JPH06152027A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH06152027A JPH06152027A JP4302025A JP30202592A JPH06152027A JP H06152027 A JPH06152027 A JP H06152027A JP 4302025 A JP4302025 A JP 4302025A JP 30202592 A JP30202592 A JP 30202592A JP H06152027 A JPH06152027 A JP H06152027A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 カソード側が駆動回路の接地電位側に接続さ
れた半導体レーザを、１００〜２００ｍＡ程度の大電流
でしかも５０Ｍｂｐｓ程度の高速の記録信号入力に応じ
て高速スイッチングが可能な半導体レーザ駆動回路を、
Ｎ型半導体を用いた容易な構成で実現することを目的と
する。 【構成】 半導体レーザと直列に接続された電流源６
と、半導体レーザと電流源の接続点から半導体レーザと
並列に接続し、電流源の電流を半導体レーザと分流して
スイッチングするＮＰＮトランジスタもしくはＮチャン
ネルＦＥＴで構成された差動スイッチング回路１９を用
いて、分流された電流をスイッチングするスイッチング
電流源９で構成され、半導体レーザに流れる電流を高速
にスイッチイングする。
れた半導体レーザを、１００〜２００ｍＡ程度の大電流
でしかも５０Ｍｂｐｓ程度の高速の記録信号入力に応じ
て高速スイッチングが可能な半導体レーザ駆動回路を、
Ｎ型半導体を用いた容易な構成で実現することを目的と
する。 【構成】 半導体レーザと直列に接続された電流源６
と、半導体レーザと電流源の接続点から半導体レーザと
並列に接続し、電流源の電流を半導体レーザと分流して
スイッチングするＮＰＮトランジスタもしくはＮチャン
ネルＦＥＴで構成された差動スイッチング回路１９を用
いて、分流された電流をスイッチングするスイッチング
電流源９で構成され、半導体レーザに流れる電流を高速
にスイッチイングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学的記録再生装置の記
録及び再生時に用いられる半導体レーザを駆動する半導
体レーザ駆動回路に関するものである。
録及び再生時に用いられる半導体レーザを駆動する半導
体レーザ駆動回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の半導体レーザ駆動回路につ
いて、図面を参照しながら説明する。図６は従来の半導
体レーザ駆動回路で、１は半導体レーザ、２ａ、２ｂは
差動スイッチング回路を構成するＰＮＰトランジスタ、
３は記録信号の入力端子、４ａ、４ｂは抵抗、５は電流
源である。
いて、図面を参照しながら説明する。図６は従来の半導
体レーザ駆動回路で、１は半導体レーザ、２ａ、２ｂは
差動スイッチング回路を構成するＰＮＰトランジスタ、
３は記録信号の入力端子、４ａ、４ｂは抵抗、５は電流
源である。
【０００３】光学的記録再生装置の記録時には、半導体
レーザ１の出力光を記録信号に応じてスイッチングする
必要がある。そのために半導体レーザ１に流れる電流を
ＰＮＰトランジスタ２ａ、２ｂで構成された差動スイッ
チング回路を用いてスイッチングする。電流源５は半導
体レーザに流れるスイッチング電流のピーク値を設定す
る。入力端子３からの記録信号はＰＮＰトランジスタ２
ａのベースに入力され、もう一方のＰＮＰトランジスタ
２ｂのベースに接続された抵抗４ａ、４ｂでしきい値を
設定し記録信号に応じて、半導体レーザ１に流れる電流
を差動スイッチングする。
レーザ１の出力光を記録信号に応じてスイッチングする
必要がある。そのために半導体レーザ１に流れる電流を
ＰＮＰトランジスタ２ａ、２ｂで構成された差動スイッ
チング回路を用いてスイッチングする。電流源５は半導
体レーザに流れるスイッチング電流のピーク値を設定す
る。入力端子３からの記録信号はＰＮＰトランジスタ２
ａのベースに入力され、もう一方のＰＮＰトランジスタ
２ｂのベースに接続された抵抗４ａ、４ｂでしきい値を
設定し記録信号に応じて、半導体レーザ１に流れる電流
を差動スイッチングする。
【０００４】図６に示す半導体レーザ１は、半導体レー
ザ素子の材料構造上、または放熱を効率的に行うために
カソード側が金属ケースに接続されている。半導体レー
ザの金属ケースは、通常、光学ヘッドの金属部分に接地
され、駆動回路の接地電位とも等しい。このようにカソ
ード側が接地された半導体レーザ１をスイッチングする
ためには、差動スイッチング回路は電流吐き出し型にな
るので、ＰＮＰ型のトランジスタで構成する必要があ
る。
ザ素子の材料構造上、または放熱を効率的に行うために
カソード側が金属ケースに接続されている。半導体レー
ザの金属ケースは、通常、光学ヘッドの金属部分に接地
され、駆動回路の接地電位とも等しい。このようにカソ
ード側が接地された半導体レーザ１をスイッチングする
ためには、差動スイッチング回路は電流吐き出し型にな
るので、ＰＮＰ型のトランジスタで構成する必要があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の構成では、ＰＮＰ型のトランジスタ素子を用
いているので、１００〜２００ｍＡ程度の大電流でしか
も高速のスイッチング動作を容易に実現できない。なぜ
ならＰ型の半導体では素子構造上、大電流でしかも高速
のスイッチング特性を達成するのは困難であるからであ
る。従って５０Ｍｂｐｓ程度の高速の記録信号を入力す
ると、Ｐ型のスイッチング素子では、差動スイッチング
構成にしても半導体レーザの高速スイッチングが不可能
という問題点があった。
うな従来の構成では、ＰＮＰ型のトランジスタ素子を用
いているので、１００〜２００ｍＡ程度の大電流でしか
も高速のスイッチング動作を容易に実現できない。なぜ
ならＰ型の半導体では素子構造上、大電流でしかも高速
のスイッチング特性を達成するのは困難であるからであ
る。従って５０Ｍｂｐｓ程度の高速の記録信号を入力す
ると、Ｐ型のスイッチング素子では、差動スイッチング
構成にしても半導体レーザの高速スイッチングが不可能
という問題点があった。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑み、容易な構成で
高速スイッチング可能な半導体レーザ駆動回路を提供す
るものである。
高速スイッチング可能な半導体レーザ駆動回路を提供す
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達するため、
本発明の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザと直列
に接続された第１の電流源と、前記半導体レーザと前記
第１の電流源の接続点から前記半導体レーザと並列に接
続し、前記第１の電流源の電流を前記半導体レーザと分
流してスイッチングするスイッチング電流源とを備え、
前記半導体レーザに流れる電流をスイッチイングする構
成である。
本発明の半導体レーザ駆動回路は、半導体レーザと直列
に接続された第１の電流源と、前記半導体レーザと前記
第１の電流源の接続点から前記半導体レーザと並列に接
続し、前記第１の電流源の電流を前記半導体レーザと分
流してスイッチングするスイッチング電流源とを備え、
前記半導体レーザに流れる電流をスイッチイングする構
成である。
【０００８】
【作用】本発明は上記した構成によって、第１の電流源
から流出した電流は、半導体レーザとスイッチング電流
源とに分流し、スイッチング電流源の方の電流を間接的
にスイッチングするので、カソード側が駆動回路の接地
側に接続された半導体レーザであっても、１００〜２０
０ｍＡ程度の大電流でしかも５０Ｍｂｐｓ程度の高速の
記録信号入力に応じて高速にスイッチングすることとな
る。
から流出した電流は、半導体レーザとスイッチング電流
源とに分流し、スイッチング電流源の方の電流を間接的
にスイッチングするので、カソード側が駆動回路の接地
側に接続された半導体レーザであっても、１００〜２０
０ｍＡ程度の大電流でしかも５０Ｍｂｐｓ程度の高速の
記録信号入力に応じて高速にスイッチングすることとな
る。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。図１は本発明の一実施例における半導
体レーザ駆動回路のブロック図、図２は本実施例の半導
体レーザ駆動回路の概略構成図である。
ながら説明する。図１は本発明の一実施例における半導
体レーザ駆動回路のブロック図、図２は本実施例の半導
体レーザ駆動回路の概略構成図である。
【００１０】まず、図２を用いて、本実施例の概略構成
について説明する。図２において、第１の電流源６から
流出した電流は、半導体レーザ１と半導体レーザ１に並
列に接続されたスイッチング電流源７とに分流する。半
導体レーザ１は、カソード側が接地されたタイプであ
る。８はスイッチング電流源７の電流値を制御する制御
電圧である。このように半導体レーザ１と分流したスイ
ッチング電流源７の方の電流を間接的にスイッチングす
ることにより、半導体レーザ１に流れる電流をスイッチ
ングすることができる。
について説明する。図２において、第１の電流源６から
流出した電流は、半導体レーザ１と半導体レーザ１に並
列に接続されたスイッチング電流源７とに分流する。半
導体レーザ１は、カソード側が接地されたタイプであ
る。８はスイッチング電流源７の電流値を制御する制御
電圧である。このように半導体レーザ１と分流したスイ
ッチング電流源７の方の電流を間接的にスイッチングす
ることにより、半導体レーザ１に流れる電流をスイッチ
ングすることができる。
【００１１】カソード側が接地されたタイプの半導体レ
ーザ１に流れる電流を直接スイッチングするには、吐き
出し型の差動スイッチング回路を構成する必要がある。
従って、図６のようにスイッチング速度の遅いＰＮＰト
ランジスタ２ａ，２ｂを使用しなければならない。しか
しながら、図２のように分流したスイッチング電流源７
をスイッチングすれば、吸い込み型の差動スイッチング
回路で可能なため、スイッチング速度の速いＮＰＮトラ
ンジスタやＮチャンネルのガリウム砒素ＦＥＴで容易に
構成できる。
ーザ１に流れる電流を直接スイッチングするには、吐き
出し型の差動スイッチング回路を構成する必要がある。
従って、図６のようにスイッチング速度の遅いＰＮＰト
ランジスタ２ａ，２ｂを使用しなければならない。しか
しながら、図２のように分流したスイッチング電流源７
をスイッチングすれば、吸い込み型の差動スイッチング
回路で可能なため、スイッチング速度の速いＮＰＮトラ
ンジスタやＮチャンネルのガリウム砒素ＦＥＴで容易に
構成できる。
【００１２】次に、図１を用いて本実施例における詳細
な構成について説明する。図１において、まず、第１の
電流源６から流れ出た全電流ＩOは、カソード側が接地
されたタイプの半導体レーザ１へレーザ電流ＩLDと、ス
イッチング電流源７へスイッチング電流Ｉ3と、第２の
電流源９へ再生時はＩ1、記録時はＩ2とに分流される。
な構成について説明する。図１において、まず、第１の
電流源６から流れ出た全電流ＩOは、カソード側が接地
されたタイプの半導体レーザ１へレーザ電流ＩLDと、ス
イッチング電流源７へスイッチング電流Ｉ3と、第２の
電流源９へ再生時はＩ1、記録時はＩ2とに分流される。
【００１３】ここで、全電流ＩOは、Ｉ1＋Ｉ3もしくは
Ｉ2＋Ｉ3が零になり、Ｉ0＝ＩLDになっても、半導体レ
ーザ１が劣化または破壊しない最大光出力Ｐmaxを駆動
する最大電流となるように制御電圧１０で設定する。
Ｉ2＋Ｉ3が零になり、Ｉ0＝ＩLDになっても、半導体レ
ーザ１が劣化または破壊しない最大光出力Ｐmaxを駆動
する最大電流となるように制御電圧１０で設定する。
【００１４】まず再生時の動作について説明する。半導
体レーザ１の光出力はフォトダイオード１１で受光し、
ＩＶ変換器１２で受光電圧１３に変換される。受光電圧
１３は、半導体レーザの再生時ＤＣパワー光ＰRに相当
する基準電圧１５と、オペアンプ１４で比較出力し、第
２の電流源９の電流をＩ1に制御する。半導体レーザ１
に流れるレーザ電流ＩLDは ＩLD＝ＩO−Ｉ1 となり、光出力は再生時のＤＣパワー光ＰRに制御され
る。
体レーザ１の光出力はフォトダイオード１１で受光し、
ＩＶ変換器１２で受光電圧１３に変換される。受光電圧
１３は、半導体レーザの再生時ＤＣパワー光ＰRに相当
する基準電圧１５と、オペアンプ１４で比較出力し、第
２の電流源９の電流をＩ1に制御する。半導体レーザ１
に流れるレーザ電流ＩLDは ＩLD＝ＩO−Ｉ1 となり、光出力は再生時のＤＣパワー光ＰRに制御され
る。
【００１５】次に記録時の動作について説明する。記録
時は、光ディスクのフォーマット上に設けられた半導体
レーザ１の光パワーレベルの設定エリアで、光パルスの
ピーク値とボトム値の設定制御を行う。記録時の全電流
ＩOはＩ2とＩ3とに分流され、Ｉ2は光パルスのピーク値
に相当する電流を設定制御し、Ｉ3は光パルスのボトム
値に相当する電流を設定制御する。
時は、光ディスクのフォーマット上に設けられた半導体
レーザ１の光パワーレベルの設定エリアで、光パルスの
ピーク値とボトム値の設定制御を行う。記録時の全電流
ＩOはＩ2とＩ3とに分流され、Ｉ2は光パルスのピーク値
に相当する電流を設定制御し、Ｉ3は光パルスのボトム
値に相当する電流を設定制御する。
【００１６】まず、光パルスのピーク値の制御について
説明する。半導体レーザ１の光出力は再生時と同様にフ
ォトダイオード１１で受光し、ＩＶ変換器１２で受光電
圧１３に変換される。受光電圧１３は、半導体レーザ１
の記録時の光パルスのピーク値ＰPに相当する基準電圧
１６と、オペアンプ１４で比較出力し、第２の電流源９
の電流をＩ2に制御する。半導体レーザ１に流れるレー
ザ電流ＩLDは ＩLD＝ＩO−Ｉ2 となり、光出力は記録時の光パルスのピーク値ＰPに制
御される。
説明する。半導体レーザ１の光出力は再生時と同様にフ
ォトダイオード１１で受光し、ＩＶ変換器１２で受光電
圧１３に変換される。受光電圧１３は、半導体レーザ１
の記録時の光パルスのピーク値ＰPに相当する基準電圧
１６と、オペアンプ１４で比較出力し、第２の電流源９
の電流をＩ2に制御する。半導体レーザ１に流れるレー
ザ電流ＩLDは ＩLD＝ＩO−Ｉ2 となり、光出力は記録時の光パルスのピーク値ＰPに制
御される。
【００１７】次に、光パルスのボトム値の制御について
説明する。この場合の受光電圧１３は、半導体レーザ１
の記録時の光パルスのボトム値ＰBに相当する基準電圧
８と、オペアンプ１７で比較出力し、スイッチング電流
源７を構成する定電流源１８の電流をＩ3に制御する。
説明する。この場合の受光電圧１３は、半導体レーザ１
の記録時の光パルスのボトム値ＰBに相当する基準電圧
８と、オペアンプ１７で比較出力し、スイッチング電流
源７を構成する定電流源１８の電流をＩ3に制御する。
【００１８】１９はスイッチング回路でＮＰＮトランジ
スタもしくはＮチャンネルＦＥＴで構成されたＮ型半導
体を用いた差動スイッチング回路である。記録信号２０
がローレベルの時、差動スイッチング回路１９はオン状
態になり電流Ｉ3を流し、光パルスのボトム値に制御設
定される。ハイレベルの時はオフ状態になるためＩ3＝
０であり、光パルスのピーク値状態を維持する。すなわ
ち光パルスのボトム値では半導体レーザ１に流れるレー
ザ電流ＩLDは、 ＩLD＝ＩO−Ｉ2ーＩ3 となり、光出力は記録時の光パルスのボトム値ＰBに設
定制御される。
スタもしくはＮチャンネルＦＥＴで構成されたＮ型半導
体を用いた差動スイッチング回路である。記録信号２０
がローレベルの時、差動スイッチング回路１９はオン状
態になり電流Ｉ3を流し、光パルスのボトム値に制御設
定される。ハイレベルの時はオフ状態になるためＩ3＝
０であり、光パルスのピーク値状態を維持する。すなわ
ち光パルスのボトム値では半導体レーザ１に流れるレー
ザ電流ＩLDは、 ＩLD＝ＩO−Ｉ2ーＩ3 となり、光出力は記録時の光パルスのボトム値ＰBに設
定制御される。
【００１９】この様にカソード側が接地されたタイプの
半導体レーザであっても、半導体レーザ１と分流した電
流Ｉ3を間接的にスイッチングすることにより、半導体
レーザ１に流れる電流を高速にスイッチングすることが
できる。
半導体レーザであっても、半導体レーザ１と分流した電
流Ｉ3を間接的にスイッチングすることにより、半導体
レーザ１に流れる電流を高速にスイッチングすることが
できる。
【００２０】図３は半導体レーザ１の発光出力と各部の
電流値の関係を示した図である。右側の記号は出力パワ
ー値を示し、Ｐmax、ＰP、ＰB、ＰRは図１に記載の記号
に対応している。左側の記号は電流値を示し、ＩO、
Ｉ1、Ｉ2、Ｉ3も図１に記載の記号に対応している。各
電流の大きさは図３の矢印の長さで表し、各電流の方向
は、吐き出し方向を上向き、吸い込み方向を下向きで表
している。
電流値の関係を示した図である。右側の記号は出力パワ
ー値を示し、Ｐmax、ＰP、ＰB、ＰRは図１に記載の記号
に対応している。左側の記号は電流値を示し、ＩO、
Ｉ1、Ｉ2、Ｉ3も図１に記載の記号に対応している。各
電流の大きさは図３の矢印の長さで表し、各電流の方向
は、吐き出し方向を上向き、吸い込み方向を下向きで表
している。
【００２１】まず再生時は、全電流Ｉ0からＩ1を分流し
て、半導体レーザ１に流れる電流は ＩLD＝ＩO−Ｉ1 となり、ＤＣパワー光ＰRで発光する。
て、半導体レーザ１に流れる電流は ＩLD＝ＩO−Ｉ1 となり、ＤＣパワー光ＰRで発光する。
【００２２】次に、記録時の光パルスのピーク値では、
差動スイッチング回路１９はオフのため、全電流Ｉ0か
らＩ2のみを分流して、半導体レーザ１に流れる電流は ＩLD＝ＩO−Ｉ2 となり、光パルスのピーク値ＰPで発光する。
差動スイッチング回路１９はオフのため、全電流Ｉ0か
らＩ2のみを分流して、半導体レーザ１に流れる電流は ＩLD＝ＩO−Ｉ2 となり、光パルスのピーク値ＰPで発光する。
【００２３】さらに、記録時の光パルスのボトム値で
は、差動スイッチング回路１９はオンし、全電流Ｉ0か
らＩ2とＩ3を分流するので、半導体レーザ１に流れる電
流は ＩLD＝ＩO−Ｉ2ーＩ3 となり、光パルスのボトム値ＰBで発光する。
は、差動スイッチング回路１９はオンし、全電流Ｉ0か
らＩ2とＩ3を分流するので、半導体レーザ１に流れる電
流は ＩLD＝ＩO−Ｉ2ーＩ3 となり、光パルスのボトム値ＰBで発光する。
【００２４】この様に、カソード側が接地されたタイプ
の半導体レーザであっても、半導体レーザ１と分流した
電流であるＩ2とＩ3の間をスイッチングすることによ
り、半導体レーザ１に流れる電流を光パルスのピーク値
とボトム値に設定し、高速にスイッチングすることがで
きる。
の半導体レーザであっても、半導体レーザ１と分流した
電流であるＩ2とＩ3の間をスイッチングすることによ
り、半導体レーザ１に流れる電流を光パルスのピーク値
とボトム値に設定し、高速にスイッチングすることがで
きる。
【００２５】図４は、スイッチング回路１９の詳細回路
図の第１の実施例である。スイッチング回路１９は、吸
い込み型で可能なため、ＮＰＮ型トランジズタで高速差
動スイッチング回路を容易に構成できる。
図の第１の実施例である。スイッチング回路１９は、吸
い込み型で可能なため、ＮＰＮ型トランジズタで高速差
動スイッチング回路を容易に構成できる。
【００２６】第１の実施例では、ＮＰＮトランジスタ２
１、２２で差動スイッチング回路を構成している。記録
信号２０をＮＰＮトランジスタ２１のベースに入力し、
抵抗４ａ、４ｂで分圧設定したしきい値電圧をＮＰＮト
ランジスタ２２のベースに入力する。このような差動ス
イッチング回路に、パルス光のボトム値を設定する電流
Ｉ3を吸い込み、記録信号２０に応じてＩ3を高速スイッ
チングする。
１、２２で差動スイッチング回路を構成している。記録
信号２０をＮＰＮトランジスタ２１のベースに入力し、
抵抗４ａ、４ｂで分圧設定したしきい値電圧をＮＰＮト
ランジスタ２２のベースに入力する。このような差動ス
イッチング回路に、パルス光のボトム値を設定する電流
Ｉ3を吸い込み、記録信号２０に応じてＩ3を高速スイッ
チングする。
【００２７】このように、半導体レーザ１に流す１００
〜２００ｍＡの大電流で、しかも５０Ｍｂｐｓ程度の高
速の記録信号入力であっても、ＮＰＮトランジスタ２
１、２２で差動スイッチング回路を構成することによ
り、容易に高速スイッチングを実現することができる。
〜２００ｍＡの大電流で、しかも５０Ｍｂｐｓ程度の高
速の記録信号入力であっても、ＮＰＮトランジスタ２
１、２２で差動スイッチング回路を構成することによ
り、容易に高速スイッチングを実現することができる。
【００２８】図５は、スイッチング回路１９の詳細回路
図の第２の実施例である。スイッチング回路１９は、吸
い込み型で可能なため、ガリウム砒素等のＮチャンネル
型ＦＥＴを用いれば、ＮＰＮトランジスタよりもさらに
高速駆動可能な差動スイッチング回路を構成できる。
図の第２の実施例である。スイッチング回路１９は、吸
い込み型で可能なため、ガリウム砒素等のＮチャンネル
型ＦＥＴを用いれば、ＮＰＮトランジスタよりもさらに
高速駆動可能な差動スイッチング回路を構成できる。
【００２９】第２の実施例では、Ｎチャンネル型ＦＥＴ
２３、２４で差動スイッチング回路を構成している。記
録信号２０をＮチャンネルＦＥＴ２３のゲートに入力
し、抵抗４ａ、４ｂで分圧設定したしきい値電圧をＮチ
ャンネルＦＥＴ２４のゲートに入力する。このような差
動スイッチング回路に、パルス光のボトム値を設定する
電流Ｉ3を吸い込み、記録信号２０に応じてＩ3を高速ス
イッチングする。
２３、２４で差動スイッチング回路を構成している。記
録信号２０をＮチャンネルＦＥＴ２３のゲートに入力
し、抵抗４ａ、４ｂで分圧設定したしきい値電圧をＮチ
ャンネルＦＥＴ２４のゲートに入力する。このような差
動スイッチング回路に、パルス光のボトム値を設定する
電流Ｉ3を吸い込み、記録信号２０に応じてＩ3を高速ス
イッチングする。
【００３０】このように、半導体レーザ１に流す１００
〜２００ｍＡの大電流で、しかも５０Ｍｂｐｓ程度の高
速の記録信号入力であっても、ＮチャンネルＦＥＴ２
３、２４で差動スイッチング回路を構成することによ
り、ＮＰＮトランジスタよりもさらに高速駆動可能なス
イッチングを実現することができる。
〜２００ｍＡの大電流で、しかも５０Ｍｂｐｓ程度の高
速の記録信号入力であっても、ＮチャンネルＦＥＴ２
３、２４で差動スイッチング回路を構成することによ
り、ＮＰＮトランジスタよりもさらに高速駆動可能なス
イッチングを実現することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、カソード
側が駆動回路の接地側に接続された半導体レーザで、１
００〜２００ｍＡ程度の大電流でしかも５０Ｍｂｐｓ程
度の高速の記録信号入力に応じて駆動する場合であって
も、高速スイッチング可能な半導体レーザ駆動回路を、
Ｎ型半導体を用いた容易な構成で実現することができ
る。
側が駆動回路の接地側に接続された半導体レーザで、１
００〜２００ｍＡ程度の大電流でしかも５０Ｍｂｐｓ程
度の高速の記録信号入力に応じて駆動する場合であって
も、高速スイッチング可能な半導体レーザ駆動回路を、
Ｎ型半導体を用いた容易な構成で実現することができ
る。
【００３２】さらに、本発明の半導体レーザ駆動回路を
用いることにより、高転送レートの記録信号であって
も、高い信頼性で光ディスク記録を実現することができ
る。
用いることにより、高転送レートの記録信号であって
も、高い信頼性で光ディスク記録を実現することができ
る。
【図１】本発明の一実施例における半導体レーザ駆動回
路のブロック図
路のブロック図
【図２】本実施例の半導体レーザ駆動回路の概略構成図
【図３】本実施例における半導体レーザ駆動回路の動作
波形図
波形図
【図４】本実施例におけるスイッチング回路の一構成例
を示す回路図
を示す回路図
【図５】本実施例におけるスイッチング回路の他の構成
例を示す回路図
例を示す回路図
【図６】従来の半導体レーザ駆動回路ブロック図
１ 半導体レーザ ６ 第１の電流源 ７ スイッチング電流源 ９ 第２の電流源 １９ 差動スイッチング回路 ２１、２２ ＮＰＮトランジスタ ２３、２４ ＮチャンネルＦＥＴ ＰP ピーク値 ＰB ボトム値
Claims (5)
- 【請求項１】半導体レーザと直列に接続された第１の電
流源と、前記半導体レーザと前記第１の電流源の接続点
から前記半導体レーザと並列に接続し、前記第１の電流
源の電流を前記半導体レーザと分流してスイッチングす
るスイッチング電流源とを備え、前記半導体レーザに流
れる電流をスイッチイングする半導体レーザ駆動回路。 - 【請求項２】半導体レーザのアノード側が第１の電流源
に接続され、前記半導体レーザのカソード側が駆動回路
の接地電位側もしくは／及び半導体レーザの支持体の接
地電位側に接続された請求項１記載の半導体レーザ駆動
回路。 - 【請求項３】半導体レーザと第１の電流源の接続点か
ら、前記第１の電流源の電流を、前記半導体レーザと、
スイッチング電流源手段と、さらに第２の電流源とに分
流し、前記第２の電流源はスイッチングされた前記半導
体レーザに流れる電流のピーク値またはボトム値を設定
する請求項２記載の半導体レーザ駆動回路。 - 【請求項４】半導体レーザが非スイッチング時には、前
記半導体レーザに流れるＤＣ電流値を設定する第２の電
流源手段を備えた請求項２記載の半導体レーザ駆動回
路。 - 【請求項５】スイッチング電流源は、ＮＰＮトランジス
タもしくはＮチャンネルＦＥＴで構成された差動スイッ
チング回路を用いて電流をスイッチングする請求項１記
載の半導体レーザ駆動回路。
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|---|---|---|---|
| JP4302025A JPH06152027A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 半導体レーザ駆動回路 |
| EP93308879A EP0597644A1 (en) | 1992-11-12 | 1993-11-08 | Semiconductor laser driving circuit |
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| JP4302025A JPH06152027A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 半導体レーザ駆動回路 |
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Family
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Family Applications (1)
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