KR970055411A - 히스테리시스를 갖는 비교기 - Google Patents

히스테리시스를 갖는 비교기 Download PDF

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KR970055411A
KR970055411A KR1019950051074A KR19950051074A KR970055411A KR 970055411 A KR970055411 A KR 970055411A KR 1019950051074 A KR1019950051074 A KR 1019950051074A KR 19950051074 A KR19950051074 A KR 19950051074A KR 970055411 A KR970055411 A KR 970055411A
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    • H03K3/2893—Bistables with hysteresis, e.g. Schmitt trigger

Abstract

본 발명은 피드백 회로의 추가 설계없이 부하 회로로 베이스 전류가 보상된 전류 미러(Base Current Compensated Current Mirror)를 이용하는 히스테리시스(Histeresis)를 갖는 비교기에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 기준 전압과 입력 전압을 비교하여 출력 전압을 출력하는 비교부, 상기 비교부에 연결되어 비교부의 출력레벨에 따라 상기 비교부의 기준 전압 입력단을 통해 인가되는 전류를 제어하는 스위칭부, 및 상기 비교부에 연결되어 부하 회로로 사용되고 상기 스위칭부에 의해 베이스 전류가 보상된 전류 미러로 구성된다.

Description

히스테리시스를 갖는 비교기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 히스테리시스를 갖는 비교기의 구성도.

Claims (5)

  1. 기준 전압(Vref)와 입력 전압(Vin)을 비교하여 출력 전압(Vout)을 출력하는 비교부(11), 상기 비교부(11)에 연결되어 비교부(11)의 출력레벨에 따라 상기 비교부(11)의 기준 전압 입력단(Vref)을 통해 인가되는 전류를 제어하는 스위칭부(13), 및 상기 비교부(11)에 연결되어 부하 회로로 사용되고 상기 스위칭부(13)에 의해 베이스 전류가 보상된 전류 미러(12)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 히스테리시스를 갖는 비교기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비교부(11)는 상기 기준 전압(Vref)을 베이스 입력으로 하고 전원(Vcc)에서 공급되는 전류원(IS)에 에미터가 연결되고 상기 스위칭부(13)와 전류 미러(12)에 콜렉터가 연결된 제1트랜지스터(Q1), 상기 입력 전압(Vin)을 베이스 입력으로 하고 전원(Vcc)에서 공급되는 전류원(IS)에 에미터가 연결되고 상기 전류미러(12)에 콜렉터가 연결되어 상기 제1트랜지스터(Q1)와 차동 쌍을 이루는 제2트랜지스터(Q2), 상기 기준 전압 입력단(Vref)과 제1트랜지스터(Q1)의 베이스에 연결되어 문턱 전압을 전압 강하시키는 저항(R13), 및 상기 제2트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 베이스가 연결되고 접지에 에미터가 연결되어 콜렉터로 출력전압(Vout)을 출력하는 제3트랜지스터(Q5)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 히스테리시스를 갖는 비교기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전류 미러(12)는 상기 제1트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 콜렉터가 연결되고 상기 스우칭부(13)를 통해 보상된 전류를 베이스 입력으로 하고 접지에 에미터가 연결된 제4트랜지스터(Q3), 및 상기 제2트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 콜렉터가 연결되고 상기 스위칭부(13)를 통해 보상된 전류를 베이스 입력으로하고 접지에 에미터가 연결된 제5트랜지스터(Q4)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 히스티리시스를 갖는 비교기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 스위칭부(13)는 상기 제1트랜지스터(Q1)의 베이스에 콜렉터가 연결되고 상기 제1트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 베이스가 연결되고 제4 및 제5트랜지스터(Q3, Q4)의 베이스에 에미터가 연결되어 상기 저항(R13)을 통해 흐르는 전류를 제어하는 제6트랜지스터(Q16)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 히스테리시스를 갖는 비교기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 스위칭부(13)는 상기 제6트랜지스터(Q6)의 베니스와 콜렉서에 연결되어 상기 제6트랜지스터(Q16)의 하이 게인(High Gain)에 의한 발진을 위한 캐패시터(C11)를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 히스테리시스를 갖는 비교기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574910B1 (ko) * 1997-08-22 2006-07-25 삼성전자주식회사 전류보상기능을갖는비교기
KR100609485B1 (ko) * 2004-05-06 2006-08-08 어보브반도체 주식회사 히스테리시스 특성을 갖는 비교장치
KR101047286B1 (ko) * 2002-04-02 2011-07-08 다이얼로그 세미컨덕터 게엠베하 시연속 비교기들을 위한 동적 바이어스 회로

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