KR920020847A - 샘플밴드-갭 전압 기준 회로 - Google Patents

샘플밴드-갭 전압 기준 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR920020847A
KR920020847A KR1019920005952A KR920005952A KR920020847A KR 920020847 A KR920020847 A KR 920020847A KR 1019920005952 A KR1019920005952 A KR 1019920005952A KR 920005952 A KR920005952 A KR 920005952A KR 920020847 A KR920020847 A KR 920020847A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
terminal
capacitor
amplifier
terminals
switch
Prior art date
Application number
KR1019920005952A
Other languages
English (en)
Inventor
세르기오 페르니시
게르마노 니콜리니
Original Assignee
루이치 론치 엠마누엘 바고
에스지에스-톰슨 마이크로 일렉트로닉스 에스. 알. 엘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 루이치 론치 엠마누엘 바고, 에스지에스-톰슨 마이크로 일렉트로닉스 에스. 알. 엘 filed Critical 루이치 론치 엠마누엘 바고
Publication of KR920020847A publication Critical patent/KR920020847A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
    • G11C27/02—Sample-and-hold arrangements
    • G11C27/024—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element
    • G11C27/026—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element associated with an amplifier

Abstract

내용 없음.

Description

샘플밴드-갭 전압 기준 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 샘플밴드갭 전압 기준 회로도.
제3도는 제2도의 회로에 속한 스위치들에 대한 스위칭 파형도.
제4도는 본 발명의 제2실시예에 따른 샘플밴드갭 전압 기준회로도.

Claims (18)

  1. 제1노드에서 결합되며 제1 및 제2전압단자간에 직렬로 접속된 제1전류원과 제1다이오드 소자와, 제2노드에서 결합되며 상기 제1 및 제2전압단자간에 직렬로 접속된 제2전류원과 제2다이오드 소자를 구비하는데, 상기 제1 및 제2전류원은 각기 다른 전류값을 가지며, 제2 및 제3단자에 선택할수 있는데 제1단자를 갖고 상기 제1 및 제2노드에 각각 접속되는 상기 제2 및 제3단자를 갖는 제1스위치와, 제2 및 제3단자에 선택 접속할수 있는 제1단자를 갖고 상기 제2노드와 상기 제2전압단자에 각각 접속되는 상기 제2 및 제3단자를 갖는 제2스위치와, 상기 제1스위치의 제1단자에 접속되는 제1단자를 갖는 제1커패시터와, 상기 제2스위치의 제1단자에 접속되는 제1단자를 갖는 제2커패시터를 구비하는데, 상기 제1 및 제2커패시터에 제2단자는 제3노드에 공통으로 접속되며, 상기 제3노드에 접속된 제1단자와 제2단자를 갖는 제3스위치와, 상기 제3스위치의 제2단자에 접속된 입력과 출력을 갖는 증폭기와, 상기 증폭기의 입력과 출력간에 접속된 제1 및 제2단자를 갖는 제4스위치와, 상기 증폭기의 입력에 접속되는 제1단자와 상기 증폭기의 출력에 연결되는 제2단자를 갖는 제3커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 샘플밴드-갭 기준회로.
  2. 제1항에 있어서, 제2 및 제3단자에 선택 접속할수 있는 제1단자를 갖고 상기 제3커패시터의 제2단자에 접속되는 상기 제1단자와, 상기 증폭기의 출력측에 연결되는 상기 제2단자와 전압 기준 단자에 연결되는 상기 제3단자를 구비하는 제5스위치를 포함하며, 상기 제3커패시터의 제2단자는 상기 증폭기의 출력측이나 상기 전압 기준단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 샘플밴드-갭 기준회로.
  3. 제2항에 있어서, 선택 주파수로 주기적인 스위칭 신호를 발생시켜 상기 제1,2,3,4 및 제5스위치의 스위칭을 제어하기 위한 제어회로를 구비한 샘플밴드-갭 기준회로.
  4. 제1항에 있어서, 선택 주파수로 주기적인 스위칭 신호를 발생시켜 상기 제1,2,3 및 제4스위치의 스위칭을 제어하기 위한 제어회로를 구비한 샘플밴드-갭 기준회로.
  5. 제1항에 있어서, 베이스와 콜렉터 단자 공통으로 접속된 바이폴라 트랜지스터로 구성된 각각의 상기 다이오드 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 샘플밴드-갭 기준회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기준회로와 공통 접지된 상기 제2전압단자를 구비하는 것을 특징으로 하는 샘플밴드-갭 기준회로.
  7. 제1노드에서 결합되며 제1 및 제2전압 단자간에 직렬로 접속된 제1전류원과 제1다이오드 소자와, 제2노드에서 결합되며 상기 제1 및 제2전압 단자간에 직렬로 접속된 제2전류원과 제2다이오드 소자를 구비하는데, 상기 제1 및 제2전류원은 각기 다른 전류값을 가지며, 제2 및 제3단자를 선택 접속할수 있는 제1단자를 갖고 상기 제1 및 제2노드에 각각 접속되는 상기 제2 및 제3단자를 갖는 제1스위치와, 제2 및 제3단자를 선택 접속할수 있는 제1단자를 갖고 상기 제2노드와 상기 제2전압 단자에 각각 접속되는 상기 제2 및 제3단자를 갖는 제2스위치와, 상기 제1스위치의 제1단자에 접속되는 제1단자를 갖는 제1커패시터와, 상기 제2스위치의 제1단자에 접속되는 제1단자를 갖는 제2커패시터와, 상기 제1 및 제2커패시터의 제2단자는 제3노드에 공통으로 접속되며, 상기 제3노드에 접속되는 제1단자와 제2단자를 갖는 제3스위치와, 상기 제3스위치의 제2단자에 접속되는 제1입력단자와 이에 대응하는 제1출력단자, 제2출력단자에 대응하는 제2입력단자를 갖는 차동증폭기와, 상기 증폭기의 제1입력단자와 제1출력단자간에 접속되는 제1 및 제2단자를 갖는 제4스위치와, 제2 및 제3단자에 선택 접속할수 있는 제1단자를 갖고 기준 전압 단자에 접속되는 상기 제2단자와 상기 증폭기의 제1출력측에 접속되는 상기 제3단자를 갖는 제5스위치와, 상기 제5스위치의 상기 제1단자에 접속되는 제2단자와 상기 증폭기의 제1입력단자에 접속되는 제1단자를 갖는 제3커패시터와, 상기 제2 및 제3단자에 선택 접속할수 있는 제1단자를 갖고 상기 제1 및 제2노드에 각각 접속되는 상기 제2및 제3단자를 갖는 제6스위치와, 상기 제2및 제3단자에 선택접속할수 있는 제1단자를 갖고 상기 제2노트와 상기 제2전압 단자에 각각 접속되는 상기 제2 및 제3단자를 갖는 제7스위치와, 상기 제6스위치의 제1단자에 접속되는 제1단자를 갖는 제4커패시터와, 상기 제7스위치의 제1단자에 접속되는 제1단자를 갖는 제5커패시터와, 상기 제4 및 제5커패시터의 제2단자는 제4노드에 공통으로 접속되며, 상기 제4노드에 접속되는 제1단자와 상기 증폭기의 상기 제2입력단자에 접속되는 제2단자를 갖는 제8스위치와, 상기 증폭기의 제2입력과 제2출력간에 접속되는 제1단자 및 제2단자를 갖는 제9스위치와, 상기 증폭기의 제2입력단자에 접속되는 제1단자와 제2단자를 갖는 제6커패시터와, 제2 및 제3단자에 선택 접속할수 있고 상기 제6커패시터의 제2단자에 접속되는 제1단자를 갖고 전압 기준 단자에 접속되는 상기 제2단자와 상기 증폭기의 제2출력측에 접속되는 상기 제3단자를 갖는 제10스위치를 구비하는 것을 특징으로 하는 샘플밴드-갭 기준회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3, 제4, 제5, 제6, 제7, 제8, 제9 및 제10스위치들의 스위칭을 제어하기 위해서 선택 주파수에서 주기적 스위칭 신호를 발생시켜 주는 제어회로를 구비하는 샘플밴드-갭 기준회로.
  9. 제7항에 있어서, 베이스와 콜렉터 단자가 공통으로 접속된 바이폴라 트랜지스터로 구성된 각각의 상기 다이오드 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 샘플밴드-갭 기준회로.
  10. 제7항에 있어서, 상기 기준회로와 공통 접지로 구성된 제2전압 단자를 구비하는 것을 특징으로 하는 샘플밴드-갭 기준회로.
  11. 제1기간 동안에, (a) 제1 및 제2전원(power)단자간에 직렬로 접속된 제1다이오드 소자와 제1전류원과의 접합점인 제1노드에 제1커패시터와 제1단자를 접속하고 증폭기의 입력단자에 상기 제1커패시터와 제2단자를 접속하는 단계와, (b) 상기 제2전원(power)단자간에 제2커패시터와 제1단자를 접속하고, 상기 증폭기의 입력단자에 제2커패시터의 제2단자를 접속하는 단계와 (c) 상기 증폭기의 입력단자에 상기 증폭기의 출력단자를 접속하는 단계와, (d) 상기 증폭기의 입력단자에 제3커패시터의 제1단자를 접속하는 단계를 포함하고, 제2기간 동안에 (a) 제1 및 제2전원(power)단자간에 직렬로 접속된 제2다이오드 소자와 제2전류원과의 접합점인 제2노드에 제1커패시터와 제1단자를 접속하고 상기 제1 및 제2정류원은 서로다른 정전류값을 공급하는 단계와, (b) 상기 제2노드에 상기 제2커패시터의 제1단자에 접속하는 단계와, (c) 상기 증폭기의 입력과 출력 접속을 개방(open)하는 단계와, (d) 상기 증폭기의 입력측과 출력측에 제3커패시터를 접속하는 단계를 포함하고, 제3기간 동안에, (a) 상기 증폭기의 증폭기의 입력단자로 부터 상기 제1및 제2커패시터의 제2단자의 접속을 분리시키고 상기 제3기간중에 상기 증폭기의 출력측에서 상기 기준 전압이 발생되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 샘플밴드갭 기준 전압 발생방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1기간이 실질적으로 상기 제1 및 제2기간 보다 더 긴 것을 특징으로 하는 샘플밴드갭 기준 전압 발생방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3기간이 연속해서 차례대로 반복하는 것을 특징으로 하는 샘플밴드갭 기준 전압 발생방법.
  14. 제11항에 있어서, 공통 접지로서의 기능을 갖는 상기 제2전원(power)단자를 특징으로 하는 샘플밴드갭 기준 전압 발생방법.
  15. 제1기간중에, (a) 제1 및 제2단자간에 직렬로 접속된 제1다이오드 소자와 제1전류원의 집합점인 제1노드에 제1커패시터의 제1단자를 접속하고, 증폭기의 제1입력단자에 상기 제1커패시터의 제2단자를 접속하는 단계와, (b) 상기 제2전원(power)단자에 제2커패시터의 제1단자를 접속하며, 상기 증폭기의 제1입력단자에 제2커패시터의 제2단자를 접속하는 단계와, (c) 상기 증폭기의 제1입력단자에 상기 증폭기의 제1출력단자를 접속하는 단계와, (d)상기 증폭기의 제1입력단자에 제3커패시터의 제1단자를 접속하며 전압 기준 단자에 제3커패서터의 제2단자에 접속하는 단계와, (e) 상기 제2노드에 제4커패시터의 제1단자를 접속하며 상기 증폭기의 제2입력단자에 제4커패시터의 제2단자를 접속하는 단계와, (f) 상기 제2노드에 제5커패시터의 제1단자에 접속하며 상기 증폭기의 제2입력단자에 제5커패시터의 제2단자를 접속하는 단계와, (g)상기 증폭기의 제1입력단자에 상기 증폭기의 제2출력단자를 접속하고 상기 증폭기의 제1 및 제2입력단자는 차동 입력되고 상기 증폭기의 제1 및 제2출력단자는 차동 출력되는 특징을 갖는 단계와, (h) 상기 증폭기의 제2입력 단자에 제6커패시터의 제1단자를 접속하고 상기전압 기준 단자에 제6커패시터의 제2단자를 접속하는 단계를 포함하고, 제2기간중에, (a) 상기 제1 및 제2전원 (power)단자간에 직렬로 접속된 제2다이오드 소자와 제2전류원의 접합점인 제2노드에 상기 제1커패시터의 제1단자를 접속하고, 상기 제1 및 제2정전류원은 서로다른 정전류값을 제공해 주는 것을 특징으로 하는 단계와, (b) 상기 제2노드에 상기 제2커패시터의 제1단자에 접속하는 단계와, (c) 상기 증폭기의 입력과 출력측의 접속을 개방(open)하는 단계와, (d) 상기 증폭기의 입력과 출력간에 제3커패시터를 접속하는 단계와, (e) 상기 제1노드에 상기 제4커패시터의 제1단자를 접속하는 단계와, (f) 상기 제2전원(power)단자에 ㅏㅇ기 제5커패시터의 제1단자를 접속하는 단계와, (g) 상기 전압 기준 단자에 상기 제6커패시터의 제2단자를 접속하는 단계를 포함하며, 제3기간 중에, (a) 상기 증폭기의 입력측으로부터 상기 제1,2,4 및 제5커패시터들의 제2단자를 분리하고, 상기 제3기간중에 상기 차동 전압이 상기 증폭기의 입력 및 출력측 간에 발생되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 샘플밴드-갭 차동 기준 전압 발생방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3기간이 연속해서 차례대로 반복하는 것을 특징으로 하는 샘플밴드-갭 차동 기준 전압 발생방법.
  17. 제15항에 있어서, 공통 접지로서의 기능을 갖는 상기 제2전원(power)단자를 특징으로 하는 샘플밴드-갭차동 기준 전압 발생방법.
  18. 제15항에 있어서, 제3기간이 실질적으로 제1 및 제2기간보다 더 긴 것을 특징으로 하는 샘플밴드-갭 차동 기준 전압 발생방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920005952A 1991-04-12 1992-04-10 샘플밴드-갭 전압 기준 회로 KR920020847A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ITMI911026A IT1246598B (it) 1991-04-12 1991-04-12 Circuito di riferimento di tensione a band-gap campionato
ITMI91A001026 1991-04-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920020847A true KR920020847A (ko) 1992-11-21

Family

ID=11359592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920005952A KR920020847A (ko) 1991-04-12 1992-04-10 샘플밴드-갭 전압 기준 회로

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5352972A (ko)
EP (1) EP0508360B1 (ko)
JP (1) JPH05181556A (ko)
KR (1) KR920020847A (ko)
DE (1) DE69220599T2 (ko)
IT (1) IT1246598B (ko)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5563504A (en) * 1994-05-09 1996-10-08 Analog Devices, Inc. Switching bandgap voltage reference
AT403532B (de) * 1994-06-24 1998-03-25 Semcotec Handel Verfahren zur temperaturstabilisierung
GB9417267D0 (en) * 1994-08-26 1994-10-19 Inmos Ltd Current generator circuit
JP3109792B2 (ja) * 1994-09-02 2000-11-20 株式会社東芝 電源装置
US5640084A (en) * 1996-07-10 1997-06-17 Telcom Semiconductor, Inc. Integrated switch for selecting a fixed and an adjustable voltage reference at a low supply voltage
US5867012A (en) * 1997-08-14 1999-02-02 Analog Devices, Inc. Switching bandgap reference circuit with compounded ΔV.sub.βΕ
US5910726A (en) * 1997-08-15 1999-06-08 Motorola, Inc. Reference circuit and method
US6052020A (en) 1997-09-10 2000-04-18 Intel Corporation Low supply voltage sub-bandgap reference
JPH11177375A (ja) * 1997-12-16 1999-07-02 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子
US6031365A (en) * 1998-03-27 2000-02-29 Vantis Corporation Band gap reference using a low voltage power supply
US6215353B1 (en) * 1999-05-24 2001-04-10 Pairgain Technologies, Inc. Stable voltage reference circuit
US6323801B1 (en) 1999-07-07 2001-11-27 Analog Devices, Inc. Bandgap reference circuit for charge balance circuits
US6060874A (en) * 1999-07-22 2000-05-09 Burr-Brown Corporation Method of curvature compensation, offset compensation, and capacitance trimming of a switched capacitor band gap reference
US6535054B1 (en) * 2001-12-20 2003-03-18 National Semiconductor Corporation Band-gap reference circuit with offset cancellation
US6819163B1 (en) 2003-03-27 2004-11-16 Ami Semiconductor, Inc. Switched capacitor voltage reference circuits using transconductance circuit to generate reference voltage
US7315200B2 (en) * 2004-03-31 2008-01-01 Silicon Labs Cp, Inc. Gain control for delta sigma analog-to-digital converter
US7009373B1 (en) * 2004-04-13 2006-03-07 Analog Devices, Inc. Switched capacitor bandgap reference circuit
JP4803988B2 (ja) * 2004-10-05 2011-10-26 株式会社デンソー バンドギャップ基準電圧回路
US7221209B2 (en) * 2005-05-12 2007-05-22 Intersil Americas, Inc Precision floating gate reference temperature coefficient compensation circuit and method
TWI307213B (en) * 2005-08-02 2009-03-01 Realtek Semiconductor Corp Reference voltage generating circuit
JP4681983B2 (ja) * 2005-08-19 2011-05-11 富士通セミコンダクター株式会社 バンドギャップ回路
US7122997B1 (en) * 2005-11-04 2006-10-17 Honeywell International Inc. Temperature compensated low voltage reference circuit
KR101336849B1 (ko) * 2007-01-01 2013-12-04 샌디스크 테크놀로지스, 인코포레이티드 셀프 바이어스드 용량성 피드백 스테이지를 사용하는 아날로그 전압의 생성
US7492214B2 (en) * 2007-01-01 2009-02-17 Sandisk Corporation Analog voltage generator with self-biased capacitive feedback stage
US7786792B1 (en) * 2007-10-10 2010-08-31 Marvell International Ltd. Circuits, architectures, apparatuses, systems, and methods for low noise reference voltage generators with offset compensation
JP5251541B2 (ja) * 2009-01-26 2013-07-31 富士通セミコンダクター株式会社 定電圧発生回路およびレギュレータ回路
US8324881B2 (en) * 2010-04-21 2012-12-04 Texas Instruments Incorporated Bandgap reference circuit with sampling and averaging circuitry
TWI453894B (zh) * 2011-11-23 2014-09-21 Ncku Res & Dev Foundation 低電壓能階參考位準電路
US8717005B2 (en) * 2012-07-02 2014-05-06 Silicon Laboratories Inc. Inherently accurate adjustable switched capacitor voltage reference with wide voltage range
US9063556B2 (en) * 2013-02-11 2015-06-23 Omnivision Technologies, Inc. Bandgap reference circuit with offset voltage removal
WO2015047303A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Intel Corporation Digital switch-capacitor based bandgap reference and thermal sensor
CN104035469B (zh) * 2014-07-01 2016-08-24 杭州士兰微电子股份有限公司 带隙基准电路、集成电路和带隙基准电压生成方法
CN104375551B (zh) * 2014-11-25 2017-01-04 无锡中感微电子股份有限公司 带隙电压生成电路
US10061336B1 (en) * 2017-10-29 2018-08-28 Birad—Research & Development Company Ltd. Switch capacitor in bandgap voltage reference (BGREF)
US10852758B2 (en) * 2019-01-03 2020-12-01 Infineon Technologies Austria Ag Reference voltage generator
CN114815947A (zh) * 2021-01-27 2022-07-29 中国科学院微电子研究所 带隙基准电路
CN115016589B (zh) * 2022-06-01 2023-11-10 南京英锐创电子科技有限公司 带隙基准电路

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7700807A (nl) * 1977-01-27 1978-07-31 Philips Nv Stroomstabilisator.
JPS5463662A (en) * 1977-10-28 1979-05-22 Nec Corp Current supply circuit
US4375595A (en) * 1981-02-03 1983-03-01 Motorola, Inc. Switched capacitor temperature independent bandgap reference
US4384217A (en) * 1981-05-11 1983-05-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Temperature stabilized voltage reference circuit
US4523107A (en) * 1982-04-23 1985-06-11 Motorola, Inc. Switched capacitor comparator
US4484089A (en) * 1982-08-19 1984-11-20 At&T Bell Laboratories Switched-capacitor conductance-control of variable transconductance elements
US4458200A (en) * 1982-11-01 1984-07-03 Gte Laboratories Incorporated Reference voltage source
US4577119A (en) * 1983-11-17 1986-03-18 At&T Bell Laboratories Trimless bandgap reference voltage generator
IT1184820B (it) * 1985-08-13 1987-10-28 Sgs Microelettronica Spa Generatore di corrente stabilizzata ad alimentazione singola,particolarmente per circuiti integrati di tipo mos
DE3610158A1 (de) * 1986-03-26 1987-10-01 Telefunken Electronic Gmbh Referenzstromquelle
US4706013A (en) * 1986-11-20 1987-11-10 Industrial Technology Research Institute Matching current source
GB2213011B (en) * 1987-09-16 1991-09-25 Philips Electronic Associated A method of and a circuit arrangement for processing sampled analogue electricals
GB2231423A (en) * 1989-05-10 1990-11-14 Philips Electronic Associated Integrator circuit
US5059820A (en) * 1990-09-19 1991-10-22 Motorola, Inc. Switched capacitor bandgap reference circuit having a time multiplexed bipolar transistor

Also Published As

Publication number Publication date
DE69220599D1 (de) 1997-08-07
ITMI911026A0 (it) 1991-04-12
ITMI911026A1 (it) 1992-10-12
DE69220599T2 (de) 1998-02-12
EP0508360A1 (en) 1992-10-14
US5352972A (en) 1994-10-04
JPH05181556A (ja) 1993-07-23
IT1246598B (it) 1994-11-24
EP0508360B1 (en) 1997-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920020847A (ko) 샘플밴드-갭 전압 기준 회로
KR950014893A (ko) 역률 보정회로
KR950002010A (ko) 전류제어 전압발생회로
KR940015786A (ko) 낮은 공급 전압에서 동작가능한 아날로그 곱셈기
KR900013509A (ko) 온도보상회로
US4706013A (en) Matching current source
KR940012849A (ko) 온-칩 전압강하 변환기를 갖는 집적회로용 스트레스 모드 회로
KR890001274A (ko) 전류미러회로
KR970024619A (ko) 비교기의 입력 바이어스전류가 보상된 아날로그 디지탈 변환기
KR920003670A (ko) D/a 변환기
KR900019315A (ko) 전압 레벨 전환 회로
KR960009360A (ko) 전압/전류 변환회로
TW353165B (en) Temperature detecting circuit
KR970028930A (ko) 바이 모오스로 이루어진 정전압 발생회로
KR880013310A (ko) 단측파대 변조기
KR920015695A (ko) 스위칭 브릿지 증폭기
KR910021007A (ko) 증폭기
KR920017375A (ko) 디지틀 제어 캐소우드 클램프 회로
KR970019090A (ko) 전압 제어 발진기(Voltage controlled oscillator having an oscillation frequency variation minimized in comparison with a power supply voltage variation)
KR900011132A (ko) 전류미러(current mirror)
KR900015449A (ko) 리액턴스 제어회로
RU1817030C (ru) Преобразователь электрического напр жени в ток
KR970055411A (ko) 히스테리시스를 갖는 비교기
SU949817A1 (ru) Транзисторный ключ
KR970063907A (ko) 가변 이득 증폭 회로

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid