NL8103813A - Stroomstabilisatieschakeling. - Google Patents

Description

* g- > Λ PHN 10.128 1 N.V. Philips* Gloeilairpenfabrieken te Eindhoven "Strocmstahdlisatieschakeling"

De uitvinding heeft betrekking op een strocmstabilisatie-schakeling bevattende een eerste en een tweede serieketen, welke elk zijn aangesloten tussen een eerste en een tweede knocppunt, waarbij de eerste serieketen de hoofdstroonbaan van een eerste transistor van 5 een eerste geleidingstype, een eerste weerstand en een tweede weer-stand bevat, de tweede serieketen de hoofdstroonbaan van een tweede transistor van het eerste geleidingstype en met een emitteroppervlak kleiner dan dat van de eerste transistor en een derde weerstand, bij voorkeur in waarde gelijk aan de tweede weerstand bevat, waarbij de 10 eerste weerstand is cpgencnen tussen de emitter van de eerste transistor en het eerste knooppunt, de tweede weerstand is cpgencnen tussen de kollektar van de eerste transistor en het tweede knocppunt, en de derde weerstand is cpgencmen tussen de kollektor van de tweede transistor en het tweede knocppunt waarbij verder de basisaansluitingen 15 van de eerste en de tweede transistor net een derde knocppunt zijn verbonden, een vierde weerstand is geschakeld tussen het derde knocppunt en het eerste knocppunt, een verschilversterker aanwezig is met een inverterende ingang, een niet inverterende ingang en een uitgang, waar-van de inverterende ingang is verbonden met de van het tweede knocppunt afgewende aansluiting van de tweede weerstand, de niet-inverterende ingang is verbonden met de van het tweede knocppunt afgewende aansluiting van de derde weerstand en de uitgang is gekoppeld met het derde knocppunt, waarbij de stroanstabilisatieschakeling is voorzien van middelen voor het aansluiten van een voedingsspanning voor het hand-25 haven van een potentiaalverschil tussen het eerste en het tweede knocppunt en voor het afnemen van een gestabiliseerde strocm aan een van beide.

Een dergelijke stroomstabilisatieschakeling is bekend uit Philips Technical Review Vol„ 38, 1978/79 No. 7/8 pQ 188-189. De strocxn-20 stabilisatieschakeling van het in de aanhef genoemde type is voorzien van middelen ter kanpensatie van de tsiperatuurafharikelijkheid van de door de stabilisatieschakeling gegenereerde strocm. Deze middelen be-staan uit genoemde vierde weerstand, welke een kcnpcnent aan de gege- 8103813 .·· ' V .......... " .............." .......... ............ ...... ...............

EHN 10.128 2 ...........nereerde strocm toevoegt, waarvan de temperatuurskoefficient tegenge- steld is aan die van de ongekcmpenseerde strocm. Het is mogelijk cm door middel van deze kompensatie bij een bepaalde temperatuur een strocm te genereren, waarvan de teirperatuurskoefficient nul is, maar voor 5 andere temperaturen treden weer afwijkingen op. Algemeen kan gezegd warden, dat de temperatuurskoefficient rand genoemde tenperatuur onge-veer een parabolisch verloop te zien geeft. Voor bepaalde toepassingen, waar een betere terrperatuursohafhankelijkheid gewenst is, zoals in nauwkeurige meetinstrumenten of AD-cmzetters is het noodzakelijk, dat 10 de temperatuurskoefficient over een groter tenperatuurgebied gelijk aan nul blijft. De uitvinding heeft tot doel hiervoor een qplossing te verschaffen. De strocmstabilisatieschakeling volgens de uitvinding heeft daartoe als kenmerk, dat tussen de emitter van de eerste transistor en het eerste knooppunt ten minste £§n als diode geschakelde derde tran-15 sistor van het eerste geleidingstype is opgencmen, welke in de doorlaat-richting en in serie is geschakeld met de eerste weerstand, dat de emitter van de tweede transistor via ten minste §§n als diode geschakelde vierde transistor van het eerste geleidingstype is verbonden met het eerste knooppunt en de serieschakeling van een vijfde weerstand en een 20 in doorlaatrichting geschakelde eerste halfgeleiderovergang is opgeno-men tussen het eerste en het derde knooppunt.

Door het toevoegen van de eerste halfgeleiderovergang en de vijfde weerstand en het opnemen van de als dioden geschakelde derde en vierde transistor in de eerste respektievelijk tweede serieketen, 25 wordt aan de gegenereerde stxocm een tweede kcmpensatiekcmponent toege-voegd, waardoor bij juiste dimensionering van de verschillende elementen een terrperatuurkoefficient gelijk aan nul over een ruim temperatuurge-bied wordt verkregen. Een voarkeufsuitvoering van de strocmstabilisa-tieschakeling volgens de uitvinding heeft als kenmerk, dat de verschil-30 versterker een zesde, zevende, achtste, negende, tiende, elfde, twaalfde, dertiende, veertiende en vijftiende transistor van het eerste geleidingstype en een zestiende en een zeventiende transistor van een tweede aan het eerste tegengestelde geleidingstype en een zesde en zevende weerstand bevat, waarbij de basisaansluitingen van de zesde en 35 zevende transistor zijn verbonden net de kollektor van de eerste transistor, de basisaansluitingen van de achtste en de negende transistor zijn verbonden met de kollektor van de tweede transistor, de emitters van de zesde, zevende, achtste en negende transistor zijn verbonden 8103813 ar * EHN 10.128 3 met het derde knooppunt, het emitteroppervlak van de zesde en negende transistor aanzienlijk groter is, dan dat van de zevende en achtste transistor, de kollektoren van de vijfde, zesde en negende transistor en de basisaansluitingen van de tiende en elfde transistor zijn ver-5 bonden met het tweede knooppunt de kollektor van de tiende respektieve-lijk elfde transistor is verhanden met de emitter van de twaalfde res-pektievelijk dertiende transistor, de basis van de twaalfde respektieve-lijk dertiende transistor is verbonden met de kollektor van de zestiende respektievelijk zeventiende transistor, de kollektor van de twaalfde to respektievelijk dertiende transistor is verbonden met de emitter van de zestiende respektievelijk zeventiende transistor, de basis en de kollektor van de zeventiende transistor zijn doorverbonden en verbonden met de basis van de zestiende transistor, de emitter van de zestiende respektievelijk zeventiende transistor via de zesde respektievelijk 15 zevende weerstand is verbonden met een vierde knooppunt, de basis van de veertiende transistor is verbonden, met de emitter van de twaalfde transistor, de basis van de vijftiende transistor is verbonden met de emitter van de veertiende transistor, de kollektoren van de veertiende en de vijftiende transistor zijn verbonden met het vierde knooppunt, de 20 emitter van de vijftiende transistor is verbonden met het tweede knooppunt en waarbij een achtste weerstand is geschakeld tussen het tweede en het vierde knooppunt en het vierde knooppunt is. uitgevoerd als voe-dingsaansluitpunt.

Door de dubbele ingangstransistoren Tg, Tg en T^, welke 25 de ingangstrap van de verschilversterker vormen kan stroomreduktie warden toegepast op de p.n.p. strocmspiegel T16, waardoor lekstrcmen vanuit deze laatste moeilijk te vermijden horizontale p.n.p. transistoren naar het substraat sterk warden verminderd. Deze lekstraien zouden nade-lig zijn voor de goede werking van strocmstabilisatieschakeling. De 30 uitvinding zal nader warden toegelicht aan de hand van de tokening, waarin

Fig. 1 het schema toont van een bekende strocmstabilisatieschakeling, en

Fig. 2 het schema toont van de strocmstabilisatieschakeling 35 volgens de uitvinding.

Fig. 3 het schema toont van een voorkeursuitvoering van de strocmstabilisatieschakeling volgens de uitvinding.

Fig. 1 toont het schema van een bekende strocmstabilisatie- 8103313 PHN 10.128 4 ------- schakeling. Deze bestaat uit de twee serieketens AenB, welke zijn — aangesloten tussen de knooppunten 1 en 2. De serieketen A bevat de ' transistor , waarvan de emitter via de weerstand is verbonden met het knooppunt 1 en waarvan de kollektor via de weerstand R2 is verbonden 5 met het knooppunt 2. De serieketen B bevat de transistor T2, waarvan de emitter rechtstreeks is verbonden met het knooppunt 1 en waarvan de kollektor via de weerstand R3 is verbonden met het knooppunt 2. Er wordt op gewezen dat de verhouding tussen de emitteroppervlakken van de : transistoren en T2 gelijk is aan p (met p >1)> zoals 00k in Fig. 1 10 wordt aangegeven. De basis van transistor T. en de basis van transistor 1 via T2 zijn verbonden met het knooppunt 3, dat/de weerstand R4 is verbonden met het knooppunt 1. De inverterende ingang (-) van de qperationele versterker OA is verbonden net de kollektor van transistor Ty terwijl de niet-inverterende ingang .(+) ervan is verbonden met de kollektor van 15 transistor T2.

Verder zijn in de vorm van de aansluitpunten en Q2 voor-zieningen getroffen cm de schakeling te voeden en tevens de gestabili-seerde strocm af te nemen. De werking van deze strocmstabilisatieschake-ling is als volgt: 20 Tussen de aansluitpunten en Q2 wordt een spanning van de juiste polariteit aangeboden, dat wil zeggen Q2 positief ten opzichte van .

In beide serieketens zal een strocm lepen indien verondersteld wordt, dat de versehilversterker OA het knooppunt 3 positief maakt ten opzichte van knooppunt 1. Doordat de versehilversterker een zeer grote versterking 25 heeft zal er voor het insteDen van knooppunt 3 maar een zeer geringe verwaarloosbare spanning tussen de ingangen van de versehilversterker OA nodig zijn, zodat mag worden aangenesmen, dat de kollektorspanning van transistor T. en de kollektorspanning van transistor T„ aan evlkaar gelijk zijn. Over de weerstanden R2 en R2 vallen dus even grote span-30 ningen. Als deze laatste weerstanden gelijke waarden bezitten zullen de stromen en I2 in de serieketens A en B aan elkaar gelijk zijn en onafhankelijk van de tussen de aansluitpunten Q1 en Q2 aangelegde spanning. De grootte van de stromen en l2 zal worden bepaald, door de weerstand R^ en de emitteroppervlakteverhceding p. De spanning 35 tussen de knooppunten 1 en 3 moet namelijk voldoen aan twee relaties namelijk: (1) 8103813 EHN 10.128 5 t en „ KD , x2 V3"-qtor- <2) ^ 0 waarbij k de Boltzmannkcnstante, T de absolute tenperatuur, g de 5 lading van het elektron en IQ de minoriteitstrocm van transistor T2 is. Uit (1) en (2) volgt dan, net I,j = dat top (3)

Cta de tenperatuursafhankelijkheid van de som van de stromsn + 1Q te kcmpenseren vordt hieraan nog een derde kcmponent toegevoegd, waarmee het inderdaad mogelijk is cm de taiperatuurskoefficient van de uitgangs-strocm Iref = +1^ + 1^ voor e£n bepaalde tenperatuur nul te maken.

Dat dit mogelijk is kan men als volgt aantonen:

Uit (3) voigt, dat de scm van de strcmen en I2 lineair van de tempe-15 ratuur afhangt. De tenperatuursafhankelijkheid van de kcmpensatiestrocm I3 laat zich uitdrukken als: _^V3 of met (2) 2>τ · i?4 _ JL -1 (}£ In ίΐΛ ,..

20 ^ " R4 iT lq k Iq/ (4>

Als men de uit de halfgeleiderfysica bekende uitdrukking I0 = CT11 esp toepast, waarin C een individuele konstante is, n een enpirische exponent en 25 Vg de bandafstand, dan gaat (4) na het uitvoeren van de differentiatie in het rechterlid over in: _i3=i +iS_(±2i . ass') (5, T T * cp4 \ T h2 J (5>

De afgeleide naar de tatperatuur van de totale strocm I ^ is: 30 ref ^Jraf _ , *1 *3 k (. tffcr\

St--§τ--2τ·+ r+ WA Γη]

Door het gunstig kiezen van R4 kan ^ das voor een bepaalde tatperatuur gelijk aan nul gemaakt warden. De term (1-n) echter is er 35 )jt de oorzaak van, dat pogingen cm met deze methode ref nul te maken over een groot taiperatuurgebied tot falen gedoerd zijn.

Het doel van de uitvinding is cm een schakeling te verschaffen, waarbij 8103813 \ PHN 10.128 6 - de genoemde kcmpensatie over een groot tetrperatuurgebied toch irogelijk is.

1 Pig. 2 toont het principeschema van de stroanstabilisatie-schakeling volgens de uitvinding, waarmee dit te bereiken is. Ten qpzichte van de bekende strocmstabilisatieschakeling van Fig. 1 zijn 5 in de emitterleidingen van transistoren respektievelijk T2 de als diode geschakelde transistoren T3 respektievelijk T4 toegevoegd en ver-der nog de als emittervolger geschakelde transistor T,., waarvan de basis met het knooppunt 3 is verbonden en de emitter via een vijfde weerstand R^ met het knooppunt 1. De uitgangsstroan Ire£ bestaat bij 10 deze schakeling nit de som van de katponenten , I2, I3 en I4 en de eis is nu dus, dat: SI3 Zi.

2 &T ' + &T · + $T~ “ 0 (6) bl1 ' &I2

Er geldt nog steeds, dat = maar cmdat er in beide serie- ketens A en B twee basis-emitter-overgangen aanwezig zijn geldt, nu in plaats van (5), dat —3= + 2“ fjbl.aa') ,,.

>τ T qRj \ τ m2/ <7> 20 Voor de derde komponent I4 geldt, dat τ r - 2££ in ^ in 14 hh- — 2X1 ~0 - hetgeen na differentieren leidt tot: 25 ^ii=ii+2c_ H_/’n q%\ id · 1 ^^r T · qRj qRg ^ T m2 ) ~ q W ' waaruit af te leiden is, dat; τ 9¾ qEg \T ^2 J 30 ίΤ , , H 1_ kr #0

Aangezien — 0,025 is en R5I4 minimaal in de orde van 0,7 V zal zijn, zal bij benadering de noemer van (8) gelijk aan 1 genoraen irogen warden, 35 zodat: ^4 _ T4 , KP (2~n qVq \ ττ- τ- + ^ {— - O)

Voor de totale stroom 1 ^ geldt.: 8103813 EHN 10.128 7 t hetgeen met (7) en (9) levert: 5 fil + i + 2£^±2i.aa) +^1 + 13./221.^) δτ T T qR^ V T ^.*Ι·*^Ι of: =5sf-B/-2 + _l) +k I 211-n) , 2-n 2 10 T T [S4 + Ss/-*q X E4 +BsJ l1°)

-F

Ms voldaan moet warden aan (6), dan zal moeten gelden, dat g-ff· = o en dit kan bij variabele T volgens (10) alleen wanner geldt dat; 2-+1. = 5sg β, 2(l-n) + 221 - o 15 E4- % vg «“ + ¾ 0

Voor een gewenste waarde van de strocra iref volgen hieruit de waarden van de weerstanden Rj en Ego Het zij hier opganerkt, dat het ook nogelijk

Is, cm het aantal diode-overgangen in de emitterleidingen van de transistoren T., T~ en Tc uit te breiden.

20 > Z z>

Fig. 3 tocnt het schema van een voorkeursuitvoering van de stroanstabilisatieschakeling volgens de uitvinding. Het gedeelte van de schakeling bestaande uit de transistoren t/m T,» en de weerstanden

Rj t/m Rg is identiek aan het overeenkanstige gedeelte van het schema van Fig. 2 en behoeft hier geen nadere uitleg. Wat in de schakeling 25 van Fig. 3 de aandacht verdient is de uitvoering van de verschilver-sterker, welke wordt gevormd door de transistoren Tg t/m T1? en de weerstanden Rg en R^. De transistoren Tg t/m Tg vorrren een ingangsverschil-trap, waarin strocmreduktie wordt grealiseerd door het emitteroppervlak van de transistoren Tg en Tg een faktor g groter te kiezen, dan dat van de transistoren T? en TQ. De gemeenschappelijke basisaansluiting van de transistoren Tg en T^ vormt de inverterende ingang van de verschilver-sterker en is verbcoden met de kollektor van transistor , de gemeenschappelijke basisaansluiting van de transistoren Tg en Tg vormt de niet-inverterende ingang van de verschilversterker. Als gemeenschappelijke 35 emitterweerstand voor de transistoren Tg t/m Tg wordt de impedantie op knocppunt 3 gebruikt. De beide kollektorstrcmen van de transistoren Tg en warden beide toegevoerd aan knooppunt 2, waardoor ze verder geen effekt meer hebben cmdat ze in tegenfase zijn0 8103813

* ’’C

PHN 10.128 8

De gereduceerde kollektorstrornen van de transistoren en Tg warden ' via de hoofdstrocrabanen van de transistoren respektievelijk toegevoerd aan de emitters van de transistoren respektievelijk T^g. De basisaansluitingen van. de transistoren en zijn verbonden 5 met knooppunt 2, waardoor deze laatstgenoende transistoren een nagenoeg konstante kollektor* basisspanning aangeboden krijgen. De transistoren T12 en T16 en de weerstand Rg vormen de kollektorbelasting van transistor T^q. De kollektor van transistor en de emitter van transistor zijn via de weerstand Rg met het knooppunt 4, dat tevens als voe-10 dingsaansluitpunt Q2 is uitgevoerd, verbonden. De kollektor van transistor T-jg is verbonden net de basis van transistor T^. De basis van transistor T^g is verbonden met de basis van transistor T^, welke is doorverbonden met de kollektor van transistor en de basis van transistor T^g. De kollektor van transistor T^g en de emitter van 15 transistor zijn via de weerstand R^ verbonden net het knooppunt 40 De transistoren T^g en en de weerstand R^ vormen tezamen de kollektorbelasting voor transistor *11· Doordat de kollektorstrornen van de transistoren T? en T8 respektievelijk T^Q en qp de reeds beschreven wijze zijn gereduceerd, voeren mede door de 'strocmversterkingsfaktor on van de transistoren T12 en T^g de p.n.p. transistoren en T^7 een uiterst kleine stroom. Zoals bekend worden voor p.n.p. transistoren in de gebruikelijke integratietechniek horizontale configuraties ge-bruikt, welke bij normale stroomdoorgang parasitaire lekstromen naar het substraat vertonen. Door bij de hier behandelde schakeling de 25 stroomdoorgang door de' transistoren T^g en uiterst laag te houden kunnen ook de lekstromen naar het substraat beperkt blijven tot accep-tabele waarde. Dit is hier nodig omdat zij anders de goede werking van de stroomschakeling zouden verstoren.

De werking van de als kollektorbelasting geschakelde transisr 30 toren T12 en T^g en de weerstand Rg kan als volgt verklaard warden: Aanriemende, dat de basis van transistor T^g op konstant potentiaal gehouden wordt, zal bijvoorbeeld een toename van de kollektorstrocm van transistor T1Q een vergroting van de spanningsval over de weerstand Rg veroorzaken. Hierdoor zal de basis-emitterspanning van transistor 35 T16 afnemen en zal deze transistor minder strocm toevoeren aan de basis van transistor T^2« Dientengevolge zal men aan de emitter van transistor T12 een hoge inpedantie waamemen, welke nog verder wordt vergroot door de basis van transistor te verbinden met de basis en kollektor 8103813 ΕΗΝ 10.128 9 % «ζ -m van transistor T^. Hierdoor ontvangt de basis van transistor T^g een signaal qp zijn basis, dat in tegenfase is met het signaal dat via de transistoren T^, en qp zijn emitter verschijnt, zodat het beschreven effekt vrardt versterkt. Hierdoor kan de deelschakeling 5 bestaande uit de transistoren T^2, T13, T.^ en en de wserstanden Kg en warden cpgevat als een stroonspiegelschakeling, waarbij de door transistor ^ toegevoerde strocm wardt "gespiegeld" aan de emitter van "transistor T12 verschijnLDe emitter van transistor is verbonden met de basis van transistor T^, welke tezamen met transistor een 10 zogenaande darlingtcnschakeling vormt. De emitter van transistor T.^ is verbonden met knoqppunt 2, waardoar qp dit knoqppunt reeds het uitgangs-signaal van de verschilversterker kcmt te staan. Dit uitgangssignaal wordt via de wserstanden en en de ingangstransistor Tg en T?/ welke nu als emittervolgers werken doorgegeven aan knoqppunt 3. De 15 gemeenschappelijke emitteraansluiting van de transistoren Tg en kan dus warden beschouwd als de uitgang van de verschilversterker over-eenkcmstig het schema van Fig. 2.

Voar het cpstarten van de strocmbronschakeling van Fig. 3 is tussen de knooppunten 4 en 2 de startweerstand Rg toegevoegd.

20 25 30 35 8103813

Claims (3)

1. 25 J de strocmstabilisatieschakeling is voorzien van middelen (Q1# q ) voor het aansluiten van een voedingsspanning voorhet handhaven van een poten- tiaalverschil tussen het eerste en het tweede knooppunt (1 respektievelijk 2. en voor het afnemen van een gestabiliseerde 'stroom. aan een van beide, met het kenmerk, dat tussen de emitter van de eerste transistor (T|) 30 en het eerste knooppunt (1) ten minste §en als diode geschakelde derde transistor (T^) van het eerste geleidingstype is opgenanen, welke in de doorlaatrichting in serie is geschakeld met de eerste weerstand (Rj), dat de emitter van de tweede transistor (T2) via ten minste e£n als diode geschakelde Vierde transistor (T4) van het eerste geleidingstype 35 is verbonden met het eerste knooppunt (1) de serieschakeling van een vijfde weerstand (R^) en een eerste halfgeleiderovergang is opgenamen tussen het eerste en het derde knooppunt (3).
2. 2. Stroomstabilisatieschakeling volgens conclusie 2, met het 8103813 EHN 10.128 11 t kenmerk, dat de eerste halfgeleiderovergang wordt gevormd doer de basis-emitterovergang van een vijfde transistor (T5), waarvan de basis is verbonden met het derde knooppunt (3) en de kollektor met het tweede knooppunt (2).
3. 3. Strocmstabilisatieschakeling volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de verschilversterker een zesde, zevende, achtste, negende, tiende, elfde, twaalfde, dertiende, veertiende en vijftiende transistor (Tg t/m T^), van het eerste geleidingstype en een zestiende en zeventiende transistor (T1g/Tj7) van een tweede aan het eerste tegen-10 gestelde geleidingstype en een zesde en zevende weerstand (Rg^) bevat, waarbij de basisaansluitingen van de zesde en zevende transistor (Tg respektievelijk T?) zijn verbonden met de van het tweede knoeppunt (2) afgewende aansluiting van de tweede weerstand (ly, de basisaansluitingen van de achtste en de negende transistor (Tg respektieve-15 . lijk Tg) zijn verbonden met de van het tweede knooppunt (2) afgewende aansluiting van de derde weerstand (Eg), de emitters van de zesde, zevende, achtste en negende transistor (Tg,T^,Tg,Tg) zijn verbonden met het derde knoeppunt (3), het emitteroppervlak van de zesde en negende transistor (Tg,Tg) aanzienlijk grater is, dan dat van de 20 zevende en achtste transistor (T7,Tg), de kollektoren van de vijfde, zesde en negende transistor (Tg,Tg,Tg) enda basisaansluitingen van de tiende en elfde transistor (Τ^,Τ^) zijn verbonden met het tweede knoeppunt (2) de kollektor van de tiende respektievelijk elfde transistor (T^g respektievelijk T^) is verbonden met de emitter van 25 de twaalfde respektievelijk dertiende transistor (T^ respektievelijk T^g), de basis van de twaalfde respektievelijk dertiende transistor (T.J2 respektievelijk T^g) is verbonden met de kollektor van de zes-tiende respektievelijk de zeventiende transistor (T^g respektievelijk Tiy), de kollektor van de twaalfde respektievelijk dertiende transistor 3° (T.J2 respektievelijk T^g) is verbonden met de emitter van de zestiende respektievelijk zeventiende transistor (T^g respektievelijk Ty, de basis en de kollektor van de zeventiende transistor zijn doorver? bonden met de basis van de zestiende transistor (T^g), de emitter van de zestiende respektievelijk zeventiende transistor (T^g respektievelijk 35 T^7) via de zesde respektievelijk zevende weerstand (Rg respektievelijk Ry) is verbonden met een vierde knooppunt (4), de basis van de veer-tiende transistor (T^) is verbonden met de emitter van de twaalfde transistor (T^ 2) r de basis van de vijftiende transistor (Ty is ver- 8103813 PHN 10.128 12 fconden met de emitter van de veertiende transistor (T^), de kollektoren • van de veertiende en de vijftiende transistor (T^^rT^) zijn verbonden met het vierde knooppunt (4), de emitter van de vijftiende' transistor (T^) is verbonden met het tweede knooppunt (2) en waarbij een achtste 5 weerstand (Rg) is geschakeld tussen het tweede en het vierde knooppunt (2,4) en het vierde knooppunt (4) is uitgevoerd als voedingsaansluit-punt (Q2)i 10 15 20 25 30 35 8103813