JPH06244483A - 半導体発光素子駆動回路 - Google Patents
半導体発光素子駆動回路Info
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- JPH06244483A JPH06244483A JP2778193A JP2778193A JPH06244483A JP H06244483 A JPH06244483 A JP H06244483A JP 2778193 A JP2778193 A JP 2778193A JP 2778193 A JP2778193 A JP 2778193A JP H06244483 A JPH06244483 A JP H06244483A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速な動作が可能なカレントソースタイプの
半導体発光素子駆動回路を得る。 【構成】 レーザダイオード１ａに直列に接続された電
流源５からレーザダイオード１ａを動作させるための電
流ＩＳ１を供給する。負荷抵抗４とトランジスタＱ１，
Ｑ２と電流源６で構成された差動スイッチ回路をレーザ
ダイオード１ａと並列に接続する。入力端子２，３から
入力される信号によりトランジスタＱ２をオンオフして
レーザダイオード１ａに流れる電流を変化させる。 【効果】 トランジスタＱ２が活性領域の狭い範囲で動
作することによってレーザダイオード１ａを高速で駆動
させることができる。
半導体発光素子駆動回路を得る。 【構成】 レーザダイオード１ａに直列に接続された電
流源５からレーザダイオード１ａを動作させるための電
流ＩＳ１を供給する。負荷抵抗４とトランジスタＱ１，
Ｑ２と電流源６で構成された差動スイッチ回路をレーザ
ダイオード１ａと並列に接続する。入力端子２，３から
入力される信号によりトランジスタＱ２をオンオフして
レーザダイオード１ａに流れる電流を変化させる。 【効果】 トランジスタＱ２が活性領域の狭い範囲で動
作することによってレーザダイオード１ａを高速で駆動
させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、発光ダイオードや半
導体レーザ等の半導体発光素子を駆動する駆動回路に関
し、特にカレントソースタイプの半導体発光素子駆動回
路に関するものである。
導体レーザ等の半導体発光素子を駆動する駆動回路に関
し、特にカレントソースタイプの半導体発光素子駆動回
路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子のパルス駆動回路には、
カレントソースタイプとカレントシンクタイプの２種類
の駆動回路があるが、一般的に高速駆動が要求される場
合にはカレントシンクタイプのパルス駆動回路が用いら
れている。
カレントソースタイプとカレントシンクタイプの２種類
の駆動回路があるが、一般的に高速駆動が要求される場
合にはカレントシンクタイプのパルス駆動回路が用いら
れている。
【０００３】従来のカレントソースタイプの異なる２つ
の半導体発光素子駆動回路の回路図を図４及び図５に示
す。また、従来のカレントシンクタイプの半導体発光素
子駆動回路の回路図を図６に示す。図４乃至図６に示し
た駆動回路には駆動トランジスタとして高周波特性に優
れたＮＰＮバイポーラトランジスタを使用している。し
かし、図に示した従来のカレントソースタイプの半導体
発光素子駆動回路では、差動スイッチ回路で構成された
カレントシンクタイプの駆動トランジスタが活性領域内
の狭い領域で動作するのに対して、カレントソースタイ
プの駆動トランジスタの動作領域が活性領域内で大幅に
動作したり、飽和−遮断領域で動作するので、カレント
シンクタイプのパルス駆動回路と同等の応答特性を実現
することは困難である。
の半導体発光素子駆動回路の回路図を図４及び図５に示
す。また、従来のカレントシンクタイプの半導体発光素
子駆動回路の回路図を図６に示す。図４乃至図６に示し
た駆動回路には駆動トランジスタとして高周波特性に優
れたＮＰＮバイポーラトランジスタを使用している。し
かし、図に示した従来のカレントソースタイプの半導体
発光素子駆動回路では、差動スイッチ回路で構成された
カレントシンクタイプの駆動トランジスタが活性領域内
の狭い領域で動作するのに対して、カレントソースタイ
プの駆動トランジスタの動作領域が活性領域内で大幅に
動作したり、飽和−遮断領域で動作するので、カレント
シンクタイプのパルス駆動回路と同等の応答特性を実現
することは困難である。
【０００４】図４に示すカレントソースタイプの半導体
発光素子駆動回路において、１７は電源に接続された電
源端子、１８は接地を示し、１１は一方端を電源端子１
７に接続した負荷抵抗、Ｑ５はコレクタ電極を負荷抵抗
１１の他方端に接続しベース電極を入力端子１３に接続
し入力端子１３から入力された信号に応じてスイッチン
グ動作を行うＮＰＮバイポーラトランジスタ、１ａはト
ランジスタ１２のエミッタ電極にアノード電極を接続
し、カソード電極を接地した半導体発光素子である。半
導体発光素子１ａの光出力は入力端子１３に印加される
パルス状の入力電圧により制御されるトランジスタＱ５
のオンオフ動作によって負荷抵抗１１を通る電流値の変
化によって制御される。
発光素子駆動回路において、１７は電源に接続された電
源端子、１８は接地を示し、１１は一方端を電源端子１
７に接続した負荷抵抗、Ｑ５はコレクタ電極を負荷抵抗
１１の他方端に接続しベース電極を入力端子１３に接続
し入力端子１３から入力された信号に応じてスイッチン
グ動作を行うＮＰＮバイポーラトランジスタ、１ａはト
ランジスタ１２のエミッタ電極にアノード電極を接続
し、カソード電極を接地した半導体発光素子である。半
導体発光素子１ａの光出力は入力端子１３に印加される
パルス状の入力電圧により制御されるトランジスタＱ５
のオンオフ動作によって負荷抵抗１１を通る電流値の変
化によって制御される。
【０００５】また、図５に示すカレントソースタイプの
半導体発光素子駆動回路において、１７は電源端子、１
８は接地を示し、１９は一方端を電源端子１７に接続し
所定の一定電流を流す電流源、Ｑ６はコレクタ電極を電
流源１９の他方端に接続しエミッタ電極を接地しベース
電極を入力端子１３に接続し入力端子１３に入力された
信号に応じてスイッチング動作を行うＮＰＮバイポーラ
トランジスタ、１ａは電流源１９の他方端にアノード電
極を接続しカソード電極を接地した半導体発光素子であ
る。半導体発光素子１ａの光出力は入力端子１３に印加
される入力電圧によるトランジスタＱ６のオンオフ動作
によって電流源１９より半導体発光素子１ａに供給され
る電流を変化することによって制御される。
半導体発光素子駆動回路において、１７は電源端子、１
８は接地を示し、１９は一方端を電源端子１７に接続し
所定の一定電流を流す電流源、Ｑ６はコレクタ電極を電
流源１９の他方端に接続しエミッタ電極を接地しベース
電極を入力端子１３に接続し入力端子１３に入力された
信号に応じてスイッチング動作を行うＮＰＮバイポーラ
トランジスタ、１ａは電流源１９の他方端にアノード電
極を接続しカソード電極を接地した半導体発光素子であ
る。半導体発光素子１ａの光出力は入力端子１３に印加
される入力電圧によるトランジスタＱ６のオンオフ動作
によって電流源１９より半導体発光素子１ａに供給され
る電流を変化することによって制御される。
【０００６】次に、図６に示すカレントシンクタイプの
半導体発光素子駆動回路において、１７は電源端子、１
８は接地を示し、１ｂは電源端子１７にアノード電極を
接続した半導体発光素子、Ｑ７はコレクタ電極を半導体
発光素子１ｂのカソード電極に接続しベース電極を第１
の入力端子２３に接続したＮＰＮバイポーラトランジス
タ、１６は所定の一定電流を流す電流源、１２は一方端
を電源端子１７に接続した負荷抵抗、Ｑ８はコレクタ電
極を負荷抵抗１２の他方端に接続しベース電極を第２の
入力端子２４に接続しエミッタ電極をトランジスタＱ７
のエミッタ電極に接続したＮＰＮバイポーラトランジス
タである。半導体発光素子１ｂの光出力は、第１及び第
２の入力端子２３，２４に印加される入力電圧によるト
ランジスタＱ７のオンオフ動作によって電流源１６が半
導体発光素子１ｂから引き込む電流を変化することによ
って制御される。
半導体発光素子駆動回路において、１７は電源端子、１
８は接地を示し、１ｂは電源端子１７にアノード電極を
接続した半導体発光素子、Ｑ７はコレクタ電極を半導体
発光素子１ｂのカソード電極に接続しベース電極を第１
の入力端子２３に接続したＮＰＮバイポーラトランジス
タ、１６は所定の一定電流を流す電流源、１２は一方端
を電源端子１７に接続した負荷抵抗、Ｑ８はコレクタ電
極を負荷抵抗１２の他方端に接続しベース電極を第２の
入力端子２４に接続しエミッタ電極をトランジスタＱ７
のエミッタ電極に接続したＮＰＮバイポーラトランジス
タである。半導体発光素子１ｂの光出力は、第１及び第
２の入力端子２３，２４に印加される入力電圧によるト
ランジスタＱ７のオンオフ動作によって電流源１６が半
導体発光素子１ｂから引き込む電流を変化することによ
って制御される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のカレントソース
タイプの半導体発光素子駆動回路は以上のように構成さ
れているので、発光素子を駆動するトランジスタが活性
領域内の広い範囲を使って動作させたり、あるいは飽和
領域−遮断領域の両方の範囲で動作させるためトランジ
スタの応答が差動スイッチ回路で構成されたカレントシ
ンクタイプの半導体発光素子駆動回路に比べて遅くなる
という問題点があった。
タイプの半導体発光素子駆動回路は以上のように構成さ
れているので、発光素子を駆動するトランジスタが活性
領域内の広い範囲を使って動作させたり、あるいは飽和
領域−遮断領域の両方の範囲で動作させるためトランジ
スタの応答が差動スイッチ回路で構成されたカレントシ
ンクタイプの半導体発光素子駆動回路に比べて遅くなる
という問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、高速動作が可能なカレントソー
スタイプの半導体発光素子駆動回路を得ることを目的と
する。
ためになされたもので、高速動作が可能なカレントソー
スタイプの半導体発光素子駆動回路を得ることを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
発光素子駆動回路は、一方端を第１の電位に接続した半
導体発光素子を駆動する半導体発光素子駆動回路であっ
て、前記半導体発光素子の他方端に一方端を接続し、前
記第１の電位より高い第２の電位に他方端を接続し、第
１の所定電流を流す第１の電流源と、第２の所定電流を
流す第２の電流源と、スイッチングのタイミングを制御
するデータが入力されるデータ入力端子に接続される制
御電極と、前記第１及び第２の電流源に接続される電流
電極とを有し、前記データ入力端子から入力されるデー
タに応じて前記第１の電流源と前記第２の電流源とを接
続／遮断して前記第１の電流源から前記第２の電流源へ
と電流を選択的に流す差動対をなすトランジスタを有す
る差動スイッチ回路とを備えて構成されている。
発光素子駆動回路は、一方端を第１の電位に接続した半
導体発光素子を駆動する半導体発光素子駆動回路であっ
て、前記半導体発光素子の他方端に一方端を接続し、前
記第１の電位より高い第２の電位に他方端を接続し、第
１の所定電流を流す第１の電流源と、第２の所定電流を
流す第２の電流源と、スイッチングのタイミングを制御
するデータが入力されるデータ入力端子に接続される制
御電極と、前記第１及び第２の電流源に接続される電流
電極とを有し、前記データ入力端子から入力されるデー
タに応じて前記第１の電流源と前記第２の電流源とを接
続／遮断して前記第１の電流源から前記第２の電流源へ
と電流を選択的に流す差動対をなすトランジスタを有す
る差動スイッチ回路とを備えて構成されている。
【００１０】第２の発明に係る半導体発光素子駆動回路
は、第１の発明において、データ入力端子は、第１及び
第２のデータ入力端子を含み、前記差動スイッチ回路の
前記トランジスタは、電源に一方電流電極を接続し、前
記第２の電流源に他方電流電極を接続し、制御電極に第
１のデータ入力端子を接続した第１のトランジスタと、
前記半導体発光素子の他方端に一方電流電極を接続し、
前記第１のトランジスタの前記他方電流電極に他方電流
電極を接続し、制御電極を前記第２のデータ入力端子に
接続した第２のトランジスタとを含むことを特徴とす
る。
は、第１の発明において、データ入力端子は、第１及び
第２のデータ入力端子を含み、前記差動スイッチ回路の
前記トランジスタは、電源に一方電流電極を接続し、前
記第２の電流源に他方電流電極を接続し、制御電極に第
１のデータ入力端子を接続した第１のトランジスタと、
前記半導体発光素子の他方端に一方電流電極を接続し、
前記第１のトランジスタの前記他方電流電極に他方電流
電極を接続し、制御電極を前記第２のデータ入力端子に
接続した第２のトランジスタとを含むことを特徴とす
る。
【００１１】第３の発明に係る半導体発光素子駆動回路
は、第１の発明において、前記第１の電流源は、前記第
２の電位に一方電流電極を接続し、前記差動スイッチ回
路に他方電流電極を接続した第１のトランジスタと、前
記第１のトランジスタの制御電極に制御電極及び一方電
流電極を接続し、前記第１のトランジスタの前記他方電
流電極に他方電流電極を接続した第２のトランジスタ
と、前記第２のトランジスタの一方電流電極に接続し、
基準となる所定の電流を入力する基準電流入力端子とを
備えて構成されている。
は、第１の発明において、前記第１の電流源は、前記第
２の電位に一方電流電極を接続し、前記差動スイッチ回
路に他方電流電極を接続した第１のトランジスタと、前
記第１のトランジスタの制御電極に制御電極及び一方電
流電極を接続し、前記第１のトランジスタの前記他方電
流電極に他方電流電極を接続した第２のトランジスタ
と、前記第２のトランジスタの一方電流電極に接続し、
基準となる所定の電流を入力する基準電流入力端子とを
備えて構成されている。
【００１２】
【作用】第１の発明における差動スイッチ回路は、第１
及び第２のトランジスタの制御回路に入力する信号に応
じて第２のトランジスタが第１のトランジスタとの差動
動作でオンオフ動作をすることによって半導体発光素子
に供給される電流を変化させるので、半導体発光素子を
駆動するためのトランジスタである第２のトランジスタ
を高速で動作させることができ、駆動回路で半導体発光
素子を高速駆動することができる。
及び第２のトランジスタの制御回路に入力する信号に応
じて第２のトランジスタが第１のトランジスタとの差動
動作でオンオフ動作をすることによって半導体発光素子
に供給される電流を変化させるので、半導体発光素子を
駆動するためのトランジスタである第２のトランジスタ
を高速で動作させることができ、駆動回路で半導体発光
素子を高速駆動することができる。
【００１３】第２の発明における第１の電流源は、差動
スイッチ回路のオンオフ動作によって第２のトランジス
タの他方電流電極の電位が変化するので、第２及び第３
のトランジスタの制御電極と他方電流電極間の容量によ
ってその変化を第３及び第４のトランジスタの制御電極
に伝えて、第３及び第４のトランジスタの制御電極の電
位を変化させることによって出力電流を変化させ半導体
発光素子の光出力のオーバーシュート及びアンダーシュ
ートを防止することができる。
スイッチ回路のオンオフ動作によって第２のトランジス
タの他方電流電極の電位が変化するので、第２及び第３
のトランジスタの制御電極と他方電流電極間の容量によ
ってその変化を第３及び第４のトランジスタの制御電極
に伝えて、第３及び第４のトランジスタの制御電極の電
位を変化させることによって出力電流を変化させ半導体
発光素子の光出力のオーバーシュート及びアンダーシュ
ートを防止することができる。
【００１４】
【実施例】以下この発明の一実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の一実施例による半導体発光素子駆
動回路の構成を示す回路図である。図において、１ａは
カソード電極を接地したレーザダイオード、４は一方端
を電源端子１７に接続した抵抗、Ｑ１は負荷抵抗４の他
方端にコレクタ電極を接続し、第１の入力端子２にベー
ス電極を接続したＮＰＮバイポーラトランジスタ、Ｑ２
はレーザダイオード１ａのアノード電極にコレクタ電極
を接続し、トランジスタＱ１のエミッタ電極にエミッタ
電極を接続したＮＰＮバイポーラトランジスタ、６はト
ランジスタＱ１，Ｑ２のエミッタ電極に一方端を接続し
他方端を接続した所定の電流ＩＳ２を流す電流源、５は
一方端を電源端子１７に接続し、他方端をレーザダイオ
ード１ａのアノード電極に接続した所定の電流ＩＳ１を
流す電流源である。ここでＮＰＮバイポーラトランジス
タＱ１，Ｑ２は差動対を成し、第１及び第２の入力端子
２，３から入力される信号の差電圧に応じて動作する。
る。図１はこの発明の一実施例による半導体発光素子駆
動回路の構成を示す回路図である。図において、１ａは
カソード電極を接地したレーザダイオード、４は一方端
を電源端子１７に接続した抵抗、Ｑ１は負荷抵抗４の他
方端にコレクタ電極を接続し、第１の入力端子２にベー
ス電極を接続したＮＰＮバイポーラトランジスタ、Ｑ２
はレーザダイオード１ａのアノード電極にコレクタ電極
を接続し、トランジスタＱ１のエミッタ電極にエミッタ
電極を接続したＮＰＮバイポーラトランジスタ、６はト
ランジスタＱ１，Ｑ２のエミッタ電極に一方端を接続し
他方端を接続した所定の電流ＩＳ２を流す電流源、５は
一方端を電源端子１７に接続し、他方端をレーザダイオ
ード１ａのアノード電極に接続した所定の電流ＩＳ１を
流す電流源である。ここでＮＰＮバイポーラトランジス
タＱ１，Ｑ２は差動対を成し、第１及び第２の入力端子
２，３から入力される信号の差電圧に応じて動作する。
【００１５】レーザダイオード１ａのパルス駆動につい
て説明する。第１及び第２の入力端子２，３には差動入
力信号が入力され、第１の入力端子２の電位の方が第２
の入力端子３の電位より高くなればトランジスタＱ１が
オンし、トランジスタＱ２がオフ状態となる。そのた
め、電流源５より流れる電流ＩＳ１がすべてレーザダイ
オード１ａに流れる。従って、レーザダイオードに流れ
る電流ＩLDは、ＩＳ１と等しくなりレーザダイオード１
ａの光出力はＨレベルになる。
て説明する。第１及び第２の入力端子２，３には差動入
力信号が入力され、第１の入力端子２の電位の方が第２
の入力端子３の電位より高くなればトランジスタＱ１が
オンし、トランジスタＱ２がオフ状態となる。そのた
め、電流源５より流れる電流ＩＳ１がすべてレーザダイ
オード１ａに流れる。従って、レーザダイオードに流れ
る電流ＩLDは、ＩＳ１と等しくなりレーザダイオード１
ａの光出力はＨレベルになる。
【００１６】次に、第１及び第２の入力端子２，３に入
力される信号によって第１の入力端子２の電位の方が第
２の入力端子３の電位より低くなれば、トランジスタＱ
１がオフし、トランジスタＱ２がオン状態となる。その
ため、電流源５から出力される電流ＩＳ１はトランジス
タＱ２によって分流され、トランジスタＱ２には電流源
６によって引き抜かれる電流ＩＳ２が流れるので、レー
ザダイオード１ａには電流ＩLDとして（ＩＳ１−ＩＳ
２）が流れる。従って、レーザダイオード１ａに流れる
電流は減少し、レーザダイオード１ａの光出力はＬレベ
ルになる。
力される信号によって第１の入力端子２の電位の方が第
２の入力端子３の電位より低くなれば、トランジスタＱ
１がオフし、トランジスタＱ２がオン状態となる。その
ため、電流源５から出力される電流ＩＳ１はトランジス
タＱ２によって分流され、トランジスタＱ２には電流源
６によって引き抜かれる電流ＩＳ２が流れるので、レー
ザダイオード１ａには電流ＩLDとして（ＩＳ１−ＩＳ
２）が流れる。従って、レーザダイオード１ａに流れる
電流は減少し、レーザダイオード１ａの光出力はＬレベ
ルになる。
【００１７】この半導体発光素子駆動回路の駆動トラン
ジスタはトランジスタＱ２であり、その動作領域は図６
に示す差動スイッチ回路を用いたカレントシンクタイプ
の半導体発光素子駆動回路の駆動トランジスタと同等で
あり、駆動トランジスタの動作領域が狭くなり高速動作
が可能になる。
ジスタはトランジスタＱ２であり、その動作領域は図６
に示す差動スイッチ回路を用いたカレントシンクタイプ
の半導体発光素子駆動回路の駆動トランジスタと同等で
あり、駆動トランジスタの動作領域が狭くなり高速動作
が可能になる。
【００１８】さらに、上記実施例で電流源５を図２に示
すような構成することによってレーザダイオード１ａを
パルス駆動した際のレーザダイオード１ａに流れる電流
ＩLDオーバーシュート等を抑制する効果がでる。
すような構成することによってレーザダイオード１ａを
パルス駆動した際のレーザダイオード１ａに流れる電流
ＩLDオーバーシュート等を抑制する効果がでる。
【００１９】図２において、Ｑ３はコレクタ電極を電源
端子１７に接続しレーザダイオード１ａのアノード電極
にエミッタ電極を接続したＮＰＮバイポーラトランジス
タ、Ｑ４は基準電流入力端子１０にコレクタ電極を接続
し、エミッタ電極をレーザダイオード１ａのアノード電
極に接続しトランジスタＱ３のベース電極にベース電極
を接続したＮＰＮバイポーラトランジスタであり、トラ
ンジスタＱ３，Ｑ４で電流源５を構成している。そし
て、この電流源５が出力する電流ＩＳ１は基準電流入力
端子１０に入力される電流によって制御される。
端子１７に接続しレーザダイオード１ａのアノード電極
にエミッタ電極を接続したＮＰＮバイポーラトランジス
タ、Ｑ４は基準電流入力端子１０にコレクタ電極を接続
し、エミッタ電極をレーザダイオード１ａのアノード電
極に接続しトランジスタＱ３のベース電極にベース電極
を接続したＮＰＮバイポーラトランジスタであり、トラ
ンジスタＱ３，Ｑ４で電流源５を構成している。そし
て、この電流源５が出力する電流ＩＳ１は基準電流入力
端子１０に入力される電流によって制御される。
【００２０】図２に示した半導体発光素子駆動回路の動
作に関する各部の電圧及び電流波形を図３に示す。図３
（ａ）はトランジスタＱ１のベース電極に入力される差
動入力信号の電圧波形、図３（ｂ）はトランジスタＱ
１，Ｑ２のエミッタ電極の電圧波形、図３（ｃ）は電流
源５から出力される電流ＩＳ１の波形、図３（ｄ）はレ
ーザダイオード１ａに流れる電流ＩLDの波形を示してい
る。レーザダイオード１ａの電流ＩLDが立ち上がると
き、レーザダイオード１ａの順方向電圧の上昇に伴い、
トランジスタＱ３，Ｑ４のエミッタ電極の電圧ＶL が上
昇し始める。トランジスタＱ３，Ｑ４のエミッタ電極の
電圧変化によって、その微分した電圧がトランジスタＱ
３，Ｑ４内部の寄生容量によりトランジスタＱ３，Ｑ４
のベース電極に印加され、トランジスタＱ３，Ｑ４のエ
ミッタ電流は短いパルス状に変化するため、電流ＩＳ１
は図３（ｃ）示すような波形となる。従って、レーザダ
イオード１ａに流れる電流ＩLDの逆方向の電流が重畳さ
れるので電流ＩLDのオーバーシュートが緩和される。
作に関する各部の電圧及び電流波形を図３に示す。図３
（ａ）はトランジスタＱ１のベース電極に入力される差
動入力信号の電圧波形、図３（ｂ）はトランジスタＱ
１，Ｑ２のエミッタ電極の電圧波形、図３（ｃ）は電流
源５から出力される電流ＩＳ１の波形、図３（ｄ）はレ
ーザダイオード１ａに流れる電流ＩLDの波形を示してい
る。レーザダイオード１ａの電流ＩLDが立ち上がると
き、レーザダイオード１ａの順方向電圧の上昇に伴い、
トランジスタＱ３，Ｑ４のエミッタ電極の電圧ＶL が上
昇し始める。トランジスタＱ３，Ｑ４のエミッタ電極の
電圧変化によって、その微分した電圧がトランジスタＱ
３，Ｑ４内部の寄生容量によりトランジスタＱ３，Ｑ４
のベース電極に印加され、トランジスタＱ３，Ｑ４のエ
ミッタ電流は短いパルス状に変化するため、電流ＩＳ１
は図３（ｃ）示すような波形となる。従って、レーザダ
イオード１ａに流れる電流ＩLDの逆方向の電流が重畳さ
れるので電流ＩLDのオーバーシュートが緩和される。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、請求項１及び請求項２記
載の半導体発光素子駆動回路によれば、スイッチングの
タイミングを制御するデータが入力されるデータ入力端
子に接続される制御電極と、第１及び第２の電流源に接
続される電流電極とを有し、データ入力端子から入力さ
れるデータに応じて第１の電流源と第２の電流源とを接
続／遮断して第１の電流源から第２の電流源へと電流を
選択的に流す差動対をなすトランジスタを有する差動ス
イッチ回路を備えて構成されているので、半導体発光素
子を駆動する第２のトランジスタの動作領域が狭くな
り、高速動作が可能な半導体発光素子駆動回路を得るこ
とができるという効果がある。
載の半導体発光素子駆動回路によれば、スイッチングの
タイミングを制御するデータが入力されるデータ入力端
子に接続される制御電極と、第１及び第２の電流源に接
続される電流電極とを有し、データ入力端子から入力さ
れるデータに応じて第１の電流源と第２の電流源とを接
続／遮断して第１の電流源から第２の電流源へと電流を
選択的に流す差動対をなすトランジスタを有する差動ス
イッチ回路を備えて構成されているので、半導体発光素
子を駆動する第２のトランジスタの動作領域が狭くな
り、高速動作が可能な半導体発光素子駆動回路を得るこ
とができるという効果がある。
【００２２】請求項３記載の半導体発光素子駆動回路に
よれば、第１の電流源は、第２の電位に一方電流電極を
接続し、差動スイッチ回路に他方電流電極を接続した第
１のトランジスタと、第１のトランジスタの制御電極に
制御電極及び一方電流電極を接続し、第１のトランジス
タの他方電流電極に他方電流電極を接続した第２のトラ
ンジスタと、第２のトランジスタの一方電流電極に接続
し、基準となる所定の電流を入力する基準電流入力端子
とを備えて構成されているので、半導体発光素子に流れ
る電流のオーバーシュート等を抑制することができると
いう効果がある。
よれば、第１の電流源は、第２の電位に一方電流電極を
接続し、差動スイッチ回路に他方電流電極を接続した第
１のトランジスタと、第１のトランジスタの制御電極に
制御電極及び一方電流電極を接続し、第１のトランジス
タの他方電流電極に他方電流電極を接続した第２のトラ
ンジスタと、第２のトランジスタの一方電流電極に接続
し、基準となる所定の電流を入力する基準電流入力端子
とを備えて構成されているので、半導体発光素子に流れ
る電流のオーバーシュート等を抑制することができると
いう効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体発光素子駆動
回路の構成を示す回路図である。
回路の構成を示す回路図である。
【図２】この発明の一実施例による半導体発光素子駆動
回路の構成を示す回路図である。
回路の構成を示す回路図である。
【図３】図２に示した半導体発光素子駆動回路動作を示
す波形図である。
す波形図である。
【図４】従来の半導体発光素子駆動回路の構成を示す回
路図である。
路図である。
【図５】従来の半導体発光素子駆動回路の構成を示す回
路図である。
路図である。
【図６】従来の半導体発光素子駆動回路の構成を示す回
路図である。
路図である。
１ａ，１ｂ レーザダイオード ２ 第１の入力端子 ３ 第２の入力端子 ４ 負荷抵抗 ５，６ 電流源 Ｑ１〜Ｑ８ ＮＰＮバイポーラトランジスタ
Claims (3)
- 【請求項１】 一方端を第１の電位に接続した半導体発
光素子を駆動する半導体発光素子駆動回路であって、 前記半導体発光素子の他方端に一方端を接続し、前記第
１の電位より高い第２の電位に他方端を接続し、第１の
所定電流を流す第１の電流源と、 第２の所定電流を流す第２の電流源と、 スイッチングのタイミングを制御するデータが入力され
るデータ入力端子に接続される制御電極と、前記第１及
び第２の電流源に接続される電流電極とを有し、前記デ
ータ入力端子から入力されるデータに応じて前記第１の
電流源と前記第２の電流源とを接続／遮断して前記第１
の電流源から前記第２の電流源へと電流を選択的に流す
差動対をなすトランジスタを有する差動スイッチ回路
と、 を備える半導体発光素子駆動回路。 - 【請求項２】 前記データ入力端子は、第１及び第２の
データ入力端子を含み、 前記差動スイッチ回路の前記トランジスタは、 電源に一方電流電極を接続し、前記第２の電流源に他方
電流電極を接続し、制御電極に第１のデータ入力端子を
接続した第１のトランジスタと、 前記半導体発光素子の他方端に一方電流電極を接続し、
前記第１のトランジスタの前記他方電流電極に他方電流
電極を接続し、制御電極を前記第２のデータ入力端子に
接続した第２のトランジスタとを含む、半導体発光素子
駆動回路。 - 【請求項３】 前記第１の電流源は、 前記第２の電位に一方電流電極を接続し、前記差動スイ
ッチ回路に他方電流電極を接続した第１のトランジスタ
と、 前記第１のトランジスタの制御電極に制御電極及び一方
電流電極を接続し、前記第１のトランジスタの前記他方
電流電極に他方電流電極を接続した第２のトランジスタ
と、 前記第２のトランジスタの一方電流電極に接続し、基準
となる所定の電流を入力する基準電流入力端子と、 を備える、請求項１記載の半導体発光素子駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2778193A JPH06244483A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 半導体発光素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2778193A JPH06244483A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 半導体発光素子駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244483A true JPH06244483A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12230523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2778193A Pending JPH06244483A (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | 半導体発光素子駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244483A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004241264A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | M & M:Kk | 点灯装置 |
| JP2013168544A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2013239641A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子駆動回路 |
-
1993
- 1993-02-17 JP JP2778193A patent/JPH06244483A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004241264A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-26 | M & M:Kk | 点灯装置 |
| JP2013168544A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ駆動回路 |
| JP2013239641A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子駆動回路 |
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