TW303545B - Gain controlled amplification circuit having differential amplifier - Google Patents

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經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7_五、發明説明（1 ) 發明背景 1. 發明領域 本發明係有關一種具差動放大器之放大電路，持別是 供影響裝配於積體電路之用的增益控制放大電路。 2. 相關技術描述 一般而言，具有差動放大器之放大電路的放大因數 Anf就一典型反柑放大電路的情況而論偽以-Rf/Rs表示。 此處* 表示一輸入電阻而Rf表示一回授電阻。當Rs= Rf 時，能獲得-Anf = - 1的反相放大電路。換言之，放大因 數f可根據R s及R f (電阻值）的值獲得。 為滿足放大的可變程度（放大增益），尤其是積體電 路實現，已知有一藉多數個串聯的電阻構成每個s輸入電 阻值R s及回授電阻R f的放大電路，且該放大電路藉打開/ 關閉（ON/OFF)多數個半導髏類tb開關能調整其等之電阻 值。 倘若構成各個輸入電阻R s及回授電阻的多數値電阻 器之電阻值被設定為上述電路結構中的合適值，放大因數 則能容易地透過根據半導體類比開關的ΟΝ/OFF組合數目的 數値级而獲得。 然而，於足以得到上述增益控制的放大電路中，依然 存有一値問題，即輸出電壓關於電壓源改變之變動的比（ 所諝的 “SVRR: Supply Voltage Rejection Ratio) ” 像 是會惡化，因為半導髏類比開關僅與差動放大器之諸輸入 端的其中之一連接而已。 (請先閲讀背面之注意聿項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） r_

A7 B7_ 五、發明説明（2 ) 當一 MOS開關作為一典型半導體類比開關使用時， 其電路則藉平行連接兩脑互補MOS電晶體、施加互補控制 信號（二信號當其中一値於“ 1 ”準位時，另一個於“ 0 ”準位）於各閘、將P通道MOS電晶體之反向閘連接至 於高電位側的壓源VDD、以及將N通道MOS電晶體的反向閘 連接至於低電位側的電源VSS。 根據此一結構，當其中一値控制信號被設為“ 0 ” 準位而另一痼信號設為“ 1 ”準位時，則可獲得預期的操 作，g卩兩痼MOS電晶體被打開。然而，因為二個電晶體之 閘皆分別連接至高電位的電源VDD及低電位的VSS，並不能 總是確保“ 1 ”準位=VDD及“ 0 ”準位=VSS的等式關 偽。因此，二値電晶體之閘與反向閘之間的電壓時常變動 。於此情況，各個電晶體之汲極與源極之間的電阻值（通 道ON電阻Ron)隨著電壓源的變動而改變，而産生一値問 題，即該變動的頻率成份與差動放大器的輸入信號重叠。 當電壓源的頻率成份高時，其頻率成份通過M0S開關 的諸電極間，重曼被操作上放大者之輸入信號且被被放大 〇 上述問題同樣地發生於使用雙極電晶體或二極體之類 比開關被用作為半導體開關時。 發明槪沭 本發明之目的在於提供一放大電路，供達成增益控制 放大之用，其具有一差動放大器且能改良輸出電壓闋於電 壓源之變動的變動比。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ! I I I I I 裝 —訂 I I I ~線 ^ * (請先¾讀背面.V注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 五、發明説明（3 ) 本發明乃為達成上述之目的而完成。用以逹成增益控 制放大之放大電路，具有差動放大器，該放大電路透過一 輸入電阻輸入一输入信號至差動放大器之第一輸入端且輸 入一參考電位至第二輸入端。此一放大電路藉一半導體類 比開關轉換輸入電胆的電阻值及回授電阻的電阻值將一放 大比轉換為多重級。於一放大電路中，本發明佈設一第一 電容元件於差動放大器之第一輸入端與一高電位電源之間 及佈設一第二電容元件於差動放大器之第二輸入端與一低 電位電源之間。 當此一放大電路中的電壓源變動時，變動成份俗透過 半導體類比開關加在差動放大器的第一輸入端，而該半導 體類比開關切換輸入電阻及回授電阻。同時，電壓源的變 動成份亦透過第一及第二電容元件加在差動放大器的第二 輸入端。由於差動放大器具有將加在第一及第二輸入端之 相同相位成份移除的功能，電壓源的變動成份乃被消除， 且對放大级數的影響得以被限制。 本發明的第二靥面，於具有一差動放大器之放大電路 中，為達成增益控制放大，一電阻元件及一半導體類比開 關偽串聯地連接於第二輸入端與一參考電位之間。一具有 與用以切換輸入電阻及回授電阻之半導體類比開關有實質 相同恃性之半導體類比開關係作為此一半導體類比開關。 於此放大電路中，電壓源變動成份被透過半導體類比 開關輸入差動放大器的第二輸入端，而電壓源之變動的影 響則被限制。再者，與第二輸入端連接的半導體類比開關 -6 ~ ---------裝--% . (請先閱^·背面^注意事項再填寫本1) 二-5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央樣準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（4 ) 的ON電阻值隨電壓源的變動而改變，而補償與差動放大器 之第一輸入端連接的半導體類比開關之0H電阻值的變動成 圃式簡沭 本發明之上述目的與特性將由以下參照附圖之較佳實 施例的說明而變得明瞭，其中： 第1圖係顯示根據習知技術之反相放大電路之電路圖 » 第2圖偽顯示根據習知技術之用以達成增益控制放大 之反相放大電路的電路圖； 第3圖偽顯示一 M0S開關之電路圖； 第4圖偽顯示第3圖所示之M0S開關之等效電路的電 路圖； 第5圖係顯示一類比開關之電路結構的電路圖； 第6圖偽顯示第5圖所示之類比開關之等效電路的電 路圖； 笫7圖傺顯示根據本發明之一實施例之放大電路的電 路圖； 第8圖係顯示第7圖所示之電路的等效電路的電路圖 » 第9圖偽顯示根據本發明之第二實施例之放大電路的 電路圖。 較佳奮旆例説明 在描述本發明之實施例之前，相關技術及缺點將參照 -7 - 本紙張尺度適用中國國家橾隼（CNS > A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 相關圖式加以說明。 一具有差動放大器（典型上，一蓮算放大器2)之諸 如第1圖所示之典型反相放大電路之放大電路的放大因數 Anf，偽給定為一Rf/Rs。此處Rs代表一輸入電阻而Rf代表 一回授電阻。當1^=|^時，可得到一具有Anf = — 1之反 相放大電路，且當Rf/Rs = η時，可得到一具有Anf=-n 的反相放大電路。換言之，可根據電阻值R f及R s得到A n f =一 η放大因數。 為滿足可變程度放大的要件，一諸如第2画所示者之 放大電路經常被應用。於此一電路中，多數個（圖示中有 三値）電阻R s t至R s 2串連而構成一輸入電阻，而多數値（ 圖示中有三傾）電阻Rfl至Rf2串連而構成一回授電阻。再 者，R s及R f的電阻值可被OH/OFF分別被多數値類比開鼸 S31與Ss2及Rfl與Rf2的切換而被調整。 於上述的電路結構中，可容易地根據類比開關S s 1與 Ss2及Sfl與Sf2藉合宜地預先設定多數個構成輸入電阻Rs 及回授電阻R f之電阻值得到多级放大因數。 然而，於足以得到上述多级的放大程度，諸類比開關 連接至蓮算放大器21之其中一痼輸入端（第2圖所示之負 輸入端）。因此，存在有一個問題，即輸出電壓之改變比 電壓源之改變的比有可能惡化。 第3圖傜一典型使用MOS電晶體之類比開關的結構圖 。二個互補MOS電晶體1及2係彼此並聯，且互補控制信 號（一組信號，當其中之一信號在“ ”準位時，另一信 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公嫠） - ^ 裝 訂 線 (請先閱本背面之汝意事項再填寫本頁) 五、發明説明（6 A7 B7 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 號在“ 1 ”準位）Sa及sb偽施加於各閘極。一 P通道MOS 電晶體1的反向閘傜與在高電位側的電源VDD連接，而 N通道型M0S電晶體2則與在低電位側的電源VSS連接。 根據此一電路結構，可以藉將控制信號53及51>分別設 定為“ 0 ”及“ 1 ”準位而得到想要之導通M0S電晶體1 及2的操作。然而，因為二電晶體皆偽與在高電位側的電 源VDD及在低電位側的電源VSS連接，在二個電晶體之反向 閘極間的電壓變動，於某些情況下，由於並不總是能確保 “ 1 ”準位=VDD及“ 0 ”準位=VSS的等式闊係在賁際的 電子電路中。於此情況中，在° n時間的汲極一源極電阻值 (通道ON電阻R。》)隨箸電壓源的變動而改變，而發生問 題，E卩其頻率成份與蓮算放大器的輸入信號重叠。 第4圖係第3圖所示之電路的等效電路圖。參考標號 1 '對應於P通道M0S電晶體1而參考標號2 ’對應於N通 道M0S電晶體2。符號B、D及S分別表示反向閘、源極 及源極。在反向閘B與汲極D間的電容係由Cb d i表示（i =1、2 ;以下皆同），反向閘B與源極S間的電容係由 Cb s,表示，且汲極D與源極S間的電容偽由R d s i表示。 SVRR之惡化的機構可於下述二値機構藉由電源變動的 頻率而獲得解釋。換言之，（a)當頻率為低時，機構偽閘 極B與汲極D間之B — D電壓的變化、反向閘B與源極S 間之B — S電壓的變化、閘極G與汲極D間之G — D電壓 的變化、閘極與源極間之G — S電壓的變化、R d s i (通道 ON電阻Ron)的變化、輸入電阻Rs的變伕及放大因數九^的 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之ίί·意事項再填寫本頁) -裝· 、νβ 線 A7 B7 經濟部中央橾準局男工消费合作社印製 五、發明説明（7 ) 變化及（b)當頻率為窩時，機構則為頻率成份通過電容 Cbcn及電容CbSi且與蓮算放大器的輸入信號重叠且被放大 Ο 為限制機構（a)(通道ON電阻1?。《)，設計M0S電晶體 有效，故能被減至最小。然而，根據此種設計方法， M0S電晶體的尺度變大且電極間的電容（“^及“31)增 加，所以機構（b)偽增進的，且應用至操作頻率為高之應 用的SVRR惡化。因此，此方法涉及一性質上的限制。 上述說明解釋了 M0S開關被用作為半導體類比開關的 例子。接著，將說明使用一雙極電晶體作為半導體開關的 類比開闢的例子。 第5圖傜使用雙極電晶體之類比開關的結構圖。PNP 電晶體3或NPN電晶體4的集極及射極被使用為信號電極 且控制信號54或Sb傜透過電阻R加於各基極B。雖然在高 電位側的電源VDD及在低電位側的電源VSS並未顯示於第3 圖，加在雙極電晶體之基極上的電源有賴於二種電晶體型 式（PNP或NPN)及其結構（橫向或垂直的）。此一類 比開關的操作與第3圖所示之M0S開關的操作相同。 第6圖偽第5圖的等效電路圖。符號E、C及S分別 代表射極、集極及基極。在基極S與射極E間的電容係由 C s e i表示，而基極S與集極間的電容則由C s c i表示。 S V Μ惡化的機構傺分為（a)機構其中集極與射極間之 電阻R e c i由於基極電壓的變動而改變且（b .)機構其中基極 S與射極E間的電容C s e i及基極S與集極C間的電容C s。, (請先閲讀背面之ίί·意事項再填寫本頁) -裝· -" 線 本紙張尺度適用中國國家搮準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經濟部中央樣準扃系工消费合作社印装 303545 π B7 五、發明説明（8 ) ，及最後，射極E與集極C間的電容，當電晶體區係增加 以便降低集極C與射極E間的電阻Re(；i以及電壓變動之頻 率成份透過此電容與蓮算放大器之輸入信號重叠時，增加 〇 以下，本發明之較佳實施例將會參照圖式說明。 第7圖係顯不根據本發明第一實施例之一放大電路的 電路圖。 於第7圖中，参考標號20表示以· Rf /Rs倍增輸入信號 Vs及輸出該信號的反相放大電路。參考標號21表示一具有 正輸入端21a、一負輸入端21b及一輸出端21c的運算放大 器。輸入信號V s偽透過輸入電阻R s加在頁輸入端21 b ,而 一參考電源V f傜透過電阻元件R P加在正輸入端21 a。輸出 信號傺由輸出端21c取出，而一回授電阻器Rf傜插置於輸 出端21 a與負輸入端21b。 此處，輸入電阻R s包括三値串聯的電阻元件R s i至R s 3 ，及回授電阻R f包括三個串聯的電阻元件R f i至R f 3。此等 電阻元件的串聯能分別被M0S開關Ss i與Ss 2及M0S開關Sf i ，Sf2調整至一到三個電阻器。換言之，Rs的電阻值可被 調至 “Rsl” （Rsl〇N，Rs2〇FF) 、(UFF ，Rs2〇N)及 “Rsi~(~RS2~|~Rs3” （Rsi、Rs2二者皆 OFF) 。同樣地，Rf的電阻值可·被調至“ Rfi” （Rf !0Ν，Rf2〇FF )、（Rfsl0FF，RfzON)及 + 1^3”（1^1、1^2二者皆(^1)。順帶一提，電阻元件的 數目僅是實驗性而非待別受限於上述者。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） · ^ 裝 訂 線 (請先閱t背面之：Λ·意事項再填寫本頁)

五、發明説明（9 ) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 此實施例的待徵部分為圖式中虛線範圍。換言之，此 實施例的持徽部分在於··一第一電容元件Ct傜連接於運算 放大器21之正輸入端21a與在高電位側之電源VDD之間， 及第二電容元件C2偽連接於正輸入端21a與在低電位側之 電源VSS之間，以及一電阻元件RP偽連接於正輸入端21a與 一預定參考電源V f之間。電阻元件R p被插置以便增加正輸 入端21a與參考電源之間的阻抗，且倘若參考電源\^的 内部阻抗足夠高則不需要RP。因為電壓源的内部阻抗一般 遠低於有效電阻器，插入電阻元件RP乃此實施例的一必要 條件。 第8圖係第7圔所示之電路的等效電路圖。符號Rs’及 典型上代表當MOS開關Ssl、Ss2、Sf t及Sf2假設一隨意 組合之輸入電阻R s及回授電阻R f。符號C·»«典型上代表第 4 b圖所示之P通道MOS電晶體之反向閘極B與汲極D間之 電容的並聯值及反向閘極B與源極S間之電容值Cb s i。再 者，苻號CmS典型上代表第4圖所示之N通道MOS電晶體之 反向閘極B與汲極D間的電容Cb d 2以及反向閘極B與源極 S間之電容Cbs2。 於上述電路結構中，當在高電位側之電源VDD或在低 電位側之電源VSS變動時，變動成份係透過電容Cm或Cras (機構（a))與蓮算放大器的負輸入端21b重叠。結果，

SVRR即將於此實施例中惡化，相同相位的變動成份係透電 容器(^及(：2加於蓮算放大器21的正輸入端21a 。因此，SVRR 的惡化能藉蓮算放大器21之相同相位信號排除作用而避免 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — I — I I I 裝 i I I I 訂 I I I ^ * X (請先閱欢背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（1G ) •且此實施例能獲得利益，SVRR能改善而無關於電源之電 壓變動的頻率。 背‘ φ 之 注. 意 事 項 再 填 本衣 页 此處，蓮算放大器21之輸出信號V。能以下述等式⑴來 表示，其中Δν(-)傜透過MOS開關之電容Cw及CmS加在蓮 算放大器21之負輸入端21b之電壓源VDD或VSS之變動成份 ，而Λν( + )則傜透過電容(^或(：2加在正輸入端21a的變動 成份： V。= Vs (-Rf/Rs) +-A ( △ V ( + )-△ V ㈠） …⑴ 其中條件為：A為蓮算放大器21之差動放大因數。假設 △ \Π+) = Δν(-)傜由調整電容C1與C2值及電阻元件R，值 ，等式⑴的第二項變成零（〇)，且能獲得等式（2): 訂 V〇= Vs ( -Rf/Rs) …（2) 以此方式，電源變動成分於是可自V。移除。 第9圖偽顯示根據本發明第二實施例之放大電路的電 路画。順便一提的是，類似的標號係使用於第9圖以辨識 類似於第7圖的構件。 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 此實施例與第一實施例（第7圖所示）之差異在於二 個M0S開關30及31傜並聯於蓮算放大器2 1與其中之一個開 關（於圖式下端之類比開關3 1)之電阻元件R P ’永遠保持 為0N且另一値開關（於圖式上端之類比開關30 )永遠保持 為 OFF。 類比開關31及31包含P通道M0S電晶體及N通道電晶 體，與用以調整(見第3圖）之M0S開關Ssl、Ss2 、S f 1及S f 2相同。 -13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 s_____B7__ 五、發明説明（11 ) 除了以與第一實施例相同之方式移除MOS開關ss i、

Su、sf i及sf2之電極電容所感應之電壓變動所重叠之移 除信號的作用外，此一簧施例具有獨恃的效用，即由於電 壓源VDD或VSS變動之M0S開關的ON電阻1?。„所造成之SVRR的 惡化，或由於回授電咀R f (機構（a))的電阻值能被避免 0 此處假設P通道M0S電晶體的尺寸為P30，M0S開關30 之N通道M0S電晶髏的尺寸為30，P通道M0S電晶體的尺寸 俗Pu且M0S開關31之N通道M0S電晶體係N31，且P通道M0 S電晶體之尺寸為Psl、Ps2、Pfl及Pf2且Ssl、Si!2、Sil及 sf2之N通道MOS電晶體之尺寸為NS1、Ns2、Nn及NfZ，構 成MOS開關30及31之P及N通道MOS電晶體（p3D、N3〇 ; P3 i及Μ 31)的較佳尺寸可以下列等式（3)至(6)表示： 〔類比開關30 (永遠OFF )〕 P 3 η = K ( P S 1 十~P S 2 ·]—P f 1 *|—p f 2 ;在 〇 H 狀態下的條件像 消除的） …（3) N 3 〇 = K ( N s 1 -)—N s 2 -j—N11 -j—N f2 ;在 ON 狀態下的條件係 消除的） …⑷ P 31 = Κ ί P s 1 十~P s 2 ~j~P f 1 十~Ρ ;在 OFF 狀態下的條件 係消除的） ··‘⑸ Η 31 = K ( N s 1十41 s 2十~N f 1十-N f 2 ;在〇 F F狀態下的條件 消除的） …⑹ 此等等式⑶至(6)所代表的意義，簡言之，即永遠是 OFF的類比開關30的電晶體尺寸（P3D、M3a)偽取決於⑽ -14 * 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐} (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經濟部中央梯準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（w) 電晶體的總尺寸。順帶一提，符號K代表一與電晶體減縮 率配合的常數，且當K = 1、P3D;、N3(3、p31或N31與上述 之尺寸一致且電源變動的限制效應到逹最大。另一方面， MOS開鼷30及31的尺寸變大，且妨礙整體化。職是，顧及 電源變動之所需的限制準位，K可以被設定成一個小於1 的值。 根據本發明，電壓源的變動成份可以被加在差動放大 器之一或另一個輸入端，且能藉使用差動放大器之移除效 應的相同相位成份而被取消。 雖然以上所給定之說明顯示一如半導體類比開關的範 例，可使用一利用諸如第5圖所示之雙極電晶髏之類比開 關0 -15 - 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) Α4规格（2丨0X297公釐） (请先閲讀背面之注意事項再填莴本頁) •絮. '-β 線

Claims (1)

1. 經濟部中央標率局爲工消費合作社印裝 3〇3545 μ8 C8 - D8 六、申請專利範圍 1 .一種放大電路，其用以對多重级轉換放大參數，其係 藉，對一差動放大器之第一輸入端經由一輸入電阻施 以一輸入信號，對第二輸入端施以一參考電位，以及 藉一半導體類比轉換，轉換該輸人電胆之值及回授電 阻之電阻值，其包括·· 一第一電容元件，其連接該差動放大器之第二輸 人端及一高電位電源；及 一第二電容元件，其連接該差動放大器之第二輸 入端及一低電位電源。 2. 如申請專利範圍第1項之放大電路，其中，將一供增 加該第二輸入端之抗阻之電阻元件連接至該差動放大 器之第二輸入端。 3. 如申請專利範圍第丨項之放大電路，其中，每一該輸 入電阻及該回授電阻包含眾多連鑛連接之電阻，且， 該電阻類比轉換器傜連接於每一該輸入電阻及該回授 電阻之該電阻連接器與該差動放大器之該第一輸端之 間。 4. 如申請專利範圍第1項之放大電路，其中，每一該半 導體類比轉換器包含半導体元件，該一半導體元件之 基材偽連接於該高電位電源，且，該其它半導體元件 之基材係連接至該低電位電源。 5 .如申請專利範圍第1項之放大電路，其中，每一該半 導體類比轉換器包含兩互補MOS電晶體之一平行電路， 該MOS電晶體之一的反向閘極偽連接至該高電位電源， -16 - 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐} --------—------、*τ------i ·* (請先閱讀_背面之法意事項再填寫本頁)

   經濟部中央橾準局貞工消费合作社印装 ：；· · A8 B8 C8 _ _____ D8 ________六、申請專利範圍 且•其它之該MOS電晶體的反向閘極傜連接於低電位電 源） 6 .—種放大電路，其用以對多重级轉換放大比例，其係 藉，對一差動放大器之第一輸入端經由一輸入電阻施 以一輸入信號，對第二輸入端施以一參考電位，以及 藉一半導體類比轉換，轉換該輸入電阻之值及回授電 阻之電阻值，其包括： 一具有大致如該半導體類比轉換器者之同樣持擻 的半導體類比轉換器，其連接至該第二輸入端，供對 該第二輸入端施以該参考電位。 如申請專利範圍第6之放大電路，其中，將一供增 加該第二輸入端之抗胆之電阻元件連接至該差動放大 器之第二輸入端。 8. 如申請專利範圍第6項之放大電路，其中，毎一該輸 入電阻及該回授電阻包含眾多連缠連接之電阻，且， 該電胆類比轉換器偽連接於毎一該輸入電阻及該回授 電阻之該電阻連接器與該差動放大器之該第一輸端之 間。 9. 如申請專利範圍第6項之放大電路，其中，每一該半 導體類l:b轉換器条連接於第一輸入電阻及該第一輸入 端，且該連接於該回授電阻及該第一輸入端之間的該 半導體類比轉換器包含兩互補M0S電晶體之一平行電路 ，該M0S電晶體之一的反向閘極俗連接至該高電位電源 ，且，其它之該M0S電晶體的反向閘極傜連接於低電位 -17 - (請先聞讀背面之注意事洗再填寫本頁) 、言 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央梯準局貝工消费合作社印製 A8 Βδ C8 _ D8六、申請專利範圍 電源。 10.如申請專利範圍第9項之放大電路，其中，連接於該 參考電位及該第二輸入端之間的該半導體類比轉換器 包含兩M0S轉換器之平行電路，其中之一為”開”，另一 為”關” M0S轉換器包含一兩互補M0S電晶體之一 平行電路\* '^該M0S電晶體之一的反向閘極傜連接至該 \ ....V、 . 高電位電，其它之該M0S電晶髏的反向閘極係連 接於低電位電％ Π .如申請專利範圍第6項之放大電路，其中*連接於該 輸入電阻及該第一輸入端之間的該半導體類比轉換器 ，以及連接於該回授電阻及該第一輸入端之該半導體 類比轉換器，包含半導體元件、該一半導體元件之基 材係連接於一高電位電源，且·該其它半導體元件之 基材傜連接於一低電位電源。 12.如申請專利範圍第11項之放大電路，其中•連接於該 參考電位及該第二輸入端之間的該半導體類比轉換器 包含兩類比轉換器之平行連接，其中之一為”開”，另 一為”關”，每一類比轉換器包含一半導體元件，且該 一半導體元件之基材俗連接至該髙電位電源，且，其 它之該半導體元件之基材傜連接於低電位電源。 丨· ^ · 装 訂線 (請先閲讀背面之>i意事項再填寫本頁) 一 18- 本紙柒尺度逋用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）