KR900013509A - 온도보상회로 - Google Patents

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엠. 오벤스 케빈
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텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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Abstract

내용 없음

Description

온도보상회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 양호한 실시예를 사용한 TTL-CMOS변환 버퍼의 회로도.
제7도는 제6도의 회로에 대한 입력 임계 전압 대온도의 그래프도.

Claims (19)

  1. 전류 및 제1온도 계수의 함수로서 제1순방향 전압 강하를 갖는 베이스-에미터 접합을 갖는 트랜지스터, 및 바이폴라 트랜지스터의 베이스에 결합된 제1 및 제2저항기로 구성되고, 상기 제1저항기 및 다이오드가 상기 베이스에 직렬로 접속되고, 상기 다이오드가 전류 및 제2온도 계수의 함수로서 제2순방향 전압 강하를 갖고 있고, 상기 제2순방향 전압 강하가, 상기 제1저항기 양단 전압 강하가 상기 제1과 제2순방향 전압 강하사이의 차이에 비례하고 상기 전압 강하의 온도 계수가 상기 제1과 제2온도 계수 아이의 차이에 비례하도록, 상기 제1순방향 전압 강하 미만으로 되는 것을 특징으로 하는 온도 보상 전압 배율기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터의 베이스에 결합된 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 배율기.
  3. 제1항에 있어서, 입력 노드, 출력 노드를 갖는 버퍼 회로, 및 상기 출력 노드에 결합된 제어 전극 및 상기 버퍼 회로에 결합된 전류 경로를 갖는 궤환 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 전압 배율기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 트랜지스터의 베이스에 결합된 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 배율기.
  5. 제1항에 있어서, 콜렉터에 결합된 전압전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 배율기.
  6. 제1온도 계수를 갖는 베이스-에미터 접합을 갖고 있는 트랜지스터, 및 상기 베이스에 직렬로 접속된 저항 및 다이오드로 구성되고, 상기 다이오드가 저항 양단 전압 강하가 상기 제1과 제2온도 계수의 차이에 비례하는 제3온도계수를 갖도록, 제2온도 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 온도 보상회로.
  7. 제6항에 있어서, 직렬로 함께 결합되고 상기 베이스에 결합된 다수의 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
  8. 제6항에 있어서, 저항이 유니폴라 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 회로.
  9. 제6항에 있어서, 저항이 저항기로 구성된 것을 특징으로 하는 회로.
  10. 제6항에 있어서, 상기 보상 회로에 결합된 제2온도 보상회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
  11. 제10항에 있어서, 제2회로가 제1회로의 트랜지스터의 베이스에 결합된 것을 특징으로 하는 회로.
  12. 제6항에 있어서, 다수의 직렬 접속 다이오드 및 다수의 보상 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
  13. 제6항에 있어서, 베이스-에미터 접합이 제1순방향전압 강하를 갖고, 다이오드가 제2순방향 전압 강하를 갖고, 저항 양단 전압 강하가 제1과 제2전압 강하 사이의 차이에 비례하는 것을 특징으로 하는 회로.
  14. 바이폴라 논리 레벨 입력 신호를 수신하고 반전된 출력신호를 제공하기 위한 한쌍의 CMOS트랜지스터로 구성된 제1반전기, 제1반전기의 출력에 결합되고 CMOS논리 레벨의 출력을 제공하기 위한 한쌍의 CMOS트랜지스터로 구성된 제2반전기, 및 고-저 및 저-고 논리 레벨 전이 사이의 미분을 유지하기 위해 제2반전기와 제1반전기의 출력사이에 결합된 히스테리시스 회로로 구성되고, 상기 히스테리시스 회로가 제1반전기에 결합된 이의 에미터를 갖는 바이폴라 트랜지스터, 및 제1반전기에 직렬로 결합된 다이오드 및 제1저항기를 포함하는 온도 보상 동적 전압 기준 원으로 구성된 것을 특징으로 하는 BiCMOS논리레벨 변환기.
  15. 제14항에 있어서, 다이오드 및 제1저항기가 바이폴라 트랜지스터의 베이스에 결합된 것을 특징으로 하는 BiCMOS 변환기.
  16. 제14항에 있어서, 상기 바이폴라 트랜지스터의 베이스에 결합된 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 BiCMOS 변환기.
  17. 제14항에 있어서, 제2반전기의 출력과 히스테리시스 회로사이에 결합된 궤환 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 BiCMOS 변환기.
  18. 제14항에 있어서, 베이스-에미터 접합 및 다이오드 접합이 다이오드와 직렬로 된 저항기 양단 전압 강하에 선정된 순수 온도 계수를 제공하는 크기로 되는 것을 특징으로 하는 BiCMOS 변환기.
  19. 제18항에 있어서, 순수 온도 계수가 거의 제로인 것을 특징으로 하는 BiCMOS 변환기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900001681A 1989-02-13 1990-02-12 온도 보상 회로 KR100192628B1 (ko)

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