JPH07154225A - 半導体リレー装置 - Google Patents
半導体リレー装置Info
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- JPH07154225A JPH07154225A JP6200277A JP20027794A JPH07154225A JP H07154225 A JPH07154225 A JP H07154225A JP 6200277 A JP6200277 A JP 6200277A JP 20027794 A JP20027794 A JP 20027794A JP H07154225 A JPH07154225 A JP H07154225A
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- Japan
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- transistor
- signal generator
- switch
- resistor
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
- H03K17/6874—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor in a symmetrical configuration
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- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/785—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling field-effect transistor switches
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターンオフ時間が、従来のリレーよりも高速
な半導体リレーを提供する。 【構成】 本発明の半導体リレーは、出力トランジスタ
２、３の導通性を制御するホトダイオードアレイ６を有
し、このホトダイオードアレイ６が電流の生成をやめた
ときに、ＪＦＥＴスイッチ１４が閉じて、出力トランジ
スタのゲートを放電する。バイポーラトランジスタスイ
ッチ１２は、ＪＦＥＴスイッチ１４が閉じたことを検知
すると、光ダイオードアレイ６を放電させる。
な半導体リレーを提供する。 【構成】 本発明の半導体リレーは、出力トランジスタ
２、３の導通性を制御するホトダイオードアレイ６を有
し、このホトダイオードアレイ６が電流の生成をやめた
ときに、ＪＦＥＴスイッチ１４が閉じて、出力トランジ
スタのゲートを放電する。バイポーラトランジスタスイ
ッチ１２は、ＪＦＥＴスイッチ１４が閉じたことを検知
すると、光ダイオードアレイ６を放電させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体リレーに関し、
特に、その駆動回路に関する。
特に、その駆動回路に関する。
【０００２】
【従来技術の説明】半導体リレーは、電磁リレーの分野
で幅広く使われている。しかし、この半導体リレーの速
度は、ある種の用途においては、遅すぎるものである。
従来、半導体リレーのターンオン時間は、約１００μｓ
以下で十分であったが、この従来のリレーのターンオフ
時間は、将来の高速の素子に対しては一桁遅すぎる。
で幅広く使われている。しかし、この半導体リレーの速
度は、ある種の用途においては、遅すぎるものである。
従来、半導体リレーのターンオン時間は、約１００μｓ
以下で十分であったが、この従来のリレーのターンオフ
時間は、将来の高速の素子に対しては一桁遅すぎる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、従来の半導体リレーに比較して、ターンオフ時間が
より速い半導体リレーを提供することである。特に、そ
の回路が複雑とはならずに、さらに、ターンオン時間に
大きな影響を与えること無く、より高速なターンオフ時
間を有する半導体リレーを提供することである。
は、従来の半導体リレーに比較して、ターンオフ時間が
より速い半導体リレーを提供することである。特に、そ
の回路が複雑とはならずに、さらに、ターンオン時間に
大きな影響を与えること無く、より高速なターンオフ時
間を有する半導体リレーを提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の半導体リレーは、特許請求の範囲に記載し
たとおりである。
に、本発明の半導体リレーは、特許請求の範囲に記載し
たとおりである。
【０００５】
【実施例】本発明の一実施例を、図１に基づいて説明す
る。同図において、本発明の半導体リレー２０は、入力
端子８に接続された発光ダイオードのアレイ７からの光
放射をうけるように、フォトダイオードのアレイ６が配
列されている。このフォトダイオードのアレイからなる
制御信号生成器６とこの制御信号生成器６の出力に接続
される回路構成９と、回路構成９の出力に接続される出
力トランジスタ２、３を有する。この出力トランジスタ
２，３は、一つの入力端末と、２個の出力端末とを有
し、この出力端末は、半導体リレー２０の出力４、４´
に接続されている。そして、出力トランジスタの入力端
末は、回路構成９の出力端子２６に接続されている。
る。同図において、本発明の半導体リレー２０は、入力
端子８に接続された発光ダイオードのアレイ７からの光
放射をうけるように、フォトダイオードのアレイ６が配
列されている。このフォトダイオードのアレイからなる
制御信号生成器６とこの制御信号生成器６の出力に接続
される回路構成９と、回路構成９の出力に接続される出
力トランジスタ２、３を有する。この出力トランジスタ
２，３は、一つの入力端末と、２個の出力端末とを有
し、この出力端末は、半導体リレー２０の出力４、４´
に接続されている。そして、出力トランジスタの入力端
末は、回路構成９の出力端子２６に接続されている。
【０００６】次に、回路構成９の構成について述べる。
回路構成９の入力端子２２は、制御信号生成器６の一端
に接続され、同じく回路構成９の一方の出力端子２４
は、制御信号生成器６の一端に接続されている。また、
回路構成９の他方の出力端子２６は、出力トランジスタ
２、３のゲートに入力されている。この出力端子２４
は、さらに、出力トランジスタ２、３の共通端子（ソー
ス、または、ドレイン）の共通ソース端子１１に接続さ
れている。（１）前記入力端子２２と出力端子２６との
間には、抵抗１３とツェナーダイオード１５が並列に接
続されている。（２）入力端子２２と出力端子２４との
間には、トランジスタ１２のコレクタと、エミッタが接
続され、（３）出力端子２６と出力端子２４との間に
は、電界効果型トランジスタ１４のソース、ドレインと
抵抗１０の直列接続が形成されている。電界効果型トラ
ンジスタ１４のゲートは、入力端子２２に接続され、電
界効果型トランジスタ１４と電界効果型トランジスタ１
４のソースと抵抗１０の一端の中点は、トランジスタ１
２のベースに接続されている。
回路構成９の入力端子２２は、制御信号生成器６の一端
に接続され、同じく回路構成９の一方の出力端子２４
は、制御信号生成器６の一端に接続されている。また、
回路構成９の他方の出力端子２６は、出力トランジスタ
２、３のゲートに入力されている。この出力端子２４
は、さらに、出力トランジスタ２、３の共通端子（ソー
ス、または、ドレイン）の共通ソース端子１１に接続さ
れている。（１）前記入力端子２２と出力端子２６との
間には、抵抗１３とツェナーダイオード１５が並列に接
続されている。（２）入力端子２２と出力端子２４との
間には、トランジスタ１２のコレクタと、エミッタが接
続され、（３）出力端子２６と出力端子２４との間に
は、電界効果型トランジスタ１４のソース、ドレインと
抵抗１０の直列接続が形成されている。電界効果型トラ
ンジスタ１４のゲートは、入力端子２２に接続され、電
界効果型トランジスタ１４と電界効果型トランジスタ１
４のソースと抵抗１０の一端の中点は、トランジスタ１
２のベースに接続されている。
【０００７】次に、上記のように構成した半導体リレー
２０の動作について述べる。制御信号生成器６が発光ダ
イオード（ＬＥＤ）アレイ７により照射されると、この
制御信号生成器６は、出力トランジスタ２、３を駆動す
るのに必要な電圧と電流をチャージする。制御信号生成
器６が電流の生成を中断すると、回路構成９は、出力ト
ランジスタ２、３のゲートの放電を速めるよう機能す
る。制御信号生成器６が電流を放電すると、抵抗１３の
両端の電圧ドロップにより、出力トランジスタ２、３の
ゲートが完全に充電されるまで、ディプレーション・モ
ードの電界効果型トランジスタ１４をほぼ被導通状態に
保持する。その後、電界効果型トランジスタ１４がオン
状態になると、この電界効果型トランジスタ１４は、制
御信号生成器６から少量の電流を引き出す。その結果得
られた抵抗１３の電圧ドロップは、電界効果型トランジ
スタ１４のピンチオフ電圧にほぼ等しくなり、それによ
り、出力トランジスタ２、３の何れかがオン状態になる
よう、そのゲートに十分な電圧をかけておく。制御信号
生成器６が電流の供給を中止すると、抵抗１３にかかる
電圧ドロップは減少して、電界効果型トランジスタ１４
がより多くの電流を導通させ、それにより、出力トラン
ジスタ２、３のゲートを放電する。
２０の動作について述べる。制御信号生成器６が発光ダ
イオード（ＬＥＤ）アレイ７により照射されると、この
制御信号生成器６は、出力トランジスタ２、３を駆動す
るのに必要な電圧と電流をチャージする。制御信号生成
器６が電流の生成を中断すると、回路構成９は、出力ト
ランジスタ２、３のゲートの放電を速めるよう機能す
る。制御信号生成器６が電流を放電すると、抵抗１３の
両端の電圧ドロップにより、出力トランジスタ２、３の
ゲートが完全に充電されるまで、ディプレーション・モ
ードの電界効果型トランジスタ１４をほぼ被導通状態に
保持する。その後、電界効果型トランジスタ１４がオン
状態になると、この電界効果型トランジスタ１４は、制
御信号生成器６から少量の電流を引き出す。その結果得
られた抵抗１３の電圧ドロップは、電界効果型トランジ
スタ１４のピンチオフ電圧にほぼ等しくなり、それによ
り、出力トランジスタ２、３の何れかがオン状態になる
よう、そのゲートに十分な電圧をかけておく。制御信号
生成器６が電流の供給を中止すると、抵抗１３にかかる
電圧ドロップは減少して、電界効果型トランジスタ１４
がより多くの電流を導通させ、それにより、出力トラン
ジスタ２、３のゲートを放電する。
【０００８】半導体リレー２０のターンオンを補助する
ために、ツェナーダイオード１５が追加されて、出力ト
ランジスタ２、３のゲートのチャージアップの間、抵抗
１３にかかる電圧を制限する。これは、抵抗１３にかか
る電圧が高すぎる場合に、電界効果型トランジスタ１４
を、ゲート−ソースの間の破壊から保護するためであ
る。
ために、ツェナーダイオード１５が追加されて、出力ト
ランジスタ２、３のゲートのチャージアップの間、抵抗
１３にかかる電圧を制限する。これは、抵抗１３にかか
る電圧が高すぎる場合に、電界効果型トランジスタ１４
を、ゲート−ソースの間の破壊から保護するためであ
る。
【０００９】半導体リレー２０のターンオフの間、制御
信号生成器６は、電流の供給を中止し、電界効果型トラ
ンジスタ１４は、導通を開始して、出力トランジスタ
２、３のゲートを共通ソース端子１１に放電する。電界
効果型トランジスタ１４が導通すると、制御信号生成器
６内の残留チャージにより、抵抗１３が電圧をドロップ
して、電界効果型トランジスタ１４の導通を減少させ、
出力トランジスタ２、３の放電を遅らせる。
信号生成器６は、電流の供給を中止し、電界効果型トラ
ンジスタ１４は、導通を開始して、出力トランジスタ
２、３のゲートを共通ソース端子１１に放電する。電界
効果型トランジスタ１４が導通すると、制御信号生成器
６内の残留チャージにより、抵抗１３が電圧をドロップ
して、電界効果型トランジスタ１４の導通を減少させ、
出力トランジスタ２、３の放電を遅らせる。
【００１０】回路構成９内の抵抗１０とバイポーラ・ト
ランジスタ１２は、電界効果型トランジスタ１４が出力
トランジスタ２、３のゲートを放電していると、制御信
号生成器６を放電する。抵抗１０は、電界効果型トラン
ジスタ１４が、十分な電流（出力トランジスタ２、３が
放電していることを表す）を搬送している時を検知す
る。電界効果型トランジスタ１４に十分な電流が流れて
いると、トランジスタ１２は、ターンオンして、制御信
号生成器６を、抵抗１３と電界効果型トランジスタ１４
の組み合わせとは別のパスにより、制御信号生成器６を
放電する。これにより、抵抗１３にかかる電圧ドロップ
が小さくなり、電界効果型トランジスタ１４による高い
導通が得られる。それにより、出力トランジスタ２、３
と制御信号生成器６の両方の放電が高速化し、半導体リ
レー２０のターンオフが高速化する。
ランジスタ１２は、電界効果型トランジスタ１４が出力
トランジスタ２、３のゲートを放電していると、制御信
号生成器６を放電する。抵抗１０は、電界効果型トラン
ジスタ１４が、十分な電流（出力トランジスタ２、３が
放電していることを表す）を搬送している時を検知す
る。電界効果型トランジスタ１４に十分な電流が流れて
いると、トランジスタ１２は、ターンオンして、制御信
号生成器６を、抵抗１３と電界効果型トランジスタ１４
の組み合わせとは別のパスにより、制御信号生成器６を
放電する。これにより、抵抗１３にかかる電圧ドロップ
が小さくなり、電界効果型トランジスタ１４による高い
導通が得られる。それにより、出力トランジスタ２、３
と制御信号生成器６の両方の放電が高速化し、半導体リ
レー２０のターンオフが高速化する。
【００１１】電界効果型トランジスタ１４は、出力トラ
ンジスタ２、３の入力端子を制御信号の除去により短絡
し、これにより、入力端末を放電する。トランジスタ１
２は、電界効果型トランジスタ１４に応じて、制御信号
生成器６を放電する。一方、電界効果型トランジスタ１
４は、出力トランジスタ２、３の入力端末を放電する。
この制御信号は、半導体リレー２０が導通状態か被導通
状態かを決定する。
ンジスタ２、３の入力端子を制御信号の除去により短絡
し、これにより、入力端末を放電する。トランジスタ１
２は、電界効果型トランジスタ１４に応じて、制御信号
生成器６を放電する。一方、電界効果型トランジスタ１
４は、出力トランジスタ２、３の入力端末を放電する。
この制御信号は、半導体リレー２０が導通状態か被導通
状態かを決定する。
【００１２】半導体リレー２０は、出力４、４´に接続
された出力トランジスタ２、３を有し、入力端子８、８
´に接続される発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ７によ
り制御信号生成器６が駆動される。トランジスタ１２
は、電界効果型トランジスタ１４が出力トランジスタ
２、３のゲートを放電するときに、制御信号生成器６の
放電を補助する。
された出力トランジスタ２、３を有し、入力端子８、８
´に接続される発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ７によ
り制御信号生成器６が駆動される。トランジスタ１２
は、電界効果型トランジスタ１４が出力トランジスタ
２、３のゲートを放電するときに、制御信号生成器６の
放電を補助する。
【００１３】抵抗１０、抵抗１３の抵抗値と、電界効果
型トランジスタ１４のしきい電圧の選択は、半導体リレ
ー２０がターンオンする時のトランジスタ１２のインパ
クトを減少させるのに重要である。トランジスタ１２の
コレクタ電流が、半導体リレー２０のターンオンと定常
のオン状態の間、大きくなると、半導体リレー２０のタ
ーンオン特性が悪くなる。これらの間にコレクタ電流の
主なインパクトは、同一のターンオン時間に対するより
大きな制御信号生成器６の電流が必要で、そのことは、
発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ７の最低の電流を増加
しなければならないことを意味する。このことは、様々
な特性において好ましいことではない。
型トランジスタ１４のしきい電圧の選択は、半導体リレ
ー２０がターンオンする時のトランジスタ１２のインパ
クトを減少させるのに重要である。トランジスタ１２の
コレクタ電流が、半導体リレー２０のターンオンと定常
のオン状態の間、大きくなると、半導体リレー２０のタ
ーンオン特性が悪くなる。これらの間にコレクタ電流の
主なインパクトは、同一のターンオン時間に対するより
大きな制御信号生成器６の電流が必要で、そのことは、
発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ７の最低の電流を増加
しなければならないことを意味する。このことは、様々
な特性において好ましいことではない。
【００１４】抵抗１３の抵抗と電界効果型トランジスタ
１４のピンチオフ電圧は、制御信号生成器６の最低限の
照射のために、抵抗１３に流れる電流は十分に小さく、
制御信号生成器６の出力電圧が、出力トランジスタ２、
３を定常のオン状態の間、完全にオン状態に維持するの
に必要な値以下に落ちるのを阻止する。このような電流
は、Ｖp／Ｒ13に等しく、ここで、Ｖpは、電界効果型ト
ランジスタ１４のピンチオフ電圧で、Ｒ13は、抵抗１３
の抵抗値である。
１４のピンチオフ電圧は、制御信号生成器６の最低限の
照射のために、抵抗１３に流れる電流は十分に小さく、
制御信号生成器６の出力電圧が、出力トランジスタ２、
３を定常のオン状態の間、完全にオン状態に維持するの
に必要な値以下に落ちるのを阻止する。このような電流
は、Ｖp／Ｒ13に等しく、ここで、Ｖpは、電界効果型ト
ランジスタ１４のピンチオフ電圧で、Ｒ13は、抵抗１３
の抵抗値である。
【００１５】トランジスタ１２のコレクタ電流は、制御
信号生成器６の電流が出力トランジスタ２、３のゲート
のチャージからあまり離れないように、および、電界効
果型トランジスタ１４からの電流があまり離れないよう
にするレベルに制限される。コレクタ電流は、リレーの
定常オン状態における電界効果型トランジスタ１４の電
流の約５％が好ましい。トランジスタ１２のコレクタ電
流を適切に設定するために、抵抗１０の抵抗値は （Ｒ13ＶT／ＶP）ｌｎ（ＶP０．０１Ｘ／ＩSＲ13） の値以下が好ましい。ここで、ｌｎは自然体数を表し、
ＶTは熱電圧（ｋＴ）で、ＩＳはトランジスタ１２の飽
和電流（約１０-15Ａ）で、Ｘはトランジスタ１２のコ
レクタの電界効果型トランジスタ１４の電流のパーセン
ト割合である。
信号生成器６の電流が出力トランジスタ２、３のゲート
のチャージからあまり離れないように、および、電界効
果型トランジスタ１４からの電流があまり離れないよう
にするレベルに制限される。コレクタ電流は、リレーの
定常オン状態における電界効果型トランジスタ１４の電
流の約５％が好ましい。トランジスタ１２のコレクタ電
流を適切に設定するために、抵抗１０の抵抗値は （Ｒ13ＶT／ＶP）ｌｎ（ＶP０．０１Ｘ／ＩSＲ13） の値以下が好ましい。ここで、ｌｎは自然体数を表し、
ＶTは熱電圧（ｋＴ）で、ＩＳはトランジスタ１２の飽
和電流（約１０-15Ａ）で、Ｘはトランジスタ１２のコ
レクタの電界効果型トランジスタ１４の電流のパーセン
ト割合である。
【００１６】しかし、抵抗１３の抵抗値の、抵抗１０の
抵抗値に対する比率が高くなると、上記の条件により制
限されるが、半導体リレー２０のターンオフ時間はより
速くなる。
抵抗値に対する比率が高くなると、上記の条件により制
限されるが、半導体リレー２０のターンオフ時間はより
速くなる。
【００１７】具体的実施例 半導体リレー２０は、共通の集積回路上に形成され、１
２０μｓのターンオン時間と、２０μｓのターンオフ時
間を達成するために、抵抗等の値を次のように設定し
た。 抵抗１０ ３．２ＭΩ 抵抗１３ １４．５ＭΩ ＶP ２ボルト 制御信号生成器６ 最小１μｍで最大１５ボルト
２０μｓのターンオン時間と、２０μｓのターンオフ時
間を達成するために、抵抗等の値を次のように設定し
た。 抵抗１０ ３．２ＭΩ 抵抗１３ １４．５ＭΩ ＶP ２ボルト 制御信号生成器６ 最小１μｍで最大１５ボルト
【００１８】上記の実施例の変形例としては、トランジ
スタダイオード、および、制御信号生成器６の極性を反
転させることもできる。さらにまた、トランジスタ１２
は、エンハンス型ＦＥＴで置換でき、さらにまた、電界
効果型トランジスタ１４は、バイポーラトランジスタで
も置換できる。
スタダイオード、および、制御信号生成器６の極性を反
転させることもできる。さらにまた、トランジスタ１２
は、エンハンス型ＦＥＴで置換でき、さらにまた、電界
効果型トランジスタ１４は、バイポーラトランジスタで
も置換できる。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたような本発明の構成によれ
ば、ターンオン時間に大きな影響をおよぼすことなく、
ターンオフ時間を従来のものに比較して、大幅に減少さ
せることができる。
ば、ターンオン時間に大きな影響をおよぼすことなく、
ターンオフ時間を従来のものに比較して、大幅に減少さ
せることができる。
【図１】本発明の一実施例によるブロック図。
２・３ 出力トランジスタ ４・４´ 出力 ６ 制御信号生成器 ７ 発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ ８・８´ 入力端子 ９ 回路構成 １０・１３ 抵抗 １１ 共通ソース端子 １２ トランジスタ １４ 電界効果型トランジスタ １５ ツェナーダイオード ２０ 半導体リレー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル フランシス ペトラス アメリカ合衆国、19522 ペンシルベニア、 フリートウッド、プリンスタウン ロード 4042 (72)発明者 スティーブン ブルック ウィトマー アメリカ合衆国、19608 ペンシルベニア、 シンキング スプリング、ウイルシアー ブルバード 601
Claims (4)
- 【請求項１】 制御信号生成器（６）と、 一つの入力端末（２６）と、共通ソース端子（１１）
と、２個の出力端末（４、４’）とを有し、この出力端
末が、リレーの出力端末と結合され、入力端末（２６）
と共通ソース端子（１１）とは、前記制御信号生成器
（６）に結合される、直列接続された一対の出力トラン
ジスタ（２、３）と、 前記出力トランジスタの入力端末（２６）と前記制御信
号生成器（６）の一端との間に配置され、前記制御信号
生成器（６）からのの制御信号が除去されると、入力端
末（２６）を放電して、出力トランジスタ（２，３）の
共通ソース端子（１１）に短絡する第１スイッチ（１
３、１４）と、 前記第１スイッチ（１３、１４）に応答して、前記第１
スイッチが出力トランジスタの入力端末（２６）を放電
している間、制御信号生成器（６）を放電する第２スイ
ッチ（１０、１２）とからなり、前記制御信号は、リレ
ーが、導通状態か、非導通状態かを決定することを特徴
とする半導体リレー装置。 - 【請求項２】 前記第２スイッチ（１０、１２）は、 前記第１スイッチ（１３、１４）に直列に接続された抵
抗（１０）と第１トランジスタ（１２）とからなり、 前記第１トランジスタ（１２）が、前記第１電流検知装
置に応答し、電流が所定値を超えたときに、制御信号生
成器（６）を短絡するを有することを特徴とする請求項
１の装置。 - 【請求項３】 前記第１スイッチ（１３、１４）は、 制御信号生成器（６）から、前記出力トランジスタの入
力端末への制御信号電流を検知する抵抗（１３）と前記
抵抗が、制御信号電流が、所定値以下であると検知した
ときに、出力トランジスタの共通ソース端子（１１）
に、入力端末（２６）を短絡する第２トランジスタ（１
４）とを有することを特徴とする請求項２の装置。 - 【請求項４】 前記電流検知装置は、抵抗で、 前記第１トランジスタは、バイポーラトランジスタで、 第２トランジスタは、ＪＦＥＴで、 前記制御信号生成器は、光ダイオードアレイであること
を特徴とする請求項３の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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