KR870008435A - 상호콘덕턴스 증폭기 - Google Patents

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KR870008435A
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오토 보르맨 요하네스
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이반 밀러 레르너
엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음

Description

상호콘덕턴스 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따르는 A B 급 선형 상호콘덕터의 회로 다이어그램.
제 2 도는 본 발명에 따르는 A 급 상호콘덕터의 회로 다이어그램.
제 3 도는 본 발명에 따르는 제곱(square-law) 상호콘덕터의 회로 다이어그램.

Claims (15)

  1. 에미터 영역 e0을 가지며, 베이스가 입력 전압을 수신하기 위한 입력을 구성하고, 에미터가 전류원에 연결되는 두 트랜지스터 T0와 출력 전류용 적어도 제 1 출럭을 구비하는 상호콘덕턴스 증폭기에 있어서 K=0,…,N인 저항갑 WK를 갖는 2N+1 임피던스 R0,…,R N-1, RN, RN-1,…R0의 직렬 장치가 두 트랜지스터의 베이스간에 배열되며, 상기 2N+1저항기사이의 2N접합점 a1,…,aN,aN,…a1이 2N트랜지스터의 베이스에 연결되며, T1,…,TN,TN,…T1이 K=1,…,N인 에미터 영역 eK를 갖는 것을 특징으로 하는 상호 콘덕턴스증폭기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    트랜지스터 T1,…,TN,TN,…T1의 콜렉터가 전원 장치 단자에 연결되고, 트랜지스터 T0의 콜렉터가 상호 콘덕턴스 증폭기의 출력을 구성하는 것을 특징으로 하는 상호 콘덕턴스 증폭기.
  3. 제 2 항에 있어서,
    0인 저항기 RN의 저항값 WN에 대하여 두 접합점 aN이 단일 접합점 aN을 형성하도록 공통 접속되는 것을 특징으로 하는 상호콘덕턴스 증폭기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    각각의 트랜지스터 T1,…,TN,TN,…T1이 한 트랜지스터의 콜렉터가 한 트랜지스터 T0에 연결되며, 다른 트랜지스터의 콜렉터가 다른 트랜지스터 T0에 연결되는 두개의 병렬 연결된 트랜지스터를 포함하며 트랜지스터 T0중 하나의 콜렉터가 상호콘덕턴스 증폭기의 제 1 출력을 구성하는 것을 특징으로 하는 상호콘덕턴스 증폭기.
  5. 제 4 항에 있어서,
    다른 트랜지스터 T0의 콜렉터가 상호콘덕턴스 증폭기의 제 2 출력을 구성하는 것을 특징으로 하는 상호콘덕턴스 증폭기.
  6. 제 4 또는 5 항에 있어서,
    0인 저항기 RN의 저항값 WN에 대하여, 두 접합점 aN이 단일 접합점을 형성하도록 공통 접속되며, 두 트랜지스터 TN이 복합 트랜지스터를 형성하도록 병렬 연결되는 것을 특징으로 하는 상호콘덕턴스 증폭기.
  7. 제 1 항에 있어서,
    트랜지스터 T1,…,TN,TN,…T1의 콜렉터가 상호콘덕턴스 증폭기의 제 1 출력에 연결되는 것을 특징으로하는 상호콘덕턴스 증폭기.
  8. 제 7 항에 있어서,
    트랜지스터 T0의 콜렉터가 상호콘덕턴스 증폭기의 제 2 출력에 연결되는 것을 특징으로 하는 상호콘덕턴스 증폭기.
  9. 제 7 또는 8 항에 있어서,
    0인 저항기 RN의 저항값 WN에 대하여, 두 접합점 aN이 단일 접합점 aN을 형성하도록 공통 접속되는 것을 특징으로 하는 상호콘덕턴스 증폭기.
  10. 제 3 또는 6 항에 있어서,
    N=1에 대하여, 트랜지스터 T1과 T0의 에미터 영역간의 비율이 실제적으로 e1: e0=2 : 1인 것을 특징으로하는 상호콘덕턴스 증폭기.
  11. 제 3 또는 6 항에 있어서,
    N=2에 대하여, 트랜지스터 T3, T2, T1및 T0의 에미터 영역간의 비율이 실제적으로 e2: e1: e0=32 : 49 : 0이며, 저항기 R1및 R0의 저항값간의 비율이 실제적으로 W1: W0=1.9 : 1인 것을 특징으로 하는 상호 콘덕턴스 증폭기.
  12. 제 3 또는 6 항에 있어서,
    N=3에 대하여 트랜지스터 T3, T2, T1및 T0의 에미터 영역간의 비율이 실제적이며 e3: e2: e1: e0=5 : 9 : 6 : 1이며, 저항기 R2, R1및 R0의 저항값이 실제적으로 W2: W1: W0=47 : 36 : 17인 것을 특징으로 하는 상호콘덕턴스 증폭기.
  13. 제 2 항에 있어서,
    N=2에 대하여, 트랜지스터 T1과 T0의 에미터 영역간의 비율은 실제적으로 e1: e0=5 : 1이며, 저항기 R1과 R0의 저항값간의 비율은 실제적으로 W1: W0=8 : 5인 것을 특징으로 하는 상호콘덕턴스 증폭기.
  14. 제 2 항에 있어서,
    N=2에 대하여, 트랜지스터 T2, T1및 T0의 에미터 영역간의 비율은 실제적으로 e2: e1: e0=25 : 17 : 3이며, 저항기 R2, R1및 R0의 저항값간의 비율은 실제적으로 W2: W1: W0=2.4 : 2 : 1인 것을 특징으로 하는 상호콘덕턴스 증폭기.
  15. 제 9 항에 있어서,
    N=1에 대하여, 트랜지스터 T1과 T0의 에미터 영역간의 비율은 실제적으로 e1: e0=5 : 1인 것을 특징으로 하는 상호콘덕턴스 증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR87001287A 1986-02-20 1987-02-17 Transconductance amplifier KR960008496B1 (en)

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KR960008496B1 KR960008496B1 (en) 1996-06-26

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