KR920008498A - 전력 mosfet용 쌍방향 전류 감지 회로 - Google Patents

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존 지. 웨브
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Abstract

내용 없음

Description

전력 MOSFET용 쌍방향 전류 감지 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 전형적인 선행기술의 H형 스위치 전류 감지 회로에 대한 개략도.
제2도는 전형적인 부하 요소의 개략도.
제3도는 본 발명의 회로를 단순화한 개략도.

Claims (7)

  1. 드레인, 소오스, 이 소오스 및 드레인 사이의 도통을 제어하는 게이트, 상기 소오스에 접속된 백게이트, 및 상기 드레인 및 상기 소오스사이에 접속된 분로 다이오드를 지니는 확산 금속 산화물 반도체 트랜지스터(DMOST)와 함께 사용하며, 상기 DMOST 소오스 및 분로 다이오드에 흐르는 전류에 비례하는 출력을 발생시키는 기능을 하는 회로에 있어서, 상기 DMOST 드레인과 직렬로 접속된 비교적 낮은 값의 감지용 레지스터, 상기 레지스터에 연결됨으로써 상기 레지스터에 흐르는 전류가 구동전압을 발생시키는 차동 "바이폴라 접합 트랜지스터 (BJT)" 입력단, 상기 입력단에 연결되어 상기 레지스터에 흐르는 전류에 비례하는 단일 단자출력을 제공하는 전류 미러 부하를 포함하는 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감지용 레지스터는 상기 DMOST를 형성하는데 사용되는 금속화층을 포함하는 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 감지용 레지스터는 상기 입력단 트랜지스터의 에미터에 연결되며 제2 레지스터는 상기 입력단 트랜지스터의 베이스 사이에 연결되는 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2레지스터는 저항값에 있어 상기 감지용 레지스터에 비례됨으로써 상기 감지용 레지스터 양단에 발생한 전압이 상기 제2레지스터양단에도 발생하며 상기 비율에 역비례하는 전류가 상기 제2레지스터에 흐르는 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 입력단은 상기 입력 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 게이트 및 상기 입력 트랜지스터의 베이스에 접속된 소오스를 지닌 한쌍의 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 부가적으로 포함하므로써, 상기 MOSFET의 소오스 폴로워 동작에 의해 상기 입력 트랜지스터가 다이오드로서 기능을 하게 되는 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 한쌍의 MOSFET에 전류를 발생시키도록 연결된 제1의 한쌍의 일정 전류 요소를 부가적으로 포함하는 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 BJT 입력단 트랜지스터의 콜렉터로 부터 전류를 싱크시키도록 연결된 제2의 한쌍의 일정 전류 요소를 부가적으로 포함함으로써 상기 전류 미러 부하가 상기 전류에 비례하는 출력 전류를 상기 제2레지스터에 발생시키는 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910018385A 1990-10-19 1991-10-18 전력 mosfet용 쌍방향 전류 감지 회로 KR0170404B1 (ko)

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5134310A (en) * 1991-01-23 1992-07-28 Ramtron Corporation Current supply circuit for driving high capacitance load in an integrated circuit
US5179292A (en) * 1992-06-05 1993-01-12 Acumos, Inc. CMOS current steering circuit
GB9223219D0 (en) * 1992-11-05 1992-12-16 Smiths Industries Plc Current measurement cricuits
GB2272300B (en) * 1992-11-05 1995-12-13 Smiths Industries Plc Current measurement circuits
US5498984A (en) * 1994-09-30 1996-03-12 Maxim Integrated Products High side, current sense amplifier using a symmetric amplifier
EP0764365A2 (en) * 1995-04-10 1997-03-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Level-shifting circuit and high-side driver including such a level-shifting circuit
DE19706946C2 (de) * 1997-02-21 2000-06-21 Daimler Chrysler Ag Battierüberwachungseinheit
JP4371387B2 (ja) * 1999-10-06 2009-11-25 ローム株式会社 制御駆動回路および制御駆動方法
KR100920424B1 (ko) * 2007-12-31 2009-10-08 한국지질자원연구원 전기비저항탐사 송신전극 자동배전 제어 장치 및 방법
JP2011226886A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Miyama Electric Co Ltd 電流検出抵抗モジュール
US8836525B2 (en) 2011-06-06 2014-09-16 Lear Corporation Isolated resistive current sensor
US9213351B2 (en) 2013-11-22 2015-12-15 Analog Devices, Inc. Bi-directional current sensor
CN103616916A (zh) * 2013-11-27 2014-03-05 苏州贝克微电子有限公司 一种低电压差稳压器的电压差的电路
US9784785B2 (en) * 2014-12-09 2017-10-10 Asco Power Technologies, L.P. Method of detecting metal oxide varistor (MOV) failure within a surge protection device
TWI585421B (zh) * 2015-05-22 2017-06-01 登騰電子股份有限公司 電流感測模組及應用其之電源轉換裝置與電子裝置
CN116203373B (zh) * 2023-03-03 2023-11-07 中山大学 一种多功能半导体场效应晶体管测试电路与方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2334013C3 (de) * 1973-07-04 1982-10-07 Metabowerke KG Closs, Rauch & Schnizler, 7440 Nürtingen Elektromotorisch angetriebene und mit einer Drehzahlregel- oder Steuerelektronik ausgerüstete Hans- oder Schlagbohrmaschine
JPS55150791A (en) * 1979-05-14 1980-11-22 Hitachi Ltd Motor driving circuit
DE3139545C2 (de) * 1981-10-05 1984-02-02 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltungsanordnung zur Stromsteuerung eines Gleichstrommotors
US4454454A (en) * 1983-05-13 1984-06-12 Motorola, Inc. MOSFET "H" Switch circuit for a DC motor
YU174183A (en) * 1983-08-23 1986-04-30 Iskra Sozd Elektro Indus Electronic circuit for organizinga the control of a transistor bridge
DE3811799A1 (de) * 1988-04-08 1989-10-19 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum bidirektionalen ansteuern von gleichstrommotoren oder gleichstromstellgliedern

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KR0170404B1 (ko) 1999-03-30
JPH04290965A (ja) 1992-10-15
DE69123813T2 (de) 1997-07-10
DE69123813D1 (de) 1997-02-06
EP0481328A2 (en) 1992-04-22

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