KR960039341A - 높은 부의 클램프 전압 및 고장시 안전 동작 기능을 갖춘 모스게이트된 집적 파워 반도체 장치 - Google Patents

높은 부의 클램프 전압 및 고장시 안전 동작 기능을 갖춘 모스게이트된 집적 파워 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

모스게이트된 파워 장치를 갖춘 고측부 스위치는 모스게이트된 파워 장치의 게이트 및 소오스 사이에 연결되는 제어 MOSFET을 포함하는 제어 회로를 구비한다. 파워 장치를 온 및 오프시키는 입력 신호는 레벨 트랜슬레이터 회로에 연결되고, 레벨 트랜슬레이터 회로는 제어 MOSFET의 게이트를 구동하는 인버터 회로에 연결된다. 제어 MOSFET은 오프시에 파워 MOSFET이 온되는 것을 방지한다. 높은 부의 클램프 전압으로 인해, 오프시의 전류의 di/dt 감소가 더욱 커져서 오프 시간을 줄어든다. Vcc가 낮고 출력 전압이 부의 값을 가지면, 파워 MOS 장치는 온될 수 없다.

Description

높은 부의 클램프 전압 및 고장시 안전 동작 기능을 갖춘 모스게이트된 집적 파워 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 트랜지스터-저항기 인버터 및 레벨 변환 회로를 채용한, 본 발명의 바람직한 실시예의 회로도.

Claims (10)

  1. 제1 및 제2 파워 전극 및 제어 전극을 갖춘 모스게이트된 반도체 파워 장치와 상기 파워 장치를 온 또는 오프 시키는 신호를 생성하는 입력 회로를 구비하는 고측부 스위치 회로에 있어서, 상기 제1 파워 전극 및 상기 파워 장치의 상기 제어 전극 사이에 연결되어, 주 제어 MOSFET이 온으로 되었을 때 상기 파워 장치를 오프시키는 주 제어 MOSFET과, 신호 레벨 트랜슬레이터 회로와 인버터 회로를 구비하며, 상기 신호 레벨 트랜슬레이터 회로는 상기 입력 회로 및 상기 인버터 회로 사이에 연결되며, 상기 인버터 회로는 상기 주 제어 MOSFET에 연결되어서 입력 오프 신호에 응답하여 상기 제어 MOSFET을 온시키며, 상기 주 제어 MOSFET의 문턱 유도 전압은 상기 모스게이트된 반도체 파워 장치의 문턱 유도 전압보다 낮은 것을 특징으로 하는 고측부 스위치 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 파워 장치의 상기 제2 파워 전극에 연결되는 Vcc 단자와, 상기 파워 장치의 상기 제 파워 전극에 연결되는 출력 전압 단자와, 논리 접지 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 고측부 스위치 회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 모스게이트된 파워 장치는 파워 MOSFET인 것을 특징으로 하는 고측부 스위치 회로.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 파워 장치 및 상기 제어 MOSFET은 공통 반도체 칩에 집적되는 N 채널 장치이고, 상기 인버터 회로 및 트랜슬레이터 회로는 상기 공통 반도체 칩에 또한 집적되는 것을 특징으로 하는 고측부 스위치 회로.
  5. 제2항, 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 인버터 회로는 저항기와, 직렬로 연결되며 노드를 갖는 제2 제어 MOSFET으로 구성되며, 상기 제2 MOSFET의 일단부는 상기 출력 전압 단자에 연결되고, 상기 저항기 및 상기 제2 MOSFET 사이의 노드는 상기 주 제어 MOSFET의 게이트에 연결되는 것을 특징으로 하는 고측부 스위치 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2 제어 MOSFET의 게이트 및 상기 출력 전압 단자 사이에 연결되는 제너 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 고측부 스위치 회로.
  7. 제2항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 트랜슬레이터 회로는 동일한 제1 및 제2 트랜슬레이터 MOSFET과 동일한 제1 및 제2 트랜슬레이터 저항기로 구성되며, 상기 제1 및 제2 트랜슬레이터 MOSFET은 상기 제1 및 제2 트랜슬레이터 저항기와 각각 직렬로 연결되며, 상기 제1 및 제2 트랜슬레이터 MOSFET은 상기 출력 단자에 연결되며, 상기 제1 트랜슬레이터 저항기는 상기 접지단자에 연결되고, 상기 제1 트랜슬레이터 MOSFET 및 제1 트랜슬레이터 저항기 사이의 노드는 상기 제1 및 제2 트랜슬레이터 MOSFET의 게이트에 연결되며, 상기 제2 트랜슬레이터 MOSFET 및 상기 제2 트랜슬레이터 저항기 사이의 노드는 상기 제2 제어 MOSFET의 게이트에 연결되며, 상기 회로는 상기 제2 트랜슬레이터 저항기를 상기 입력 회로에 연결하는 커플링 회로 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 고측부 스위치 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 커플링 회로 수단은 상기 Vcc 단자에 연결되는 풀업 저항기와 직렬로 연결되는 MOSFET 수단을 포함하며, 상기 MOSFET 수단의 게이트는 상기 입력 회로에 연결되고, 상기 MOSFET 수단 및 상기 풀업 저항기 사이의 노드는 양극 트랜지스터의 베이스에 연결되며, 상기 수단은 상기 양극 트랜지스터 및 상기 제2 트랜슬레이팅 저항기 사이에 연결되는 제너 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 고측부 스위치 회로.
  9. 제2항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 제한 저항기를 통과하는 상기 파워 장치의 게이트와 상기 논리 접지 단자 사이에 연결되는 제3 MOSFET 수단을 포함하며, 상기 입력 회로는 상기 제3 MOSFET 수단의 게이트에 연결되는 것을 특징으로 하는 고측부 스위치 회로.
  10. 제7항에 있어서, 상기 커플링 회로 수단은 상기 Vcc에 연결되는 풀업 저항기와 직렬로 연결되는 제1 MOSFET 수단을 포함하며, 상기 제1 MOSFET 수단의 게이트는 상기 입력 회로에 연결되고, 상기 제1 MOSFET 및 상기 풀업 저항기 사이의 노드는 더 높은 트랜지스터의 베이스에 연결되며, 상기 수단은 상기 양극 트랜지스터의 에미터 및 상기 제2 트랜슬레이팅 저항기 사이에 연결되는 제2 MOSFET 수단을 포함하며, 상기 제2 MOSFET 트랜지스터의 게이트는 그 드레인에 연결되는 것을 특징으로 하는 고측부 스위치 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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