KR940012720A - 반도체 레이저 구동회로 - Google Patents

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KR940012720A
KR940012720A KR1019930023864A KR930023864A KR940012720A KR 940012720 A KR940012720 A KR 940012720A KR 1019930023864 A KR1019930023864 A KR 1019930023864A KR 930023864 A KR930023864 A KR 930023864A KR 940012720 A KR940012720 A KR 940012720A
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켄지 고이시
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모리시타 요이찌
마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
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    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser

Abstract

반도체레이저에 직렬로 접속된 전류원(6)과, 반도체 레이저와 전류원의 접속점으로부터 반도체레이저에 병렬로 접속하고 NPN형 트랜지스터 또는 N채널 FET로 구성되고 전류원의 전류를 반도체레이저와 분류하여 절환하는 차동스위칭회로(19) 및 분류된 전류를 절환하는 스위칭전류원(9)을 사용하여, 구동회로의 접지전압쪽에 접속된 캐소드를 가진 반도체레이저에 흐르는 전류를 고속기록입력신호에 응답하여 고속으로 절환한다.

Description

반도체 레이저 구동회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 반도체레이저구동회로의 회로도.
제7도는 본 발명의 제2실시예에 의한 반도체레이저구동회로의 회로도.

Claims (8)

  1. 반도체레이저수단과, 상기 반도체레이저수단의 애노드에 직렬로 접속되고, 상기 반도체레이저수단에 전류를 흐르게하는 제1전류원수단과, 상기 반도체레이저수단의 애노드에 접속되고, 상기 반도체레이저수단에 전류를 흐르게하거나 상기 반도체레이저수단으로부터 전류를 흐르게하는 제1전류원수단과, 상기 반도체레이저수단과 상기 제1전류원수단과의 접속점으로부터 상기 반도체 레이저수단에 병렬로 접속되고, 상기 반도체레이저수단으로부터 유출되는 전류를 절환함으로써, 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류의 피크값과 보텀(bottom)값을 절환하는 스위칭전류원수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체레이저구동회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스위칭전류원수단은, NPN형 트랜지스터로 구성되거나 N채널 FET로 구성된 차동스위칭회로에 의해, 상기 반도체레이저수단을 흐르는 전류를 절환하는 것을 특징으로 하는 반도체레이저구동회로.
  3. 반도체레이저수단과, 상기 반도체레이저수단의 애노드에 직렬로 접속되고, 재생시에 상기 반도체 레이저수단에 흐르는 직류의 소정값을 설정하기 위하여 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류를 절환하지 않을 때에 상기 반도체레이저수단에 전류를 흐르게 하는 제3전류원수단과, 상기 반도체레이저수단의 애노드에 직렬로 접속되고, 상기 반도체레이저수단의 피크값을 설정하기 위하여 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류를 절환할 때에 상기 반도체레이저수단에 전류를 흐르게하는 제4전류원수단과, 상기 반도체레이저수단과 상기 제4전류원수단의 접속점으로부터 상기 반도체레이저수단에 병렬로 접속되고, 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류의 보텀(bottom)값을 설정하기 위하여 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류를 절환할 때에 상기 반도체레이저수단으로부터 전류를 흐르게 함으로써 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류를 절환하는 스위칭전류원수단을 포함한 것을 특징으로 하는 반도체레이저구동회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 스위칭전류원수단은, NPN형 트랜지스터와 N채널FET중 어느하나로 구성된 차동스위칭 회로에 의해 상기 반도체레이저수단을 흐르는 전류를 절환하는 것을 특징으로 하는 반도체레이저구동회로.
  5. 반도체레이저수단과, 상기 반도체레이저수단의 애노드에 직렬로 접속되고, 재생시에 상기 반도체레이저에 흐르는 직류의 소정값을 설정하기 위하여 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류의 스위칭동작에 관계없이 상기 반도체레이저수단에 전류를 흐르게 하는 제5전류원수단과,상기 반도체레이저수단의 애노드에 병렬로 접속하고, 상기 반도체레이저수단으로부터 전류를 흐르게 함으로써, 재생시에 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류를 절환하지 않을 때에 상기 반도체레이저수단에 흐르는 직류의 소정값을 설정하고, 또한 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류를 절환할때에 상기 반도체레이저수단을 흐르는 전류의 피크값을 설정하는 제6전류원수단과, 상기 반도체레이저수단과, 상기 제5전류원수단의 접속점으로부터 상기 반도체레이저수단에 병렬로 접속하고 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류를 스위칭할 때에 상기 반도체레이저수단부터 전류를 흐르게 함으로써 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류의 보텀값을 설정하고 또한 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류를 절환하는 스위칭전류원수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체레이저구동회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 스위칭전류원 수단은 NPN형트랜지스터와 N채널 FET중 어느하나로 구성된 차동스위칭회로에 의해 상기 반도체레이저수단에 흐르는 전류를 절환하는 것을 특징으로 하는 반도체레이저구동회로.
  7. 접지된 캐소드를 가지는 반도체레이저와, 변환기에 광전류를 전송하기 위하여 상기 반도체레이저의 광출력을 수신하는 포토다이오와, 광전류를 전압으로 변환하는 변환기와, 재생시에 상기 반도체레이저에 흐르는 직류의 소정값을 설정하기 위한 전압을 발생하는 제1전압원과, 사기 제1전압원의 전압값과 변환기의 출력값을 비교하여 제1전류원에 제1제어전압을 출력하는 제1연산증폭기와, 상기 제1제어전압에 따라서 상기 반도체레이저의 애노드에 상기 직류의 소정값을 흐르게 하는 제1전류원과, 광펄스의 피크값과 동일한 전압을 발생하고, 상기 광펄스는 상기 반도체레이저에 흐르는 전류에 응답하여 상기 반도체레이저에 의해 발생하는 제2전압원과, 상기 제2전압원으로부터 출력되는 전압값과 변환기의 출력을 비교하여 제2전류원에 제2제어전압을 출력하는 제2연산증폭기와, 상기 제2제어전압에 따라서 상기 반도체레이저에 흐르는 전류의 피크값을 상기 반도체레이저의 애노드에 흐르게 하는 제2전류원과, 광펄스의 보텀값에 상응하는 전압을 발생하는 제3전압원과, 상기 제3전압원의 출력전압과 변환기의 출력을 비교하여 제3제어전압을 제3전류원에 출력하는 제3연산증폭기와, 상기 제3제어전압에 따라서 상기 반도체레이저에 흐르는 전류의 보텀값을 흐르게 하는 제3전류원과, ON상태일 때에는 상기 반도체레이저의 애노드로부터, 상기 반도체레이저에 흐르는 전류의 보텀값을, 상기 제3전류원에 흐르게 하고, OFF상태일 때에는, 상기 반도체레이저의 애노드로부터 상기 전류의 보텀값을, 상기 제3전류원에 흐르지 않게 하는 스위칭회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체레이저구동회로.
  8. 접지된 캐소드를 가지는 반도체레이저와, 상기 반도체레이저의 광출력을 수신하여 변환기에 광전류를 전송하는 포토다이오드와, 광전류를 전압으로 변환하는 변환기와, 상기 반도체레이저를 흐르는 직류의 소정값을 설정하기 위하여 전압을 발생하는 제1전압원과, 상기 제1전압원의 출력전압을 사용하여 상기 반도체레이저의 애노드에 상기 직류의 소정값을 흐르게 하는 제1직류원과, 광펄스의 피크값에 상당하는 전압을 발생하고, 상기 광펄스는 상기 반도체레이저를 흐르는 전류에 응답하여 상기 반도체레이저에 의해 발생되는 제2전압원과, 직류전류파워광에 상당하는 전압을 발생하고, 상기 직류전류파워광은 재생시에 상기 반도체레이저를 흐르는 전류에 응답하여 상기 반도체레이저에 의하여 발생하는 제3전압원과, 상기 제2전압원의 출력과 제3전압원의 출력중 어느하나와 변환기의 출력을 비교하여 제1제어전압을 제2전류원에 출력하는 제1연산증폭기와, 제1제어전압에 따라서 반도체레이저의 애노드로부터 직류파워광의 값을 설정하는 전류나 광펄스의 피크값을 설정하는 전류를 수신하는 제2전류원과,광펄스의 보텀값에 상응하는 전압을 발생하는 제4전압원과, 상기 제4전압원의 출력전압과 변환기의 출력을 비교하여 제3전류원에 제2제어전압을 출력하는 제2연산증폭기와 상기 제2제어전압에 따라서 광펄스의 보텀값을 설정하기 위한 전류를 흐르게 ㅎ는 제3전류원과, ON상태일때에는, 상기 반도체레이저의 애노드로부터 광펄스의 보텀값을 설정하는 전류를 상기 제3전류원에 흐르게 하고, OFF상태일 때에는 상기 반도체 레이저의 애노드로부터 광펄스의 보텀값을 설정하는 전류를 상기 제3전류원에 흐르지 않게 하는 스위칭회로를 포함한 것을 특징으로 하는 반도체레이저구동회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930023864A 1992-11-12 1993-11-11 반도체 레이저 구동회로 KR940012720A (ko)

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