver with disable feature
US5825209A (en) * 1997-02-27 1998-10-20 Rambus Inc. Quadrature phase detector
US5977798A (en) * 1997-02-28 1999-11-02 Rambus Incorporated Low-latency small-swing clocked receiver
US5831484A (en) * 1997-03-18 1998-11-03 International Business Machines Corporation Differential charge pump for phase locked loop circuits
US5920215A (en) * 1997-06-30 1999-07-06 Sun Microsystems, Inc. Time-to-charge converter circuit
JP3382128B2 (ja) * 1997-07-10 2003-03-04 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 差動増幅器
SE511852C2 (sv) * 1997-07-14 1999-12-06 Ericsson Telefon Ab L M Klockfasjusterare för återvinning av datapulser
FR2770947B1 (fr) * 1997-11-07 1999-12-24 Sgs Thomson Microelectronics Amplificateur differentiel a transistor mos
US5994939A (en) * 1998-01-14 1999-11-30 Intel Corporation Variable delay cell with a self-biasing load
US6212482B1 (en) 1998-03-06 2001-04-03 Micron Technology, Inc. Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits
US6344959B1 (en) 1998-05-01 2002-02-05 Unitrode Corporation Method for sensing the output voltage of a charge pump circuit without applying a load to the output stage
US6448841B1 (en) 1998-05-01 2002-09-10 Texas Instruments Incorporated Efficiency charge pump circuit
US6084452A (en) * 1998-06-30 2000-07-04 Sun Microsystems, Inc Clock duty cycle control technique
US6385265B1 (en) 1998-08-04 2002-05-07 Cypress Semiconductor Corp. Differential charge pump
US6021056A (en) * 1998-12-14 2000-02-01 The Whitaker Corporation Inverting charge pump
US6124741A (en) * 1999-03-08 2000-09-26 Pericom Semiconductor Corp. Accurate PLL charge pump with matched up/down currents from Vds-compensated common-gate switches
US6275097B1 (en) 1999-04-02 2001-08-14 S3 Incorporated, Inc. Differential charge pump with low voltage common mode feedback circuit
US6285259B1 (en) * 1999-04-21 2001-09-04 Infineon Technologies North America Corp. System and method for converting from single-ended to differential signals
FR2793087B1 (fr) 1999-04-28 2001-06-29 St Microelectronics Sa Circuit et procede de compensation de la tension de decalage dans un amplificateur operationnel
EP1093221A1 (en) * 1999-07-19 2001-04-18 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw A compact differential transconductance amplifier and a method of operation thereof
US6154018A (en) * 1999-09-01 2000-11-28 Vlsi Technology, Inc. High differential impedance load device
JP4265865B2 (ja) * 2000-09-14 2009-05-20 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 能動負荷回路
US6466070B1 (en) * 2000-12-21 2002-10-15 Xilinx, Inc. Low voltage charge pump
US6573779B2 (en) 2001-05-25 2003-06-03 Rambus Inc. Duty cycle integrator with tracking common mode feedback control
TW567663B (en) * 2002-06-07 2003-12-21 Frontend Analog And Digitial T Differential amplifier with ultra-fast switching
US6765441B1 (en) * 2003-01-24 2004-07-20 Atheros Communications, Inc. Differential amplifier
JP3792207B2 (ja) * 2003-03-25 2006-07-05 沖電気工業株式会社 電流駆動型差動ドライバ及び電流駆動型差動ドライバを用いたデータ送信方法
JP2005045702A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 差動増幅回路および差動増幅回路を搭載したテスト回路
JP4549650B2 (ja) * 2003-10-15 2010-09-22 パナソニック株式会社 小振幅差動インターフェース回路
US6943608B2 (en) * 2003-12-01 2005-09-13 International Business Machines Corporation Wide frequency range voltage-controlled oscillators (VCO)
US7720188B2 (en) * 2004-03-29 2010-05-18 Nxp B.V. Fast phase-frequency detector arrangement
US7692453B2 (en) * 2004-08-11 2010-04-06 Atmel Corporation Detector of differential threshold voltage
US7215199B2 (en) * 2004-10-15 2007-05-08 Broadcom Corporation Method and system for simplifying common mode feedback circuitry in multi-stage operational amplifiers
JP4480547B2 (ja) * 2004-11-05 2010-06-16 パナソニック株式会社 チャージポンプ回路
KR20060040267A (ko) * 2004-11-05 2006-05-10 삼성전자주식회사 높은 전압이득율과 안정적인 공통모드출력전압을 가지는차동증폭기
CN100459417C (zh) * 2005-06-14 2009-02-04 北京大学 低压低功耗高隔离度差分放大器
US20100019853A1 (en) * 2006-03-09 2010-01-28 Nxp B.V. Amplification stage
DE102006044732A1 (de) * 2006-09-20 2008-04-10 Micronas Gmbh Dreistufiger Verstärker
US7701256B2 (en) * 2006-09-29 2010-04-20 Analog Devices, Inc. Signal conditioning circuit, a comparator including such a conditioning circuit and a successive approximation converter including such a circuit
US7782143B2 (en) * 2007-03-08 2010-08-24 Integrated Device Technology, Inc. Phase locked loop and delay locked loop with chopper stabilized phase offset
KR101816525B1 (ko) 2010-10-01 2018-02-21 삼성전자주식회사 차동 증폭기의 레이아웃 방법 및 이를 이용한 차동 증폭기 레이아웃
US20150110291A1 (en) * 2013-10-17 2015-04-23 Knowles Electronics Llc Differential High Impedance Apparatus
US9634559B2 (en) 2014-02-07 2017-04-25 The Hong Kong University Of Science And Technology Charge pumping apparatus for low voltage and high efficiency operation
KR101609692B1 (ko) 2014-07-23 2016-04-08 한국항공대학교산학협력단 저잡음 증폭기
CN105281753A (zh) * 2015-10-22 2016-01-27 天津大学 适用于延迟锁相环的高性能电荷泵
US10199997B2 (en) * 2016-06-09 2019-02-05 Qualcomm Incorporated Source-degenerated amplification stage with rail-to-rail output swing
EP3748846A1 (en) * 2019-06-05 2020-12-09 Socionext Inc. Differential amplifier circuitry

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3771063A (en) * 1972-03-13 1973-11-06 Calnor El Paso Inc Bi-polar phase detector
JPS5953515B2 (ja) * 1976-10-25 1984-12-25 株式会社日立製作所 時間差検出回路
GB1595636A (en) * 1977-07-22 1981-08-12 Mitsubishi Electric Corp Apparatus for reducing ghosting of tv pictures
US4156851A (en) * 1977-10-25 1979-05-29 Winters Paul N Constant-phase delay network
JPS5535516A (en) * 1978-09-04 1980-03-12 Toshiba Corp Signal conversion circuit
US4291274A (en) * 1978-11-22 1981-09-22 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Phase detector circuit using logic gates
JPS6032912B2 (ja) * 1979-09-13 1985-07-31 株式会社東芝 Ｃｍｏｓセンスアンプ回路
JPS56128083A (en) * 1980-03-12 1981-10-07 Hitachi Ltd Phase detection circuit
JPS5892963A (ja) * 1981-11-30 1983-06-02 Anritsu Corp 位相検出器
US4506175A (en) * 1982-08-18 1985-03-19 Rca Corporation Digital phase comparator circuit producing sign and magnitude outputs
JPS60170075A (ja) * 1984-02-14 1985-09-03 Sony Corp デイジタルビデオ信号処理装置
US4623805A (en) * 1984-08-29 1986-11-18 Burroughs Corporation Automatic signal delay adjustment apparatus
US4721904A (en) * 1984-12-25 1988-01-26 Victor Company Of Japan, Ltd. Digital phase difference detecting circuit
JP2718664B2 (ja) * 1986-05-23 1998-02-25 株式会社日立製作所 位相同期検出回路
GB2193406B (en) * 1986-08-02 1990-04-25 Marconi Instruments Ltd Phase detector
JP2608555B2 (ja) * 1987-03-19 1997-05-07 富士通株式会社 位相比較回路
JPH01231430A (ja) * 1988-03-10 1989-09-14 Nec Corp Ｐｌｌロック検出回路
US4870303A (en) * 1988-06-03 1989-09-26 Motorola, Inc. Phase detector
JP2642421B2 (ja) * 1988-06-28 1997-08-20 富士通株式会社 デジタル位相差検出回路及び位相差検出方法
US5253187A (en) * 1988-11-11 1993-10-12 Canon Kabushiki Kaisha Coordinate input apparatus
US4893094A (en) * 1989-03-13 1990-01-09 Motorola, Inc. Frequency synthesizer with control of start-up battery saving operations
JP2999508B2 (ja) * 1990-04-18 2000-01-17 パイオニア株式会社 時間軸誤差信号発生装置
EP0458269B1 (en) * 1990-05-21 1995-03-08 Nec Corporation Phase-locked loop circuit
US5148113A (en) * 1990-11-29 1992-09-15 Northern Telecom Ltd. Clock phase alignment
JPH04214297A (ja) * 1990-12-13 1992-08-05 Mitsubishi Electric Corp 増幅回路
JPH04220094A (ja) * 1990-12-19 1992-08-11 Sony Corp バースト位相検出回路
US5223755A (en) * 1990-12-26 1993-06-29 Xerox Corporation Extended frequency range variable delay locked loop for clock synchronization
US5095233A (en) * 1991-02-14 1992-03-10 Motorola, Inc. Digital delay line with inverter tap resolution
US5121010A (en) * 1991-02-14 1992-06-09 Motorola, Inc. Phase detector with deadzone window
US5128554A (en) * 1991-02-14 1992-07-07 Motorola, Inc. Opposite phase clock generator circuit
US5229664A (en) * 1991-07-03 1993-07-20 Exar Corporation Programmable differentiator delay
US5179303A (en) * 1991-10-24 1993-01-12 Northern Telecom Limited Signal delay apparatus employing a phase locked loop
DE4139117C1 (ko) * 1991-11-28 1993-06-09 Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising, De
JP2594483B2 (ja) * 1991-12-10 1997-03-26 新日本製鐵株式会社 自動追尾式衛星放送受信アンテナ装置
US5187448A (en) * 1992-02-03 1993-02-16 Motorola, Inc. Differential amplifier with common-mode stability enhancement
JPH05312850A (ja) * 1992-05-12 1993-11-26 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路
US5394024A (en) * 1992-12-17 1995-02-28 Vlsi Technology, Inc. Circuit for eliminating off-chip to on-chip clock skew
US5432480A (en) * 1993-04-08 1995-07-11 Northern Telecom Limited Phase alignment methods and apparatus
US5422918A (en) * 1993-12-09 1995-06-06 Unisys Corporation Clock phase detecting system for detecting the phase difference between two clock phases regardless of which of the two clock phases leads the other

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190123807A (ko) * 2017-03-24 2019-11-01 밀워키 일렉트릭 툴 코포레이션 배터리 팩용 단자 구성

Also Published As

Publication number Publication date
WO1995016305A1 (en) 1995-06-15
AU1214095A (en) 1995-06-27
JP3177743B2 (ja) 2001-06-18
US5736892A (en) 1998-04-07
USRE36013E (en) 1998-12-29
US5422529A (en) 1995-06-06
JPH09509019A (ja) 1997-09-09

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