KR900001120A - 상호 콘덕턴스 회로 - Google Patents

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KR900001120A
KR900001120A KR1019890007383A KR890007383A KR900001120A KR 900001120 A KR900001120 A KR 900001120A KR 1019890007383 A KR1019890007383 A KR 1019890007383A KR 890007383 A KR890007383 A KR 890007383A KR 900001120 A KR900001120 A KR 900001120A
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데 야게르 빌렘
세빈크 에베르트
Original Assignee
이반 밀러 레르너
엠.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03H11/00Networks using active elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085Long tailed pairs
    • H03F3/45089Non-folded cascode stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
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Abstract

내용 없음

Description

상호 콘덕턴스 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 상호 콘덕턴스 회로의 기본 다이어그램,
제2도는 본 발명에 따른 상호 콘덕턴스 회로의 실시예.

Claims (3)

  1. 입력 신호를 수신하기 위한 입력 단자에 접속된 베이스를 가지고 있고, 제1저항기에 의해 공통점에 접속된 에미터를 가지고 있으며, 상기의 공통점이 전류 소스에 의해 제1전력 공급 단자에 결합된 제1전도형의 제1 및 제2트랜지스터와, 제1전도형의 콜렉터-에미터 경로가 제2전력 공급 단자와 공통점 사이에 배열되고, 제1 및 제2트랜지스터의 베이스 사이에 배열된 실제로 동일한 2개의 제2저항기를 포함하는 전압 분할기의 태핑(tapping)에 결합된 베이스를 가지고 있는 제3트랜지스터를 포함하는 상호 콘덕턴스 회로에 있어서, 상기 회로가 제1 및 제2트랜지스터의 콜렉터-에미터 경로와 직렬로 배열된 콜렉터-에미터 경로를 가지고 있고, 기준 전압 단자에 결합된 베이스를 가지고 있으며, 출력 신호를 공급하기 위한 출력 단자에 결합된 콜렉터를 가지고 있는 제1전도형의 제4 및 제5트랜지스터와 제4 및 제5트랜지스터의 에미터 사이에 배열된 3저항기를 포함하는 것을 특징으로하는 상호 콘덕턴스 회로
  2. 제1항에 있어서, 상기의 회로가 또한 제1 및 제2트랜지스터의 에미터와 제1 전력 공급 단자 사이에 배열된 콜렉터-에미터 경로를 가지고 있고, 제1 및 제2트랜지스터의 베이스에 결합된 베이스를 가지고 있는 제2전도형의 제6및 제7트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 상호 콘덕턴스 회로
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전류 소스가 정의 온도 계수에 따라 전류를 공급하도록 적용되는 것을 특징으로 하는 상호 콘덕턴스 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR89007383A 1988-06-03 1989-05-31 Transconductance circuit KR970008792B1 (en)

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EP0344855B1 (en) 1993-08-25
DE68908609D1 (de) 1993-09-30
JPH0227806A (ja) 1990-01-30
HK141994A (en) 1994-12-23
KR970008792B1 (en) 1997-05-29
EP0344855A1 (en) 1989-12-06
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