KR890017877A - Mosfet전력 스위치 장치 - Google Patents

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KR890017877A
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mosfet
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drain
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KR1019890006027A
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존 그린웃드 제레미
Original Assignee
나이절 윌리엄 스몰쇼오
살플렉스 리미팃드
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Abstract

내용 없음

Description

MOSFET전력 스위치 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1,2도 및 제 4도는 각각 제1 및 제2 실시예의 회로 장치를 나타낸 도면; 그리고, 제3도 및 제5도는 각각 제2도 및 제4도 실시예의 작동을 나타낸 파형도이다.

Claims (8)

  1. MOSFET트랜지스터(1)와 이 MOSFET의 게이트 전극(G)에 전기적으로 접속되고 이 MOSFET에 열적으로 접속된 반도체 스위치(2)가 있어, 만약 MOSFET가 커지고 이 MOSFET에 접속된 부하(3)가 정상 상태에 있다면 이 반도체 스위치(2)가 꺼지도록 하면 만약 MOSFET가 커지고 부하(3)가 단락상태에 있다면 이 MOSFET에 발생된 열이 소정 온도 이상이 될때 이 반도체 스위치(2)를 켜도록 하고 이 반도체 스위치(2)의 켜진 상태가 상기 MOSFET를 끄도록하며, 또한 반도체 스위치(2)가 커지는 것에 응답하여 꺼질때 MOSFET드레인(D) 및 소오스 전극들(S)에 전력 공급시 기생 결선 인덕턴스들(7,8)에 의해 발생된 전압과 도를 소거하는 수단이 있는 MOSFET전력 스위칭 장치에 있어서, 상기 전압과도 소거 수단에는 반도체 스위치(2)가 켜질때 드레인 전극(D)에서의 초기에 기생적으로 유도된 전압탈선으로 인한 드레인-게이트 전압(Vdg)을 소정치로 제한시키는 제 1소거수단(11,12), 그리고 반도체 스위치(2)가 켜질때 소오스 전극(S)에서의 초기에 기생적으로 유도된 전압탈선에 응답하여 MOSFET(1)를 켜진상태로 소정치만큼 유지시키기에 충분한 초기 게이트-소오스 전압(Vgs)을 설정하는 제 2 소거수단(11, 12, 2,10, 5)에 있어, 과도 에너지가 이 MOSFET를 통한 전류전도에 의해 소모되고 이 MOSFET의 꺼지는 시간이 상기 기생 결선 인덕턴스들(7, 8)의 값들에 의존하는 것을 특징으로 하는 상기 MOSFET전력 스위치 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1소거수단에는 드레인(D)전극과 게이트(G)전극사이에 직렬로 접속된 제 1제너 다이오드(11)와 정류 다이오드(12)가 있으며, 상기 제 2소거수단에는 게이트(G)전극 및 소오스(S)전극에 가로질러 접속된 제 2제너 다이오드(5)가 있으며, 또한 반도체 스위치(2)와 저항(10)의 직렬 조합과 더불어 상기 제 1소거수단(11, 12)이 있으며, 상기 직렬 조합의 한 단부는 게이트(G)전극에 접속되고 상기 직렬 조합의 나머지 단부는 기준 전압에 사용시 접속되는 상기 장치.
  3. 제 2 항에에 있어서, 상기 직렬 조합(2, 10)의 나머지 단부가 소오스(S)전극에 접속된다는 점에 있어서 변경된 상기장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 MOSFET트랜지스터(1), 제 1 제너 다이오드(11), 정류 다이오드(12), 반도체 스위치(2) 및 저항(10)이, 드레인, 게이트 및 소오스 전극들에 접속시키기 위한 통상의 3개 단자들과 상기 기준전압에 사용시 접속시키기 위한 제 4 단자가 있는 전력 MOSFET소자 팩케이지내에 모두 있는 상기장치.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 MOSFET트랜지스터(1), 제 1 제너다이오드(11), 정류 다이오드(12), 반도체 스위치(2) 및 저항(10)이, 드레인, 게이트 및 소오스 전극들에 접속 시키기 위한 통상의 3개 단자들이 있는 전력 MOSFET 소자 팩케이지내에 모두 있는 상기장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 제너 다이오드(5)가 또한 전력 MOSFET소자 팩케이지내에 있는 상기장치.
  7. 제 2 항 내지 제 6 항중 어느한 항에 있어서, 상기 저항(10)이 반도체 스위치(2)의 고유 직렬 저항인 상기장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항중 어느한 항에 있어서, 상기 반도체 스위치(2)가 다이리스터 또는 트라이액인 상기장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890006027A 1988-05-06 1989-05-04 Mosfet전력 스위치 장치 KR890017877A (ko)

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GB888810750A GB8810750D0 (en) 1988-05-06 1988-05-06 Mosfet power switch arrangements
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JP (1) JPH01318430A (ko)
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