KR970031232A - 차동증폭기를 갖는 이득 제어 증폭회로(gain controlled amplification circuit having differential amplifier) - Google Patents

차동증폭기를 갖는 이득 제어 증폭회로(gain controlled amplification circuit having differential amplifier) Download PDF

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Abstract

입력신호는 입력저항을 통하여 차동증폭기의 제 1입력단에 인가되고 피드백 신호는 피드백 저항을 통하여 제 1 입력단에 인가된다. 기준전위는 차동증폭기의 제 2입력단에 인가된다. 캐퍼시턴스소자는 제 2입력단과 고전위 전원사이에 접속되며, 캐퍼시턴스 소자는 제 2입력단과 저전위 전원사이에 접속된다. 증폭회로의 증폭비는 반도체 아날로그 스위치에 의해 입력저항과 피드백 저항의 저항치를 절환함으로써 다단에 걸쳐 절환될수가 있다. 전원 전압에 어떠한 변동도 존재하면, 변동성분은 반도체 아날로그 스위치를 통하여 차동증폭기의 제 1입력단에 인가되어 증폭비의 변동을 초래한다. 이 전원전압의 변동성분은 제 2입력단에 접속된 캐퍼시턴스 소자에서 제 2 입력단에 인가된다, 차동증폭기가 제 2입력단에 인가된 신호의 동상(同相)성분을 제거하므로, 증폭비에 대한 전원전압의 변동의 영향이 캐퍼시턴스 소자가 제2입력단에 접속으로 인해 억제될 수가 있다.

Description

차동증폭기를 갖는 이득 제어 증폭회로(GAIN CONTROLLED AMPLIFICATION CIRCUIT HAVING DIFFERENTIAL AMPLIFIER)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 종래기술에 의한 반전증폭회로를 도시한 회로도.
제 2도는 종래기술에 의한 이득제어를 행하는 반전증폭회로를 도시한 회로도.
제 3도는 MOS스위치를 도시한 회로도.
제4도는 제3도에 도시한 MOS스위치의 등가회로를 도시한 회로도.
제 5도는 아날로그 스위치의 회로구성을 도시한 회로도.
제 6도는 제 5도에 도시한 아날로그 스위치의 등가회로를 도시한 회로도.
제 7도는 본 발명의 실시예에 의한 증폭회로를 도시한 회로도.
제 8도는 제 7도에 도시한 회로의 등가회로를 도시한 회로도.
제 9도는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 증폭회로를 도시한 회로도.

Claims (12)

  1. 입력저항을 통하여 차동증폭기의 제 1입력단에 입력신호를 인가하고 제 2 입력단에 기준전위에 인가하여 반도체 아날로그 스위치에 의해 상기 입력저항의 저항치와 피드백 저항의 저항치를 절환함으로써 다단에 걸쳐 증폭도를 절환하는 증폭회로에 있어서, 상기 차동증폭기의 제 2입력단과 고전위 전원사이에 접속된 제 1캐퍼시턴스 소자와, 상기 차동증폭기의 제 2입력단과 저전위 전원사이에 접속된 제 2 캐퍼시턴스 소자로 구성되는 증폭회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 차동증폭기의 제 2입력단에는 상기 제 2입력단의 임피던스를 증가시키는 저항소자가 접속되어 있는 증폭회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 입력저항과 상기 피드백 저항의 각각은 직렬로 접속된 복수의 저항으로 구성되며, 상기 반도체 아날로그 스위치는 상기 입력저항과 상기 피드백 저항의 각각의 상기 저항의 접합부와 상기 차동증폭기의 상기 제 1입력단사이에 접속되는 증폭회로.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 아날로그 스위치의 각각은 반도체 소자들로 구성되고, 상기 하나의 반도체소자의 기판은 상기 고전위 전원에 접속되며, 상기 다른 하나의 반도체 소자의 기판은 상기 저전위 전원에 접속되는 증폭회로.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 아날로그 스위치의 각각은 2개의 상보형 MOS트랜지스터의 병렬회로로 구성되고, 상기 MOS 트랜지스터중 하나의 백게이트는 상기 고전위 전원에 접속되고, 상기 MOS 트랜지스터중 다른 하나의 백게이트는 상기 저전위 전원에 접속되는 증폭회로.
  6. 입력저항을 통하여 차동증폭기의 제 1입력단에 입력신호를 인가하고 제 2 입력단에 기준전위를 인가하여 반도체 아날로그 스위치에 의해 상기 입력저항의 저항치와 피드백 저항의 저항치를 절환함으로써 다단에 걸쳐 증폭비를 절환하는 증폭회로에 있어서, 상기 반도체 아날로그 스위치의 특성과 거의 같은 특성을 갖고 상기 제 2 입력단에 접속되어, 상기 제2입력단에 상기 기준전위를 인가하는 반도체 아날로그 스위치로 구성되는 증폭회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 차동증폭기의 제 2입력단에는 상기 제2 입력단의 임피던스를 증가시키는 저항소자가 접속되어 있는 증폭회로.
  8. 제6항에 있어서, 상기 입력저항과 상기 피드백 저항의 각각은 직렬로 접속된 복수의 저항으로 구성되며, 상기 반도체 아날로그 스위치는 상기 입력저항과 상기 피드백 저항의 각각의 상기 저항의 접합부와 상기 차동증폭기의 상기 제 1입력단 사이에 접속되는 증폭회로.
  9. 제6항에 있어서, 상기 입력저항과 상기 제 1입력단사이에 접속된 상기 반도체 아날로그 스위치와 상기 피드백 저항과 상기 제 1입력단사이에 접속된 상기 반도체 아날로그 스위치의 각각은 2개의 상보형 MOS트랜지스터의 병렬회로로 구성되고, 상기 MOS트랜지스터의 하나의 백게이트는 상기 고전위 전원에 접속되고, 상기 MOS트랜지스터의 다른 하나의 백게이트는 상기 저전위 전원에 접속되는 증폭회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기준전위와 상기 제2입력단사이에 접속된 상기 반도체 아날로그 스위치는 한쪽은 ON되고 다른 한쪽은 OFF되는 2개의 MOS스위치의 병렬회로로 구성되고, 상기 MOS 스위치의 각각은 2개의 상보형 MOS트랜지스터의 병렬회로로 구성되고, 상기 MOS트랜지스터의 다른 하나의 백게이트는 상기 고전위 전원에 접속되며, 상기 MOS트랜지스터의 다른 하나의 백게이트는 상기 저전위 전원에 접속되는 증폭회로.
  11. 제6항에 있어서, 상기 입력저항과 상기 제 1입력단사이에 접속된 상기 반도체 아날로그 스위치와 상기 피드백 저항과 상기 제 1입력단사이에 접속된 상기 반도체 아날로그 스위치의 각각은 반도제 소자들로 구성되고, 상기 하나의 반도체 소자의 기판은 상기 고전위 전원에 접속되며, 상기 다른 하나의 반도체 소자의 기판은 상기 저저위 전원에 접속되는 증폭회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 기준전위와 상기 제 2입력단사이에 접속된 상기 반도체 아날로그 스위치는 한쪽은 ON되고 다른쪽은 OFF되는 2개의 아날로그 스위치의 병렬접속으로 이루어지고, 상기 아날로그 스위치의 각각은 반도체 소자들로 구성되고, 상기 하나의 반도체소자의 기판은 상기 고전위 전원에 접속되며, 상기 다른하나의 반도체 소자의 기판은 상기 저전위 전원에 접속되는 증폭회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960020538A 1995-11-10 1996-06-10 차동증폭기를 갖는 이득 제어 증폭회로 KR100198237B1 (ko)

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