DE3610158A1 - Referenzstromquelle - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Referenzstromquelle gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Während die Stabilisierung von Spannungen viel Aufmerk­ samkeit gefunden hat, wurde die Stabilisierung von Strö­ men bisher weniger beachtet. In einer Reihe von Anwen­ dungen, z. B. bei der Versorgung aus Stromquellen inner­ halb einer bipolaren integrierten Schaltung und bei ge­ wissen Typen von DA- und AD-Umsetzern, ist aber primär ein stabiler Strom erforderlich. Zwar ist es möglich, stabile Ströme von einer Referenzspannungsquelle abzu­ leiten. Dies ist aber stets mit Mehraufwand und Genauig­ keitsverlust verbunden. Deshalb besteht ein erhebliches technisches Interesse auch für Mittel und Methoden zur Stabilisierung von Strömen.

Die auf R.J. Widlar zurückgehende Bandgap-Stabilisie­ rung (IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-6, No. 1, 1971) betrifft die Spannungsstabilisierung. Sie erreicht ähnlich gute Parameter wie die bis dahin vor­ wiegend verwendete Zener-Dioden-Stabilisierung, kommt mit kleineren Versorgungsspannungen aus und kann vor­ teilhaft innerhalb einer bipolaren Halbleiterschaltung implementiert werden. Der Kern der Schaltung besteht aus zwei Transistoren, deren Stromdichten durch einen schaltungstechnischen Kunstgriff in einem bestimmten Verhältnis gehalten werden. Der sich daraus ergebende Spannungsunterschied der Basisemitterdioden ist propor­ tional zur absoluten Temperatur. Er wird einem Wider­ stand zugeführt, der am Emitter des Transistors mit der kleineren Stromdichte angeordnet ist und dadurch ergibt sich, daß die Stromaufnahme der beiden Transistoren pro­ portional zur absoluten Temperatur wird. In der US-PS 40 59 793 ist aufgezeigt, daß dieser Widerstand auch zwischen Basis und Kollektor des Transistors mit der hö­ heren Stromdichte vorteilhaft angeordnet werden kann. Einen Hinweis, daß innerhalb dieser Grundanordnung ein Strom mit frei einstellbarem Temperaturkoeffizienten erzeugt werden kann, gibt J.E. Hanna in der US-PS 40 91 321. Dies wird dadurch erreicht, daß einem Tran­ sistor der Bandgap-Schaltung, der einen zur absoluten Temperatur proportionalen Strom führt, ein Widerstand parallel geschaltet wird. Dieser Widerstand zeigt ei­ ne Stromaufnahme proportional zur Basisemitterspannung, die einen negativen Temperaturkoeffizienten besitzt. Die Summe der beiden Ströme besteht somit aus einem temperaturabhängig ansteigenden und einem abfallenden Strom, durch Wichtung kann eine Temperaturunabhängig­ keit erreicht werden. Da sich die erwähnte PS mit der Erzeugung temperaturstabiler Spannungen beschäftigt, sind keine Hinweise auf eine Ausnutzung dieses Effektes zur Schaffung temperaturstabiler Stromquellen enthalten.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schal­ tung für einen oder mehrere möglichst stabile Ausgangs­ ströme anzugeben, die sich für eine bipolare Integra­ tion eignet, wobei der oder die Ströme weder von der Temperatur noch von der Versorgungsspannung abhängig sein sollen, wobei die Versorgungsspannung einen großen Bereich durchlaufen kann und wobei auch kleine Werte der Versorgungsspannung zulässig sein sollen.

Diese Aufgabe wird bei einer Referenzstromquelle der eingangs erwähnten Art durch die kennzeichnenden Merk­ male des Anspruchs 1 gelöst.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Beispielen erläutert. In den zugehörigen Zeichnungen zeigen:

Fig. 1 bekannte Formen der Spannungsstabilisierung,

Fig. 2 das Grundprinzip der Stromstabilisierung,

Fig. 3 die Ausführung der gesteuerten Stromquellen,

Fig. 4 eine erste Verstärkeranordnung,

Fig. 5 eine zweite Verstärkeranorndung mit pnp-Strom­ quellen,

Fig. 6 eine Anordnung mit npn-Stromquellen.

In Fig. 1 ist die bekannte Bandgap-Spannungsstabilisie­ rung in prinzipieller Form dargestellt. Fig. 1a zeigt die erste Form der Stabilisierung, die sich an die ge­ nannte Veröffentlichung von Widlar anlehnt. Die zweite Form entstammt der ebenfalls genannten US-PS von Ahmed, sie ist unabhängiger gegenüber Bauelementschwankungen und hat eine höhere innere Verstärkung.

Die an sich bekannte Wirkungsweise dieser Schaltung be­ ruht darauf, daß den beiden Transistoren über die Wi­ derstände R 2, R 3 Ströme I 1, I 2 zugeführt werden, die zueinander im umgekehrten Verhältnis dieser Widerstän­ de stehen: I 2/I 1 = R 2/R 3. Mittels dieses Stromverhält­ nisses und weiter mittels des Verhältnisses der Emit­ terbasisfläche der beiden Transistoren wird ein bestimm­ tes Verhältnis der Stromdichten der Emitterbasissperr­ schicht der Transistoren Q 1, Q 2 festgelegt. In den Schaltungen der Fig. 1 ist angenommen, daß der zweite Transistor Q 2 die kleinere Stromdichte erhalten hat. Seine Basis-Emitter-Spannung ist deshalb kleiner. Der Spannungsunterschied wird in beiden Varianten als Span­ nungsabfall über dem Widerstand R 1 wirksam. Da, wie die Beschreibung des bipolaren Transistors zeigt, der Span­ nungsunterschied proportional zur absoluten Temperatur ist, wird der Strom durch R 1 ebenfalls proportional zur absoluten Temperatur. Weiter ist in der Schaltung der Fig. 1a der Strom durch R 1 dem Strom I 2 nahezu gleich, in der Schaltung der Fig. 1b dem Strom I 1. Also wird der Spannungsabfall über den Widerständen R 2, R 3 eben­ falls proportional zur absoluten Temperatur. Der Kom­ pensationseffekt hinsichtlich der erzeugten Spannung Vr besteht darin, daß der mit der Temperatur zunehmende Spannungsabfall über R 2 zu dem mit der Temperatur ab­ nehmenden Spannungsabfall über der Emitterbasisdiode des ersten Transistors Q 1 addiert wird.

Um zu einem von der Temperatur unabhängigen Strom zu kommen, ist nach Fig. 2 vorgesehen, den durch Transi­ stor Q 1 und Transistor Q 2 fließenden, mit der Tempera­ tur zunehmenden Strömen je einen abnehmenden Strom hin­ zuzufügen. Dies erfolgt gemäß der Erfindung durch Pa­ rallelschaltung von Widerständen R 4, R 5, da, wie gesagt, der Spannungsabfall über dem Transistor einen negativen Temperaturgang aufweist. Durch geeignete Wahl dieser Widerstände erreicht man, daß der Temperaturkoeffizient der Ströme I 1, I 2 in Fig. 2 null wird. Es hat sich ge­ zeigt, daß man bei der Wahl der Widerstände nicht auf das Verhältnis der in den Transistoren Q 1, Q 2 fließen­ den Ströme Rücksicht nehmen braucht. Es ist also nicht erforderlich, daß der durch den Widerstand R 4 fließen­ de Strom zu dem Strom durch den Widerstand R 5 im selben Verhältnis steht wie der durch den Transistor Q 1 flie­ ßende Strom zu dem durch den Transistor Q 2 fließende Strom. Insbesondere ist es möglich, einen der Widerstän­ de R 4, R 5 wegzulassen und trotzdem den Punkt der Tempe­ raturunabhängigkeit der Ströme I 1, I 2 einzustellen. Die­ ser Umstand erleichtert die Ausführung der Verstärker­ schaltung besonders hinsichtlich des Startverhaltens.

Die in Fig. 1 gezeigte Schaltung mit Differenzverstär­ ker OA und Widerständen R 2, R 3 bezieht sich auf die Er­ zeugung temperaturstabiler Spannungen. Für die Errei­ chung der Temperaturkompensation des Stromes kommt es auf die Ausführung der Verstärkerschaltung nicht an. Wesentlich ist nur, daß das Verhältnis der beiden Strö­ me I 1, I 2 unabhängig von ihrer Größe gewahrt bleibt und daß die Spannungsdifferenz zwischen Basis und Transi­ stor Q 1 und Kollektor und Transistor Q 2 gegen null geht. Es soll also gelten I 1 = Rt 1 × Uab und I 2 = Rt 2 × Uab, wobei Uab die Spannung zwischen den Knoten A und B in der Schaltung der Fig. 2 bedeutet und wobei Rt 1 und Rt 2 Übertragungswiderstände sind, die einen möglichst hohen Wert aufweisen sollen, aber in einem festen Verhältnis zueinander stehen. Diese Modellvorstellung wird mit "ge­ steuerte Doppelstromquelle" bezeichnet. Eine bevorzugte Ausführungsform der gesteuerten Doppel­ stromquelle wird in Fig. 3 gezeigt. Sie besteht aus ei­ nem Differenzverstärker OA 1, dessen Eingang an den Kno­ ten A, B angeschlossen ist, und zwei Transistoren Q 3, Q 4 mit gegenüber den Transistoren Q 1, Q 2 komplementärer Leitfähigkeit. Die Basen der Transistoren Q 3, Q 4 sind mit dem Ausgang des Differenzverstärkers OA 1 verbunden. Die Emitter der Transistoren Q 3, Q 4 sind gegebenenfalls über Widerstände R 6, R 7 mit einer Versorgungsspannung Vs verbunden. Der Kollektor des Transistors Q 3 ist am Knoten A und der Kollektor des Transistors Q 4 ist am Knoten B angeschlossen. Wenn man die Eingangsströme des Differenzverstärkers OA 1 vernachlässigen kann, sind die Kollektorströme der Transistoren Q 3, Q 4 mit den in Fig. 2 eingetragenen Strömen I 1, I 2 identisch. Durch die Ausführung der Transistoren Q 3, Q 4 wird das Verhält­ nis der Ströme I 1, I 2 festgelegt. Dabei kann durch zu­ sätzlich eingefügte Emitterwiderstände R 6, R 7 der Ef­ fekt von Toleranzen sowie der Rauschbeitrag der Transi­ storen Q 3, Q 4 reduziert werden. Die Fig. 3 zeigt einen weiteren Transistor Qp, dessen Basis ebenfalls mit dem Ausgang des Differenzverstärkers OA 1 verbunden ist und dessen Emitter ebenfalls, gegebenenfalls über einen Emit­ terwiderstand Rp, mit der Versorgungsspannung Vs verbun­ den ist. Er fügt der gesteuerten Doppelstromquelle einen dritten Ausgang hinzu, der den gleichen oder verhältnis­ gleichen Ausgangsstrom Ir führt und in einem symbolisch als Lastwiderstand R 1 dargestellten Verbraucher genutzt wird.

In Fig. 4 ist eine erste Ausführungsform des in Fig. 3 eingeführten Differenzverstärkers OA 1 dargestellt. Sie besteht aus dem Differenzverstärker mit den Transisto­ ren Q 5, Q 6, deren Basen an den Knoten A, B, angeschlos­ sen sind und deren Emitter mit dem Bezugspunkt verbun­ den sind, wobei zwischen den Emittern und dem Bezugs­ punkt auch ein Widerstand eingefügt sein kann, um die Arbeitsströme zu beeinflussen oder einen Gleichtaktein­ fluß zu vermindern. Die Differenzstufe arbeitet auf ei­ nem Stromspiegel aus den zu den Transistoren Q 5 und Q 6 komplementären Transistoren Q 7 und Q 8, deren Emitter an der Versorgungsspannung angeschlossen sind. Dabei ist der Kollektor des Transistors Q 6 mit Kollektor und Ba­ sis des Transistors Q 8 und der Basis des Tranistors Q 7 verbunden und die Verbindung der Kollektoren der Tran­ sistoren Q 5 und Q 7 bildet den Ausgang des Differenzver­ stärkers OA 1. Die Schaltung Fig. 4 zeigt auch das erwähnte Startpro­ blem, wenn keine spezielle Startschaltung mit den Tran­ sistoren Qs 1 und Qs 2 und den Widerständen Rs 1, Rs 2, Rs 3 vorhanden ist. Da die Knoten A und B über die Widerstän­ de R 4, R 5 mit dem Bezugspunkt verbunden sind, bleibt die Basis der Transistoren Q 1, Q 2 auch nach dem Einschal­ ten der Versorgungsspannung auf Nullpotential und die Schaltung stromlos. Entfernt man jedoch den Widerstand R 4, so kann sich am Knoten A durch Restströme ein Anfangs­ potential aufbauen, das zu einem ersten Strom im Transi­ stor Q 5 führt. Dieser Strom kehrt durch die Stromver­ stärkung des Transistors Q 3 mit mehrfachem Wert zum Knoten A zurück und führt zum lawinenartigen Anwachsen des Gesamtstromes, bis infolge zunehmenden Spannungsab­ falls am Widerstand R 1 der Strom des Transistors Q 2 ge­ drosselt wird, das Potential am Knoten B ansteigt, der Transistor Q 6 stromführend wird und über den Stromspie­ gel Q 8, Q 7 die weitere Stromzunahme verhindert, womit die Schaltung in den erwünschten Arbeitspunkt eingetre­ ten ist. Für diese Art des Starts ist also entscheidend, daß die Temperaturkompensation einseitig mit dem Wider­ stand R 5 ausgeführt werden kann.

Eine wesentlich andere Ausführung des Differenzverstär­ kers OA 1 ist in Fig. 5 dargestellt. Bei ihr wird das Potential der Knoten A, B nicht direkt einem Differenz­ eingang zugeführt. Die Wirkungsweise beruht hier darauf, daß dem am Knoten B angeschlossenen Transistor Q 6 der gleiche Arbeitspunkt aufgeprägt wird wie dem Transistor Q 1, so daß auch die Potentiale der Knoten A und B un­ tereinander gleich werden müssen. Zu diesem Zweck ist die Stromquelle mit dem Transistor Q 10 vorgesehen, des­ sen Basis mit der Basis der übrigen Stromquellentransi­ storen Q 3, Q 4 verbunden ist und dessen Emitter ebenfalls wie bei den Stromquellentransistoren mit der Versor­ gungsspannung Vs verbunden ist. Über die Verbindung der Kollektoren der Transistoren Q 6, Q 10 bestimmt der Tran­ sistor Q 10 den Strom im Transistor Q 6. Der nachgeschal­ tete Verstärkungstransistor Q 9 bildet den Ausgang des Verstärkers und steuert die miteinander verbundenen Ba­ sen der Stromquellentransistoren. In dieser Konfigura­ tion kommt man mit drei Transistoren für den Verstärker OA 1 aus. Weiterhin ist es ohne Nachteile möglich, auch eine größer Anzahl Transistoren Qp 1 . . . Qpi als Aus­ gangsstromquellen vorzusehen, da die hohe Schleifenver­ stärkung über die Transistoren Q 6, Q 9 eine größere Be­ lastung zuläßt. Die Transistoren Q 9 und Q 10 bilden ei­ nen wirksamen Startkreis dieser Schaltung, so daß beide Kompensationswiderstände R 4, R 5 angeschlossen sein dür­ fen.

Schließlich zeigt Fig. 6 eine Konfiguration, bei der die Stromquellentransistoren Qn1 ... Qni vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind wie die Transistoren Q 1, Q 2 der inneren Bandgap-Zelle. Sie gleicht der Schaltung von Fig. 5 bis auf einen als Diode geschalteten Transistor Q 11, der der Basis-Emitter-Strecke der übrigen Transi­ storstromquellen mit einem entsprechenden Emitterwider­ stand R 10 parallel geschaltet ist. Der Diodentransistor nimmt infolgedessen einen zu den übrigen Stromquellen gleichen oder verhältnisgleichen Strom auf. Vom Transi­ stor Q 9 muß dieser Strom zusammen mit den Basisströmen der Stromquellentransistoren zugeführt werden. Somit erstreckt sich der Stabilisierungseffekt nunmehr auch auf den Strom durch Transistor Q 9. Weitere, zum Transi­ stor Q 9 analog angeordnete Transistoren Qn 1 . . . Qni dienen als stabilisierte Ausgangsstromquellen. Aus den schon erwähnten Gründen sind im Normalfall eingefügte Emitterwiderstände R 9, Rn 1 . . . Rni zweckmäßig.

In Fig. 4 und Fig. 5 sind noch Maßnahmen zur Absiche­ rung eines zuverlässigen Schaltungsstarts dargestellt. Eine Starthilfe, die einen Startstrom liefert, der nur wenig von der Versorgungsspannung Vs abhängt, zeigt

Fig. 4. Sie besteht aus zwei Transistoren Qs 1, Qs 2 und drei Widerständen Rs 1, Rs 2, Rs 3. Der erste Transistor Qs 1 bildet mit den Widerständen Rs 1 und Rs 2 eine ein­ fache Spannungsstabilisierung, indem der erste Wider­ stand Rs 1 zwischen Versorgungsspannung und Basis und der zweite Widerstand Rs 2 zwischen Basis und Kollektor des Transistors Qs 1 angeschlossen ist. Der Widerstand Rs 2 ist verhältnismäßig klein gegenüber Rs 1 und wird so ausgelegt, daß sich die Kollektorspannung des Tran­ sistors Qs 1 im vorgesehenen Bereich der Versorgungs­ spannung möglichst wenig ändert. Der zweite Transistor Qs 2 empfängt diese stabilisierte Kollektorspannung zwi­ schen Basis und Emitter, wobei vor dem Emitter noch ein weiterer Scherungswiderstand Rs 3 geschaltet sein kann. Der vom Transistor Qs 2 entwickelte Strom fließt in die Basen der Stromquellentransistoren Q 3, Q 4. Die Schal­ tung tritt in den Betriebszustand ein, wenn der vom Transistor Qs 2 gelieferte Strom so groß ist, daß der im Transistor Q 3 fließende, verstärkte Strom einen aus­ reichenden Spannungsabfall über dem Widerstand R 4 er­ zeugt, um den Transistor Q 5 leitend zu machen.

Eine weitere Methode der Starthilfe ist in Fig. 5 dar­ gestellt. Dabei ist ein Starttransistor Qs vorgesehen, dessen Basis über einen Kondensator Cs mit der Versor­ gungsspannung Vs, dessen Emitter mit dem Bezugspunkt und dessen Kollektor mit den Basen der Stromquellen­ transistoren Q 3, Q 4 verbunden ist. Die Wirkungsweise beruht darauf, daß der Ladestromstoß bei Einschalten der Versorgungsspannung vom Transistor Qs verstärkt auf die Basen der Stromquellentransistoren geleitet wird, die damit den Stromfluß der Schaltung eröffnen. Nach der Aufladung des Kondensators Cs wird Qs strom­ los.

Die stationäre Zündschaltung nach Fig. 4 hält den Ar­ beitspunkt der Stabilisierungsschaltung in allen Be­ triebszuständen aufrecht, benötigt aber einen Zusatz­ strom. Die dynamische Zündschaltung nach Fig. 5 benö­ tigt keinen Betriebsstrom. Kommt es jedoch bei angeleg­ ter Spannung aus irgendeinem Grunde zum Abbruch des Stromflusses, so bleibt die Schaltung im Aus-Zustand.

In allen Schaltungen Fig. 3 bis Fig. 6 sind nicht mehr als zwei Transistorsysteme galvanisch in Reihe geschal­ tet. Das bedeutet, daß bei Verwendung von Silizium- Transistoren etwa 1 V Betriebsspannung für die Funk­ tionsfähigkeit ausreicht.

Claims (12)

1) Referenzstromquelle mit zwei Transistoren und einer gesteuerten Doppelstromquelle (CDCS), bei der die Basis des zweiten Transistors (Q 2) am Kollektor des ersten Transistors (Q 1) angeschlossen ist, der Emitter des er­ sten Transistors mit einem Bezugspunkt (M) verbunden ist, der erste Anschluß der gesteuerten Doppelstromquel-­ le (CDCS) mit der Basis des ersten Transistors (Q 1) und der zweite Anschluß der gesteuerten Doppelstromquelle (CDCS) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Q 2) verbunden ist, und bei der entweder ein erster Wider­ stand (R 1) zwischen die Basis und den Kollektor des er­ sten Transistors (Q 1) eingefügt ist und der Emitter des zweiten Transistors (Q 2) mit dem Bezugspunkt (M) ver­ bunden ist oder der erste Widerstand (R 1) zwischen dem Emitter des zweiten Transistors (Q 2) und dem Bezugs­ punkt (M) eingefügt und die Basis und der Kollektor des ersten Transistors (Q 1) miteinander verbunden sind, da­ durch gekennzeichnet, daß zwischen der Basis des ersten Transistors (Q 1) und dem Bezugspunkt (M) ein Widerstand (R 4) und/oder zwischen dem Kollektor des zweiten Tran­ sistors (Q 2) und dem Bezugspunkt (M) ein Widerstand (R 5) angeschlossen ist.

2) Referenzstromquelle nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Widerstand (R 4) zwischen der Basis des ersten Transistors (Q 1) und dem Bezugspunkt (M) und/oder der Widerstand (R 5) zwischen dem Kollektor des zweiten Transistors (Q 2) und dem Bezugspunkt (M) so be­ messen ist, daß die Ströme (I 1, I 2) der gesteuerten Dop­ pelstromquelle (CDCS) möglichst wenig von der Umgebungs­ temperatur abhängen.

3) Referenzstromquelle nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß im vorgesehenen Bereich der Umgebungstem­ peratur mindestens ein Wert der Temperatur existiert, in dessen Umgebung die Temperaturabhängigkeit der Strö­ me (I 1, I 2) der gesteuerten Doppelstromquelle (CDCS) verschwindet.

4) Referenzstromquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Doppelstromquelle aus zwei Transistoren (Q 3, Q 4) besteht, die einen zum er­ sten und zweiten Transistor (Q 1, Q 2) komplementären Leitungstyp aufweisen, deren Emitter direkt oder über Widerstände (R 6, R 7) mit einer Versorgungsspannung (Vs) verbunden und deren Basen mit dem Ausgang einer Ver­ stärkeranordnung (OA 1) verbunden sind. 5) Referenzstromquelle nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Verstärkeranordnung (OA 1) ein Diffe­ renzverstärker ist, dessen erster Eingang mit der Basis des ersten Transistors (Q 1) und dessen zweiter Eingang mit dem Kollektor des zweiten Transistors (Q 2) verbun­ den ist.

6) Referenzstromquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkeranordnung (OA 1) aus einer Differenzstufe aus zwei Transistoren (Q 5, Q 6) besteht, die auf einem Stromspiegel aus zwei Tran­ sistoren (Q 7, Q 8) komplementärer Leitfähigkeit arbeitet, wobei die Basen der Differenzstufe die Eingänge bilden, die Emitter der Differenzstufe direkt über einen Wider­ stand mit dem Bezugspunkt verbunden sind, die Ausgänge der Differenzstufe mit Eingang und Ausgang des Strom­ spiegels verbunden sind und der Ausgang des Stromspie­ gels den Ausgang der Verstärkerordnung (OA 1) bildet. 7) Referenzstromquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkeranordnung (OA 1) einen Eingangstransistor (Q 6) aufweist, dessen Ba­ sis am Kollektor des zweiten Transistors (Q 2) und des­ sen Emitter am Bezugspunkt (M) angeschlossen ist.

8) Referenzstromquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des Ein­ gangstransistors (Q 6) mit dem Kollektor eines als Strom­ quelle geschalteten Transistors (Q 10) verbunden ist, wo­ bei die Basis mit den Basen der Transistoren (Q 3, Q 4) der Doppelstromquelle verbunden und der Emitter direkt oder über einen Widerstand (R 8) mit der Versorgungsspan­ nung (Vs) verbunden ist.

9) Referenzstromquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß am Kollektor des Eingangs­ transistors (Q 6) die Basis eines Ausgangstransistors (Q 9) angeschlossen ist, dessen Emitter gegebenenfalls über einen Widerstand (R 9) mit dem Referenzpunkt ver­ bunden ist und dessen Kollektor den Ausgang der Verstär­ keranordnung (OA 1) bildet und mit der Basis der Strom­ quellentransistoren (Q 3, Q 4, Q 10) verbunden ist.

10) Referenzstromquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis der Stromquel­ lentransistoren (Q 3, Q 4, Q 10) über einen als Diode ge­ schalteten Transistor (Q 11) direkt oder über einen Wi­ derstand (R 10) mit der Versorgungsspannung (Vs) verbun­ den ist.

11) Referenzstromquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein weite­ rer Transistor (Qp 1), der als Ausgangsstromquelle dient, angeschlossen ist, wobei seine Basis mit der Basis der Stromquellentransistoren (Q 3, Q 4) und sein Emitter di­ rekt oder über einen Widerstand (Rp 1) mit einem Anschluß der Versorgungsspannung (Vs) verbunden ist.

12) Referenzstromquelle nach Anspruch 10, dadurch ge­ kennzeichnet, daß wenigstens ein weiterer Transistor (Qn 1), der als Ausgangsstromquelle dient, angeschlossen ist, wobei seine Basis mit der Basis des Ausgangstran- - sistors (Q 9) und sein Emitter direkt oder über einen Widerstand (Rn 1) mit dem Bezugspunkt (M) verbunden ist.

13) Referenzstromquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis der Stromquel­ lentransistoren (Q 3, Q 4) mit dem Kollektor eines Start­ transistors (Qs) verbunden ist, dessen Emitter mit dem Referenzpunkt und dessen Basis über einen Kondensator (Cs) mit der Versorgungsspannung (Vs) verbunden ist.

14) Referenzstromquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor eines zweiten Starttransistors (Qs 2) mit der Basis der Strom­ quellentransistoren (Q 3, Q 4) verbunden ist, daß die Ba­ sis des zweiten Starttransistors (Qs 2) mit dem Kollek­ tor eines ersten Starttransistors (Qs 1) verbunden ist, daß ein Vorwiderstand (Rs 1) von der Versorgungsspannung (Vs) zur Basis des ersten Starttransistors (Qs 1) führt, daß ein weiterer Widerstand (Rs 2) an die Basis und an den Kollektor des ersten Starttransistors (Qs 1) ange­ schlossen ist und daß der Emitter des ersten Starttran­ sistors (Qs 1) mit dem Referenzpunkt und der Emitter des zweiten Starttransistors (Qs 2) direkt oder über einen Widerstand (Rs 3) ebenfalls mit dem Referenzpunkt ver­ bunden ist.