KR970055020A - 전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로 - Google Patents

전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로 Download PDF

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Abstract

이 발명은 IGBT구동 보호회로에 관한 것으로, 종래에는 IGBT 전류를 검출하기 위해서는 별도의 전류검출용 에미터단자가 있는 IGBT를 사용하였다. 이 발명은 이를 감안하여 펄스신호인 입력신호(Vin)에 응답하여 IGBT의 구동 게이트 전압을 출력시키는 구동수단과; IGBT의 콜렉터-에미터간 전류를 전압으로 검출하는 전류 검출수단과; 그 전류검출수단의 검출전압과 과전류에 대한 기준전압을 비교하여 소정시간 지연 후 상기 구동수단의 출력을 로우레벨로 오프시키도록 제어하는 과전류 제어수단과; 상기 전류 검출수단의 검출전압과 단락전류에 대한 기준전압을 비교하여 즉시 상기 IGBT의 게이트 전압을 다운시키는 단락전류 제어수단으로 구성된 IGBT 과전류 보호회로를 제공함으로써, 별도의 에미터단자가 없는 일반적인 IGBT를 사용할 수 있고, 온도변화에도 적절한 소자보호를 하게 된다.

Description

전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 이 발명에 의한 IGBT 구동 보호회로도.
제4도는 IGBT의 콜렉터-에미터간 전압과 온도와의 관계를 보인 특성도이다.

Claims (2)

  1. 펄스신호인 입력신호(Vin)에 응답하여 IGBT의 구동 게이트 전압을 출력시키는 구동수단과; IGBT의 콜렉터-에미터간 전류를 전압으로 검출하는 전류 검출수단과; 그 전류 검출수단의 검출전압과 과전류에 대한 기준전압을 비교하여 소정시간 지연후 상기 구동수단의 출력을 로우레벨로 오프시키도록 제어하는 과전류 제어수단과; 상기 전류 검출수단의 검출전압과 단락전류에 대한 기준전압을 비교하여 즉시 상기 IGBT의 게이트 전압을 다운시키는 단락전류 제어수단; 으로 구성된 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로.
  2. 제1항에 있어서, 전류검출수단은, IGBT의 게이트와 연결된 저항(R3) 및 그 IGBT의 콜렉터에 캐소드가 연결된 다이오드(D1)로 이루어져 그 다이오드(D1)의 애도우드와 저항(R3)의 접속점을 통해 IGBT의 콜렉터-에미터간 전류를 전압으로 검출하도록 구성된 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950048662A 1995-12-12 1995-12-12 전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로 KR0171713B1 (ko)

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