DE4403201C2 - Ansteuerschaltung für ein MOS-Halbleiterbauelement mit sourceseitiger Last - Google Patents
Ansteuerschaltung für ein MOS-Halbleiterbauelement mit sourceseitiger LastInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Steuerschaltung für ein
MOS-Halbleiterbauelement, dem sourceseitig eine Last in Reihe geschaltet ist, mit:
MOS-Halbleiterbauelement, dem sourceseitig eine Last in Reihe geschaltet ist, mit:
- a) einer auf schwebendem Potential liegenden Spannungsquelle, deren erster Anschluß über einen ersten steuerbaren Schalter mit dem Gateanschluß des MOS-Halbleiterbauelementes und deren zweiter Anschluß mit dem Sourceanschluß des MOS- Halbleiterbauelementes verbunden ist,
- b) einem zweiten, durch ein Eingangssignal steuerbaren Schalter, dessen erster Lastanschluß mit einer auf einem festen Potential liegenden Leitung verbunden ist und dessen zweiter Lastanschluß abhängig vom Eingangssignal von einem ersten auf ein zweites Potential geschaltet wird, wobei der zweite Lastanschluß einen Steuereingang des ersten steuerbaren Schalters bildet, und wobei
- c) das erste und zweite Potential zwischen den Potentialen der beiden Anschlüsse der Spannungsquelle liegt, und
- d) das erste und zweite Potential an den Steuereingang des ersten steuerbaren Schalters gelegt wird derart, daß dieser leitend gesteuert wird, wenn ein Eingangssignal angelegt ist.
Eine solche Steuerschaltung ist z. B. in der DE 39 29 026 A1
beschrieben worden. Als auf schwebendem Potential liegende
Spannungsquelle wird hier ein Kondensator verwendet. Dieser
Kondensator lädt über den ersten steuerbaren Schalter die
Gate-Sourcekapazität des MOS-Halbleiterbauelements auf.
Aufgeladen wird der Kondensator über einen zweiten steuerbaren
Schalter. Dabei fließt ein Strom von einer Spannungsquelle
über zwei in Reihe geschaltete Widerstände. Der Steuereingang
des ersten Schalters ist mit dem Knoten zwischen den
Widerständen verbunden. Eine solche Schaltung eignet sich
dazu, ein MOS-Halbleiterbauelement mit sourceseitiger Last
durch eine auf ein festes Potential, z. B. Masse, bezogene
Spannungsquelle zu steuern. Allerdings ist die Steuerung
nicht sehr exakt, weil das Potential am genannten Knoten vom
Sourcepotential des Leistungs-Halbleiterbauelements abhängt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Steuerschal
tung der erwähnten Art so weiterzubilden, daß eine exaktere
Steuerung möglich ist.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale, daß zwischen
dem ersten Anschluß der Spannungsquelle und dem Steuereingang ein als erste
Stromquelle geschalteter MOSFET angeschlossen ist, daß der
zwischen dem Steuereingang und der auf festem Potential
liegenden Leitung angeschlossene zweite steuerbare Schalter
ein weiterer MOSFET ist, der im eingeschalteten Zustand als
zweite Stromquelle arbeitet und daß der Strom der zweiten
Stromquelle größer ist als der Strom der ersten Stromquelle.
Die erfindungsgemäße Schaltung hat neben der exakteren Steuerbarkeit
noch den Vorteil, daß sie leicht in Form einer
integrierten Schaltung realisiert werden kann.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird anhand von vier Ausführungsbeispielen in
Verbindung mit den Fig. 1 bis 4 näher erläutert.
Die Steuerschaltung nach Fig. 1 enthält ein MOS-Halbleiter
bauelement, dem sourceseitig eine Last 2 in Reihe geschaltet
ist. Das MOS-Halbleiterbauelement kann ein MOSFET oder ein
IGBT sein. Die Reihenschaltung ist über zwei Anschlüsse 3, 4
an eine auf festes Potential, hier auf Masse, bezogene Span
nung VH gelegt. Der Gateanschluß und der Sourceanschluß von
1 sind mit zwei Ausgangsanschlüssen 14, 15 eines ersten
steuerbaren Schalters 7 verbunden. Der steuerbare Schalter 7
hat zwei Eingangsanschlüsse 11, 12, die mit Anschlüssen 5, 6
einer auf schwebendem Potential liegenden Spannungsquelle 16
verbunden sind.
Der steuerbare Schalter 7 hat einen Steuereingang 19, der
über einen zweiten steuerbaren Schalter 8 angesteuert wird.
Dieser steuerbare Schalter, im Ausführungsbeispiel ein
MOSFET, wird seinerseits über ein an den Anschlüssen 9, 10 an
gelegtes Eingangssignal leitend gesteuert. Der Anschluß 10
und damit die zum Sourceanschluß des MOSFET 8 und zum An
schluß 4 führende Leitung 17 liegt auf festem Potential, im
Ausführungsbeispiel auf Masse.
Die generelle Wirkungsweise ist derart, daß ein an die An
schlüsse 9, 10 angelegtes, auf Masse bezogenes Eingangs
signal den MOSFET 8 leitend steuert und der durch den MOSFET
8 fließende Strom unabhängig von seinem Drainpotential den
Schalter 7 leitend steuert. Die Spannungsquelle 16 lädt dann
die Gate-Source-Kapazität des MOS-Halbleiterbauelements 1
auf, so daß dieser zu leiten beginnt. Dem ansteigendem Sour
cepotential VS von 1 folgt das Potential am Steuereingang
19, so daß der Schalter 7 und damit das Halbleiterbauelement
1 leitend bleibt, wie im einzelnen weiter unten erläutert
werden wird.
Der erste steuerbare Schalter 7 enthält einen ersten MOSFET
20, dessen Drainanschluß mit dem ersten Anschluß 5 der Span
nungsquelle 16 und dessen Sourceanschluß mit dem Gatean
schluß des MOS-Halbleiterbauelements 1 verbunden ist. Gate
anschluß und Drainanschluß von 20 sind über einen Widerstand
21 miteinander verbunden. Zwischen den Anschlüssen 5, 6 bzw.
11, 12 liegt die Reihenschaltung aus einer Stromquelle 22
und einer Diode 23. Dabei ist der Anodenanschluß von 23 mit
dem zweiten Anschluß 6 verbunden. Der Gateanschluß des
MOSFET 20 ist außerdem über die Drain-Source-Strecke eines
zweiten MOSFET 24 mit dem zweiten Anschluß 6 verbunden. Der
Gateanschluß von 24 ist mit dem Knoten 25 zwischen Strom
quelle 22 und Diode 23 und außerdem mit dem Steuereingang 19
des steuerbaren Schalter 7 verbunden. Zwischen dem Gate- und
dem Sourceanschluß des MOSFET 1 ist die Drain-Sourcestrecke
eines MOSFET 27 angeschlossen, dessen Gateanschluß ebenfalls
mit dem Knoten 25 verbunden ist.
Ohne Eingangssignal an den Anschlüssen 9, 10 ist der MOSFET
8 gesperrt und die durch einen MOSFET vom Verarmungstyp ge
bildete Stromquelle 22 hebt den Knoten 25 auf ein Potential
an, das gleich dem Potential VB am Anschluß 5 ist. Da das
Potential VB höher als das Sourcepotential VS ist, ist der
MOSFET 24 leitend. Am Gateanschluß von 20 liegt daher das
Potential VS zuzüglich der Durchlaßspannung von 24 an, am
Sourceanschluß das Potential VS zuzüglich der Durchlaßspan
nung des MOSFET 27, der durch das Potential am Knoten 25
leitend gesteuert wird. Der MOSFET 20 ist daher gesperrt.
Das Halbleiterbauelement 1 ist ebenfalls gesperrt, weil sein
Gate über den eingeschalteten MOSFET 27 mit VS verbunden
ist.
Wird an die Anschlüsse 9, 10 ein Eingangssignal angelegt, so
wird der MOSFET 8 leitend gesteuert. Der MOSFET 8 ist derart
dimensioniert, daß er durch das Eingangssignal im waagrech
ten Bereich seiner Kennlinien (Sättigungsbereich) betrieben
wird. Er arbeitet somit in diesem Zustand als Stromquelle.
Wird der MOSFET 8 leitend gesteuert, so fließt ein Strom vom
Anschluß 5 über die Stromquelle 22 durch den MOSFET 8 nach
Masse. Die Schaltung ist so dimensioniert, daß durch den
MOSFET 8 im eingeschalteten Zustand mehr Strom fließen könnte als
durch die Stromquelle 22. Damit liegt am Knoten 25 jetzt das
Sourcepotential VS von 1 abzüglich der Durchlaßspannung der
Diode 23. Daher wird der MOSFET 24 gesperrt, der Widerstand
21 wird stromlos und am Gate des MOSFET 20 liegt das Poten
tial VB. Der MOSFET 20 wird leitend gesteuert und das
MOS-Halbleiterbauelement 1 beginnt zu leiten. Damit steigt sein
Sourcepotential an. Das Potential am Knoten 25 und am An
schluß 5 steigt mit dem Sourcepotential VS, so daß der
MOSFET 20 leitend bleibt und damit das MOS-Halbleiterbauelement
1 voll leitend gesteuert wird.
Der MOSFET 27 dient in bekannter Weise zum schnellen Ab
schalten des MOSFET 1. Er ist bei gesperrtem MOSFET 8 lei
tend, wodurch der MOSFET 1 sicher gesperrt wird. Bei leiten
dem MOSFET 8 wird der MOSFET 27 gesperrt und das MOS-Halb
leiterbauelement kann zu leiten beginnen.
Auf schwebendem Potential liegende Spannungsquellen sind be
kannt. Sie könnte z. B. durch einen zwischen den Anschlüssen
5 und 6 angeschlossenen Bootstrap-Kondensator realisiert
werden, der über eine externe Spannungsquelle aufgeladen
wird.
Wie in Verbindung mit Fig. 1 erläutert wurde, bewegt sich
das Potential am Knoten 25 zwischen VB bis etwa VS. Dieser
große Spannungshub kann in einer integrierten Schaltung un
erwünschte parasitäre Effekte erzeugen. Dies wird durch die
Schaltung nach Fig. 2 verhindert.
Die Steuerschaltung nach Fig. 2 unterscheidet sich von der
nach Fig. 1 durch eine andere Ausführung des ersten steuer
baren Schalters 7. Der steuerbare Schalter enthält außer den
MOSFET 20 und 24 und dem Widerstand 21 die Reihenschaltung
aus einem Widerstand 31 und einer Diode 30. Diese Reihen
schaltung ist zwischen den Anschlüssen 5 und 6 angeschlos
sen. Weiter liegen zwischen den Anschlüssen 5 und 6 die Rei
henschaltung aus einem Bipolartransistor 32 und einer Strom
quelle 33 und die Reihenschaltung aus einer Stromquelle 34
und einem MOSFET 35. Dabei liegt der Widerstand 31, der
Emitteranschluß des Bipolartransistors 32 und die Strom
quelle 34 am Anschluß 5. Der Knoten 36 zwischen der Diode
und dem Widerstand 31 ist mit dem Basisanschluß des Bipolar
transistors 32 verbunden. Sein Kollektoranschluß ist mit dem
Gateanschluß des MOSFET 35 verbunden. Der wesentliche Unter
schied in der Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 2 ge
genüber der nach Fig. 1 besteht darin, daß das Potential am
Knoten 36 nur zwischen VB und VB abzüglich der Durchlaßspan
nung der Emitter-Basisstrecke des Bipolartransistors 32 ge
schaltet wird. Damit läßt sich die Steuerschaltung in inte
grierter Form derart auslegen, daß das Einschalten von para
sitären Bipolarstrukturen, die in jeder integrierten
C-MOS-Schaltung vorhanden sind, vermieden wird.
Der MOSFET 8 ist hier wieder wie in Fig. 1 als steuerbare
Stromquelle dimensioniert. Ohne Eingangssignal an den An
schlüssen 9 und 10 ist der MOSFET 8 gesperrt, somit kann
durch den Widerstand 31 kein Strom fließen, sein Spannungs
abfall ist Null. Der Bipolartransistor 32 ist damit auch ge
sperrt und durch seinen Kollektor fließt kein Strom. Der als
Stromquelle geschaltete MOSFET 33 vom Verarmungstyp zieht
dadurch das Potential am Gate von MOSFET 35 auf VS. Der
MOSFET 35 ist deshalb gesperrt und die Stromquelle 34 zieht das
Potential des Gates vom 24 auf VB. Dadurch entsteht dieselbe
Wirkungsweise wie in der Schaltung nach Fig. 1: Der MOSFET
20 wird gesperrt und der MOSFET 27 wird leitend. Das Halb
leiterbauelement 1 ist damit ausgeschaltet. Liegt nun zwi
schen 9 und 10 ein Eingangssignal an, so wird der MOSFET 8
eingeschaltet und durch den Widerstand 31 fließt Strom. Dies
geschieht unabhängig von der Höhe des Potentials VS. Der zu
ihm auftretende Spannungsabfall steuert den Bipolartran
sistor 32, so daß das Potential am Gate von MOSFET 35 auf VB
geschaltet wird. Der MOSFET 35 ist somit eingeschaltet und
sein Drainanschluß liegt auf VS zuzüglich der Durchlaßspan
nung von 35, welche klein sein muß. Die MOSFET 24 und 27
sind dadurch gesperrt. MOSFET 20 wird jetzt leitend, da der
Widerstand 21 stromlos ist und somit das Gatepotential von
20 auf dem Drainpotential von 20 liegt. Das Halbleiterbau
element 1 kann somit leitend gesteuert werden.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel ist in Fig. 3 dargestellt.
Es enthält auch eine fakultative Weiterbildung. Das Ausfüh
rungsbeispiel nach Fig. 3 unterscheidet sich in seiner ein
fachsten Ausgestaltung vom Ausführungsbeispiel nach Fig. 2
dadurch, daß der Stromquelle 33 ein MOSFET 45 in Reihe ge
schaltet ist. Dieser ist von dem MOS-Halbleiterbauelement
entgegengesetzten Leitungstyp, im Ausführungsbeispiel vom
p-Kanal-Typ. Der MOSFET 45 ist sourceseitig mit dem ersten An
schluß 5 und drainseitig mit der Stromquelle 33 verbunden.
Ein weiterer Unterschied besteht darin, daß mit dem Steuer
eingang 19 der Sourceanschluß eines als Stromquelle geschal
teter MOSFET vom Verarmungstyp 46 verbunden ist, dessen
Drainanschluß mit dem ersten Anschluß 5 verbunden ist. Zwi
schen Drain- und Gateanschluß des MOSFET 46 ist eine Zener
diode 47 geschaltet. Gateanschluß und Sourceanschluß sind
miteinander verbunden. Der MOSFET 45 hat einen Substratan
schluß, der entweder mit seinem Sourceanschluß verbunden
ist, oder, was in integrierter Form vorteilhaft sein kann,
mit einem Knotenpunkt 48, der durch die Rückseitenelektrode
des integrierten Chip gebildet ist. Die Rückseite liegt da
bei auf Potential VB.
Die Wirkungsweise dieser Schaltungsanordnung ist wie folgt:
Liegt an den Anschlüssen 9, 10 das Signal 0 an, so ist der MOSFET 8 gesperrt. Am Sourceanschluß der Stromquelle 46 liegt damit das Potential VB. Mit diesem Potential wird der MOSFET 45 gesperrt gehalten, an seinem Drainanschluß liegt über die Stromquelle 33 das Potential VS. Damit bleibt der MOSFET 35 gesperrt, an seinem Drainanschluß liegt über die Stromquelle 34 das Potential VB. Damit sind die MOSFET 24 und 27 leitend und der MOSFET 20 bleibt gesperrt. Das MOS-Halbleiterbauelement 1 kann damit nicht leitend gesteuert werden.
Liegt an den Anschlüssen 9, 10 das Signal 0 an, so ist der MOSFET 8 gesperrt. Am Sourceanschluß der Stromquelle 46 liegt damit das Potential VB. Mit diesem Potential wird der MOSFET 45 gesperrt gehalten, an seinem Drainanschluß liegt über die Stromquelle 33 das Potential VS. Damit bleibt der MOSFET 35 gesperrt, an seinem Drainanschluß liegt über die Stromquelle 34 das Potential VB. Damit sind die MOSFET 24 und 27 leitend und der MOSFET 20 bleibt gesperrt. Das MOS-Halbleiterbauelement 1 kann damit nicht leitend gesteuert werden.
Ein an den Eingängen 9, 10 anliegendes Signal steuert den
MOSFET 8 leitend. Da der Strom durch die Stromquelle 46 be
grenzt wird, liegt am Gateanschluß des MOSFET 45 nun das Po
tential VB abzüglich der Zenerspannung der Zenerdiode 47.
Der MOSFET 45 wird damit leitend, an seinem Drainanschluß
tritt das Potential VB auf und der MOSFET 35 wird leitend.
Am Drainanschluß des MOSFET 35 liegt nun das Potential VS
und die Transistoren 24 und 27 werden gesperrt. Der MOSFET
20 wird damit leitend gesteuert und das MOS-Halbleiterbaue
lement 1 kann eingeschaltet werden.
Diese Schaltung hat gegenüber der nach Fig. 2 den Vorteil,
daß auf den Bipolartransistor 32 verzichtet werden kann, der
i.a. zu lange Abschaltzeiten hat.
Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 kann durch einen MOSFET
39 erweitert werden, der den dem MOS-Halbleiterelement 1
entgegengesetzten Kanaltyp hat. Im Ausführungsbeispiel ist
er vom p-Kanaltyp. Sourceseitig ist der MOSFET 39 über eine
Stromquelle 37 mit dem ersten Anschluß 5 verbunden. Drain
seitig ist er über eine Stromquelle 41 mit der Leitung 17
verbunden. Zwischen dem Sourceanschluß des MOSFET 39 und dem
Sourceanschluß des MOS-Halbleiterbauelements 1 ist eine Zen
erdiode 38 angeschlossen welche z. B. eine Zenerspannung von
z. B. 6 V hat. Der Gateanschluß des MOSFET 39 ist mit einem
Anschluß 43 verbunden, an den z. B. ein auf das Potential VS
bezogenes Niedervolt-Signal gelegt werden kann. Dies kann
z. B. von einem Schutz-Chip stammen, das das MOS-Halbleiter
bauelement auf Übertemperatur, Überstrom usw. überwacht.
Wird ein solches Signal mit einem Potential von z. B. VS + 6
Volt zwischen die Anschlüsse 43 und 15 gelegt, so ist der
MOSFET 39 gesperrt, da sein Sourcepotential durch die Zener
diode 38 ebenfalls auf 6 V begrenzt ist. Am Ausgang 42 liegt
das Potential der Leitung 17 an, da durch die Stromquelle 41
kein Strom fließen kann. Liegt am Anschluß 43 0 V bezogen
auf VS, so leitet der Transistor 39 und an der Strom
quelle 41 entsteht eine Spannung, welche auf die Zenerspan
nung der Zenerdiode 40 begrenzt wird. Dies ist unabhängig
von VS. Dadurch wird erreicht, daß ein auf VS bezogenes di
gitales Signal auf ein Potential transferiert wird, welches
auf die Leitung 17 bezogen ist. Das Signal von Anschluß 42
kann durch eine Auswerteschaltung weiterverarbeitet werden.
Die Stromquelle 41 kann wieder durch einen MOSFET vom Verar
mungstyp gebildet sein, dessen Gateanschluß mit dem Source
anschluß verbunden ist. Die Drain-Sourcespannung des MOSFET
41 wird durch eine Zenerdiode 40 begrenzt.
Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 unterscheidet sich von
dem nach Fig. 2 durch folgende Merkmale: Mit dem Steuerein
gang 19 ist ein Anschluß einer Stromquelle 49 verbunden
(Knoten 36), ihr anderer Anschluß mit dem ersten Anschluß 5.
Der Stromquelle 49 ist eine Zenerdiode 50 parallelgeschal
tet. Zwischen dem Knoten 36 und dem zweiten Anschluß 6 ist
die Reihenschaltung aus einem p-Kanal-FET 51 und der Strom
quelle 33 angeschlossen (Knoten 55). Außerdem ist zwischen
die Anschlüsse 5, 6 die Reihenschaltung aus einer weiteren
Zenerdiode 54 und einer Stromquelle 53 angeschlossen. Ihr
Knoten ist mit dem Gateanschluß des FET 51 verbunden.
Die Zenerdiode 54 und die Stromquelle 53 sorgen dafür, daß
am Gate von Transistor 51 stets eine Spannung von VB-VZ VB-
(Zenerspannung, z. B. VB-6V) anliegt. Liegt am Eingang 9 kein
Signal an, so fließt durch Transistor 8 kein Strom. Die
Stromquelle 49 sorgt dafür, daß der Sourceanschluß (Knoten
36) des Transistors 51 auf das Potential VB gezogen wird.
Der Transistor 51 leitet dadurch und die Spannung am Knoten
55 wird ebenfalls gegen VB gezogen. Der Transistor 35
schaltet dadurch ein. Das hat zur Folge, wie schon
beschrieben, daß das Bauelement 1 ausgeschaltet wird. Wird
nun am Eingang 9 ein Signal angelegt, so fließt durch den
Transistor 8 Strom und der Knoten 36 wird auf VB-VZ
gezogen. Dadurch wird der Transistor 51 gesperrt, da sein
Gate ebenfalls auf VB-VZ liegt. Die Stromquelle 33 zieht
dann den Knoten 55 auf VS-Potential, der Transistor 35 wird
gesperrt und das Bauelement 1 wird eingeschaltet.
Ähnlich wie die Stromquelle 41 können auch die anderen
Stromquellen 34, 46, 33 usw. durch MOSFET vom Verarmungstyp
gebildet werden, deren Gateanschluß jeweils mit ihrem Sour
ceanschluß verbunden ist. Diese MOSFET sind so dimensio
niert, daß sie bei Stromfluß in Sättigung betrieben werden,
während sich ihr Arbeitspunkt im stromlosen Zustand am Fuß
punkt der Kennlinie befindet. Es ist jedoch auch möglich,
die Stromquellen durch MOSFET vom Anreicherungstyp zu bil
den, diesen muß dann jeweils eine feste Gate-Sourcevorspan
nung gegeben werden.
Die MOSFET 8 und 39 (Fig. 3) werden zweckmäßigerweise als
Lateral-FET ausgebildet; sie können daher in selbstisolie
render Technik auf ein- und demselben Chip angeordnet wer
den. Damit ist auch eine Erweiterung der Schaltung möglich,
indem weitere Lateral-FET auf dem Chip angeordnet werden.
Claims (9)
1. Steuerschaltung für ein MOS-Halbleiterbauelement (1), dem
sourceseitig eine Last (2) in Reihe geschaltet ist, mit:
- a) einer auf schwebendem Potential liegenden Spannungsquelle (16), deren erster Anschluß (5) über einen ersten steuerbaren Schalter (7) mit dem Gateanschluß des MOS-Halbleiterbauelements (1) und deren zweiter Anschluß (6) mit dem Sourceanschluß des MOS-Halbleiterbauelements (1) verbunden ist,
- b) einem zweiten, durch ein Eingangssignal (IN) steuerbaren Schalter (8), dessen erster Lastanschluß mit einer auf einem festen Potential liegenden Leitung (17) verbunden ist und dessen zweiter Lastanschluß abhängig vom Eingangssignal von einem ersten auf ein zweites Potential geschaltet wird, wobei der zweite Lastanschluß einen Steuereingang des ersten steuerbaren Schalters bildet, und wobei
- c) das erste und zweite Potential zwischen den Potentialen (VB, VS) der beiden Anschlüsse (5, 6) der Spannungsquelle liegt, und
- d) das erste und zweite Potential an den Steuereingang (19) des ersten steuerbaren Schalters (7) gelegt wird derart, daß dieser leitend gesteuert wird, wenn ein Eingangssignal angelegt ist,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
dem ersten Anschluß (5) der Spannungsquelle und dem Steuereingang (19) ein als
erste Stromquelle geschalteter MOSFET (22) angeschlossen ist,
daß der zwischen dem Steuereingang (19) und der auf festem
Potential (17) liegenden Leitung (17) angeschlossene zweite
steuerbare Schalter ein weiterer MOSFET (8) ist, der im
eingeschalteten Zustand als zweite Stromquelle arbeitet und
daß der Strom der zweiten Stromquelle (8) größer ist als der
Strom der ersten Stromquelle (22).
2. Steuerschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der er
ste steuerbare Schalter (7) folgende Merkmale hat:
- a) mit dem ersten Anschluß (5) der Spannungsquelle (16) ist der Drainanschluß eines ersten MOSFET (20) verbunden, sein Sourceanschluß ist mit dem Gateanschluß des MOS-Halblei terbauelements (1) verbunden,
- b) zwischen erstem (5) und zweitem Anschluß (6) der Span nungsquelle (16) ist die Reihenschaltung aus der ersten Strom quelle (22) und einer Diode (23) angeschlossen,
- c) der Gateanschluß des ersten MOSFET (20) ist über einen Widerstand (21) mit seinem Drainanschluß und mit einem An schluß der ersten Stromquelle (22) verbunden,
- d) der Gateanschluß des ersten MOSFET (20) ist über die Laststrecke eines zweiten MOSFET (24) mit dem zweiten An schluß (6) der Spannungsquelle verbunden,
- e) der Gateanschluß des zweiten MOSFET (24) ist mit dem zweiten Lastanschluß des zweiten steuerbaren Halbleiter schalters (8) und mit dem Knoten (25) zwischen Stromquelle (22) und Diode (23) verbunden.
3. Steuerschaltung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
dem Gateanschluß und dem Sourceanschluß des MOS-Halbleiter
bauelements (1) die Source-Drain-Strecke eines dritten
MOSFET (27) angeschlossen ist und daß der Gateanschluß des
dritten MOSFET mit dem Gateanschluß des zweiten MOSFET (24)
verbunden ist.
4. Steuerschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der
erste steuerbare Schalter (7) folgende Merkmale hat:
- a) mit dem ersten Anschluß (5) der Spannungsquelle (16) ist der Drainanschluß eines ersten MOSFET (20) verbunden, sein Sourceanschluß ist mit dem Gateanschluß des MOS-Halblei terbauelements (1) verbunden,
- b) der Gateanschluß des ersten MOSFET (20) ist über die Laststrecke eines zweiten MOSFET (24) mit dem zweiten An schluß der Spannungsquelle verbunden,
- c) zwischen erstem (5) und zweitem (6) Anschluß der Span nungsquelle (16) ist die Reihenschaltung aus einem Wider stand (31) und einer Diode (30) angeschlossen; der Wider stand ist mit dem ersten Anschluß (5) verbunden,
- d) zwischen erstem und zweitem Anschluß ist die Reihenschal tung aus einem Bipolartransistor (32) und der ersten Stromquel le (33) angeschlossen; der Emitter des Bipolartransistors ist mit dem ersten Anschluß (5) verbunden,
- e) zwischen ersten und zweiten Anschluß ist die Reihenschal tung aus einer dritten Stromquelle (34) und einem dritten MOSFET (35) angeschlossen; der Sourceanschluß des zweiten MOSFET ist mit dem zweiten Anschluß verbunden,
- f) der Gateanschluß des zweiten MOSFET (24) ist mit dem Drainanschluß des dritten MOSFET verbunden, der Gatean schluß des dritten MOSFET (35) mit dem Kollektoranschluß des Bipolartransistors (32), der Basisanschluß des Bipo lartransistors mit dem Knoten (36) zwischen Diode (30) und Widerstand (31),
- g) der Knoten zwischen Widerstand und Diode ist über die Laststrecke des zweiten steuerbaren Halbleiterschalters (8) mit der auf festem Potential liegenden Leitung (17) verbunden.
5. Steuerschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der
erste Schalter (7) folgende Merkmale hat:
- a) mit dem ersten Anschluß (5) der Spannungsquelle (16) ist der Drainanschluß eines ersten MOSFET (20) verbunden, sein Sourceanschluß ist mit dem Gateanschluß des MOS-Halbleiterbauelements (1) verbunden,
- b) der Gateanschluß des ersten MOSFET (20) ist über die Laststrecke eines zweiten MOSFET (24) mit dem zweiten An schluß (6) der Spannungsquelle verbunden,
- c) zwischen dem ersten Anschluß (5) und dem Steuereingang (19) ist die erste Stromquelle (46) angeschlossen,
- d) zwischen ersten und zweiten Anschluß ist die Reihenschal tung aus einer dritten Stromquelle (34) und einem dritten MOSFET (35) angeschlossen; der Sourceanschluß des zweiten MOSFET (24) ist mit dem zweiten Anschluß verbunden,
- e) zwischen erstem (5) und zweitem Anschluß (6) ist die Rei henschaltung aus einer vierten Stromquelle (33) und einem vierten MOSFET (45) angeschlossen,
- f) der vierte MOSFET ist vom dem MOS-Halbleiterbauelement (1) entgegengesetzten Kanaltyp,
- g) der Gateanschluß des vierten MOSFET ist mit dem Steuer eingang (19) und der ersten Stromquelle (46) verbunden.
6. Steuerschaltung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die
erste Stromquelle (46) ein Depletion-FET ist, dessen Gate
anschluß mit seinem Sourceanschluß verbunden ist, und daß
zwischen seinem Drainanschluß und seinem Gateanschluß eine
Zenerdiode (47) angeschlossen ist.
7. Steuerschaltung nach Anspruch 5 oder 6,
dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
dem ersten Anschluß (5) und der auf festem Potential liegen
den Leitung (17) die Reihenschaltung aus einem fünften
MOSFET (39), einer fünften Stromquelle (37) und einem Verbrau
cher (41) liegt, daß der fünfte MOSFET (39) vom dem
MOS-Halbleiterbauelement entgegengesetzten Leitungstyp ist und
daß die fünfte Stromquelle (37) mit dem ersten Anschluß (5)
und der Verbraucher (41) mit der Leitung (17) verbunden ist.
8. Steuerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Schalter (7) folgende Merkmale hat:
- a) mit dem ersten Anschluß (5) der Spannungsquelle (16) ist der Drainanschluß eines ersten MOSFET (20) verbunden, sein Sourceanschluß ist mit dem Gateanschluß des MOS-Halbleiterbauelements (1) verbunden,
- b) der Gateanschluß des ersten MOSFET (20) ist über die Laststrecke eines zweiten MOSFET (24) mit dem zweiten An schluß (6) der Spannungsquelle verbunden,
- c) zwischen dem ersten Anschluß (5) und dem Steuereingang (19) ist die erste Stromquelle (49) angeschlossen,
- d) zwischen ersten und zweiten Anschluß ist die Reihenschal tung aus einer dritten Stromquelle (34) und einem dritten MOSFET (35) angeschlossen; der Sourceanschluß des zweiten MOSFET (24) ist mit dem zweiten Anschluß verbunden,
- e) zwischen erstem (5) und zweitem Anschluß (6) ist die Rei henschaltung aus einer vierten Stromquelle (33), einem vierten MOSFET (51) und einer ersten Zenerdiode (50) an geschlossen,
- f) der vierte MOSFET ist vom dem MOS-Halbleiterbauelement (1) entgegengesetzten Kanaltyp,
- g) der Gateanschluß des vierten MOSFET ist mit dem Knoten einer weiteren Reihenschaltung verbunden, die aus einer zweiten Zenerdiode (54) und einer fünften Stromquelle (53) besteht und die zwischen den beiden Anschlüssen (5, 6) an geschlossen ist.
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