JP4597044B2 - 逆流防止回路 - Google Patents
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Description
しかし、このようなスイッチ回路は、機器が所定の目的を達するために必ずしも必要ではなく、発熱等の危険性や負荷からの逆流による電池等の電源を保護する機能の一つとして用いられている場合が多かった。このような観点から、スイッチ回路での消費電力は無駄な電力として扱われる場合が多く、スイッチ回路自体の省電力化も求められていた。
図6は、従来の逆流防止回路の例を示した図である(例えば、特許文献1参照。)。
図6では、ダイオード109がスイッチ103と直列に接続されており、入力側である電源107の電圧が出力側であるダイオード109のカソードの電圧よりも大きい場合は、ダイオード109には順方向のバイアスがかかるため、ダイオード109に電流が流れる。逆に、出力側であるダイオード109のカソードの電圧が入力側である電源107の電圧よりも大きい場合は、ダイオード109における逆バイアス時の電圧−電流特性によって逆電流の発生が抑制されている。
図7では、バイアス電源112の電圧は電源107の電圧よりも小さく、雑音耐圧を増す目的で設けられており、入力側である電源107の電圧と出力側であるPMOSトランジスタからなるスイッチ113のドレイン電圧をコンパレータ111で電圧比較し、前記出力側の電圧が前記入力側の電圧からバイアス電源112の電圧だけ小さい電圧以上になると、スイッチ113のゲートをハイレベルの信号で固定してオフさせ、スイッチ113を遮断状態にして逆電流の発生を防止する。
このように、従来の逆流防止回路では、ダイオードによる電圧降下、消費電力の増大及び回路規模の増大という問題があった。
前記出力端OUTの電圧を基準にして、前記入力端INの電圧である入力電圧を2値化して出力する論理回路と、
該論理回路の出力信号に応じて前記第1のスイッチの制御電極を所定の電圧に接続して該第1のスイッチを遮断状態にする遮断回路と、
を備え、
前記論理回路は、入力端に前記入力電圧が入力され前記出力電圧を電源とするインバータからなり、前記入力電圧が前記出力端OUTの電圧である出力電圧よりも小さくなると、前記遮断回路に対して、前記第1のスイッチを遮断状態にするための信号を出力するものである。
前記第1のスイッチのサブストレートゲートと接地電圧との間に接続され、前記論理回路の出力信号に応じて前記第2のスイッチと同じスイッチング動作を行う第3のスイッチと、
を備えるようにした。
インバータをNチャネル型のMOSトランジスタとPチャネル型のMOSトランジスタの組み合わせで実現した場合、ほとんどの入力電圧に対して動作するMOSトランジスタはいずれか一方のみになるため、電源から接地端子にインバータ内部を通過して流れる電流である貫通電流をなくすことができる。
また、前記インバータは、前記出力電圧を電源にするようにしたことから、該インバータ用の電源を別途設ける必要をなくすことができる。
また、前記インバータの出力端をプルダウンするプルダウン抵抗を備えるようにしたことから、前記入力端IN及び/又は出力端OUTに加わるノイズによる前記第2のスイッチの誤動作を防止することができる。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態における逆流防止回路の回路例を示した図である。
図1のスイッチ回路は、入力端INに接続された直流電源10と出力端OUTに接続された負荷11を接続する回路であり、NMOSトランジスタからなるスイッチ2と、スイッチ2にゲート電圧を供給してオンさせるゲート駆動回路3と、負荷11から直流電源10への電流の逆流を防止する逆流防止回路4とで構成されている。逆流防止回路4は、NMOSトランジスタ7及びインバータ8で構成されている。なお、スイッチ2は第1のスイッチを、NMOSトランジスタ7は遮断回路を、インバータ8は論理回路をそれぞれなす。また、NMOSトランジスタ7は第2のスイッチをなす。
逆流防止回路4は、出力端OUTの電圧が入力端INの電圧よりも大きくなり、スイッチ2を介して出力端OUTから入力端INに電流が逆流することを防止する。
インバータ8の内部回路としては、NMOSトランジスタと抵抗、PMOSトランジスタと抵抗、又はNMOSトランジスタとPMOSトランジスタ等の組み合わせを用いることができるが、消費電力を低減させるためにはNMOSトランジスタとPMOSトランジスタの組み合わせを使用する方がよい。
図2において、ゲート駆動回路3は、所定の直流電圧を供給する電圧源20、所定の矩形波を生成して出力する発振回路21,ダイオード22〜24,インバータ25,26及びコンデンサ27〜29で構成されている。
電圧源20において、正側電源端子はダイオード22のアノードとコンデンサ27の一端に接続され、コンデンサ27の他端とインバータ25の入力端は発振回路21の出力端に接続されている。ダイオード22のカソードは、ダイオード23のアノードとコンデンサ28の一端にそれぞれ接続され、インバータ25の出力端は、コンデンサ28の他端及びインバータ26の入力端にそれぞれ接続されている。同様に、ダイオード23のカソードは、ダイオード24のアノードとコンデンサ29の一端にそれぞれ接続され、インバータ26の出力端は、コンデンサ29の他端に接続されている。ダイオード24のカソードが、ゲート駆動回路3の出力端をなし、スイッチ2のゲートに接続されている。
前記第1の実施の形態では、出力端OUTの電圧が低下した場合、インバータ8の電源電圧が低下することから、インバータ8の出力信号がローレベルになるための入力電圧範囲が狭まる。従って、入力端INの電圧が出力端OUTの電圧よりもわずかに下がっただけで、インバータ8の出力端から出力端OUTの電圧と同程度の電圧が出力され、NMOSトランジスタ7をオンさせる可能性があった。そこで、インバータ8の出力端と接地電圧との間に、プルダウン抵抗の働きをする定電流源を形成したデプレッション型のNMOSトランジスタを設けるようにしてもよく、このようにしたものを本発明の第2の実施の形態とする。
図3は、本発明の第2の実施の形態における逆流防止回路の回路例を示した図である。なお、図3では、図1と同じもの又は同様のものは同じ符号で示し、ここではその説明を省略すると共に図1との相違点のみ説明する。
図3のスイッチ回路は、スイッチ2と、ゲート駆動回路3と、負荷11から直流電源10への電流の逆流を防止する逆流防止回路4aとで構成されている。逆流防止回路4aは、NMOSトランジスタ7、インバータ8及びデプレッション型NMOSトランジスタ31で構成されている。インバータ8の出力端と接地電圧との間にデプレッション型NMOSトランジスタ31が接続され、デプレッション型NMOSトランジスタ31のゲート及びサブストレートゲートはそれぞれ接地電圧に接続されている。
図4における図3との相違点は、デプレッション型NMOSトランジスタ31のゲートを入力端INに接続したことにある。このようにすることによっても、図3の場合と同様の効果を得ることができる。
スイッチ2のサブストレートゲートが接地電圧であると、入力端INに正規の電圧が加わった状態でスイッチ2が導通した場合、スイッチ2のソースとサブストレートゲートとの間に逆バイアスがかかるため、基板バイアス効果によってスイッチ2のしきい値電圧が上昇し、結果的にスイッチ2のオン抵抗が増加してしまう。このようなことを防止するために、前記第1及び第2の各実施の形態では、スイッチ2のサブストレートゲートは出力端OUTと同じ電圧に保たれ、基板バイアス効果の影響を受けないようにしていた。しかし、このようにした場合、逆流状態に陥ると入力端INよりもサブストレートゲートの電圧が大きくなるため、スイッチ2の寄生トランジスタが順バイアス状態になって、電流のリークを引き起こす場合が考えられる。そこで、スイッチ2のサブストレートゲートに対しても逆流状態時における接地回路が必要となり、このようにしたものを本発明の第3の実施の形態とする。
図5における図3との相違点は、逆流状態のときに接地回路をなすNMOSトランジスタ35及び抵抗36を追加したことにある。これに伴って図2の逆流防止回路4aを逆流防止回路4bにした。
図5のスイッチ回路は、スイッチ2と、ゲート駆動回路3と、負荷11から直流電源10への電流の逆流を防止する逆流防止回路4bとで構成されている。逆流防止回路4bは、NMOSトランジスタ7,35、インバータ8、デプレッション型NMOSトランジスタ31及び抵抗36で構成されている。なお、NMOSトランジスタ35は第3のスイッチをなす。スイッチ2のサブストレートゲートは抵抗36を介して出力端OUTに接続され、スイッチ2のサブストレートゲートと接地電圧との間にNMOSトランジスタ35が接続されている。NMOSトランジスタ35のゲートはインバータ8の出力端に接続され、NMOSトランジスタ35のサブストレートゲートは接地電圧に接続されている。
3 ゲート駆動回路
4,4a,4b 逆流防止回路
7,35 NMOSトランジスタ
8 インバータ
10 直流電源
11 負荷
31 デプレッション型NMOSトランジスタ
36 抵抗
Claims (11)
- 入力端INから出力端OUTへの電流の流れを第1のスイッチによって導通又は遮断するスイッチ回路における、前記出力端OUTから前記入力端INへ電流が流れる逆流を防止する逆流防止回路において、
前記出力端OUTの電圧を基準にして、前記入力端INの電圧である入力電圧を2値化して出力する論理回路と、
該論理回路の出力信号に応じて前記第1のスイッチの制御電極を所定の電圧に接続して該第1のスイッチを遮断状態にする遮断回路と、
を備え、
前記論理回路は、入力端に前記入力電圧が入力され前記出力電圧を電源とするインバータからなり、前記入力電圧が前記出力端OUTの電圧である出力電圧よりも小さくなると、前記遮断回路に対して、前記第1のスイッチを遮断状態にするための信号を出力することを特徴とする逆流防止回路。 - 前記インバータは、Nチャネル型のMOSトランジスタと抵抗との組み合わせで形成されることを特徴とする請求項1記載の逆流防止回路。
- 前記インバータは、Pチャネル型のMOSトランジスタと抵抗との組み合わせで形成されることを特徴とする請求項1記載の逆流防止回路。
- 前記インバータは、Pチャネル型及びNチャネル型の各MOSトランジスタの組み合わせで形成されることを特徴とする請求項1記載の逆流防止回路。
- 前記インバータの出力端をプルダウンするプルダウン抵抗を備えることを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の逆流防止回路。
- 前記プルダウン抵抗は、ゲートが接地電圧に接続されて定電流源をなすデプレッション型MOSトランジスタであることを特徴とする請求項5記載の逆流防止回路。
- 前記プルダウン抵抗は、前記インバータの出力端と接地電圧との間に接続されると共にゲートに前記入力電圧が入力されたデプレッション型MOSトランジスタであることを特徴とする請求項5記載の逆流防止回路。
- 前記第1のスイッチは、Nチャネル型のMOSトランジスタであり、前記遮断回路は、該Nチャネル型のMOSトランジスタのゲートと接地電圧との間に接続され、前記論理回路の出力信号に応じてスイッチングを行う第2のスイッチからなることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の逆流防止回路。
- 前記第2のスイッチは、ゲートに前記論理回路の出力信号が入力されたMOSトランジスタであることを特徴とする請求項8記載の逆流防止回路。
- 前記第1のスイッチのサブストレートゲートと前記出力端OUTとの間に接続された抵抗と、
前記第1のスイッチのサブストレートゲートと接地電圧との間に接続され、前記論理回路の出力信号に応じて前記第2のスイッチと同じスイッチング動作を行う第3のスイッチと、
を備えることを特徴とする請求項8又は9記載の逆流防止回路。 - 前記第3のスイッチは、ゲートに前記論理回路の出力信号が入力されたMOSトランジスタであることを特徴とする請求項10記載の逆流防止回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005355809A JP4597044B2 (ja) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | 逆流防止回路 |
US11/636,308 US7423471B2 (en) | 2005-12-09 | 2006-12-07 | Backflow preventing circuit capable of preventing reverse current efficiently |
US12/177,451 US7705657B2 (en) | 2005-12-09 | 2008-07-22 | Backflow preventing circuit capable of preventing reverse current efficiently |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005355809A JP4597044B2 (ja) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | 逆流防止回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007166685A JP2007166685A (ja) | 2007-06-28 |
JP4597044B2 true JP4597044B2 (ja) | 2010-12-15 |
Family
ID=38173149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005355809A Expired - Fee Related JP4597044B2 (ja) | 2005-12-09 | 2005-12-09 | 逆流防止回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7423471B2 (ja) |
JP (1) | JP4597044B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008047384A2 (en) * | 2006-07-26 | 2008-04-24 | Vijay Jagdish Chheda | An energy source |
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-
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- 2006-12-07 US US11/636,308 patent/US7423471B2/en not_active Expired - Fee Related
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2008
- 2008-07-22 US US12/177,451 patent/US7705657B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2007166685A (ja) | 2007-06-28 |
US20070139836A1 (en) | 2007-06-21 |
US20080285191A1 (en) | 2008-11-20 |
US7423471B2 (en) | 2008-09-09 |
US7705657B2 (en) | 2010-04-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080131 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080919 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100511 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100914 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100921 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 3 |
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