KR870009549A - 도전율 변조형 전계효과 트랜지스터의 고속 스위치-오프 회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

도전율 변조형 전계효과 트랜지스터의 고속 스위치-오프 회로

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 COMFET의 등가 회로도.

제2도 및 제3도는 COMFET의 랫치-업이 스위치-온 동안에는 발생하지 않고 스위치-오프 동안에만 발생한다는 것을 검출하는데 사용된 텍스트 회로도.

Claims (16)

1. 진폭 감쇠된 스위치-오프전류를 초기에 COMFET의 게이트 전극에 공급하기 위한 수단과 ;

   소오스와 드력인 전극 사이의 전위가, 진폭 증가된 스위치-오프 전류를 상기 게이트 전극에 공급하더라도 랫치-업이 발생하지 않게되는 값에 도달할 수 있는 충분한 시간후에, 상기 진폭 증가된 스위치-오프 전류를 상기 COMFET의 게이트 전극에 공급하기 위한 수단을 구비하는 것을 특징으로 하느 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
2. 제1항에 있어서,

   상기 COMFET의 게이트 전극에 상기 진폭 증가된 스위치-오프 전류를 공급하기 위한 상기 수단은,

   상기 COMFET의 소오스와 드레인 사이의 전위의 진폭이 상기한 값에 도달하게 되는 때를 감지하기 위한 수단과 ;

   상기한 값에 도달하게 되었을 때 상기 진폭 증가된 스위치-오프 전류를 상기 COMFET의 게이트전극에 공급하기 위한 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
3. COMFET로서 소오스, 드레인 및 게이트 전극을 갖는 제1트랜지스터와 ;

   상기 제1트랜지스터의 소오스 전극을 접속하는 제1단자와 ;

   상기 제1트랜지스터의 드레인 전극을 접속하는 제2단자와 ;

   상기 제1단자와 이 단자 사이에 입력 구동신호 전압이 인가되는 제3단자와 ;

   상기 제3단자와 상기 제1트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속된 제1저항과

   상기 제1 및 제2단자 사이에 접속되어, 상기 제1트랜지스터에 대해 소오스-드레인 전압 및 부하 임피던스를 제공하기 위한 수단과 ;

   각기 제1, 제2 및 3전극을 갖고, 또한 각각의 제1전극과 제2전극 사이에 각기 주 전류 도전 경로를 갖는데, 이 주 전류 도전 경로의 도전은 제1전극과 제3전극 사이에 인가되어 임계값을 초과하는 전압에 의해 제어되는 제2, 제3 및 제4트랜지스터와 ;

   상기 제1단자에 대한 상기 제2, 제3 및 제4트랜지스터의 제1전극들의 접속부들과 ;

   상기 제1트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제2트랜지스터의 제2전극 사이에 접속된 제2저항과 ;

   상기 제3트랜지스터의 제1 및 제2전극 사이의 비도전에 따라서, 상기 제2 및 제4트랜지스터의 각각의 제1 및 제2전극 사이의 주전류 도전 경로를 도전시키기에 충분히 큰 전압을 상기 제2 및 제4트랜지스터의 제1 및 제3전극 사이에 각각 인가하는 수단과 ;

   상기 제4트랜지스터의 제1 및 제2전극 사이의 도전에 따라서, 상기 제3트랜지스터의 제1 및 제2전극 사이의 주 전류 도전 경로를 도전시키기에 충분히 큰 전압을 상기 제3트랜지스터의 제1 및 제3전극 사이에 인가하는 수단과 ;

   상기 입력 구동 신호 전압이 상기 제1트랜지스터의 소오스 및 드레인 전극 사이의 도전을 스위치온 시키는 레벨로 됨에 따라서, 상기 제3트랜지스터의 제1 및 제3전극 사이에 인가하는 수단과 ;

   상기 제1 및 제2단자 사이의 전위가 상기한 값을 초과함에 따라서, 상기 제4트랜지스터의 제1 및 제2전극사이의 주전류 도전 경로를 도전시키기에 충분히 큰 전압을 상기 제4트랜지스터의 제1 및 제3전극사이에 인가하는 수단으로 결합 구성되는 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
4. 제3항에 있어서,

   상기 제2, 제3 및 제4트랜지스터는 모두 증가 모드의 FET로서, 각각의 제1전극은 소오스 전극이고 각각의 제2전극은 드레인 전극이며, 각각의 제3전극은 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
5. 제3항에 있어서,

   제4단자와 ;

   상기 제1 및 제4단자 사이에 접속된 보조 동작 전압을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
6. 제5항에 있어서,

   상기 제1트랜지스터에 대해 소오스-드레인 전압과 부하 임피던스를 공급하기 위한 수단은,

   제5단자와 ;

   상기 제1 및 제5단자사이에 접속된 보조 동작 전압 공급원과 ;

   상기 제2 및 제5단자에 접속되어, 상기 부하 임피던스를 나타내는 부하를 구비하는 것을 특징으로하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
7. 제5항에 있어서,

   상기 제3트랜지스터의 제1 및 제2전극 사이의 주전류 도전 경로가 비도전됨에 따라서, 상기 제2 및 제4트랜지스터의 각각의 제1 및 제3전극 사이에 상기 임계값을 초과하는 전압을 인가하는 수단은,

   그 제1단부를 상기 제4단자에 접속하고, 그 제2단부를 상기 제2트랜지스터의 제3전극과 접속함과 동시에 상기 제3트랜지스터의 제2전극에도 접속한 제3저항과 ;

   상기 제3저항의 제2단부 및 상기 제4트랜지스터의 제3전극 사이에 접속된 제4저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
8. 제7항에 있어서,

   상기 제1 및 제2단자 사이의 전위가 상기한 값을 초과함에 따라서, 상기 제4트랜지스터의 제1 및 제2전극 사이의 경로를 도전시키기에 충분히 큰 전압을 이 제4트랜지스터의 제1 및 제3전극 사이에 인가하는 수단은,

   그 양단의 전압이 제1의 규정된 값을 초과할 때 도전하는 제1다이오우드와 ;

   상기 제2단자와 상기 제4트랜지스터의 제3전극사이에서 상기 제1다이오우드와 직렬 접속된 제1커패시터와 ;

   상기 제1단자와 상기 제4트랜지스터의 제3전극 사이에 접속된 제5저항과 ;

   상기 제1단자와 상기 제4트랜지스터의 제3전극사이의 전압차가, 상기 제4트랜지스터의 제1 및 제3전극 사이의 경로를 도전시키게 되는 값을 초과하려고 할때, 이 전압차를 제한하기 위한 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
9. 제8항에 있어서,

   상기 제1단자와 상기 제4트랜지스터의 제3전극 사이의 전압차를 제한하기 위한 수단은,

   상기 제1단자와 상기 제4트랜지스터의 제3전극 사이에 접속되어, 그 양단의 전압이 제2의 규정된 값을 초과할 때 도전하는 제2다이오우드를 포함하는 것을 특징으로하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
10. 제9항에 있어서,

    상기 제2의 규정된 값은 상기 제1의 규정된 값과 다르며, 이 제1의 규정된 값보다 작은 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
11. 제8항에 있어서,

    상기 입력 구동 신호가 상기 1트랜지스터의 소오스와 드레인전극 사이의 도전을 스위치-온 시키기 위한 레벨로 됨에 따라, 상기 제3트랜지스터의 제1 및 2전극 사이의 경로를 도전시키기에 충분히 큰 전압을 상기 제3트랜지스터의 제1 및 제3전극 사이에 인가하는 수단,

    상기 제1트랜지스터를 스위치-온 하기 위한 상기 레벨이 상기 제3단자에 인가될 때에는 도전되고, 상기 제1트랜지스터의 소오스와 드레인 전극 사이의 도전을 스위치-오프 시키기 위한 레벨이 상기 제3단자에 인가될 떼에는 도전되지 않도록, 상기 제3단자와 상기 제3트랜지스터의 제3단자 사이에 접속되는 전류 정류기 다이오우드를 구비하는 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
12. 제11항에 있어서,

    상기 제4트랜지스터의 제1 및 제2전극 사이의 경로가 비도전됨에 따라, 상기 제3트랜지스터의 제1 및 제2전극 사이의 경로를 도전시키기에 충분히 큰 전압을 상기 제3트랜지스터의 제1 및 제3전극 사이에 인가하는 수단은 그 제1단부가 상기 제4단자에 접속되고, 그 제2단부가 상기 제4트랜지스터의 제2전극에 접속된 제6저항과 ;

    상기 제6저항의 제2단부와 상기 제3트랜지스터의 제3전극 사이에 접속된 제7저항과 ;

    상기 제6저항의 제2단부와 상기 제3트랜지스터의 제3전극 사이에 접속된 제2커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
13. 제3항에 있어서,

    상기 입력 구동 신호가 상기 제1트랜지스터의 소오스와 드레인 전극 사이의 도전을 스위치-온 시키기 위한 레벨로 됨에 따라, 상기 제3트랜지스터의 제1 및 제2전극 사이의 경로를 도전시키기에 충분히 큰 전압을 상기 제3트랜지스터의 제1 및 제3전극 사이에 인가하는 수단은,

    상기 제1트랜지스터를 스위치-온 하기 위한 상기 레벨이 상기 제3단자에 인가될 때에는 도전되고, 상기 제1트랜지스터의 소오스와 드레인 전극 사이의 도전을 스위치-오프 시키기 위한 레벨이 상기 제3단자에 인가될 때에는 도전되지 않도록, 상기 제3단자와 상기 제3트랜지스터의 제3단자 사이에 접속되는 전류0정류기 다이오우드를 구비하는 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
14. 제3항에 있어서,

    상기 제1 및 제2단자사이의 전위가 상기한 값을 초과함에 따라서, 상기 제4트랜지스터의 제1 및 제2 전극사이의 경로를 도전시키기에 충분히 큰 전압을 이 제4트랜지스터의 제1 및 제3전극 사이에 인가하는 수단은,

    그 양단의 전압이 제1의 규정된 값을 초과할 때 도전하는 제1다이오우드와 ;

    상기 제2단자와 상기 제4트랜지스터의 제3전극 사이에서 상기 제1다이오우드와 직렬 접속된 제1커패시터와;

    상기 제1단자와 상기 제4트랜지스터의 제3전극사이에 접속된 제5저항과 ;

    상기 제1단자와 상기 제4트랜지스터의 제3전극 사이의 전압차가, 상기 제4트랜지스터의 제1 및 제3전극 사이의 경로를 도전시키게 되는 값을 초과하려고 할때, 이 전압차를 제한하기 위한 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
15. COMFET로서 소오스, 드레인 및 게이트 전극을 갖는 제1트랜지스터와,

    상기 제1트랜지스터의 소오스 전극을 접속하는 제1단자와 ;

    상기 제1트랜지스터의 드레인 전극을 접속하는 제2단자와 ;

    상기 제1단자와 이 단자 사이에 스위치-온 레벨과 스위치-오프 레벨을 값는 입력 구동신호가 인가되는 제3단자와 ;

    상기 스위치-온 레벨에 응답해서는 상기 제1트랜지스터의 소오스와 드레인 전극 사이를 도전시키고, 상기 스위치-오프 레벨에 응답해서는 상기 제1트랜지스터의 소오스와 드렌인 전극 사이를 비도전시키기 위하여, 상기 입력 구동 신호가 이것을 통해서 상기 제1트랜지스터의 게이트 전극에 인가되도록 상기 제3단자와 상기 제1트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속된 제1저항과 ;

    상기 제1 및 제2단자 사이에 접속되어, 상기 제1트랜지스터에 대해 소오스-드레인 전압과 부하 임피던스를 공급하는 수단과 ;

    제4단자와 ;

    상기 제1 및 제4단자 사이에 접속된 보조 동작 전압 공급원과 ;

    각기 제1, 제2 및 제3전극을 갖고, 각각의 제1 및 제2단자 사이에 각기 주전류 도전 경로를 갖는데, 이 주 전류 도전 경로의 도전은 각각의 제1 및 제3전극 사이에 인가된 전압이 임계값을 초과함에따라 제어되도록 한 제2, 제3 및 제4트랜지스터와 ;

    상기 제1단자에 대하 상기 제2, 제3 및 제4트랜지스터의 제1전극들의 접속부와;

    상기 제1트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제2트랜지스터의 제2전극사이에 접속된 제2저항과 ;

    그 제1단부에는 상기 제4단자가 접속되고, 그 제2단부에는 상기 제2트랜지스터의 제3전극이 접속됨과 동시에 상기 제3트랜지스터의 제2전극이 접속된 제3저항과 ;

    상기 제3저항의 제2단부와 상기 제4트랜지스터의 제3전극 사이에 접속된 제4저항과 ;

    상기 제2단자와 상기 제4트랜지스터의 제3전극 사이에 직렬로 접속된 제1애벌란쉬 다이오우드 및 제1커패시터와 ;

    상기 제1단자와 상기 제4트랜지스터의 제3전극 사이에 각각 접속된 제2애벌란쉬 다이오우드 및 제5저항과 ;

    그 제1단부가 상기 제4단자에 접속되고, 그 제2단부에 상기 제4트랜지스터의 제2전극이 접속된 제6저항과 ;

    상기 제6저항의 제2단부와 상기 제3트랜지스터의 제3전극 사이에 접속된 제7저항과 ;

    상기 제6저항의 제2단부와 상기 제3트랜지스터의 제3전극 사이에 접속된 제2커패시터와 ;

    상기 입력 구동 신호 전압의 스위치-온 레벨은 도전시키고, 상기 입력 구동 신호 전압의 스위치-오프 레벨은 도전시키지 않도록 상기 제3단자와 상기 제3트랜지스터의 제3전극 사이에 접속된 전류 정류기 장치와 ;

    상기 제1단자와 상기 제3트랜지스터의 제3전극 사이에 접속된 제8저항의 결합 구성으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.
16. 제15항에 있어서,

    상기 제1트랜지스터에 대해 소오스-드레인 전압과 부하 임피던스를 공급하기 위한 수단은,

    제5단자와 ;

    상기 제1 및 제5단자 사이에 접속된 주 동작 전압 공급원과 ;

    상기 제2 및 제5단자 사이에 접속되어, 상기 부하 임피던스를 나타내는 부하를 구비하는 것을 특징으로 하는 COMFET의 고속 스위치-오프 회로.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개한는 것임.