JPH07115354A - インテリジェントパワーモジュール - Google Patents
インテリジェントパワーモジュールInfo
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- JPH07115354A JPH07115354A JP5259495A JP25949593A JPH07115354A JP H07115354 A JPH07115354 A JP H07115354A JP 5259495 A JP5259495 A JP 5259495A JP 25949593 A JP25949593 A JP 25949593A JP H07115354 A JPH07115354 A JP H07115354A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電力増幅用半導体素子に保護用の回路が組み
込まれたインテリジェントパワーモジュールの改良に関
するものであり、電力増幅用半導体素子の出力容量限度
まで使用することができるようにするインテリジェント
パワーモジュールの改良である。 【構成】 電力増幅用半導体素子２と、電力増幅用半導
体素子２の温度を検出する温度検出素子６と、温度検出
素子６が検出する温度情報を連続信号またはこの連続信
号がＡ／Ｄ変換されて発生されたディジタル信号のいづ
れかとして外部に送出する温度情報出力手段７とを有す
るインテリジェントパワーモジュールである。
込まれたインテリジェントパワーモジュールの改良に関
するものであり、電力増幅用半導体素子の出力容量限度
まで使用することができるようにするインテリジェント
パワーモジュールの改良である。 【構成】 電力増幅用半導体素子２と、電力増幅用半導
体素子２の温度を検出する温度検出素子６と、温度検出
素子６が検出する温度情報を連続信号またはこの連続信
号がＡ／Ｄ変換されて発生されたディジタル信号のいづ
れかとして外部に送出する温度情報出力手段７とを有す
るインテリジェントパワーモジュールである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電力増幅用半導体素子
に保護用の回路が付加されているインテリジェントパワ
ーモジュールの改良に関する。特に、当該電力増幅用半
導体素子の出力容量限度まで使用することができるよう
にする改良に関する。
に保護用の回路が付加されているインテリジェントパワ
ーモジュールの改良に関する。特に、当該電力増幅用半
導体素子の出力容量限度まで使用することができるよう
にする改良に関する。
【０００２】
図４参照 図４は従来技術に係るインテリジェントパワーモジュー
ルの１例を示すブロック図であり、インテリジェントパ
ワーモジュールの外部回路の一部も合わせ示されてい
る。図４において、１０は従来技術に係るインテリジェ
ントパワーモジュールであり、ＩＧＢＴ等からなる電力
増幅用半導体素子２と、フライホイールダイオード３
と、電力増幅用半導体素子２のゲートを駆動するドライ
バ回路４と、保護回路付きドライバ回路４１と、電力増
幅用半導体素子２を流れる電流を検出する電流検出抵抗
５と、電力増幅用半導体素子２の温度を検出するための
サーミスタ等からなる温度検出素子６と、温度検出素子
６の発する温度信号を受けて予め決められた温度を超え
た時ＯＮ信号を出力するオーバーヒート保護回路７１と
から構成されている。保護回路付きドライバ回路４１に
は、電力増幅用半導体素子２のゲートを駆動するゲート
駆動回路のほかに、直流電源９の直流電圧が低電圧のと
きＯＮ信号を出力する低電圧保護回路や電力増幅用半導
体素子２を流れる電流が過電流のときＯＮ信号を出力す
る過電流保護回路等の電力増幅用半導体素子２の保護回
路も設けられている。
ルの１例を示すブロック図であり、インテリジェントパ
ワーモジュールの外部回路の一部も合わせ示されてい
る。図４において、１０は従来技術に係るインテリジェ
ントパワーモジュールであり、ＩＧＢＴ等からなる電力
増幅用半導体素子２と、フライホイールダイオード３
と、電力増幅用半導体素子２のゲートを駆動するドライ
バ回路４と、保護回路付きドライバ回路４１と、電力増
幅用半導体素子２を流れる電流を検出する電流検出抵抗
５と、電力増幅用半導体素子２の温度を検出するための
サーミスタ等からなる温度検出素子６と、温度検出素子
６の発する温度信号を受けて予め決められた温度を超え
た時ＯＮ信号を出力するオーバーヒート保護回路７１と
から構成されている。保護回路付きドライバ回路４１に
は、電力増幅用半導体素子２のゲートを駆動するゲート
駆動回路のほかに、直流電源９の直流電圧が低電圧のと
きＯＮ信号を出力する低電圧保護回路や電力増幅用半導
体素子２を流れる電流が過電流のときＯＮ信号を出力す
る過電流保護回路等の電力増幅用半導体素子２の保護回
路も設けられている。
【０００３】８はフォトカプラ等からなる信号入力手段
である。そして、１１は警報信号伝播手段であり、オー
バーヒート保護回路７１の出力と保護回路付きドライバ
回路４１の中に設けられている保護回路の出力とのいず
れかがＯＮすると、ＯＮ信号（ＯＮ−ＯＦＦ信号）を発
生し、警報出力を発する。
である。そして、１１は警報信号伝播手段であり、オー
バーヒート保護回路７１の出力と保護回路付きドライバ
回路４１の中に設けられている保護回路の出力とのいず
れかがＯＮすると、ＯＮ信号（ＯＮ−ＯＦＦ信号）を発
生し、警報出力を発する。
【０００４】従来技術に係るインテリジェントパワーモ
ジュール１０には、上記のように、電力増幅用半導体素
子２とドライバ回路４だけでなく、電力増幅用半導体素
子２の保護のための低電圧保護回路や過電流保護回路等
の保護回路とオーバーヒート保護回路７１とが設けられ
ているので、警報信号伝播手段１１の警報出力を受信し
て電力増幅用半導体素子２の電源をＯＦＦする回路が付
加されており、容易にインテリジェントパワーモジュー
ル１０の破損を防止することができるようにされている
ことが一般である。
ジュール１０には、上記のように、電力増幅用半導体素
子２とドライバ回路４だけでなく、電力増幅用半導体素
子２の保護のための低電圧保護回路や過電流保護回路等
の保護回路とオーバーヒート保護回路７１とが設けられ
ているので、警報信号伝播手段１１の警報出力を受信し
て電力増幅用半導体素子２の電源をＯＦＦする回路が付
加されており、容易にインテリジェントパワーモジュー
ル１０の破損を防止することができるようにされている
ことが一般である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来技術に
係るインテリジェントパワーモジュール１０において
は、インテリジェントパワーモジュール１０の電力増幅
用半導体素子２を過負荷で使用するとオーバーヒート保
護回路７１が動作し、電力増幅用半導体素子２の電源
（図示せず。）をＯＦＦさせざるを得ないことになる。
このような場合、もし、オーバーヒート保護回路７１が
動作する前に電力増幅用半導体素子２の出力を制限する
ことができれば、電力増幅用半導体素子２の温度上昇を
抑えることができるので、インテリジェントパワーモジ
ュール１０の動作を停止させる必要はなく、電力増幅用
半導体素子２の出力は制限されてはいるがインテリジェ
ントパワーモジュール１０の動作を継続させることがで
きる。すなわち、従来技術に係るインテリジェントパワ
ーモジュール１０においては、未だインテリジェントパ
ワーモジュール１０の動作を継続させ得るにも拘わら
ず、停止させざるを得ないと云う不都合がある。
係るインテリジェントパワーモジュール１０において
は、インテリジェントパワーモジュール１０の電力増幅
用半導体素子２を過負荷で使用するとオーバーヒート保
護回路７１が動作し、電力増幅用半導体素子２の電源
（図示せず。）をＯＦＦさせざるを得ないことになる。
このような場合、もし、オーバーヒート保護回路７１が
動作する前に電力増幅用半導体素子２の出力を制限する
ことができれば、電力増幅用半導体素子２の温度上昇を
抑えることができるので、インテリジェントパワーモジ
ュール１０の動作を停止させる必要はなく、電力増幅用
半導体素子２の出力は制限されてはいるがインテリジェ
ントパワーモジュール１０の動作を継続させることがで
きる。すなわち、従来技術に係るインテリジェントパワ
ーモジュール１０においては、未だインテリジェントパ
ワーモジュール１０の動作を継続させ得るにも拘わら
ず、停止させざるを得ないと云う不都合がある。
【０００６】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、インテリジェントパワーモジュールの電力増幅
用半導体素子が過負荷になった時でも、インテリジェン
トパワーモジュールの動作を継続でき、しかも、電力増
幅用半導体素子の出力容量限度まで使用することができ
るようなインテリジェントパワーモジュールを提供する
ことにある。
にあり、インテリジェントパワーモジュールの電力増幅
用半導体素子が過負荷になった時でも、インテリジェン
トパワーモジュールの動作を継続でき、しかも、電力増
幅用半導体素子の出力容量限度まで使用することができ
るようなインテリジェントパワーモジュールを提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、電力増幅
用半導体素子（２）と、この電力増幅用半導体素子
（２）の温度を検出する温度検出素子（６）と、この温
度検出素子（６）が検出する温度情報を代表する連続信
号またはこの連続信号がＡ／Ｄ変換されて発生されたデ
ィジタル信号のいづれかを外部に送出する温度情報出力
手段（７）とを有するインテリジェントパワーモジュー
ルによって達成される。
用半導体素子（２）と、この電力増幅用半導体素子
（２）の温度を検出する温度検出素子（６）と、この温
度検出素子（６）が検出する温度情報を代表する連続信
号またはこの連続信号がＡ／Ｄ変換されて発生されたデ
ィジタル信号のいづれかを外部に送出する温度情報出力
手段（７）とを有するインテリジェントパワーモジュー
ルによって達成される。
【０００８】
【作用】本発明に係るインテリジェントパワーモジュー
ルは、電力増幅用半導体素子２の温度を検出する温度検
出素子６と、この温度検出素子６が検出する温度信号を
代表する連続信号またはこの連続信号がＡ／Ｄ変換され
て発生されたディジタル信号のいづれかを外部に送出す
る温度情報出力手段７とを有しているので、電力増幅用
半導体素子２に負荷が加わり電力増幅用半導体素子２が
温度上昇して、従来技術に係るインテリジェントパワー
モジュール１０のオーバーヒート保護回路７１がＯＮす
るよりも低い予め設定された温度に到達したとき、電力
増幅用半導体素子２の出力を制限する回路をインテリジ
ェントパワーモジュールの外部に付加することができ
る。このようにすると、電力増幅用半導体素子２は過負
荷にならず、しかも、インテリジェントパワーモジュー
ルは動作を継続することができる。
ルは、電力増幅用半導体素子２の温度を検出する温度検
出素子６と、この温度検出素子６が検出する温度信号を
代表する連続信号またはこの連続信号がＡ／Ｄ変換され
て発生されたディジタル信号のいづれかを外部に送出す
る温度情報出力手段７とを有しているので、電力増幅用
半導体素子２に負荷が加わり電力増幅用半導体素子２が
温度上昇して、従来技術に係るインテリジェントパワー
モジュール１０のオーバーヒート保護回路７１がＯＮす
るよりも低い予め設定された温度に到達したとき、電力
増幅用半導体素子２の出力を制限する回路をインテリジ
ェントパワーモジュールの外部に付加することができ
る。このようにすると、電力増幅用半導体素子２は過負
荷にならず、しかも、インテリジェントパワーモジュー
ルは動作を継続することができる。
【０００９】また、従来技術に係るインテリジェントパ
ワーモジュール１０のオーバーヒート保護回路７１がＯ
Ｎする温度に到達したとき、電力増幅用半導体素子２の
電源をＯＦＦする回路をインテリジェントパワーモジュ
ールの外部に付加することができる。換言すれば、電力
増幅用半導体素子２の出力を制限しても、なお、電力増
幅用半導体素子２の温度が上昇し、従来技術に係るイン
テリジェントパワーモジュール１０のオーバーヒート保
護回路７１がＯＮする温度に到達したとき、電力増幅用
半導体素子２の電源をＯＦＦできるので、従来と同様に
インテリジェントパワーモジュールを保護することがで
きる。
ワーモジュール１０のオーバーヒート保護回路７１がＯ
Ｎする温度に到達したとき、電力増幅用半導体素子２の
電源をＯＦＦする回路をインテリジェントパワーモジュ
ールの外部に付加することができる。換言すれば、電力
増幅用半導体素子２の出力を制限しても、なお、電力増
幅用半導体素子２の温度が上昇し、従来技術に係るイン
テリジェントパワーモジュール１０のオーバーヒート保
護回路７１がＯＮする温度に到達したとき、電力増幅用
半導体素子２の電源をＯＦＦできるので、従来と同様に
インテリジェントパワーモジュールを保護することがで
きる。
【００１０】すなわち、インテリジェントパワーモジュ
ールの電力増幅用半導体素子の出力容量限度まで使用す
ることができる。
ールの電力増幅用半導体素子の出力容量限度まで使用す
ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の１実施例に
係るインテリジェントパワーモジュールについてさらに
詳細に説明する。
係るインテリジェントパワーモジュールについてさらに
詳細に説明する。
【００１２】図１参照 図１は本発明の１実施例に係るインテリジェントパワー
モジュールのブロック図であり、インテリジェントパワ
ーモジュールの外部回路の一部も合わせ示されている。
１は本発明の１実施例に係るインテリジェントパワーモ
ジュールであり、ＩＧＢＴ等からなる電力増幅用半導体
素子２と、フライホイールダイオード３と、電力増幅用
半導体素子２のゲートを駆動するドライバ回路４と、保
護回路付きドライバ回路４１と、電力増幅用半導体素子
２を流れる電流を検出する電流検出抵抗５と、電力増幅
用半導体素子２の温度を検出するためのサーミスタ等か
らなる温度検出素子６と、温度検出素子６の連続信号ま
たはこの連続信号がＡ／Ｄ変換されて発生されたディジ
タル信号のいづれかよりなる温度信号を外部に送出する
温度情報出力手段７等から構成されている。保護回路付
きドライバ回路４１には、電力増幅用半導体素子２のゲ
ートを駆動するゲート駆動回路のほかに、保護回路付き
ドライバ回路４１に付加される直流電圧が低電圧のとき
ＯＮ信号を出力する低電圧保護回路や電力増幅用半導体
素子２を流れる電流が過電流のときＯＮ信号を出力する
過電流保護回路等の電力増幅用半導体素子２の保護回路
とが設けられている。
モジュールのブロック図であり、インテリジェントパワ
ーモジュールの外部回路の一部も合わせ示されている。
１は本発明の１実施例に係るインテリジェントパワーモ
ジュールであり、ＩＧＢＴ等からなる電力増幅用半導体
素子２と、フライホイールダイオード３と、電力増幅用
半導体素子２のゲートを駆動するドライバ回路４と、保
護回路付きドライバ回路４１と、電力増幅用半導体素子
２を流れる電流を検出する電流検出抵抗５と、電力増幅
用半導体素子２の温度を検出するためのサーミスタ等か
らなる温度検出素子６と、温度検出素子６の連続信号ま
たはこの連続信号がＡ／Ｄ変換されて発生されたディジ
タル信号のいづれかよりなる温度信号を外部に送出する
温度情報出力手段７等から構成されている。保護回路付
きドライバ回路４１には、電力増幅用半導体素子２のゲ
ートを駆動するゲート駆動回路のほかに、保護回路付き
ドライバ回路４１に付加される直流電圧が低電圧のとき
ＯＮ信号を出力する低電圧保護回路や電力増幅用半導体
素子２を流れる電流が過電流のときＯＮ信号を出力する
過電流保護回路等の電力増幅用半導体素子２の保護回路
とが設けられている。
【００１３】８はフォトカプラ等からなる信号入力手段
（本実施例においては二つの入力を入力され二つの出力
を出力する。）であり、ドライバ回路４または保護回路
付きドライバ回路４１に信号を入力する機能を有する。
９は直流電源であり、信号入力手段８とドライバ回路４
または保護回路付きドライバ回路４１とに電圧を供給す
る。そして、１１は警報信号伝播手段であり、保護回路
付きドライバ回路４１中の低電圧保護回路と過電流保護
回路等の保護回路の出力を伝播し、警報出力を発する。
１２は温度情報出力手段７の出力を連続信号またはこの
連続信号がＡ／Ｄ変換されて発生されたディジタル信号
のいづれかとして外部に伝播する温度情報伝播手段であ
る。
（本実施例においては二つの入力を入力され二つの出力
を出力する。）であり、ドライバ回路４または保護回路
付きドライバ回路４１に信号を入力する機能を有する。
９は直流電源であり、信号入力手段８とドライバ回路４
または保護回路付きドライバ回路４１とに電圧を供給す
る。そして、１１は警報信号伝播手段であり、保護回路
付きドライバ回路４１中の低電圧保護回路と過電流保護
回路等の保護回路の出力を伝播し、警報出力を発する。
１２は温度情報出力手段７の出力を連続信号またはこの
連続信号がＡ／Ｄ変換されて発生されたディジタル信号
のいづれかとして外部に伝播する温度情報伝播手段であ
る。
【００１４】図２参照 図２は温度情報出力手段７と温度情報伝播手段１２との
１実施例を示すブロック図である。図２において、１３
は基準抵抗である。基準抵抗１３と温度検出素子６との
直列回路の両端に電源９から直流定電圧が給電されるの
で、温度検出素子６の端子電圧は温度情報を示すことゝ
なる。この端子電圧は、Ｖ／Ｆ変換器１４により周波数
に変換される。この周波数に変換された温度情報は、温
度情報伝播手段１２に入力され、先ずフォトカプラ等の
信号伝播手段２２によって絶縁され、抵抗１５と静電容
量１６との並列回路に給電している直流定電流源１７の
回路をＯＮ／ＯＦＦするので、抵抗１５と静電容量１６
との並列回路の両端電圧は温度情報を示すことゝなる。
１実施例を示すブロック図である。図２において、１３
は基準抵抗である。基準抵抗１３と温度検出素子６との
直列回路の両端に電源９から直流定電圧が給電されるの
で、温度検出素子６の端子電圧は温度情報を示すことゝ
なる。この端子電圧は、Ｖ／Ｆ変換器１４により周波数
に変換される。この周波数に変換された温度情報は、温
度情報伝播手段１２に入力され、先ずフォトカプラ等の
信号伝播手段２２によって絶縁され、抵抗１５と静電容
量１６との並列回路に給電している直流定電流源１７の
回路をＯＮ／ＯＦＦするので、抵抗１５と静電容量１６
との並列回路の両端電圧は温度情報を示すことゝなる。
【００１５】図３参照 図３はインテリジェントパワーモジュール１の電力増幅
用半導体素子の出力を制限する１実施例を示すブロック
図である。図３において、温度情報伝播手段１２の出力
である電力増幅用半導体素子の温度情報はしきい値判断
手段１８に入力される。マシンサイクルタイムが短い時
は、電力増幅用半導体素子に過負荷が加わり、電力増幅
用半導体素子の温度が上昇することがある。このとき、
従来技術に係るインテリジェントパワーモジュールのオ
ーバーヒート保護回路がＯＮするよりも低い予め定めら
れた温度に到達したとき、しきい値判断手段１８は制限
出力ＡをＯＮする。マシンサイクルタイム制限手段１９
はこのＯＮ出力を受信し、出力指令手段２０に最短マシ
ンサイクルタイムを制限し、マシンサイクルタイムを長
くする出力を発する。出力指令手段２０はこの出力を受
け、信号入力手段８を介してインテリジェントパワーモ
ジュール１に制限されたこれまでより長い最短マシンサ
イクルタイムに対応した指令を発する。このため、電力
増幅用半導体素子の温度上昇の度合いが減じ、温度上昇
が抑えられるので、インテリジェントパワーモジュール
１は動作を継続することができる。
用半導体素子の出力を制限する１実施例を示すブロック
図である。図３において、温度情報伝播手段１２の出力
である電力増幅用半導体素子の温度情報はしきい値判断
手段１８に入力される。マシンサイクルタイムが短い時
は、電力増幅用半導体素子に過負荷が加わり、電力増幅
用半導体素子の温度が上昇することがある。このとき、
従来技術に係るインテリジェントパワーモジュールのオ
ーバーヒート保護回路がＯＮするよりも低い予め定めら
れた温度に到達したとき、しきい値判断手段１８は制限
出力ＡをＯＮする。マシンサイクルタイム制限手段１９
はこのＯＮ出力を受信し、出力指令手段２０に最短マシ
ンサイクルタイムを制限し、マシンサイクルタイムを長
くする出力を発する。出力指令手段２０はこの出力を受
け、信号入力手段８を介してインテリジェントパワーモ
ジュール１に制限されたこれまでより長い最短マシンサ
イクルタイムに対応した指令を発する。このため、電力
増幅用半導体素子の温度上昇の度合いが減じ、温度上昇
が抑えられるので、インテリジェントパワーモジュール
１は動作を継続することができる。
【００１６】また、制限された最短マシンサイクルタイ
ムであっても、電力増幅用半導体素子の温度が上昇し、
従来技術に係るインテリジェントパワーモジュールのオ
ーバーヒート保護回路がＯＮする温度に到達すれば、し
きい値判断手段１８は警報出力ＢをＯＮする。２１は、
しきい値判断手段１８の警報出力Ｂと警報信号伝播手段
１１の出力とが入力されるＯＲ回路である。ＯＲ回路２
１の出力は図示されていない電源ＯＦＦ手段を介してイ
ンテリジェントパワーモジュールの電力増幅用半導体素
子の電源をＯＦＦし、インテリジェントパワーモジュー
ル１を保護する。
ムであっても、電力増幅用半導体素子の温度が上昇し、
従来技術に係るインテリジェントパワーモジュールのオ
ーバーヒート保護回路がＯＮする温度に到達すれば、し
きい値判断手段１８は警報出力ＢをＯＮする。２１は、
しきい値判断手段１８の警報出力Ｂと警報信号伝播手段
１１の出力とが入力されるＯＲ回路である。ＯＲ回路２
１の出力は図示されていない電源ＯＦＦ手段を介してイ
ンテリジェントパワーモジュールの電力増幅用半導体素
子の電源をＯＦＦし、インテリジェントパワーモジュー
ル１を保護する。
【００１７】
【発明の効果】上記のように、本発明によれば、インテ
リジェントパワーモジュールに電力増幅用半導体素子の
温度を検出する温度検出素子と、温度検出素子が検出す
る温度情報を連続信号またはこの連続信号がＡ／Ｄ変換
されて発生されたディジタル信号のいづれかとして外部
に送出する温度情報出力手段とを有しているので、イン
テリジェントパワーモジュールに過負荷が加わり電力増
幅用半導体素子の温度が上昇した時、電力増幅用半導体
素子の電源をＯＦＦせざるを得ない温度に至る前に、温
度検出素子が検出する温度情報を利用してインテリジェ
ントパワーモジュールに印加されている過負荷を制限す
るようにできる。このため、この制限された負荷で、イ
ンテリジェントパワーモジュールは動作を継続すること
ができる。
リジェントパワーモジュールに電力増幅用半導体素子の
温度を検出する温度検出素子と、温度検出素子が検出す
る温度情報を連続信号またはこの連続信号がＡ／Ｄ変換
されて発生されたディジタル信号のいづれかとして外部
に送出する温度情報出力手段とを有しているので、イン
テリジェントパワーモジュールに過負荷が加わり電力増
幅用半導体素子の温度が上昇した時、電力増幅用半導体
素子の電源をＯＦＦせざるを得ない温度に至る前に、温
度検出素子が検出する温度情報を利用してインテリジェ
ントパワーモジュールに印加されている過負荷を制限す
るようにできる。このため、この制限された負荷で、イ
ンテリジェントパワーモジュールは動作を継続すること
ができる。
【００１８】また、制限された負荷でもなお温度上昇
し、電力増幅用半導体素子の電源をＯＦＦせざるを得な
い温度に到達した時は電力増幅用半導体素子の電源をＯ
ＦＦすることにより、インテリジェントパワーモジュー
ルを焼損から保護することができる。
し、電力増幅用半導体素子の電源をＯＦＦせざるを得な
い温度に到達した時は電力増幅用半導体素子の電源をＯ
ＦＦすることにより、インテリジェントパワーモジュー
ルを焼損から保護することができる。
【００１９】かくして、インテリジェントパワーモジュ
ールの出力容量の最高限度まで有効に使用することがで
きる。
ールの出力容量の最高限度まで有効に使用することがで
きる。
【図１】本発明の１実施例に係るインテリジェントパワ
ーモジュールのブロック図である。
ーモジュールのブロック図である。
【図２】温度情報出力手段と温度情報伝播手段との１実
施例を示すブロック図である。
施例を示すブロック図である。
【図３】インテリジェントパワーモジュールの出力を制
限する１実施例を示すブロック図である。
限する１実施例を示すブロック図である。
【図４】従来技術に係るインテリジェントパワーモジュ
ールの１例を示すブロック図である。
ールの１例を示すブロック図である。
１ 本発明の１実施例に係るインテリジェントパワー
モジュール ２ 電力増幅用半導体素子 ３ フライホイールダイオード ４ ドライバ回路 ５ 電流検出抵抗 ６ 温度検出素子 ７ 温度情報出力手段 ８ 信号入力手段 ９ 直流電源 １０ 従来技術に係るインテリジェントパワーモジュ
ール １１ 警報信号伝播手段 １２ 温度情報伝播手段 １３ 基準抵抗 １４ Ｖ／Ｆ変換器 １５ 抵抗 １６ 静電容量 １７ 直流定電流源 １８ しきい値判断手段 １９ マシンサイクルタイム制限手段 ２０ 出力指令手段 ２１ ＯＲ回路 ２２ 信号伝播手段 ４１ 保護回路付きドライバ回路 ７１ オーバーヒート保護回路
モジュール ２ 電力増幅用半導体素子 ３ フライホイールダイオード ４ ドライバ回路 ５ 電流検出抵抗 ６ 温度検出素子 ７ 温度情報出力手段 ８ 信号入力手段 ９ 直流電源 １０ 従来技術に係るインテリジェントパワーモジュ
ール １１ 警報信号伝播手段 １２ 温度情報伝播手段 １３ 基準抵抗 １４ Ｖ／Ｆ変換器 １５ 抵抗 １６ 静電容量 １７ 直流定電流源 １８ しきい値判断手段 １９ マシンサイクルタイム制限手段 ２０ 出力指令手段 ２１ ＯＲ回路 ２２ 信号伝播手段 ４１ 保護回路付きドライバ回路 ７１ オーバーヒート保護回路
Claims (1)
- 【請求項１】 電力増幅用半導体素子（２）と、 該電力増幅用半導体素子（２）の温度を検出する温度検
出素子（６）と、 該温度検出素子（６）が検出する温度情報を連続信号ま
たは該連続信号がＡ／Ｄ変換されて発生されたディジタ
ル信号のいづれかとして外部に送出する温度情報出力手
段（７）とを有することを特徴とするインテリジェント
パワーモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5259495A JPH07115354A (ja) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | インテリジェントパワーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5259495A JPH07115354A (ja) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | インテリジェントパワーモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115354A true JPH07115354A (ja) | 1995-05-02 |
Family
ID=17334894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5259495A Pending JPH07115354A (ja) | 1993-10-18 | 1993-10-18 | インテリジェントパワーモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07115354A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009171312A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Denso Corp | 車載情報伝達装置 |
| DE102010048520A1 (de) | 2010-05-10 | 2011-11-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Elektronische Steuervorrichtung |
| WO2015076014A1 (ja) | 2013-11-22 | 2015-05-28 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュールのドライブ制御方式およびパワー半導体モジュールの制御回路 |
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| WO2017175326A1 (ja) * | 2016-04-06 | 2017-10-12 | 新電元工業株式会社 | パワーモジュール |
-
1993
- 1993-10-18 JP JP5259495A patent/JPH07115354A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JP2009171312A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Denso Corp | 車載情報伝達装置 |
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| JP6284683B1 (ja) * | 2016-04-06 | 2018-03-07 | 新電元工業株式会社 | パワーモジュール |
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