KR910021008A - 전류전달회로 - Google Patents
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- G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
- G05F3/227—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the supply voltage
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발며의 1실시예에 따른 전류전달회로를 조립해 넣은 바이 폴라 모놀리딕 IC의 회로도, 제2도는 본 발명의 1실시예의 변형례에 따른 전류전달회로를 조립해 넣은 바이폴라 모놀리딕IC의 회로도, 제3도는 본 발명의 1실시예의 다른 변형례에 따른 전류전달회로를 조립해 넣은 바이폴라 모놀리딕 IC의 회로도.
Claims (6)
- 베이스를 입력단자 (A)에 접속시키고 에미터를 제1전원전압 (Vcc) 공급단자에 접속시키며 콜렉터를 제2전원전압 (Vcc)을 기준으로 하는 전류입력단자 (C)에 접속시킨 제1트랜지스터 (Q3)와, 베이스를 상기 제1트랜지스터 (Q3)의 베이스에 공통으로 접속시키고 에미터를 제1전원전압 (Vcc) 공급단자에 접속시키며 콜렉터를 출력단자 (B)에 접속시킨 제2트랜지스터 (Q4), 콜렉터를 상기 전류입력단자 (C)에 공급되는 전류에 대응된 전류가 공급되며 제2전원전압 (Vcc)을 기준으로 하는 전류출력단자(D)에 접속시키고 에미터를 제1전원전압 (Vcc) 공급단자에 접속시키며 베이스를 그 콜렉터를 접속시킨 제3트랜지스터 (Q2), 베이스를 상기제3트랜지스터 (Q2)의 베이스를 접속시키고 에미터를 제1전원전압 (Vcc) 공급단자에 접속시키며 콜렉터를 상기 제1트랜지스터 (Q3)의 베이스에 접속시킨 제4트랜지스터 (Q1)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 전류전달회로.
- 제1항에 있어서, 콜렉터를 상기 전류입력단자 (C)에 접속시키고 에미터를 제2전원전압 (Vss) 공급단자에 접속시키며 베이스를 그 콜렉터에 접속시킨 상기 제1내지 제4트랜스터와는 반대도전형인 제5트랜지스터 (Q5)와, 베이스를 상기 제5트랜지스터 (Q5)의 베이스에 접속시키고 에미터를 상기 제2전원전압 (Vss) 공급단자에 접속시키며 콜렉터를 상기 전류 출력단자 (D)에 접속시킨 상기 제1내지 제4트랜스터와는 반대도 전형인 제6트랜지스터 (Q6)로 구성되는 전류미러회로 (CM1)를 구비한 것을 특징으로 하는 전류전달회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1트랜지스터 (Q3)의 에미터면적과 상기 제2트랜지스터 (Q4)의 에미터면적의 비율을 1 : N으로 하고, 상기 제4트랜지스터 (Q1)의 에미턴면적과 상기 제3트랜지스터 (Q2)의 에미터면적의 비율을 1 : N으로 하며, 상기 전류입력단자 (C)에 공급되는 전류와 상기 전류출력단자 (D)에 공급되는 전류의 비율을 1 : N으로 한 것을 특징으로 하는 전류전달 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제4트랜지스터 (Q3, Q4, Q2, Q1)의 에미터와 제1전원전압 (Vcc) 공급단자의 사이에 각각 저항 (R1∼R4)을 삽입한 것을 특징으로 하는 전류전달회로.
- 제2항에 있어서, 상기 제5및 제6트랜지스터 (Q5, Q6)의 에미터와 제2전원전압 (Vss) 공급단자의 사이에 각각 저항 (R5, R6)을 삽입한 것을 특징으로 하는 전류전달회로.
- 제1항에 있어서, 상기 전류입력단자 (C)와 상기 제2전원전압 (Vss) 공급단자간의 제1전압강하량과, 상기 출력단자 (B)와 상기 제2전원전압 (Vss) 공급단자간의 제2전압강하량이 서로 대략 동일하게 되도록 조건을 설정하여 사용하는 것을 특징으로 하는 전류전달회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2120594A JPH082010B2 (ja) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | 電流伝達回路 |
JP2-120594 | 1990-05-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910021008A true KR910021008A (ko) | 1991-12-20 |
KR960002391B1 KR960002391B1 (ko) | 1996-02-16 |
Family
ID=14790129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910007489A KR960002391B1 (ko) | 1990-05-10 | 1991-05-09 | 전류전달회로 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5164658A (ko) |
JP (1) | JPH082010B2 (ko) |
KR (1) | KR960002391B1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4302221C1 (de) * | 1993-01-27 | 1994-02-17 | Siemens Ag | Integrierbare Stromquellenschaltung unter Verwendung von bipolaren pnp-Transistoren |
JP3331523B2 (ja) * | 1993-04-16 | 2002-10-07 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | カレントミラー回路 |
US5399914A (en) * | 1993-10-18 | 1995-03-21 | Allegro Microsystems, Inc. | High ratio current source |
US5525927A (en) * | 1995-02-06 | 1996-06-11 | Texas Instruments Incorporated | MOS current mirror capable of operating in the triode region with minimum output drain-to source voltage |
DE19523329C2 (de) * | 1995-06-27 | 1997-10-16 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Stromtransformation |
JP3618189B2 (ja) * | 1997-02-13 | 2005-02-09 | 富士通株式会社 | 安定化カレントミラー回路 |
KR100322527B1 (ko) * | 1999-01-29 | 2002-03-18 | 윤종용 | 밴드갭 전압기준회로 |
US6194886B1 (en) * | 1999-10-25 | 2001-02-27 | Analog Devices, Inc. | Early voltage and beta compensation circuit for a current mirror |
US6741119B1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-05-25 | National Semiconductor Corporation | Biasing circuitry for generating bias current insensitive to process, temperature and supply voltage variations |
US7436242B1 (en) * | 2005-01-13 | 2008-10-14 | National Semiconductor Corporation | System and method for providing an input voltage invariant current source |
JP2007226627A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Seiko Instruments Inc | ボルテージレギュレータ |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0139425B1 (en) * | 1983-08-31 | 1989-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A constant current source circuit |
-
1990
- 1990-05-10 JP JP2120594A patent/JPH082010B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-30 US US07/693,602 patent/US5164658A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-09 KR KR1019910007489A patent/KR960002391B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5164658A (en) | 1992-11-17 |
JPH0416009A (ja) | 1992-01-21 |
KR960002391B1 (ko) | 1996-02-16 |
JPH082010B2 (ja) | 1996-01-10 |
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