JP5064905B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
車載品等の場合、入力端子INは、内部GND(内部接地配線GW)では無く電源装置11のGND側に接地することでアクティブとなる。GNDと内部接地配線GWが切り離された状態でアクティブとされると、ダイオードD4がない(短絡状態の)場合、回路電流は内部接地配線GW→ダイオードD2→抵抗素子R2→入力端子IN(GND)へと流れる。R1≫R2であれば、回路電流はほとんど抵抗素子R1を流れることが無く、NMOSトランジスタNM2がオンするに至らない。したがって、NMOSトランジスタNM1は、ターンオン動作に入ることとなる。その際、電源端子Vcc−内部接地配線GW間の電位は、「VCC(電源端子Vccの電位)−I(R2の電流)×R2−VF(ダイオードD2の順方向電圧降下)」となる。この電位で内部回路13における昇圧機能が動作しNMOSトランジスタNM1を十分にオンすることができるゲート昇圧を得られる場合は、NMOSトランジスタNM1は破壊に至らない。しかし、NMOSトランジスタNM1をオンとするゲート昇圧を得られない場合には、NMOSトランジスタNM1がハーフオンとなって破壊に至る可能性がある。
通常、プルダウン電位は内部GNDである為、GNDと内部接地配線GWが切り離されている際には内部接地配線GWの電位は、「(出力端子OUTの電位≒負荷12のGND側電位)+VF(ダイオードD3の順方向電圧降下)」以下となっている。入力端子INをハイレベルにすると、入力端子IN→抵抗素子R2→内部回路13→内部接地配線GW→抵抗素子R1→出力端子OUTへと流れる電流が発生する。抵抗素子R1には、この電流の他に内部回路13の回路電流が流れることとなる。したがって、NMOSトランジスタNM2のゲート・ソース間電圧が発生しトランジスタNMOSトランジスタNM2がオンすることでNMOSトランジスタNM1のゲート・ソース間は低インピーダンスで接続されることとなる。
11 電源装置
12 負荷
13 内部回路
14 昇圧回路
D1、D2、D3、D4 ダイオード
GND 接地端子
GW 内部接地配線
I1、I2 定電流回路
IN 入力端子
NM1、NM2、NM3 NMOSトランジスタ
OUT 出力端子
P 配線経路
PM1、PM2、PM3 PMOSトランジスタ
R0 接地抵抗
R1、R2、R3 抵抗素子
SW1、SW2、SW3 スイッチ回路
Vcc 電源端子
Claims (5)
- 負荷に出力電流を供給する出力用MOSトランジスタのゲートおよびソース間にそれぞれドレインおよびソースを接続すると共に、接地端子に接続される内部接地配線にゲートを接続するスイッチ用MOSトランジスタと、
前記スイッチ用MOSトランジスタのゲート・ソース間を接続する電位差発生回路と、
入力端子と前記内部接地配線との間に直列接続される、互いに逆方向となる第1および第2のダイオードと、
を備え、
前記電位差発生回路は、抵抗素子と第3のダイオードとの直列接続回路であることを特徴とする半導体装置。 - 電源と前記内部接地配線との間に存在する寄生容量によって電源投入時に前記電位差発生回路の両端に所定値以上の電圧が発生した場合に前記スイッチ用MOSトランジスタがオンとなり、通常動作時に前記電位差発生回路の両端の電圧は所定値未満であって前記スイッチ用MOSトランジスタがオフとなるように構成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記出力用MOSトランジスタは、出力端子を介して前記負荷に出力電流を供給することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記内部接地配線は、接地抵抗を介して前記接地端子に接続されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記入力端子にアクティブな信号が与えられた場合に前記出力用MOSトランジスタをオンとするように前記出力用MOSトランジスタのゲートに昇圧電圧を供給する昇圧回路と、
前記スイッチ用MOSトランジスタのゲートおよびソース間にそれぞれゲートおよびソースを接続すると共に、前記電位差発生回路の両端に所定値以上の電圧が発生した場合に前記出力用MOSトランジスタのゲートへの前記昇圧電圧の供給を停止するように前記昇圧回路を制御する制御用MOSトランジスタと、
をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載の半導体装置。
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