JPH10285909A - 電源自給式のゲート回路 - Google Patents
電源自給式のゲート回路Info
- Publication number
- JPH10285909A JPH10285909A JP9329097A JP9329097A JPH10285909A JP H10285909 A JPH10285909 A JP H10285909A JP 9329097 A JP9329097 A JP 9329097A JP 9329097 A JP9329097 A JP 9329097A JP H10285909 A JPH10285909 A JP H10285909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- voltage
- circuit
- short
- self
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 主電源投入後ゲート駆動電源が確立されるま
でに、寄生コンデンサの充電電流で電圧駆動形素子のゲ
ートが正となり、誤オンして素子が劣化する。 【解決手段】 ゲート駆動電圧が確立されるまでは電圧
駆動形素子のゲート部を短絡手段で短絡して、ゲート駆
動電圧が所定レベル以上に達すると短絡手段を開とし
て、ゲート駆動信号が電圧駆動形素子のゲートに印加さ
れるようにする。
でに、寄生コンデンサの充電電流で電圧駆動形素子のゲ
ートが正となり、誤オンして素子が劣化する。 【解決手段】 ゲート駆動電圧が確立されるまでは電圧
駆動形素子のゲート部を短絡手段で短絡して、ゲート駆
動電圧が所定レベル以上に達すると短絡手段を開とし
て、ゲート駆動信号が電圧駆動形素子のゲートに印加さ
れるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源自給式のゲー
ト回路に係り、特に電圧駆動形の半導体素子の駆動電力
を主回路から供給する電源自給式のゲート回路に関す
る。
ト回路に係り、特に電圧駆動形の半導体素子の駆動電力
を主回路から供給する電源自給式のゲート回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＧＴＯサイリスタを直列接続する高圧変
換回路では、ゲート駆動用の直流電源を変圧器で絶縁し
て作る方法では絶縁費用が高額でなるので、ゲート回路
の電力を主回路から供給する電源自給式の駆動回路が研
究され、一部実用化される段階になっており、例えばそ
の回路として、特開平８−５１７７０号公報に記載され
ている回路が挙げられる。
換回路では、ゲート駆動用の直流電源を変圧器で絶縁し
て作る方法では絶縁費用が高額でなるので、ゲート回路
の電力を主回路から供給する電源自給式の駆動回路が研
究され、一部実用化される段階になっており、例えばそ
の回路として、特開平８−５１７７０号公報に記載され
ている回路が挙げられる。
【０００３】従来の電源自給式のゲート回路について、
図１０を参照して説明する。ＧＴＯサイリスタ１には、
逆並列にダイオード２がフリーホイ−ルダイオードとし
て接続され、また、ＧＴＯサイリスタ１のアノード−カ
ソード間にダイオード３とコンデンサ４とを直列に接続
しダイオード３に抵抗５を並列に接続したスナバ回路が
構成される。
図１０を参照して説明する。ＧＴＯサイリスタ１には、
逆並列にダイオード２がフリーホイ−ルダイオードとし
て接続され、また、ＧＴＯサイリスタ１のアノード−カ
ソード間にダイオード３とコンデンサ４とを直列に接続
しダイオード３に抵抗５を並列に接続したスナバ回路が
構成される。
【０００４】コンデンサ４には、コンデンサ６とコンデ
ンサ７とが並列に接続され、コンデンサ７には、コンデ
ンサ７の電圧を昇降圧させるスイッチング素子８とリア
クトル９とダイオード１０とコンデンサ１１とからなる
昇降圧チョッパ２０が接続されている。
ンサ７とが並列に接続され、コンデンサ７には、コンデ
ンサ７の電圧を昇降圧させるスイッチング素子８とリア
クトル９とダイオード１０とコンデンサ１１とからなる
昇降圧チョッパ２０が接続されている。
【０００５】ゲート駆動回路１２は、コンデンサ１１か
ら直流電力を得てＧＴＯサイリスタ１をオン・オフさせ
る。また、ゲート駆動回路１２には、駆動信号回路１３
が接続され、電気信号や光信号を絶縁してゲート信号が
与えられる。
ら直流電力を得てＧＴＯサイリスタ１をオン・オフさせ
る。また、ゲート駆動回路１２には、駆動信号回路１３
が接続され、電気信号や光信号を絶縁してゲート信号が
与えられる。
【０００６】次に動作について説明する。ＧＴＯサイリ
スタ１がオフ状態であり、アノード−カソード間に電圧
が印加されている場合、コンデンサ４には電圧が充電さ
れ、コンデンサ４の両端電圧をコンデンサ６とコンデン
サ７で分圧している。
スタ１がオフ状態であり、アノード−カソード間に電圧
が印加されている場合、コンデンサ４には電圧が充電さ
れ、コンデンサ４の両端電圧をコンデンサ６とコンデン
サ７で分圧している。
【０００７】分圧したコンデンサ７の電圧は、昇降圧チ
ョッパ２０により昇降圧されコンデンサ１１を充電す
る。ゲート駆動回路１２は、このコンデンサ１１を電源
として、ＧＴＯサイリスタ１を駆動する。
ョッパ２０により昇降圧されコンデンサ１１を充電す
る。ゲート駆動回路１２は、このコンデンサ１１を電源
として、ＧＴＯサイリスタ１を駆動する。
【０００８】以上は、ＧＴＯサイリスタの電源自給式の
ゲート回路の一例である。ＧＴＯサイリスタはゲート駆
動が電流形であるので、ゲート駆動電力が大きいという
欠点があり、最近では、高圧大電流のスイッチング素子
もゲート駆動が電圧形の素子が開発されており、例え
ば、ＩＧＢＴで３．３ｋＶが発表され、ＩＧＢＴのオン
電圧を更に下げる工夫をしたＩＥＧＴが開発されＧＴＯ
並の高圧で同等なオン電圧を持つ素子が発表されてい
る。
ゲート回路の一例である。ＧＴＯサイリスタはゲート駆
動が電流形であるので、ゲート駆動電力が大きいという
欠点があり、最近では、高圧大電流のスイッチング素子
もゲート駆動が電圧形の素子が開発されており、例え
ば、ＩＧＢＴで３．３ｋＶが発表され、ＩＧＢＴのオン
電圧を更に下げる工夫をしたＩＥＧＴが開発されＧＴＯ
並の高圧で同等なオン電圧を持つ素子が発表されてい
る。
【０００９】図１１にＩＧＢＴのゲート回路を示す。
尚、図１１はＩＧＢＴ２１と逆並列にダイオード２を接
続した図１０と同じ電圧形インバータの１アームのゲー
ト回路として考える。
尚、図１１はＩＧＢＴ２１と逆並列にダイオード２を接
続した図１０と同じ電圧形インバータの１アームのゲー
ト回路として考える。
【００１０】ＩＧＢＴ２１には、逆並列にダイオード２
が接続され、ＩＧＢＴ２１のコレクタ−エミッタ間に
は、ダイオード３とコンデンサ４とを直列に接続しダイ
オード３に抵抗５を並列に接続したスナバ回路が構成さ
れる。
が接続され、ＩＧＢＴ２１のコレクタ−エミッタ間に
は、ダイオード３とコンデンサ４とを直列に接続しダイ
オード３に抵抗５を並列に接続したスナバ回路が構成さ
れる。
【００１１】ゲート回路は、直流電源２２と、直流電源
２３と、フォトカプラ２４と、トランジスタ２５と、ト
ランジスタ２６と、抵抗２７とからなる。そして、一般
的に高圧の電圧駆動形素子では、ゲート駆動の安定化の
ため直流電源２２と直流電源２３との中点をＩＧＢＴ２
１のエミッタに接続し、ＩＧＢＴのオン信号として正電
圧を、オフ信号として負電圧をゲートに印加するように
なっている。
２３と、フォトカプラ２４と、トランジスタ２５と、ト
ランジスタ２６と、抵抗２７とからなる。そして、一般
的に高圧の電圧駆動形素子では、ゲート駆動の安定化の
ため直流電源２２と直流電源２３との中点をＩＧＢＴ２
１のエミッタに接続し、ＩＧＢＴのオン信号として正電
圧を、オフ信号として負電圧をゲートに印加するように
なっている。
【００１２】例えば、オン信号はフォトカプラ２４を介
して入力され、出力信号をトランジスタ２５とトランジ
スタ２６とからなる増幅器で増幅し、抵抗２７を介して
ＩＧＢＴ２１のゲートに駆動電圧を加える。
して入力され、出力信号をトランジスタ２５とトランジ
スタ２６とからなる増幅器で増幅し、抵抗２７を介して
ＩＧＢＴ２１のゲートに駆動電圧を加える。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＧＢ
ＴやＩＥＧＴなどは、ゲート駆動が電圧形のため駆動電
力がわずかであり、主回路電源投入時に誤動作が発生す
る危険性がある。つまり、電源自給式の場合、ＩＧＢＴ
の主電源が投入された後に駆動用の直流電源が確立す
る。
ＴやＩＥＧＴなどは、ゲート駆動が電圧形のため駆動電
力がわずかであり、主回路電源投入時に誤動作が発生す
る危険性がある。つまり、電源自給式の場合、ＩＧＢＴ
の主電源が投入された後に駆動用の直流電源が確立す
る。
【００１４】ＩＧＢＴの主電源が投入されるとＩＧＢＴ
のゲートとコレクタ間の寄生コンデンサＣGCを介して、
ＩＧＢＴのゲートとエミッタ間の寄生コンデンサＣGEが
充電される。
のゲートとコレクタ間の寄生コンデンサＣGCを介して、
ＩＧＢＴのゲートとエミッタ間の寄生コンデンサＣGEが
充電される。
【００１５】ＩＧＢＴが高圧になるとコレクタ−エミッ
タ間は数ｋＶになり、ＩＧＢＴのゲートがオンする電圧
は３〜７Ｖであるので、ＩＧＢＴの主電源投入時の寄生
コンデンサＣGEの充電電流でゲートが正となり、誤オン
して素子劣化を発生する危険性が極めて高くなる。
タ間は数ｋＶになり、ＩＧＢＴのゲートがオンする電圧
は３〜７Ｖであるので、ＩＧＢＴの主電源投入時の寄生
コンデンサＣGEの充電電流でゲートが正となり、誤オン
して素子劣化を発生する危険性が極めて高くなる。
【００１６】以上説明したように、高圧の電圧駆動形素
子を電源自給式のゲート回路で駆動する場合、ゲート駆
動用の電源が確立するまで、ゲート電圧を確実に安全な
レベル以下に抑制する必要があり、本発明は、これを達
成することのできる電源自給式のゲート回路を提供する
ことを目的とする。
子を電源自給式のゲート回路で駆動する場合、ゲート駆
動用の電源が確立するまで、ゲート電圧を確実に安全な
レベル以下に抑制する必要があり、本発明は、これを達
成することのできる電源自給式のゲート回路を提供する
ことを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に係る電源自給式のゲート回路で
は、ゲート駆動電圧が確立されるまでは電圧駆動形素子
のゲート部を短絡手段で短絡して、ゲート駆動電圧が所
定レベル以上に達すると短絡手段を開として、ゲート駆
動信号が電圧駆動形素子のゲートに印加されるようにす
る。
に、本発明の請求項１に係る電源自給式のゲート回路で
は、ゲート駆動電圧が確立されるまでは電圧駆動形素子
のゲート部を短絡手段で短絡して、ゲート駆動電圧が所
定レベル以上に達すると短絡手段を開として、ゲート駆
動信号が電圧駆動形素子のゲートに印加されるようにす
る。
【００１８】本発明の請求項２に係る電源自給式のゲー
ト回路では、短絡手段としてノーマリーオフのスイッチ
ング素子を使用することで、ゲート駆動電圧が確立され
るまでは電圧駆動形素子のゲート−エミッタ間電圧をオ
ン電圧以下に制限し、ゲート駆動電圧が所定レベル以上
に達するとスイッチング素子をオフとして、ゲート駆動
信号が電圧駆動形素子のゲートに印加されるようにす
る。
ト回路では、短絡手段としてノーマリーオフのスイッチ
ング素子を使用することで、ゲート駆動電圧が確立され
るまでは電圧駆動形素子のゲート−エミッタ間電圧をオ
ン電圧以下に制限し、ゲート駆動電圧が所定レベル以上
に達するとスイッチング素子をオフとして、ゲート駆動
信号が電圧駆動形素子のゲートに印加されるようにす
る。
【００１９】本発明の請求項３に係る電源自給式のゲー
ト回路では、短絡手段としてノーマリーオンのスイッチ
ング素子を使用することで、ゲート駆動電圧が確立され
るまでは電圧駆動形素子のゲート部を短絡して、ゲート
駆動電圧が所定レベル以上に達するとスイッチング素子
をオフとして、ゲート駆動信号が電圧駆動形素子のゲー
トに印加されるようにする。
ト回路では、短絡手段としてノーマリーオンのスイッチ
ング素子を使用することで、ゲート駆動電圧が確立され
るまでは電圧駆動形素子のゲート部を短絡して、ゲート
駆動電圧が所定レベル以上に達するとスイッチング素子
をオフとして、ゲート駆動信号が電圧駆動形素子のゲー
トに印加されるようにする。
【００２０】本発明の請求項４に係る電源自給式のゲー
ト回路では、ゲート駆動電圧が確立されるまではゲート
電圧が上昇すると第１のスイッチング素子がオンして電
圧駆動形素子のゲート部を短絡して、ゲート駆動電圧が
所定レベル以上に達すると第２のスイッチング素子をオ
ンさせ第１のスイッチング素子のゲート−ソース間を短
絡して第１のスイッチング素子をオフとして、ゲート駆
動信号が電圧駆動形素子のゲートに印加されるようにす
る。
ト回路では、ゲート駆動電圧が確立されるまではゲート
電圧が上昇すると第１のスイッチング素子がオンして電
圧駆動形素子のゲート部を短絡して、ゲート駆動電圧が
所定レベル以上に達すると第２のスイッチング素子をオ
ンさせ第１のスイッチング素子のゲート−ソース間を短
絡して第１のスイッチング素子をオフとして、ゲート駆
動信号が電圧駆動形素子のゲートに印加されるようにす
る。
【００２１】本発明の請求項５に係る電源自給式のゲー
ト回路では、ゲート駆動電圧を電圧駆動形素子に接続さ
れたスナバコンデンサの電流を変流器を介して得る。本
発明の請求項６に係る電源自給式のゲート回路では、ゲ
ート駆動電圧を電圧駆動形素子に接続されたスナバコン
デンサと並列に接続した分圧手段より得る。
ト回路では、ゲート駆動電圧を電圧駆動形素子に接続さ
れたスナバコンデンサの電流を変流器を介して得る。本
発明の請求項６に係る電源自給式のゲート回路では、ゲ
ート駆動電圧を電圧駆動形素子に接続されたスナバコン
デンサと並列に接続した分圧手段より得る。
【００２２】本発明の請求項７に係る電源自給式のゲー
ト回路では、ゲート駆動電圧を電圧駆動形素子に接続さ
れたスナバコンデンサの電流を変流器を介して得て、ゲ
ート駆動電圧が所定レベル以上になると変流器の二次側
を等価的に短絡してゲート駆動電圧の電圧制御を行う。
ト回路では、ゲート駆動電圧を電圧駆動形素子に接続さ
れたスナバコンデンサの電流を変流器を介して得て、ゲ
ート駆動電圧が所定レベル以上になると変流器の二次側
を等価的に短絡してゲート駆動電圧の電圧制御を行う。
【００２３】本発明の請求項８に係る電源自給式のゲー
ト回路では、直列接続された複数の電圧駆動形素子の全
てのゲート駆動電圧が所定レベル以上になることを条件
にゲート駆動をインターロックする。
ト回路では、直列接続された複数の電圧駆動形素子の全
てのゲート駆動電圧が所定レベル以上になることを条件
にゲート駆動をインターロックする。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態の構成図である。ＩＧＢＴ２１には、逆並列に
ダイオード２が接続され、ＩＧＢＴ２１のコレクタ−エ
ミッタ間には、ダイオード３とコンデンサ４とを直列に
接続しダイオード３に抵抗５を並列に接続したスナバ回
路が構成される。
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態の構成図である。ＩＧＢＴ２１には、逆並列に
ダイオード２が接続され、ＩＧＢＴ２１のコレクタ−エ
ミッタ間には、ダイオード３とコンデンサ４とを直列に
接続しダイオード３に抵抗５を並列に接続したスナバ回
路が構成される。
【００２５】コンデンサ４には、自給電源回路２０が接
続されゲート電源２２、２３が作られる。このゲート電
源２２、２３を基にフォトカプラ２４を介して送られる
ゲート信号を増幅回路３１で増幅して抵抗２７を介して
ＩＧＢＴ２１のゲートに駆動電圧を与える。
続されゲート電源２２、２３が作られる。このゲート電
源２２、２３を基にフォトカプラ２４を介して送られる
ゲート信号を増幅回路３１で増幅して抵抗２７を介して
ＩＧＢＴ２１のゲートに駆動電圧を与える。
【００２６】また、ゲート電源２３の電圧レベルを検出
しゲート電源２３の電圧レベルが設定値に達すると信号
“１“を出力するレベル検出回路３２と、レベル検出回
路３２の出力で動作するリレー３３と、ＩＧＢＴ２１の
ゲートとエミッタとの間に設けられリレー３３の出力で
動作するノーマリーオフの接点３４とが設けられてい
る。
しゲート電源２３の電圧レベルが設定値に達すると信号
“１“を出力するレベル検出回路３２と、レベル検出回
路３２の出力で動作するリレー３３と、ＩＧＢＴ２１の
ゲートとエミッタとの間に設けられリレー３３の出力で
動作するノーマリーオフの接点３４とが設けられてい
る。
【００２７】第１の実施の形態の作用を図２を用いて説
明する。時刻ｔ0 で変換器の主回路が投入されて、ＩＧ
ＢＴ２１のコレクタ−エミッタ間にＶCEなる電圧が印加
される。時刻ｔ0 付近ではゲート電源２３の電圧Ｖ23は
極めて低いので、ゲート回路の増幅回路３１は正常には
動作しない。
明する。時刻ｔ0 で変換器の主回路が投入されて、ＩＧ
ＢＴ２１のコレクタ−エミッタ間にＶCEなる電圧が印加
される。時刻ｔ0 付近ではゲート電源２３の電圧Ｖ23は
極めて低いので、ゲート回路の増幅回路３１は正常には
動作しない。
【００２８】しかしこの区間はリレー３３がオフ状態の
ため、接点３４が閉でＩＧＢＴ２１のゲートとエミッタ
との間は短絡されているので、時刻ｔ0 付近でＶECの立
上がりによるコレクタからゲートへのコンデンサ充電電
流はエミッタにバイパスされＩＧＢＴ２１は安全にオフ
状態を保つことができる。
ため、接点３４が閉でＩＧＢＴ２１のゲートとエミッタ
との間は短絡されているので、時刻ｔ0 付近でＶECの立
上がりによるコレクタからゲートへのコンデンサ充電電
流はエミッタにバイパスされＩＧＢＴ２１は安全にオフ
状態を保つことができる。
【００２９】時刻ｔ1 に至って、ゲート電源２３の電圧
Ｖ23がレベル検出器３２の設定値Ｖ1 に達すると、レベ
ル検出器３２の出力は”０”から”１”に変化し、リレ
ー３３を駆動し接点３４は時刻ｔ2 で閉から開となるの
で、ゲート駆動信号は抵抗２７を介してＩＧＢＴ２１の
ゲートに正規に加えられる状態となる。
Ｖ23がレベル検出器３２の設定値Ｖ1 に達すると、レベ
ル検出器３２の出力は”０”から”１”に変化し、リレ
ー３３を駆動し接点３４は時刻ｔ2 で閉から開となるの
で、ゲート駆動信号は抵抗２７を介してＩＧＢＴ２１の
ゲートに正規に加えられる状態となる。
【００３０】以上説明したように、第１の実施の形態に
よればゲート電源を自給する方式では主回路電源投入初
期はゲート電源が確立していないので、この期間電圧駆
動形素子のゲートを低インピーダンスで短絡してゲート
電源が過渡的に上昇するのを防ぐことで、素子の誤動作
による素子劣化を防ぎ信頼性の高い電源自給式のゲート
回路を供給することができる。
よればゲート電源を自給する方式では主回路電源投入初
期はゲート電源が確立していないので、この期間電圧駆
動形素子のゲートを低インピーダンスで短絡してゲート
電源が過渡的に上昇するのを防ぐことで、素子の誤動作
による素子劣化を防ぎ信頼性の高い電源自給式のゲート
回路を供給することができる。
【００３１】次に第２の実施の形態について説明する。
図３は、本発明の第２の実施の形態の構成図であり、図
４はその動作説明図である。第１の実施の形態と異なる
点は、ＩＧＢＴ２１のゲートとエミッタとの間を短絡す
るリレー３３と接点３４の代わりに、ＦＥＴ駆動回路３
５とＰチャンネルＦＥＴ３６と抵抗３７を付加した点で
あり、他の構成については説明を省略する。
図３は、本発明の第２の実施の形態の構成図であり、図
４はその動作説明図である。第１の実施の形態と異なる
点は、ＩＧＢＴ２１のゲートとエミッタとの間を短絡す
るリレー３３と接点３４の代わりに、ＦＥＴ駆動回路３
５とＰチャンネルＦＥＴ３６と抵抗３７を付加した点で
あり、他の構成については説明を省略する。
【００３２】時刻ｔ0 でＩＧＢＴ２１のゲート電圧が上
昇しはじめるととＦＥＴ３６のソース−ゲート間に抵抗
３７を介して電圧が印加される。ＦＥＴ３７は１〜３Ｖ
以上でオンするので、ＩＧＢＴ２１のゲート−エミッタ
間電圧はオン電圧以下に制限される。
昇しはじめるととＦＥＴ３６のソース−ゲート間に抵抗
３７を介して電圧が印加される。ＦＥＴ３７は１〜３Ｖ
以上でオンするので、ＩＧＢＴ２１のゲート−エミッタ
間電圧はオン電圧以下に制限される。
【００３３】レベル検出器３２が時刻ｔ1 でゲート電圧
正常レベルに達したことを検出すると、ＦＥＴ駆動回路
３５が正電圧を出力し、ＦＥＴ３６をＩＧＢＴ２１のゲ
ート電圧に無関係にオフ状態に保つように作用するの
で、ＩＧＢＴ２１はゲート駆動信号に従って動作する。
正常レベルに達したことを検出すると、ＦＥＴ駆動回路
３５が正電圧を出力し、ＦＥＴ３６をＩＧＢＴ２１のゲ
ート電圧に無関係にオフ状態に保つように作用するの
で、ＩＧＢＴ２１はゲート駆動信号に従って動作する。
【００３４】このようにして、ゲート電源確立前に素子
が誤動作して素子劣化するのを防ぎ信頼性の高い電源自
給式のゲート回路を供給することができる。また、図３
のＰチャンネルＦＥＴ３６は、ノーマリーオン形のトラ
ンジスタ、例えばＳＩトランジスタや一部のＦＥＴに置
き換えることにより更に安全に動作させることができ
る。即ち、ゲート電源が無い場合にはＩＧＢＴ２１のゲ
ートとエミッタとの間を短絡し、ゲート電源確立後ノー
マリーオン形素子にゲート（一般的に負電圧）電圧を印
加してオフ状態とする。
が誤動作して素子劣化するのを防ぎ信頼性の高い電源自
給式のゲート回路を供給することができる。また、図３
のＰチャンネルＦＥＴ３６は、ノーマリーオン形のトラ
ンジスタ、例えばＳＩトランジスタや一部のＦＥＴに置
き換えることにより更に安全に動作させることができ
る。即ち、ゲート電源が無い場合にはＩＧＢＴ２１のゲ
ートとエミッタとの間を短絡し、ゲート電源確立後ノー
マリーオン形素子にゲート（一般的に負電圧）電圧を印
加してオフ状態とする。
【００３５】このようにして、ゲート電源確立前に素子
が誤動作して素子劣化するのを防ぎ信頼性の高い電源自
給式のゲート回路を供給することができる。尚、図３の
ゲ−ト回路は、図５の回路のように変形することができ
る。
が誤動作して素子劣化するのを防ぎ信頼性の高い電源自
給式のゲート回路を供給することができる。尚、図３の
ゲ−ト回路は、図５の回路のように変形することができ
る。
【００３６】ＮチャンネルＦＥＴ４１でＩＧＢＴ２１の
ゲートとエミッタとの間を短絡するように構成し、ゲー
ト電圧を抵抗４２を介してＦＥＴ４１のゲートに接続す
る。そして、レベル検出器３２の出力でトランジスタ４
３をオンさせることによりゲート電源が確立するとＦＥ
Ｔ４１のゲート−ソース間を短絡してＦＥＴ４１をオフ
状態にする。
ゲートとエミッタとの間を短絡するように構成し、ゲー
ト電圧を抵抗４２を介してＦＥＴ４１のゲートに接続す
る。そして、レベル検出器３２の出力でトランジスタ４
３をオンさせることによりゲート電源が確立するとＦＥ
Ｔ４１のゲート−ソース間を短絡してＦＥＴ４１をオフ
状態にする。
【００３７】このとき、ＦＥＴ４１は高ゲインのバイポ
ーラトランジスタに置換えても作用は同じである。ま
た、ゲート短絡箇所はゲート抵抗２７を介する方法も考
えられる。
ーラトランジスタに置換えても作用は同じである。ま
た、ゲート短絡箇所はゲート抵抗２７を介する方法も考
えられる。
【００３８】次に、第３の実施の形態について説明す
る。図６は、自給電源回路２０の構成図である。定常的
にはスナバ用コンデンサ４Ａの一部の電流を変流器５１
で変圧し、ダイオードブリッジ５２で直流に変換し、ダ
イオード５３を介してコンデンサ５４で直流電力を得
る。このとき、コンデンサ５４の電圧を電圧制御回路５
５で検出して電圧が一定になるようにスイッチ５６をオ
ンオフ制御する。
る。図６は、自給電源回路２０の構成図である。定常的
にはスナバ用コンデンサ４Ａの一部の電流を変流器５１
で変圧し、ダイオードブリッジ５２で直流に変換し、ダ
イオード５３を介してコンデンサ５４で直流電力を得
る。このとき、コンデンサ５４の電圧を電圧制御回路５
５で検出して電圧が一定になるようにスイッチ５６をオ
ンオフ制御する。
【００３９】電源投入により充電パワーが不足する場合
には抵抗５７を接続することにより一定時間後にはコン
デンサ５４が充電完了するようにすることも可能であ
る。尚、正負ゲート電源を直接作る場合には、図７のよ
うに変流器５１に中点タップを設けてコンデンサ５４
Ａ、５４Ｂの中点に接続することにより実現することが
できる。
には抵抗５７を接続することにより一定時間後にはコン
デンサ５４が充電完了するようにすることも可能であ
る。尚、正負ゲート電源を直接作る場合には、図７のよ
うに変流器５１に中点タップを設けてコンデンサ５４
Ａ、５４Ｂの中点に接続することにより実現することが
できる。
【００４０】また、図６の回路は、図８の回路に変形す
ることができる。図８では、スナバコンデンサ４の充放
電エネルギーの全部を変流器５１で変圧して、ダイオー
ドブリッジ５２で直流に変換してコンデンサ５４を充電
し、スイッチ５６、フライバックトランス５８を介し
て、ダイオード５９とコンデンサ２３により負電圧を得
て、ダイオード６０とコンデンサ２２により正電圧を得
る。
ることができる。図８では、スナバコンデンサ４の充放
電エネルギーの全部を変流器５１で変圧して、ダイオー
ドブリッジ５２で直流に変換してコンデンサ５４を充電
し、スイッチ５６、フライバックトランス５８を介し
て、ダイオード５９とコンデンサ２３により負電圧を得
て、ダイオード６０とコンデンサ２２により正電圧を得
る。
【００４１】ゼナーダイオード６１はコンデンサ５４の
過充電を放電するために設けられ、抵抗とスイッチング
素子に置換えることも可能である。次に第４の実施の形
態について説明する。
過充電を放電するために設けられ、抵抗とスイッチング
素子に置換えることも可能である。次に第４の実施の形
態について説明する。
【００４２】図９に示すように、ＩＧＢＴなどの高圧素
子を多数直列接続する場合、１アームの素子、スナバ回
路、ゲート回路等をユニット７０Ａ〜７０Ｃとし、直列
に接続する。そして、同時にオンするユニットには、駆
動信号回路１３からの駆動信号を光ファイバー７１Ａ〜
７１Ｃを介して高速に伝達する。しかし、ゲート電源が
確立していない状態で駆動信号を与えると、ＩＧＢＴな
との高圧素子の動作時間に差が生じて一部の素子に高圧
が印加して信頼性が低下する。
子を多数直列接続する場合、１アームの素子、スナバ回
路、ゲート回路等をユニット７０Ａ〜７０Ｃとし、直列
に接続する。そして、同時にオンするユニットには、駆
動信号回路１３からの駆動信号を光ファイバー７１Ａ〜
７１Ｃを介して高速に伝達する。しかし、ゲート電源が
確立していない状態で駆動信号を与えると、ＩＧＢＴな
との高圧素子の動作時間に差が生じて一部の素子に高圧
が印加して信頼性が低下する。
【００４３】そこで、ユニット７０Ａにゲート電源が正
常（所定電圧値に達しているか）を監視するゲート電源
監視回路７２Ａを設け、その出力をＡＮＤ回路７３Ａを
介して、次段のフォトカプラ７４Ｂに情報を伝送する。
次段ではゲート電源監視回路７２Ｂの出力とフォトカプ
ラ７４Ｂに伝送されたゲート電源監視回路７２Ａの情報
とをＡＮＤ回路７３Ｂを介して、更に次段に伝えてい
き、ユニット７０Ｃではゲート電源監視回路７２Ｃの出
力とフォトカプラ７４Ｃの出力とをＡＮＤ回路７３Ｂを
介して、光ファイバー７５で制御回路に伝え、駆動信号
ｅｇとＡＮＤ回路７６で論理積を取ってＩＧＢＴを駆動
する。
常（所定電圧値に達しているか）を監視するゲート電源
監視回路７２Ａを設け、その出力をＡＮＤ回路７３Ａを
介して、次段のフォトカプラ７４Ｂに情報を伝送する。
次段ではゲート電源監視回路７２Ｂの出力とフォトカプ
ラ７４Ｂに伝送されたゲート電源監視回路７２Ａの情報
とをＡＮＤ回路７３Ｂを介して、更に次段に伝えてい
き、ユニット７０Ｃではゲート電源監視回路７２Ｃの出
力とフォトカプラ７４Ｃの出力とをＡＮＤ回路７３Ｂを
介して、光ファイバー７５で制御回路に伝え、駆動信号
ｅｇとＡＮＤ回路７６で論理積を取ってＩＧＢＴを駆動
する。
【００４４】このようにすることで、全てのゲート電源
が確立する前に素子が誤動作するのを防止することがで
きる。また、この方式では、ゲート電源の監視をコスト
の安いフォトカプラを使用して順次低圧側へ情報を伝え
て、ブロック毎に１本の高価な光ファイバーを使用し制
御回路に伝えているため、全体のコストを安価にするこ
とができる。また、ユニット７０Ｃ側を接地できる場合
には、光ファイバー７５をフォトカプラに替えることが
できる。更に、ここでは、直列接続される素子が複数の
場合で説明したが、１個の場合にも適用できることはい
うまでもない。
が確立する前に素子が誤動作するのを防止することがで
きる。また、この方式では、ゲート電源の監視をコスト
の安いフォトカプラを使用して順次低圧側へ情報を伝え
て、ブロック毎に１本の高価な光ファイバーを使用し制
御回路に伝えているため、全体のコストを安価にするこ
とができる。また、ユニット７０Ｃ側を接地できる場合
には、光ファイバー７５をフォトカプラに替えることが
できる。更に、ここでは、直列接続される素子が複数の
場合で説明したが、１個の場合にも適用できることはい
うまでもない。
【００４５】
【発明の効果】上述したように、本発明の請求項１に係
る電源自給式のゲート回路では、ゲート駆動電圧が確立
されるまでは電圧駆動形素子のゲート部を短絡手段で短
絡して、ゲート駆動電圧が所定レベル以上に達すると短
絡手段を開として、ゲート駆動信号が電圧駆動形素子の
ゲートに印加されるようにすることで、主回路電源投入
後ゲート駆動用電源の電圧が確立するまでに電圧駆動形
素子が誤動作して、素子劣化が起きるのを防止する。
る電源自給式のゲート回路では、ゲート駆動電圧が確立
されるまでは電圧駆動形素子のゲート部を短絡手段で短
絡して、ゲート駆動電圧が所定レベル以上に達すると短
絡手段を開として、ゲート駆動信号が電圧駆動形素子の
ゲートに印加されるようにすることで、主回路電源投入
後ゲート駆動用電源の電圧が確立するまでに電圧駆動形
素子が誤動作して、素子劣化が起きるのを防止する。
【００４６】本発明の請求項２に係る電源自給式のゲー
ト回路では、短絡手段としてノーマリーオフのスイッチ
ング素子を使用することで、ゲート駆動電圧が確立され
るまでは電圧駆動形素子のゲート−エミッタ間電圧をオ
ン電圧以下に制限し、ゲート駆動電圧が所定レベル以上
に達するとスイッチング素子をオフとして、ゲート駆動
信号が電圧駆動形素子のゲートに印加されるようにする
ことで、主回路電源投入後ゲート駆動用電源の電圧が確
立するまでに電圧駆動形素子が誤動作して、素子劣化が
起きるのを防止する。
ト回路では、短絡手段としてノーマリーオフのスイッチ
ング素子を使用することで、ゲート駆動電圧が確立され
るまでは電圧駆動形素子のゲート−エミッタ間電圧をオ
ン電圧以下に制限し、ゲート駆動電圧が所定レベル以上
に達するとスイッチング素子をオフとして、ゲート駆動
信号が電圧駆動形素子のゲートに印加されるようにする
ことで、主回路電源投入後ゲート駆動用電源の電圧が確
立するまでに電圧駆動形素子が誤動作して、素子劣化が
起きるのを防止する。
【００４７】本発明の請求項３に係る電源自給式のゲー
ト回路では、短絡手段としてノーマリーオンのスイッチ
ング素子を使用することで、ゲート駆動電圧が確立され
るまでは電圧駆動形素子のゲート部を短絡して、ゲート
駆動電圧が所定レベル以上に達するとスイッチング素子
をオフとして、ゲート駆動信号が電圧駆動形素子のゲー
トに印加されるようにすることで、主回路電源投入後ゲ
ート駆動用電源の電圧が確立するまでに電圧駆動形素子
が誤動作して、素子劣化が起きるのを防止する。
ト回路では、短絡手段としてノーマリーオンのスイッチ
ング素子を使用することで、ゲート駆動電圧が確立され
るまでは電圧駆動形素子のゲート部を短絡して、ゲート
駆動電圧が所定レベル以上に達するとスイッチング素子
をオフとして、ゲート駆動信号が電圧駆動形素子のゲー
トに印加されるようにすることで、主回路電源投入後ゲ
ート駆動用電源の電圧が確立するまでに電圧駆動形素子
が誤動作して、素子劣化が起きるのを防止する。
【００４８】本発明の請求項４に係る電源自給式のゲー
ト回路では、ゲート駆動電圧が確立されるまではゲート
電圧が上昇すると第１のスイッチング素子がオンして電
圧駆動形素子のゲート部を短絡して、ゲート駆動電圧が
所定レベル以上に達すると第２のスイッチング素子をオ
ンさせ第１のスイッチング素子のゲート−ソース間を短
絡して第１のスイッチング素子をオフとして、ゲート駆
動信号が電圧駆動形素子のゲートに印加されるようにす
ることで、主回路電源投入後ゲート駆動用電源の電圧が
確立するまでに電圧駆動形素子が誤動作して、素子劣化
が起きるのを防止する。
ト回路では、ゲート駆動電圧が確立されるまではゲート
電圧が上昇すると第１のスイッチング素子がオンして電
圧駆動形素子のゲート部を短絡して、ゲート駆動電圧が
所定レベル以上に達すると第２のスイッチング素子をオ
ンさせ第１のスイッチング素子のゲート−ソース間を短
絡して第１のスイッチング素子をオフとして、ゲート駆
動信号が電圧駆動形素子のゲートに印加されるようにす
ることで、主回路電源投入後ゲート駆動用電源の電圧が
確立するまでに電圧駆動形素子が誤動作して、素子劣化
が起きるのを防止する。
【００４９】本発明の請求項５に係る電源自給式のゲー
ト回路では、ゲート駆動電圧を電圧駆動形素子に接続さ
れたスナバコンデンサの電流を変流器を介して得ること
ができる。
ト回路では、ゲート駆動電圧を電圧駆動形素子に接続さ
れたスナバコンデンサの電流を変流器を介して得ること
ができる。
【００５０】本発明の請求項６に係る電源自給式のゲー
ト回路では、ゲート駆動電圧を電圧駆動形素子に接続さ
れたスナバコンデンサと並列に接続した分圧手段より得
ることができる。
ト回路では、ゲート駆動電圧を電圧駆動形素子に接続さ
れたスナバコンデンサと並列に接続した分圧手段より得
ることができる。
【００５１】本発明の請求項７に係る電源自給式のゲー
ト回路では、ゲート駆動電圧を電圧駆動形素子に接続さ
れたスナバコンデンサの電流を変流器を介して得て、ゲ
ート駆動電圧が所定レベル以上になると変流器の二次側
を等価的に短絡してゲート駆動電圧の電圧制御を行うこ
とで効率のよい充電ができる。
ト回路では、ゲート駆動電圧を電圧駆動形素子に接続さ
れたスナバコンデンサの電流を変流器を介して得て、ゲ
ート駆動電圧が所定レベル以上になると変流器の二次側
を等価的に短絡してゲート駆動電圧の電圧制御を行うこ
とで効率のよい充電ができる。
【００５２】本発明の請求項８に係る電源自給式のゲー
ト回路では、直列接続された複数の電圧駆動形素子の全
てのゲート駆動電圧が所定レベル以上になることを条件
にゲート駆動をインターロックすることで一部のスイッ
チング素子に過電圧が印加されるのを防止することがで
きる。
ト回路では、直列接続された複数の電圧駆動形素子の全
てのゲート駆動電圧が所定レベル以上になることを条件
にゲート駆動をインターロックすることで一部のスイッ
チング素子に過電圧が印加されるのを防止することがで
きる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態の構成図。
【図２】 本発明の第１の実施の形態の作用説明図。
【図３】 本発明の第２の実施の形態の構成図。
【図４】 本発明の第２の実施の形態の作用説明図。
【図５】 本発明の第２の実施の形態の変形例を示す
図。
図。
【図６】 本発明の第３の実施の形態の構成図。
【図７】 本発明の第３の実施の形態の変形例を示す
図。
図。
【図８】 本発明の第３の実施の形態の変形例を示す
図。
図。
【図９】 本発明の第４の実施の形態の構成図。
【図１０】 従来の電流駆動形素子の電源自給式のゲー
ト回路の構成図。
ト回路の構成図。
【図１１】 従来の電圧駆動形素子の電源自給式のゲー
ト回路の構成図。
ト回路の構成図。
４…スナバコンデンサ １３…駆動信号回路 ２１…ＩＧＢＴ ２２、２３…直流電源 ２４…フォトカプラ ２７…ゲート抵抗 ３１…増幅回路 ３２…レベル検出器 ３３…リレー ３４…ノーマリークローズ接点 ３５…ＦＥＴ駆動回路 ３６…ＰチャンネルＦＥＴ ３７、４２、５７…抵抗 ４１…ＮチャンネルＦＥＴ ４３…トランジスタ ５１…変流器 ５２…ダイオードブリッジ ５３、５９、６０…ダイオード ５４…コンデンサ ５５…電圧制御回路 ５６…スイッチ ５８…トランス ６１…ゼナーダイオード ７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃ…ユニット ７１Ａ、７１Ｂ、７１Ｃ、７５…光ファイバー ７２Ａ、７２Ｂ、７２Ｃ…ゲート電源監視回路 ７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃ…ＡＮＤ回路 ７４Ｂ、７４Ｃ…フォトカプラ
Claims (8)
- 【請求項１】 電圧駆動形素子のゲート駆動電圧を主回
路より自給する電源自給手段と、前記電圧駆動形素子の
ゲート部を短絡する短絡手段と、前記ゲート駆動電圧が
所定レベル以上に達したことを検出するレベル検出手段
と、このレベル検出手段からの信号に基づき前記短絡手
段を開閉する短絡制御手段とを具備したことを特徴とす
る電源自給式のゲート回路。 - 【請求項２】 前記短絡手段は、ノーマリーオフのスイ
ッチング素子であることを特徴とする請求項１記載の電
源自給式のゲート回路。 - 【請求項３】 前記短絡手段は、ノーマリーオンのスイ
ッチング素子であることを特徴とする請求項１記載の電
源自給式のゲート回路。 - 【請求項４】 前記短絡手段は、ゲートが前記電圧駆動
素子のゲートに接続され前記電圧駆動形素子のゲート部
を短絡するノーマリーオフの第１のスイッチング素子
と、前記スイッチング素子のゲートとソースの間に接続
され前記短絡制御手段からの信号で動作する第２のスイ
ッチング素子とを具備したことを特徴とする請求項１記
載の電源自給式のゲート回路。 - 【請求項５】 前記電源自給手段は、前記ゲート駆動電
圧を前記電圧駆動形素子に接続されたスナバコンデンサ
の電流を変流器を介して得ることを特徴とする請求項１
記載の電源自給式のゲート回路。 - 【請求項６】 前記電源自給手段は、前記ゲート駆動電
圧を前記電圧駆動形素子に接続されたスナバコンデンサ
と並列に接続した分圧手段より得ることを特徴とする請
求項１記載の電源自給式のゲート回路。 - 【請求項７】 前記ゲート駆動電圧が所定レベル以上に
なると前記変流器の二次側を等価的に短絡することを特
徴とする請求項５記載の電源自給式のゲート回路。 - 【請求項８】 直列接続された複数の電圧駆動形素子に
同時に駆動信号を与える駆動信号発生手段と、前記電圧
形駆動素子毎に設けられた電圧駆動形素子のゲート駆動
電圧を主回路より自給する電源自給手段と、前記電圧形
駆動素子毎に設けられた前記電圧駆動形素子のゲート部
を短絡する短絡手段と、前記電圧形駆動素子毎に設けら
れた前記ゲート駆動電圧が所定レベル以上に達したこと
を検出するレベル検出手段と、前記電圧形駆動素子毎に
設けられた前記レベル検出手段からの信号に基づき前記
短絡手段を開閉する短絡制御手段と、各前記レベル検出
手段の出力の論理積を取る論理積回路と、この論理積回
路の出力を基に駆動信号発生手段の出力を制御する駆動
信号制限手段とを具備したことを特徴とする電源自給式
のゲート回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9329097A JPH10285909A (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 電源自給式のゲート回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9329097A JPH10285909A (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 電源自給式のゲート回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10285909A true JPH10285909A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=14078272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9329097A Pending JPH10285909A (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 電源自給式のゲート回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10285909A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081962A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Sharp Corp | スイッチング回路、回路、並びにスイッチング回路及び駆動パルス生成回路を含む回路 |
| WO2010021082A1 (ja) | 2008-08-21 | 2010-02-25 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
| JP2010124580A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 電力用半導体素子のゲート回路 |
| JP2011024390A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
| KR101224236B1 (ko) | 2005-08-31 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 다이헨 | 고주파 전력 장치 |
| CN103297012A (zh) * | 2012-02-22 | 2013-09-11 | 三菱电机株式会社 | 栅极驱动电路 |
| CN107479613A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-12-15 | 浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司 | 上电保护电路和电磁炉 |
| CN108599747A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-09-28 | 北京市科通电子继电器总厂有限公司 | 双信号通断控制电路及系统 |
| WO2020017506A1 (ja) | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 三菱電機株式会社 | 駆動回路及び電力変換装置 |
-
1997
- 1997-04-11 JP JP9329097A patent/JPH10285909A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101224236B1 (ko) | 2005-08-31 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 다이헨 | 고주파 전력 장치 |
| JP2009081962A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Sharp Corp | スイッチング回路、回路、並びにスイッチング回路及び駆動パルス生成回路を含む回路 |
| JP5293740B2 (ja) * | 2008-08-21 | 2013-09-18 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
| KR101313498B1 (ko) * | 2008-08-21 | 2013-10-01 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 전력용 반도체 소자의 구동 회로 |
| EP2320544A1 (en) * | 2008-08-21 | 2011-05-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Driving circuit for power semiconductor element |
| US9806593B2 (en) | 2008-08-21 | 2017-10-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Drive circuit of power semiconductor device |
| JP2013179828A (ja) * | 2008-08-21 | 2013-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体素子の駆動回路 |
| EP2320544A4 (en) * | 2008-08-21 | 2015-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | ATTACK CIRCUIT FOR POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| WO2010021082A1 (ja) | 2008-08-21 | 2010-02-25 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
| JP2010124580A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 電力用半導体素子のゲート回路 |
| JP2011024390A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
| US8711586B2 (en) | 2009-07-21 | 2014-04-29 | Hitachi, Ltd. | Power converter and method including noise suppression by controlling phase shifting of converter cells |
| CN103297012A (zh) * | 2012-02-22 | 2013-09-11 | 三菱电机株式会社 | 栅极驱动电路 |
| CN107479613A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-12-15 | 浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司 | 上电保护电路和电磁炉 |
| CN108599747A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-09-28 | 北京市科通电子继电器总厂有限公司 | 双信号通断控制电路及系统 |
| WO2020017506A1 (ja) | 2018-07-17 | 2020-01-23 | 三菱電機株式会社 | 駆動回路及び電力変換装置 |
| US11569727B2 (en) | 2018-07-17 | 2023-01-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Drive circuit and power conversion device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4581542A (en) | Driver circuits for emitter switch gate turn-off SCR devices | |
| KR900006046B1 (ko) | 도전변조형 mosfet의 과전류보호회로 | |
| US5099138A (en) | Switching device driving circuit | |
| US5200878A (en) | Drive circuit for current sense igbt | |
| US11070046B2 (en) | Short-circuit protection circuit for self-arc-extinguishing type semiconductor element | |
| JPS6337575B2 (ja) | ||
| US5216587A (en) | Inverter | |
| JP4831876B2 (ja) | パワー半導体スイッチを駆動するための半導体構成品 | |
| JP3133166B2 (ja) | ゲート電力供給回路 | |
| US11569727B2 (en) | Drive circuit and power conversion device | |
| US10720918B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH10285909A (ja) | 電源自給式のゲート回路 | |
| US5475333A (en) | Built-in drive power-source semiconductor device | |
| EP4175178A1 (en) | Gate unit for a gate-commutated thyristor and integrated gate-commutated thyristor | |
| JP2008017650A (ja) | 電力変換装置 | |
| JPH0812990B2 (ja) | 高速制御回路 | |
| JP2000197343A (ja) | 半導体素子のゲート制御方法 | |
| JP3180961B2 (ja) | ブリッジ形変換器の保護装置 | |
| JP3558324B2 (ja) | 電圧駆動型素子のゲート駆動装置 | |
| WO2019119844A1 (zh) | 阀组充电装置和阀组充电控制方法 | |
| JPH06105448A (ja) | 保護機能を備えたスイッチ装置 | |
| WO2023162032A1 (ja) | ゲート駆動回路およびこれを用いた電力変換装置 | |
| US20230231404A1 (en) | Semiconductor pre-charger module in battery system | |
| JPH08163861A (ja) | 自己消弧形半導体の駆動回路 | |
| US11115017B2 (en) | Driving apparatus and switching apparatus |