KR940022929A - 광 결합기 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 출력용 MOSFET의 통전 전극을 흐르는 전류를 일정치 이하로 제한하는 전류 제한 회로를 구동하기 위한 전원으로서, 발광 소자로부터의 광 신호를 구광하여 광 기전력을 발생하는 광 기전력 다이오드 어레이를 구비함으로써, 제품에서의 온 저항을 절감하여 높은 전류 용량을 실현하여 얻은 광 결합기 장치 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
발광소자(1), 발광소자(1)의 광 신호를 수공하여 광 기전력을 발광하는 제1광 기전력 다이오드 어레이(2a), 제1광 기전력 다이오드 어레이(2a)에서 발생되는 광 기전력에 따라 구동되는 출력용 MOSFET(5), 출력용MOSFET(5)의 동작 상태를 제어하여 통전 전극에 흐르는 전류를 일정치 이하로 제한하는 전류 제한 회로(3), 발광 소자(1)의 광 신호를 수광하여 발생한 광 기전력에 따라 전류 제한 회로(3)을 구동하는 제2광 기전력 다이오드 어레이(2b)로 구성한다.

Description

광 결합기 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 광 결합기 장치의 회로 구성도.

Claims (8)

  1. 입력신호에 의해 발광하는 발광 소자(1), 상기 발광 소자(1)로부터의 광 신호를 수광하여 광 기전력을 발생하는 제1광 기전력 다이오드 어레이(2a), 상기 제1광 기전력 다이오드 어레이(2a)에서 발생되는 광 기전력에 따라 구동되는 출력용 MOSFET(5 및 5'), 상기 출력용 MOSFET(5 및 5')의 동작 상태를 제어하여 통전 전극에 흐르는 전류를 일정치 이하로 제한하는 전류 제한 회로(3,3',3a및 3a'), 및 상기 발광 소자(1)로부터의 광신호를 수광하여 발생한 광 기전력에 따라 상기 전류 제한 회로(3,3',3a및 3a')을 구동하는 제2광 기전력 다이오드 어레이(2b 및 2b')을 갖는 것을 특징으로 하는 광 결합기 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광 결합기 장치는 상기 출력용 MOSFET(5 및 5')의 소스 전극에 그 한 단을 접속하는 전류 검출용 저항을 갖고, 상기 전류 제한 회로(3,3',3a및 3a')는 상기 출력용 MOSFET(5 및 5')의 게이트 전극에 콜렉터 전극을 접속하며, 상기 전류 검출용 저항(4 및 4')의 다른 단에 에미터 전극을 접속하고, 상기 출력용 MOSFET(5 및 5')의 소스 전극과 상기 전류 검출용 저항(4 및 4')와의 접속점에 상기 제2 광 기전력 다이오드 어레이(2b 및 2b')를 통해 베이스 전극을 접속하는 바이폴라 트랜지스터(3a 및 3a')인 것을 특징으로 하는 광 결합기 장치.
  3. 입력신호에 의해 발광하는 발광 소자(1) 상기 발광 소자(1)로부터의 광 신호를 수광하여 광 기전력을 발생하는 제1광 기전력 다이오드 어레이(2a), 상기 제1광 기전력 다이오드 어레이(2a)에서 발생되는 광 기전력에 따라 구동되는 상호의 게이트 전극을 단락 접속하는 제1 및 제2 출력용 MOSFET(5 및 5'), 상기 제1 및 제2 출력용 MOSFET(5 및 5')의 동작 상태를 각각 제어하여 통전 전극에 흐르는 전류를 일정치 이하로 제한하는 제1 및 제2 전류 제한 회로(3,3',3a및 3a'), 및 상기 발광 소자(1)로부터의 광 신호를 수광하여 발생한 광 기전력에 따라 상기 제1 및 제2전류 제한 회로(3a 및 3a')을 각각 구동하는 제2 및 제3광기력전력 다이오드 어레이(2b 및 2b')를 갖는 것을 특징으로 하는 광 결합기 장치.
  4. 제3항에 있어서 상기 광 결합기 장치는 상기 제1 및 제2 출력용 MOSFET(5 및 5')의 소스 전극에 각각 그 한 단을 접속하고, 각각의 다른 단을 단락 접속하는 제1 및 제2전류 검출용 저항(4 및 4')를 가지며, 상기 제1 전류 제한 회로(3 및 3a)는 상기 제1 출력용 MOSFET(5)의 게이트 전극에 콜렉터 전극을 접속하고, 상기 제1 및 제2 전류 검출용 저항(4 및 4')의 다른 단끼리의 접속점에 에미터 전극을 접속하며, 상기 제1출력용 MOSFET(5)의 소스 전극과 상기 제1 전류 검출용 저항(4)와의 접속점에 상기 제2 광 기전력 다이오드 어레이(2b)를 통해 베이스 전극을 접속하는 제1 바이폴라 트랜지스터(3a)이고, 상기 제2 전류 제한 회로(3' 및 3a')는 상기 제2 출력용 MOSFET(5')의 게이트 전극에 콜렉터 전극을 접속하며, 상기 제1 및 제2 전류 검출용 저항(4 및 4')의 다른 단끼리의 접속점에 에미터 전극을 접속하고, 상기 제2 출력용 MOSFET(5')의 소스 전극과 상기 제2전류 검출용(4')와의 접속점에 상기 제3 광 기전력 다이오드 어레이(2b')를 통해 베이스 전극을 접속하는 제2 바이폴라 트랜지스터(3a')인 것을 특징으로 하는 광 결합기 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전류 제한 회로(3a 및 3a')는 동일한 제2광 기전력 다이오드 어레이(2b 및 2b')에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 광 결합기 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 광 결합기 장치는 상기 제1 및 제2 출력용 MOSFET(5 및 5')의 소스 전극에 각각 그 한 단을 접속하고, 각각의 다른 단을 단락 접속하는 제1 및 제2 전류 검출용 저항(4 및 4')를 가지며, 상기 제1 전류 제한 회로(3 및 3a')는 상기 제1 출력용 MOSFET(5)의 게이트 전극에 콜렉터 전극을 접속하고, 상기 제1출력용 MOSFET(5)의 소스 전극과 상기 제1전류 검출용 저항(4)와의 접속점에 에미터 전극을 접속하며, 상기 제1 및 제2전류 검출용 저항(4 및 4')의 다른 단끼리의 접속점에 상기 제2광터 전극을 접속하며, 상기 제1 및 제2 전류 검출용 저항(4 및 4')의 다른 단끼리의 접속점에 상기 제2 광 기전력 다이오드 어레이(2b)를 통해 베이스 전극을 접속하는 제1 바이폴라 트랜지스터(3a)이고, 상기 제2전류 제한 회로(3' 및 3a')는 상기 제2 출력용 MOSFET(5')의 게이트 전극에 콜렉터 전극을 접속하며, 상기 제2 출력용 MOSFET(5')의 소스 전극과 상기 제2 전류 검출용 저항(4')와의 접속점에 에미터 전극을 접속하고, 상기 제1 및 제2전류 검출용 저항(4 및 4')의 다른 단끼리 좁속점에 상기 제2 광 기전력 다이오드 어레이(2b')를 통해 베이스 전극을 접속하는 제2 바이폴라 트랜지스터(3a)인 것을 특징으로 하는 광 결합기 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 광 결합기 장치는 상기 제1 및 제2 바이폴라 트랜지스터(3a 및 3a')의 베이스-콜렉터 전극 사이에 접속되는 저항(8), 및 상기 제2 광 기전력 다이오드 어레이(2b)와 상기 제1 및 제2 전류 검출용 저항(4 및 4')의 다른 단끼리의 접속점 사이에 상기 제2 광 기전력 다이오드 어레이(2b)와 역 직렬로 접속되는 정류용 다이오드(9)를 갖는 것을 특징으로 하는 광 결합기 장치.
  8. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 광 결합기 장치는 상기 제1 및 제2 전류 검출용 저항(4 및 4')의 양단에 발생하는 전위차를 검지하여 상기 제1 및 제2 전류 제한 회로(3,3'3a 및 3a')에 공급하는 차동 증폭기 Amp, 및 상기 발광 소자(1)로부터의 광 신호를 수광하여 발생한 광 기전력에 따라 상기 차동 증폭기 Amp를 구동하는 제2 광 기전력 다이오드 어레이(2b)를 갖는 것을 특징으로 하는 광 결합기 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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