JPH04317217A - 電流検出回路 - Google Patents
電流検出回路Info
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- JPH04317217A JPH04317217A JP8495291A JP8495291A JPH04317217A JP H04317217 A JPH04317217 A JP H04317217A JP 8495291 A JP8495291 A JP 8495291A JP 8495291 A JP8495291 A JP 8495291A JP H04317217 A JPH04317217 A JP H04317217A
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- Japan
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- resistor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
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- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、パワーＭＯＳＦＥＴ
駆動回路などの電流検出回路に関するものである。
駆動回路などの電流検出回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来例の構成を図２を参照しながら説明
する。図２は、従来の電流検出回路を示す回路図である
。
する。図２は、従来の電流検出回路を示す回路図である
。
【０００３】図２において、１はパワーＭＯＳＦＥＴ、
２は駆動電源、３は電流検出抵抗器、４は過電流検出用
の基準電圧、５は過電流検出用の電圧比較器、６はプリ
ドライバ、７は制御入力源、８は負荷である。
２は駆動電源、３は電流検出抵抗器、４は過電流検出用
の基準電圧、５は過電流検出用の電圧比較器、６はプリ
ドライバ、７は制御入力源、８は負荷である。
【０００４】つぎに、前述した従来例の動作を図２を参
照しながら説明する。駆動電源２とパワーＭＯＳＦＥＴ
１との間に配置された電流検出抵抗器３に負荷８のショ
ートなどによる過電流が発生した場合、電流検出抵抗器
３の抵抗値ＲＳと、パワーＭＯＳＦＥＴ１のドレイン及
びソースの間に流れる電流ＩＤＳとの積による電圧比較
器５の反転入力端子側の電圧ＶＳは、基準電圧４より低
い電圧となるので、電圧比較器５の出力は反転する。こ
の反転信号により、プリドライバ６はパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１に流れる過電流を防止する。
照しながら説明する。駆動電源２とパワーＭＯＳＦＥＴ
１との間に配置された電流検出抵抗器３に負荷８のショ
ートなどによる過電流が発生した場合、電流検出抵抗器
３の抵抗値ＲＳと、パワーＭＯＳＦＥＴ１のドレイン及
びソースの間に流れる電流ＩＤＳとの積による電圧比較
器５の反転入力端子側の電圧ＶＳは、基準電圧４より低
い電圧となるので、電圧比較器５の出力は反転する。こ
の反転信号により、プリドライバ６はパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１に流れる過電流を防止する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
電流検出回路では、駆動電源２の変動により、パワーＭ
ＯＳＦＥＴ１に流れる電流ＩＤＳも変動することになる
が、基準電圧４が駆動電源２と異なるため制限電流値の
精度が悪いという問題点があった。
電流検出回路では、駆動電源２の変動により、パワーＭ
ＯＳＦＥＴ１に流れる電流ＩＤＳも変動することになる
が、基準電圧４が駆動電源２と異なるため制限電流値の
精度が悪いという問題点があった。
【０００６】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、駆動電源の変動による影響を受け
ない電流検出回路を得ることを目的とする。
めになされたもので、駆動電源の変動による影響を受け
ない電流検出回路を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る電流検出
回路は、次に掲げる手段を備えたものである。 〔１〕 半導体素子に流れる電流を検出する抵抗素子
。 〔２〕 前記電流をグランド基準の電圧に変換する電
流・電圧変換手段。 〔３〕 前記グランド基準電圧と所定の基準電圧とを
比較することにより過電流を検出する過電流検出手段。
回路は、次に掲げる手段を備えたものである。 〔１〕 半導体素子に流れる電流を検出する抵抗素子
。 〔２〕 前記電流をグランド基準の電圧に変換する電
流・電圧変換手段。 〔３〕 前記グランド基準電圧と所定の基準電圧とを
比較することにより過電流を検出する過電流検出手段。
【０００８】
【作用】この発明においては、抵抗素子によって、半導
体素子に流れる電流が検出される。また、電流・電圧変
換手段によって、前記電流がグランド基準の電圧に変換
される。さらに、過電流検出手段によって、前記グラン
ド基準電圧と所定の基準電圧とを比較することにより過
電流が検出される。
体素子に流れる電流が検出される。また、電流・電圧変
換手段によって、前記電流がグランド基準の電圧に変換
される。さらに、過電流検出手段によって、前記グラン
ド基準電圧と所定の基準電圧とを比較することにより過
電流が検出される。
【０００９】
実施例１．この発明の実施例１の構成を図１を参照しな
がら説明する。図１は、この発明の実施例１を示す回路
図であり、パワーＭＯＳＦＥＴ１〜負荷８は上述した従
来回路のものと全く同一である。
がら説明する。図１は、この発明の実施例１を示す回路
図であり、パワーＭＯＳＦＥＴ１〜負荷８は上述した従
来回路のものと全く同一である。
【００１０】図１において、９は電圧・電流変換回路（
以下「Ｖ／Ｉ変換回路」という。）、１０はＶ／Ｉ変換
用抵抗器、１１は演算増幅器、１２は電流増幅用トラン
ジスタ、１３はＩ／Ｖ変換用抵抗器である。Ｖ／Ｉ変換
用抵抗器１０及びＩ／Ｖ変換用抵抗器１３の抵抗値をそ
れぞれＲ１、Ｒ２とする。
以下「Ｖ／Ｉ変換回路」という。）、１０はＶ／Ｉ変換
用抵抗器、１１は演算増幅器、１２は電流増幅用トラン
ジスタ、１３はＩ／Ｖ変換用抵抗器である。Ｖ／Ｉ変換
用抵抗器１０及びＩ／Ｖ変換用抵抗器１３の抵抗値をそ
れぞれＲ１、Ｒ２とする。
【００１１】ところで、この発明の抵抗素子は、前述し
たこの発明の実施例１ではＶ／Ｉ変換用抵抗器３から構
成され、この発明の電流・電圧変換手段は、実施例１で
はＶ／Ｉ変換回路９及びＩ／Ｖ変換用抵抗器１３から構
成され、この発明の過電流検出手段は、実施例１では基
準電圧４及び電圧比較器５から構成されている。
たこの発明の実施例１ではＶ／Ｉ変換用抵抗器３から構
成され、この発明の電流・電圧変換手段は、実施例１で
はＶ／Ｉ変換回路９及びＩ／Ｖ変換用抵抗器１３から構
成され、この発明の過電流検出手段は、実施例１では基
準電圧４及び電圧比較器５から構成されている。
【００１２】つぎに、前述した実施例１の動作を図１を
参照しながら説明する。Ｖ／Ｉ変換回路９は、電流検出
抵抗器３にかかる電圧ＶＳを電流に変換する。このＶ／
Ｉ変換された電流をＩ１とすると次の式（１）のように
表される。
参照しながら説明する。Ｖ／Ｉ変換回路９は、電流検出
抵抗器３にかかる電圧ＶＳを電流に変換する。このＶ／
Ｉ変換された電流をＩ１とすると次の式（１）のように
表される。
【００１３】
【数１】
【００１４】電流Ｉ１は、Ｉ／Ｖ変換用抵抗器１３に流
れる電流をＩ２とすると次の式（２）のように表される
。
れる電流をＩ２とすると次の式（２）のように表される
。
【００１５】
【数２】
【００１６】Ｉ／Ｖ変換された電圧をＶ２とすれば、式
（１）及び（２）より、次の式（３）が成立する。
（１）及び（２）より、次の式（３）が成立する。
【００１７】
【数３】
【００１８】したがって、式（３）によりＶＳはＲ２／
Ｒ１倍のグランド基準電圧に変換され、電圧比較器５は
このグランド基準電圧と基準電圧４とを比較することに
より過電流を検出する。
Ｒ１倍のグランド基準電圧に変換され、電圧比較器５は
このグランド基準電圧と基準電圧４とを比較することに
より過電流を検出する。
【００１９】この発明の実施例１は、前述したように、
パワーＭＯＳＦＥＴ駆動回路で、電流検出抵抗器３を駆
動電源２とパワーＭＯＳＦＥＴとの間に配置する電流検
出回路において、一端を駆動電源２に接続し他端を演算
増幅器１１の非反転入力端子に接続したＶ／Ｉ変換用抵
抗器１０を設け、演算増幅器１１の反転入力端子をパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１と電流検出抵抗器３との接続点に接続
し、演算増幅器１１の出力端子を電流増幅用トランジス
タ１２のベース端子に接続し、演算増幅器１１の非反転
入力端子と電流増幅用トランジスタ１２のコレクタ端子
とを接続し、電流検出抵抗器３に生じる電位差を演算増
幅器１１と電流増幅用トランジスタ１２とによりＶ／Ｉ
変換用抵抗器１３の両端に印加するので、電圧ＶＳをＶ
／Ｉ変換、及びＩ／Ｖ変換によってグランド基準の電圧
に変換され、駆動電源２の変動によるパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１のＩＤＳの変動の影響を受けず、高精度の制限電流
値設定を実現することができるという効果を奏する。
パワーＭＯＳＦＥＴ駆動回路で、電流検出抵抗器３を駆
動電源２とパワーＭＯＳＦＥＴとの間に配置する電流検
出回路において、一端を駆動電源２に接続し他端を演算
増幅器１１の非反転入力端子に接続したＶ／Ｉ変換用抵
抗器１０を設け、演算増幅器１１の反転入力端子をパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１と電流検出抵抗器３との接続点に接続
し、演算増幅器１１の出力端子を電流増幅用トランジス
タ１２のベース端子に接続し、演算増幅器１１の非反転
入力端子と電流増幅用トランジスタ１２のコレクタ端子
とを接続し、電流検出抵抗器３に生じる電位差を演算増
幅器１１と電流増幅用トランジスタ１２とによりＶ／Ｉ
変換用抵抗器１３の両端に印加するので、電圧ＶＳをＶ
／Ｉ変換、及びＩ／Ｖ変換によってグランド基準の電圧
に変換され、駆動電源２の変動によるパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１のＩＤＳの変動の影響を受けず、高精度の制限電流
値設定を実現することができるという効果を奏する。
【００２０】ところで前述した説明では、パワーＭＯＳ
ＦＥＴを使用する場合について述べたが、その他のバイ
ポーラトランジスタ、静電誘導トランジスタ、サイリス
タ等のパワー素子も使用できることはいうまでもない。
ＦＥＴを使用する場合について述べたが、その他のバイ
ポーラトランジスタ、静電誘導トランジスタ、サイリス
タ等のパワー素子も使用できることはいうまでもない。
【００２１】
【発明の効果】この発明は、以上説明したとおり、半導
体素子に流れる電流を検出する抵抗素子と、前記電流を
グランド基準の電圧に変換する電流・電圧変換手段と、
前記グランド基準電圧と所定の基準電圧とを比較するこ
とにより過電流を検出する過電流検出手段とを備えたの
で、駆動電源の変動による影響を受けないという効果を
奏する。
体素子に流れる電流を検出する抵抗素子と、前記電流を
グランド基準の電圧に変換する電流・電圧変換手段と、
前記グランド基準電圧と所定の基準電圧とを比較するこ
とにより過電流を検出する過電流検出手段とを備えたの
で、駆動電源の変動による影響を受けないという効果を
奏する。
【図１】この発明の実施例１を示す回路図である。
【図２】従来の電流検出回路を示す回路図である。
１ パワーＭＯＳＦＥＴ
２ 駆動電源
３ 電流検出抵抗器
４ 基準電圧
５ 電圧比較器
６ プリドライバ
９ Ｖ／Ｉ変換回路
１３ Ｉ／Ｖ変換用抵抗器
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子に流れる電流を検出する抵
抗素子、前記電流をグランド基準の電圧に変換する電流
・電圧変換手段、及び前記グランド基準電圧と所定の基
準電圧とを比較することにより過電流を検出する過電流
検出手段を備えたことを特徴とする電流検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8495291A JPH04317217A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 電流検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8495291A JPH04317217A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 電流検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04317217A true JPH04317217A (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=13844973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8495291A Pending JPH04317217A (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 電流検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04317217A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000138570A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-05-16 | Denso Corp | 電気負荷の駆動装置 |
| JP2008026082A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Rohm Co Ltd | 電流検出回路ならびにそれを用いた充電制御回路、充電回路および電子機器 |
| CN103604982A (zh) * | 2013-11-19 | 2014-02-26 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | Pxi微电流检测装置 |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP8495291A patent/JPH04317217A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000138570A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-05-16 | Denso Corp | 電気負荷の駆動装置 |
| JP2008026082A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Rohm Co Ltd | 電流検出回路ならびにそれを用いた充電制御回路、充電回路および電子機器 |
| JP4658874B2 (ja) * | 2006-07-19 | 2011-03-23 | ローム株式会社 | 電流検出回路ならびにそれを用いた充電制御回路、充電回路および電子機器 |
| CN103604982A (zh) * | 2013-11-19 | 2014-02-26 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | Pxi微电流检测装置 |
| CN103604982B (zh) * | 2013-11-19 | 2015-11-25 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | Pxi微电流检测装置 |
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