KR970056052A - 반도체 스위치 - Google Patents

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KR970056052A
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fet
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다쯔야 미야
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가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
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Abstract

전체 효과 트랜지스터(FET)들의 도통 및 비도통 상태를 이용하여 스위칭 동작을 수행하는 FET 스위치에 있어서, 스위치를 구성하는 각 FET의 드레인 및 소스전위는 모든 구성 FET의 드레인과 소스를 접지시킴으로서 FET들에 직류가 흐르지 않는 형태로 스위치를 구성함으로써, 외부로부터 공급된 제어 전압, 사용전 FET의 핀치 오프 전압, FET의 내부 용량 및 직류 차단 커패시터들의 용량에 의해 독특하게 결정된다. 따라서, 외부로부터 양의 기준 전위를 공급하기 위한 바이어스 회로없이도 스위칭 동작이 가능하게 된다.

Description

반도체 스위치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술의 FET 스위치의 등가 회로도.
제2도는 본 발명의 제1실시예의 등가 회로도.
제3도는 본 발명의 제2실시예의 등가 회로도.

Claims (3)

  1. 반도체 스위치 회로에 있어서, 입력 신호가 제공되는 입력단자; 제1출력단자; 제1 및 제2제어단자; 제1 및 제2전극과, 상기 제1제어단자에 접속된 게이트 전극을 구비한 제1트랜지스터; 상기 입력단자와, 상기 제1트랜지스터의 제1전극 사이에 접속된 제1커패시터; 상기 제1트랜지스터의 상기 제2전극과 상기 제1출력단자 사이에 접속된 제2커패시터; 상기 제1트랜지스터의 상기 제2전극에 접속된 제3전극, 제4전극 및 상기 제2제어단자에 접속된 게이트 전극을 구비한 제2트랜지스터; 및 상기 제2트랜지스터의 상기 제4전극과 기준 전위 회선(reference potential line)이에 접속된 제3커패시터를 포함하며, 상기 제1트랜지스터는 상기 제1제어단자의 제1전압 수준에 도달할 때 도통되고, 상기 제2트랜지스터는 상기 제1 및 제2트랜지스터의 표유 용량(straycapacitance)에 의해 비도통 상태가 되도록 셀프 바이어스(self-bias)가 걸려있고, 상기 제2제어단자에는 상기 제1전압 수준과 제2전압 수준이 제공되고, 상기 제1전압 수준은 상기 제2전압 수준보다 높으며, 상기 제2전압 수준은 상기 기준 전압 회선의 기준 전압 수준과 같거나 그보다 큰 반도체 스위치 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜지스터는 각각 N 채널 쇼트키 배리어(Schottky-barrier) 트랜지스터이고, 상기 기준 전압 수준과 상기 제2전압 수준은 각각 접지 수준이며, 상기 제1전압 수준은 양(＋)의 전압인 반도체 스위치 회로.
  3. 제1항에 있어서, 제2출력단자; 상기 제1트랜지스터의 상기 제1전극에 접속된 제5전극, 제6전극 및 상기 제2제어단자에 접속된 게이트 전극을 구비한 제3트랜지스터; 상기 제3트랜지스터의 상기 제6전극과 상기 제2출력단자 사이에 접속된 제4커패시터; 상기 제3트랜지스터의 상기 제6전극에 접속된 제7전극, 제8전극 및 상기 제1제어단자에 접속된 게이트 전극을 구비한 제4트랜지스터; 및 상기 제4트랜지스터의 상기 제8전극과 상기 기준 전압 회선 사이에 접속된 제5커패시터를 더 포함하는 반도체 스위치 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960073946A 1995-12-27 1996-12-27 반도체 스위치 KR970056052A (ko)

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