JP6572123B2 - ゲート駆動回路 - Google Patents
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Description
ハイサイドのノーマリオン型の主スイッチング素子とローサイドのノーマリオフ型の副スイッチング素子とが直列に接続されてなるスイッチ部をオン/オフ制御するゲート駆動回路であって、
前記主スイッチング素子の駆動制御端子と前記副スイッチング素子のローサイド端子との間に挿入された駆動制御用のスイッチング素子と、
前記駆動制御用のスイッチング素子の両端子間に接続された定電圧素子と、
"H"レベルと"L"レベルを交互に繰り返すスイッチングパルスを前記主スイッチング素子、前記副スイッチング素子および前記駆動制御用のスイッチング素子の各駆動制御端子に対して出力する制御部とを備え、
さらに、
前記制御部における前記スイッチングパルスの出力端子と前記主スイッチング素子、前記副スイッチング素子および前記駆動制御用のスイッチング素子の各駆動制御端子との間にはそれぞれ第1の抵抗素子、第2の抵抗素子および第3の抵抗素子が挿入され、
前記第1の抵抗素子の抵抗値は、前記第2の抵抗素子および前記第3の抵抗素子の抵抗値に比べてより高い値に設定されていることを特徴としている。
さらに、前記制御部における前記スイッチングパルスの出力端子と前記主スイッチング素子、前記副スイッチング素子および前記駆動制御用のスイッチング素子の各駆動制御端子との間にはそれぞれ第1の抵抗素子、第2の抵抗素子および第3の抵抗素子が挿入されている。この構成により、制御部から出力する同じスイッチングパルスを用いて主スイッチング素子、副スイッチング素子および駆動制御用のスイッチング素子の3者を制御し、上記本発明の効果を奏させる上で基本的で簡単な回路構成となる。
また、前記第1の抵抗素子の抵抗値は、前記第2の抵抗素子および前記第3の抵抗素子の抵抗値に比べてより高い値に設定されている。この構成によって、スイッチ部を遮断状態から導通状態へ切り替える際に、副スイッチング素子のターンオン動作を主スイッチング素子のターンオン動作よりも高速化する。これととともに、スイッチ部を導通状態から遮断状態へ切り替える際に、駆動制御用のスイッチング素子のターンオン動作を主スイッチング素子のターンオフ動作よりも高速化することができる。その結果として、オフ状態での副スイッチング素子における損失を抑制することや、主スイッチング素子の導通損失を低減することに有効に作用する。
図1は本発明の第1の実施例におけるゲート駆動回路の構成を示す回路図である。
次に、制御回路12から出力されるスイッチングパルスが“L”レベルから“H”レベルに遷移すると、まず副スイッチング素子Q02(Nチャンネル型)がターンオンし、主スイッチング素子Q01(Nチャンネル型)もターンオンする。さらに、駆動制御用のスイッチング素子Q03(Pチャンネル型)はターンオフする。スイッチング素子Q03がターンオフすると、ツェナーダイオードZD1が降伏して電流が流れ、接続ノードN01の電位がツェナーダイオードZD1のツェナー電圧VZD1 となり、この電位が主スイッチング素子Q01のゲート電圧をさらに深い(0[V]からマイナス側により離れた)オン状態とする電圧にし、主スイッチング素子Q01をより低抵抗にターンオンさせる。すでに副スイッチング素子Q02(Nチャンネル型)がターンオンしているので、主スイッチング素子Q01と副スイッチング素子Q02の直列回路からなるスイッチ部11は全体として反転動作して導通状態となる。
次いで、制御回路12から出力されるスイッチングパルスが“H”レベルから“L”レベルに遷移すると、駆動制御用のスイッチング素子Q03(Pチャンネル型)はターンオンし、副スイッチング素子Q02(Nチャンネル型)がターンオフする。さらに、主スイッチング素子Q01がターンオフする。主スイッチング素子Q01または/および副スイッチング素子Q02のターンオフの結果、スイッチ部11は反転動作して遮断状態となる。
図3は本発明の第2の実施例におけるゲート駆動回路の構成を示す回路図である。
12 制御部
D01 第1の整流ダイオード(一方向性通電素子)
D02 第2の整流ダイオード(一方向性通電素子)
N11 第1の接続ノード
N21 第2の接続ノード
Q01 ハイサイドのノーマリオン型の主スイッチング素子
Q02 ローサイドのノーマリオフ型の副スイッチング素子
Q03 駆動制御用のスイッチング素子
R01 第1の抵抗素子
R02 第2の抵抗素子
R03 第3の抵抗素子
R04 第4の抵抗素子
R05 第5の抵抗素子
ZD1 ツェナーダイオード(定電圧素子)
Claims (3)
- ハイサイドのノーマリオン型の主スイッチング素子とローサイドのノーマリオフ型の副スイッチング素子とが直列に接続されてなるスイッチ部をオン/オフ制御するゲート駆動回路であって、
前記主スイッチング素子の駆動制御端子と前記副スイッチング素子のローサイド端子との間に挿入された駆動制御用のスイッチング素子と、
前記駆動制御用のスイッチング素子の両端子間に接続された定電圧素子と、
"H"レベルと"L"レベルを交互に繰り返すスイッチングパルスを前記主スイッチング素子、前記副スイッチング素子および前記駆動制御用のスイッチング素子の各駆動制御端子に対して出力する制御部とを備え、
さらに、
前記制御部における前記スイッチングパルスの出力端子と前記主スイッチング素子、前記副スイッチング素子および前記駆動制御用のスイッチング素子の各駆動制御端子との間にはそれぞれ第1の抵抗素子、第2の抵抗素子および第3の抵抗素子が挿入され、
前記第1の抵抗素子の抵抗値は、前記第2の抵抗素子および前記第3の抵抗素子の抵抗値に比べてより高い値に設定されているゲート駆動回路。 - 前記第2の抵抗素子と前記副スイッチング素子の駆動制御端子とを接続する第1の接続ノードと、前記スイッチングパルスの出力端子との間には、そのハイサイド端子を前記出力端子側にして接続された第1の一方向性通電素子と前記第1の一方向性通電素子に直列接続された第4の抵抗素子とからなる直列回路が、前記第2の抵抗素子と並列に接続されている請求項1に記載のゲート駆動回路。
- 前記第3の抵抗素子と前記駆動制御用のスイッチング素子の駆動制御端子とを接続する第2の接続ノードと、前記スイッチングパルスの出力端子との間には、そのハイサイド端子を前記第2の接続ノード側にして接続された第2の一方向性通電素子と前記第2の一方向性通電素子に直列接続された第5の抵抗素子とからなる直列回路が、前記第3の抵抗素子と並列に接続されている請求項1または請求項2に記載のゲート駆動回路。
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JP2015249737A JP6572123B2 (ja) | 2015-12-22 | 2015-12-22 | ゲート駆動回路 |
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