JP4528321B2 - スイッチング回路、回路、並びにスイッチング回路及び駆動パルス生成回路を含む回路 - Google Patents
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Description
−構成−
図4に、本発明の第1の実施の形態に係るスイッチング回路100の基本的構成を示す。図4を参照して、スイッチング回路100は、ドレイン電極142及びソース電極144を有する、GaN/AlGaNの積層構造により形成されたAlGaN/GaN HEMTによるノーマリーオフ型スイッチング素子130と、スイッチング素子130のゲート電極に接続され、スイッチング素子130の駆動用パルスを外部から受ける端子146とを含む。この実施の形態では、スイッチング素子130のスレッシュホールド電圧は0.3Vである。
図5に示すスイッチング回路100は以下のように動作する。
−構成−
図6に、本発明の第2の実施の形態に係るスイッチング回路190の回路図を示す。
図6に示すスイッチング回路190は以下のように動作する。
図7に、本発明の第3の実施の形態に係るスイッチング回路230の回路図を示す。
−構成−
図8に、本発明の第4の実施の形態に係るスイッチング回路260を含む基本回路の回路図を示す。
この第4の実施の形態に係るスイッチング回路260及び駆動パルス生成回路270は以下のように動作する。
−構成−
図10に、本発明の第5の実施の形態に係るスイッチング回路の駆動パルス生成回路で使用される出力回路320の構成を示す。この出力回路320は、第4の実施の形態に係る駆動パルス生成回路270の出力回路290に代えて使用することができる。
図10に示す出力回路320の動作は、図9に示す出力回路290の動作と同様である。ただし、Vdd2による電源供給が無い状態において、抵抗334によりノーマリーオン型N型MOSFET302のオン状態をより確実にする点が異なる。このときの抵抗334の機能は第1の実施の形態における抵抗120の機能と同じである。
上記した実施の形態において、スイッチング素子130のソース電極は接地されている。しかし、スイッチング素子130によるスイッチングが可能であれば、ソース電位はこれに限定しない。
−構成−
図11に、本発明の第1の実施の形態に係るスイッチング回路100を含む、高調波抑圧回路(PFC)によく用いられる昇圧型のチョッパー回路340の回路構成を示す。
図10を参照して、通常動作では、駆動パルス生成回路118よりノーマリーオン型FET132のゲート電極には、ノーマリーオン型FET132をオフするために十分な負の電圧が与えられている。このため、ノーマリーオン型FET132はオフ状態となっている。この状態において、ノーマリーオフ型FET130のゲート電極には駆動電圧が印加され、ノーマリーオフ型FET130による電源350からの電力のスイッチング動作が行われる。このとき、電源350より入力された電圧は、その電圧より高い電圧に昇圧されている。
−構成−
図12に、本発明の第2の応用例であるチョッパー回路390の回路構成を示す。図12を参照して、チョッパー回路390は、図11に示すチョッパー回路340と同様の構成を持つが、図11に示すスイッチング回路100及び駆動パルス生成回路118に代えて、図8に示すスイッチング回路260及び駆動パルス生成回路270を含む点で、図11に示すチョッパー回路340と異なる。駆動パルス生成回路270は図9に示す出力回路290を含む。
第2の応用例に係る出力回路290及びチョッパー回路390の動作及び効果は、第4の実施の形態及び第1の応用例の動作及び効果と同様である。
上記した実施の形態において、スイッチング素子130とノーマリーオン型FET132とを別素子として作製してもよいし、同一基板に作製して一つの素子としても良い。
20、56、80、82、84、86、130、240 ノーマリーオフ型FET
22、88、118、270 駆動パルス生成回路
24、120、334 抵抗
26、356 インダクタ
28、358 ダイオード
30、42、44、354 容量
32、90 負荷
50、290、320 出力回路
52、54、112、114、116、142、144、146、148、360、362 端子
70 フルブリッジインバータ回路
100、190、230、260 スイッチング回路
58、132、302、 ノーマリーオン型FET
340、390 チョッパー回路
350 負荷電源
352 ダイオードブリッジ
Claims (2)
- 電源オフ時にはハイインピーダンスとなる、第1及び第2の駆動出力を有する駆動回路に接続されるスイッチング回路であって、
第1及び第2の電極と、前記第1の駆動出力に接続される制御電極とを有する、ノーマリーオフ型の第1の電界効果トランジスタと、
前記第1の電界効果トランジスタの前記制御電極及び前記第1の電極にそれぞれ接続される第1及び第2の電極と、前記第2の駆動出力に接続される制御電極とを有する、ノーマリーオン型の第2の電界効果トランジスタと、
前記第2の電界効果トランジスタの、前記制御電極及び前記第2の電極の間に接続される抵抗とを含む、スイッチング回路。 - 前記第2の電界効果トランジスタは、前記第1の電界効果トランジスタの前記制御電極及び前記第1の電極にそれぞれ接続される第1及び第2の電極と、前記第2の駆動出力に接続される制御電極とを有する、ノーマリーオン型のN型の電界効果トランジスタを含む、請求項1に記載のスイッチング回路。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10038438B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-07-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor element driving circuit |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8017978B2 (en) * | 2006-03-10 | 2011-09-13 | International Rectifier Corporation | Hybrid semiconductor device |
CN102187557B (zh) * | 2008-08-21 | 2014-12-24 | 三菱电机株式会社 | 功率用半导体元件的驱动电路 |
JP5461899B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2014-04-02 | 株式会社東芝 | 電力変換装置 |
JP2011067051A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Sharp Corp | インバータと、それを用いた電気機器および太陽光発電装置 |
JP2013042193A (ja) * | 2009-12-03 | 2013-02-28 | Panasonic Corp | スイッチ装置 |
US8624662B2 (en) * | 2010-02-05 | 2014-01-07 | Transphorm Inc. | Semiconductor electronic components and circuits |
JP5494095B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-05-14 | パナソニック株式会社 | インバータ装置およびそれをファンモータの駆動装置に用いた電気掃除機 |
WO2012018073A1 (ja) | 2010-08-04 | 2012-02-09 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよび出力回路 |
WO2012051739A1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | Integrated Device Technology, Inc. | Switch used in programmable gain amplifilier and programmable gain amplifilier |
WO2012137651A1 (ja) * | 2011-04-04 | 2012-10-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電力用半導体装置 |
US8648643B2 (en) | 2012-02-24 | 2014-02-11 | Transphorm Inc. | Semiconductor power modules and devices |
US9213353B2 (en) * | 2013-03-13 | 2015-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Band gap reference circuit |
WO2015006111A1 (en) | 2013-07-09 | 2015-01-15 | Transphorm Inc. | Multilevel inverters and their components |
KR20150029866A (ko) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | 현대자동차주식회사 | 소프트 턴-오프 회로 및 방법 |
US9048838B2 (en) | 2013-10-30 | 2015-06-02 | Infineon Technologies Austria Ag | Switching circuit |
US9525063B2 (en) | 2013-10-30 | 2016-12-20 | Infineon Technologies Austria Ag | Switching circuit |
US9787216B2 (en) * | 2013-12-23 | 2017-10-10 | Infineon Technologies Austria Ag | Full-wave rectifier |
FR3020222A1 (fr) * | 2014-04-22 | 2015-10-23 | Thales Sa | Cellule de communication de puissance a transistors a effet de champ de type normalement conducteur |
US9543940B2 (en) | 2014-07-03 | 2017-01-10 | Transphorm Inc. | Switching circuits having ferrite beads |
US9590494B1 (en) | 2014-07-17 | 2017-03-07 | Transphorm Inc. | Bridgeless power factor correction circuits |
US10200030B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-02-05 | Transphorm Inc. | Paralleling of switching devices for high power circuits |
US9305917B1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-04-05 | Infineon Technologies Austria Ag | High electron mobility transistor with RC network integrated into gate structure |
US9917578B2 (en) * | 2016-02-19 | 2018-03-13 | Infineon Technologies Austria Ag | Active gate-source capacitance clamp for normally-off HEMT |
JP7157046B2 (ja) * | 2017-04-05 | 2022-10-19 | ローム株式会社 | パワーモジュール |
US10319648B2 (en) | 2017-04-17 | 2019-06-11 | Transphorm Inc. | Conditions for burn-in of high power semiconductors |
CN110741546B (zh) * | 2017-06-20 | 2021-04-13 | 夏普株式会社 | 整流电路以及电源装置 |
CN109327211B (zh) * | 2017-07-31 | 2023-12-12 | 恩智浦有限公司 | 负载开关及其开关方法 |
US10972093B2 (en) * | 2018-01-30 | 2021-04-06 | Delta Electronics, Inc. | Auxiliary circuit and power converter |
CN108599747B (zh) * | 2018-04-09 | 2022-06-28 | 北京市科通电子继电器总厂有限公司 | 双信号通断控制电路及系统 |
GB201814202D0 (en) * | 2018-08-31 | 2018-10-17 | Nicoventures Trading Ltd | A resonant circuit for an aerosol generating system |
EP3855624A1 (en) * | 2020-01-22 | 2021-07-28 | Infineon Technologies AG | Overvoltage protection circuit and device |
CN116455006B (zh) * | 2022-01-07 | 2024-04-05 | 荣耀终端有限公司 | 充电电路、电子设备以及充电系统 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004242475A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Kri Inc | スイッチング素子の駆動方式 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4390790A (en) * | 1979-08-09 | 1983-06-28 | Theta-J Corporation | Solid state optically coupled electrical power switch |
US4492883A (en) * | 1982-06-21 | 1985-01-08 | Eaton Corporation | Unpowered fast gate turn-off FET |
US4691129A (en) * | 1986-03-19 | 1987-09-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Drive circuit for a power MOSFET with source-side load |
JPS6399616A (ja) * | 1986-03-24 | 1988-04-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 固体リレ−及びその製造方法 |
US4804866A (en) * | 1986-03-24 | 1989-02-14 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Solid state relay |
US4801822A (en) * | 1986-08-11 | 1989-01-31 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Semiconductor switching circuit |
US4853563A (en) * | 1987-04-10 | 1989-08-01 | Siliconix Incorporated | Switch interface circuit for power mosfet gate drive control |
JPH01300617A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Fuji Electric Co Ltd | ゲート駆動回路 |
JPH0758804B2 (ja) * | 1989-05-17 | 1995-06-21 | 株式会社東芝 | ホトカプラ装置 |
JP2555887B2 (ja) * | 1989-06-19 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | トランスファー型ソリッドステートリレー |
JPH04254995A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-10 | Fujitsu Ltd | センスアンプ回路 |
DE59207678D1 (de) | 1992-06-05 | 1997-01-23 | Siemens Ag | Ansteuerschaltung für einen Leistungs-FET mit sourceseitiger Last |
JPH06177418A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Toshiba Corp | ホトカプラ装置 |
US5360979A (en) * | 1993-08-05 | 1994-11-01 | At&T Bell Laboratories | Fast turn-off circuit for solid-state relays or the like |
US5510747A (en) * | 1993-11-30 | 1996-04-23 | Siliconix Incorporated | Gate drive technique for a bidirectional blocking lateral MOSFET |
DE4429285C1 (de) | 1994-08-18 | 1995-10-12 | Siemens Ag | Ansteuerschaltung für ein feldeffektgesteuertes Leistungs-Halbleiterbauelement |
JPH10285909A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Toshiba Fa Syst Eng Kk | 電源自給式のゲート回路 |
US7230354B2 (en) | 2001-12-31 | 2007-06-12 | Lewis James M | Driver system for MOSFET based, high voltage, electronic relays for AC power switching and inductive loads |
-
2007
- 2007-09-26 JP JP2007250170A patent/JP4528321B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-23 EP EP08016713A patent/EP2045920A1/en not_active Withdrawn
- 2008-09-24 CN CN200810165688.3A patent/CN101399503B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-25 US US12/238,242 patent/US7782099B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004242475A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Kri Inc | スイッチング素子の駆動方式 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10038438B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-07-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor element driving circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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