JP6265849B2 - 制御回路 - Google Patents
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Description
3:直流電源
4、5:抵抗
10:カスコード素子
11:接続点
12:基準点
100:制御回路
101、102、103、104:端子
110:スイッチング制御部
111:駆動部
112:発振部
113:駆動制御部
120:バイアス補助部
121:ダイオード
122:コンデンサ
123、125:抵抗
124:ツェナダイオード
Q1、Q2:スイッチ
Claims (9)
- ノーマリオフ型のローサイド半導体スイッチとノーマリオン型のハイサイド半導体スイッチとが所定の接続点でカスコード接続させてカスコード素子を構成し、前記ローサイド半導体スイッチが前記接続点と前記カスコード素子の電気的な基準電位となる基準点との間に設けられて構成されるカスコード素子の制御回路において、
前記ローサイド半導体スイッチのスイッチング制御を行うスイッチング制御部と、
前記ハイサイド半導体スイッチと前記接続点との間に接続され、前記スイッチング制御部によりスイッチング制御された前記ローサイド半導体スイッチのオフ期間中に、前記基準点と前記接続点との間の電圧である接続点電圧に対して補助的にバイアスするバイアス補助部と、
を備え、
前記バイアス補助部は、ダイオード、コンデンサおよび抵抗を有し、前記ダイオードのアノード端子は前記接続点に接続され、前記ダイオードのカソード端子は前記コンデンサの一端に接続され、前記コンデンサの他端は前記基準点に接続され、前記抵抗は前記ダイオードに並列接続されていることを特徴とする制御回路。 - 前記バイアス補助部は、ツェナダイオードを有し、
前記ツェナダイオードのアノード端子は前記基準点に接続され、前記ツェナダイオードのカソード端子は前記接続点に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の制御回路。 - 前記ハイサイド半導体スイッチは、高電子移動度トランジスタであることを特徴とする請求項1又は2に記載の制御回路。
- 前記高電子移動度トランジスタは、窒化ガリウム、炭化ケイ素をチャネルに用いたものであることであることを特徴とする請求項3に記載の制御回路。
- 前記高電子移動度トランジスタは、酸化物半導体をチャネルに用いたものであることであることを特徴とする請求項3に記載の制御回路。
- 前記酸化物半導体は、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム又はこれらを複合した複合酸化物半導体であることを特徴とする請求項5に記載の制御回路。
- 前記スイッチング制御部および前記バイアス補助部は、所定の半導体基板上にモノリシック集積回路として形成されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1に記載の制御回路。
- 前記制御回路は、前記ローサイド半導体スイッチ及び/又は前記ハイサイド半導体スイッチと共に、モノリシック集積回路として形成されることを特徴とする請求項7に記載の制御回路。
- 前記制御回路は、前記ローサイド半導体スイッチ及び/又は前記ハイサイド半導体スイッチと共に、所定の樹脂モールドパッケージに搭載されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1に記載の制御回路。
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