JPH1093143A - Ｌｅｄ駆動回路 - Google Patents
Ｌｅｄ駆動回路Info
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- JPH1093143A JPH1093143A JP24663896A JP24663896A JPH1093143A JP H1093143 A JPH1093143 A JP H1093143A JP 24663896 A JP24663896 A JP 24663896A JP 24663896 A JP24663896 A JP 24663896A JP H1093143 A JPH1093143 A JP H1093143A
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- voltage signal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大振幅の電圧信号を印加することなく、ＬＥ
Ｄを高速に発光させることができるＬＥＤ駆動回路を提
供する。 【解決手段】 入力端子１２に所定の電圧信号が入力さ
れると、微分回路１３は、その電圧信号の時間微分に比
例する電圧信号を出力する。デュアルゲートＦＥＴ１１
は、入力端子１２に入力された電圧信号および微分回路
１３が出力する電圧信号に応じて電圧駆動され、その電
流値が変化する駆動電流を出力する。ＬＥＤ１６は、デ
ュアルゲートＦＥＴ１１が出力する駆動電流の電流値に
応じて発光／消光する。
Ｄを高速に発光させることができるＬＥＤ駆動回路を提
供する。 【解決手段】 入力端子１２に所定の電圧信号が入力さ
れると、微分回路１３は、その電圧信号の時間微分に比
例する電圧信号を出力する。デュアルゲートＦＥＴ１１
は、入力端子１２に入力された電圧信号および微分回路
１３が出力する電圧信号に応じて電圧駆動され、その電
流値が変化する駆動電流を出力する。ＬＥＤ１６は、デ
ュアルゲートＦＥＴ１１が出力する駆動電流の電流値に
応じて発光／消光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤ駆動回路に
関し、より特定的には、光通信システムにおいて用いら
れるＬＥＤ駆動回路に関する。
関し、より特定的には、光通信システムにおいて用いら
れるＬＥＤ駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信用の光源には、一般に、半導体レ
ーザまたは発光ダイオード（ＬＥＤ）が用いられる。Ｌ
ＥＤは、半導体レーザに比べて、伝送帯域および伝送距
離において制限を受けるものの、発光しきい値がない、
信頼性が高い、低価格であるなどの特徴を有しているこ
とから、主として中距離光通信システムにおいて広く用
いられている。ＬＥＤ駆動回路は、ＬＥＤに所定の駆動
電流を注入して発光／消光させるための回路である。
ーザまたは発光ダイオード（ＬＥＤ）が用いられる。Ｌ
ＥＤは、半導体レーザに比べて、伝送帯域および伝送距
離において制限を受けるものの、発光しきい値がない、
信頼性が高い、低価格であるなどの特徴を有しているこ
とから、主として中距離光通信システムにおいて広く用
いられている。ＬＥＤ駆動回路は、ＬＥＤに所定の駆動
電流を注入して発光／消光させるための回路である。
【０００３】図１３は、従来のＬＥＤ駆動回路の構成の
一例を示す回路図である。図１３のＬＥＤ駆動回路は、
トランジスタ１３０１および１３０２、電流源１３０
３、ＬＥＤ１３０４、正相入力端子１３０５ならびに逆
相入力端子１３０６を備えている。トランジスタ１３０
１および１３０２のエミッタはそれぞれ相互に接続さ
れ、さらに電流源１３０３に接続されている。正相入力
端子１３０５はトランジスタ１３０１のベースに、逆相
入力端子１３０６はトランジスタ１３０２のベースにそ
れぞれ接続されている。ＬＥＤ１３０４のカソードはト
ランジスタ１３０２のコレクタに、アノードは電源線に
それぞれ接続されている。また、トランジスタ１３０１
のコレクタは電源線に接続されている。
一例を示す回路図である。図１３のＬＥＤ駆動回路は、
トランジスタ１３０１および１３０２、電流源１３０
３、ＬＥＤ１３０４、正相入力端子１３０５ならびに逆
相入力端子１３０６を備えている。トランジスタ１３０
１および１３０２のエミッタはそれぞれ相互に接続さ
れ、さらに電流源１３０３に接続されている。正相入力
端子１３０５はトランジスタ１３０１のベースに、逆相
入力端子１３０６はトランジスタ１３０２のベースにそ
れぞれ接続されている。ＬＥＤ１３０４のカソードはト
ランジスタ１３０２のコレクタに、アノードは電源線に
それぞれ接続されている。また、トランジスタ１３０１
のコレクタは電源線に接続されている。
【０００４】以下には、図１３のＬＥＤ駆動回路がＬＥ
Ｄ１３０４を駆動する動作について説明する。正相入力
端子１３０５にハイレベルの信号が入力されるととも
に、逆相入力端子１３０６にローレベルの信号が入力さ
れると、トランジスタ１３０１が導通状態になり、トラ
ンジスタ１３０２は非導通状態になる。その結果、トラ
ンジスタ１３０１に電流源１３０３で規定される電流が
流れ、トランジスタ１３０２には電流が流れないため、
ＬＥＤ１３０４は消光する。
Ｄ１３０４を駆動する動作について説明する。正相入力
端子１３０５にハイレベルの信号が入力されるととも
に、逆相入力端子１３０６にローレベルの信号が入力さ
れると、トランジスタ１３０１が導通状態になり、トラ
ンジスタ１３０２は非導通状態になる。その結果、トラ
ンジスタ１３０１に電流源１３０３で規定される電流が
流れ、トランジスタ１３０２には電流が流れないため、
ＬＥＤ１３０４は消光する。
【０００５】一方、正相入力端子１３０５にローレベル
の信号が入力されるとともに、逆相入力端子１３０６に
ハイレベルの信号が入力されると、トランジスタ１３０
１は非導通状態になり、トランジスタ１３０２が導通状
態になる。その結果、トランジスタ１３０１には電流が
流れず、トランジスタ１３０２に電流源１３０３で規定
される電流が流れるため、ＬＥＤ１３０４は発光する。
の信号が入力されるとともに、逆相入力端子１３０６に
ハイレベルの信号が入力されると、トランジスタ１３０
１は非導通状態になり、トランジスタ１３０２が導通状
態になる。その結果、トランジスタ１３０１には電流が
流れず、トランジスタ１３０２に電流源１３０３で規定
される電流が流れるため、ＬＥＤ１３０４は発光する。
【０００６】ところが、ＬＥＤ１３０４は、その内部に
所定の容量成分を備えており、この容量成分の制限によ
り、その変調速度には、ある上限値が存在する。このた
め、図１３のＬＥＤ駆動回路を用いて高速変調を試みて
も、この上限値を越える高速変調を行うことができな
い。そこで、ＬＥＤ１３０４内部の容量成分で定まる上
限値を越えるような高速変調を可能とするＬＥＤ駆動回
路の開発が試みられている。以下、その一例として、特
開平１−２９８７７４号公報に記載されたＬＥＤ駆動回
路について説明する。
所定の容量成分を備えており、この容量成分の制限によ
り、その変調速度には、ある上限値が存在する。このた
め、図１３のＬＥＤ駆動回路を用いて高速変調を試みて
も、この上限値を越える高速変調を行うことができな
い。そこで、ＬＥＤ１３０４内部の容量成分で定まる上
限値を越えるような高速変調を可能とするＬＥＤ駆動回
路の開発が試みられている。以下、その一例として、特
開平１−２９８７７４号公報に記載されたＬＥＤ駆動回
路について説明する。
【０００７】図１４は、上記公報に記載された、従来の
ＬＥＤ駆動回路の構成を示す回路図である。図１４のＬ
ＥＤ駆動回路は、図１３の回路において、さらに、抵抗
１４０１および１４０４、トランジスタ１４０３、コン
デンサ１４０２ならびに入力端子１４０５を備えてい
る。抵抗１４０１とコンデンサ１４０２とで微分回路
が、トランジスタ１４０３と抵抗１４０４とでエミッタ
フォロワがそれぞれ構成される。入力端子１４０５は、
上記エミッタフォロワおよび上記微分回路で構成される
回路への入力端子であり、トランジスタ１４０３のベー
スに接続される。ＬＥＤ１３０４のカソードは、トラン
ジスタ１３０２のコレクタに接続されると同時に、上記
微分回路にも接続される。なお、入力端子１４０５に
は、正相入力端子１３０５に入力される信号と同位相の
電圧信号が入力される。
ＬＥＤ駆動回路の構成を示す回路図である。図１４のＬ
ＥＤ駆動回路は、図１３の回路において、さらに、抵抗
１４０１および１４０４、トランジスタ１４０３、コン
デンサ１４０２ならびに入力端子１４０５を備えてい
る。抵抗１４０１とコンデンサ１４０２とで微分回路
が、トランジスタ１４０３と抵抗１４０４とでエミッタ
フォロワがそれぞれ構成される。入力端子１４０５は、
上記エミッタフォロワおよび上記微分回路で構成される
回路への入力端子であり、トランジスタ１４０３のベー
スに接続される。ＬＥＤ１３０４のカソードは、トラン
ジスタ１３０２のコレクタに接続されると同時に、上記
微分回路にも接続される。なお、入力端子１４０５に
は、正相入力端子１３０５に入力される信号と同位相の
電圧信号が入力される。
【０００８】以下には、図１４のＬＥＤ駆動回路がＬＥ
Ｄ１３０４を駆動する動作について説明する。最初、正
相入力端子１３０５にハイレベルからローレベルへ切り
替わる信号が入力されるとともに、逆相入力端子１３０
６にローレベルからハイレベルへ切り替わる信号が入力
される場合を考える。信号が上記のように切り替わる以
前は、図１３のＬＥＤ駆動回路と同様、トランジスタ１
３０１が導通状態となり、トランジスタ１３０２は非導
通状態となることにより、電流源１３０３からの電流は
トランジスタ１３０１側を流れる。従って、このとき、
ＬＥＤ１３０４は消灯状態にある。信号が切り替わった
後には、トランジスタ１３０１は非導通状態となり、ト
ランジスタ１３０２が導通状態となることにより、電流
源１３０３からの電流はトランジスタ１３０２側を流れ
る。従って、このとき、ＬＥＤ１３０４は発光状態にあ
る。
Ｄ１３０４を駆動する動作について説明する。最初、正
相入力端子１３０５にハイレベルからローレベルへ切り
替わる信号が入力されるとともに、逆相入力端子１３０
６にローレベルからハイレベルへ切り替わる信号が入力
される場合を考える。信号が上記のように切り替わる以
前は、図１３のＬＥＤ駆動回路と同様、トランジスタ１
３０１が導通状態となり、トランジスタ１３０２は非導
通状態となることにより、電流源１３０３からの電流は
トランジスタ１３０１側を流れる。従って、このとき、
ＬＥＤ１３０４は消灯状態にある。信号が切り替わった
後には、トランジスタ１３０１は非導通状態となり、ト
ランジスタ１３０２が導通状態となることにより、電流
源１３０３からの電流はトランジスタ１３０２側を流れ
る。従って、このとき、ＬＥＤ１３０４は発光状態にあ
る。
【０００９】信号が上記のように切り替わる際、入力端
子１４０５に入力される電圧信号もハイレベルからロー
レベルへ切り替わるが、この電圧信号は、トランジスタ
１４０３と抵抗１４０４とからなるエミッタフォロワに
よりインピーダンス変換された後、抵抗１４０１とコン
デンサ１４０２とからなる微分回路を通過することによ
り、立ち下がりパルスとなる。なお、このパルスの特性
は、信号が切り替わる時間幅と上記微分回路の時定数と
に依存する。このパルスは、ＬＥＤ１３０４のカソード
側へ印加され、ＬＥＤ１３０４を流れる電流の立ち上が
り特性にピーク成分を持たせる効果を発揮する。このピ
ーク成分により、ＬＥＤ１３０４の内部の容量成分が急
速に充電され、従って、消光状態から発光状態への切り
替えを高速化することができる。
子１４０５に入力される電圧信号もハイレベルからロー
レベルへ切り替わるが、この電圧信号は、トランジスタ
１４０３と抵抗１４０４とからなるエミッタフォロワに
よりインピーダンス変換された後、抵抗１４０１とコン
デンサ１４０２とからなる微分回路を通過することによ
り、立ち下がりパルスとなる。なお、このパルスの特性
は、信号が切り替わる時間幅と上記微分回路の時定数と
に依存する。このパルスは、ＬＥＤ１３０４のカソード
側へ印加され、ＬＥＤ１３０４を流れる電流の立ち上が
り特性にピーク成分を持たせる効果を発揮する。このピ
ーク成分により、ＬＥＤ１３０４の内部の容量成分が急
速に充電され、従って、消光状態から発光状態への切り
替えを高速化することができる。
【００１０】次に、正相入力端子１３０５にローレベル
からハイレベルへ切り替わる信号が入力されるととも
に、逆相入力端子１３０６にハイレベルからローレベル
へ切り替わる信号が入力される場合を考える。信号が上
記のように切り替わる以前は、トランジスタ１３０１は
非導通状態となり、トランジスタ１３０２が導通状態と
なるため、ＬＥＤ１３０４は発光状態にある。信号が切
り替わった後には、トランジスタ１３０１が導通状態と
なり、トランジスタ１３０２は非導通状態になるため、
ＬＥＤ１３０４は消灯状態にある。
からハイレベルへ切り替わる信号が入力されるととも
に、逆相入力端子１３０６にハイレベルからローレベル
へ切り替わる信号が入力される場合を考える。信号が上
記のように切り替わる以前は、トランジスタ１３０１は
非導通状態となり、トランジスタ１３０２が導通状態と
なるため、ＬＥＤ１３０４は発光状態にある。信号が切
り替わった後には、トランジスタ１３０１が導通状態と
なり、トランジスタ１３０２は非導通状態になるため、
ＬＥＤ１３０４は消灯状態にある。
【００１１】信号が上記のように切り替わる際、入力端
子１４０５に入力される電圧信号もローレベルからハイ
レベルへ切り替わるが、この電圧信号は、上記エミッタ
フォロワによりインピーダンス変換された後、上記微分
回路を通過することにより、立ち上がりパルスとなる。
このパルスは、ＬＥＤ１３０４のカソード側へ印加さ
れ、ＬＥＤ１３０４の容量成分に蓄積されているキャリ
アを強制的に引き抜く効果を発揮し、従って、発光状態
から消光状態への切り替えを高速化することができる。
子１４０５に入力される電圧信号もローレベルからハイ
レベルへ切り替わるが、この電圧信号は、上記エミッタ
フォロワによりインピーダンス変換された後、上記微分
回路を通過することにより、立ち上がりパルスとなる。
このパルスは、ＬＥＤ１３０４のカソード側へ印加さ
れ、ＬＥＤ１３０４の容量成分に蓄積されているキャリ
アを強制的に引き抜く効果を発揮し、従って、発光状態
から消光状態への切り替えを高速化することができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、図１４
のＬＥＤ駆動回路では、図１３のＬＥＤ駆動回路に微分
回路を付加して、発光／消光の切り替え時、立ち下がり
／立ち上がりパルスをＬＥＤ１３０４に印加することに
より、発光／消光の高速化を図っている。ところが、図
１４のＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤ１３０４が低インピ
ーダンスであるため、微分回路の出力インピーダンスを
十分低くしない限り、高速化に必要な電圧のパルスをＬ
ＥＤ１３０４に印加することができない。
のＬＥＤ駆動回路では、図１３のＬＥＤ駆動回路に微分
回路を付加して、発光／消光の切り替え時、立ち下がり
／立ち上がりパルスをＬＥＤ１３０４に印加することに
より、発光／消光の高速化を図っている。ところが、図
１４のＬＥＤ駆動回路では、ＬＥＤ１３０４が低インピ
ーダンスであるため、微分回路の出力インピーダンスを
十分低くしない限り、高速化に必要な電圧のパルスをＬ
ＥＤ１３０４に印加することができない。
【００１３】一方、微分回路の出力インピーダンスはコ
ンデンサ１４０２の容量および抵抗１４０１の抵抗値で
決まるが、これら容量および抵抗値はそれぞれ、通過高
域周波数の選択、バイアス電圧の設定を行うのに適切な
値が選ばれ、微分回路の出力インピーダンスを十分低く
することはできない。このため、発光／消光を高速化す
るためには、大振幅の電圧信号を微分回路へ印加する必
要があり、消費電力が大きくなってしまう問題があっ
た。
ンデンサ１４０２の容量および抵抗１４０１の抵抗値で
決まるが、これら容量および抵抗値はそれぞれ、通過高
域周波数の選択、バイアス電圧の設定を行うのに適切な
値が選ばれ、微分回路の出力インピーダンスを十分低く
することはできない。このため、発光／消光を高速化す
るためには、大振幅の電圧信号を微分回路へ印加する必
要があり、消費電力が大きくなってしまう問題があっ
た。
【００１４】従って、本発明の目的は、大振幅の電圧信
号を印加することなく、ＬＥＤを高速に発光／消光させ
ることができるＬＥＤ駆動回路を提供することである。
号を印加することなく、ＬＥＤを高速に発光／消光させ
ることができるＬＥＤ駆動回路を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明は、ＬＥＤ（発光ダイオード）を駆動するＬＥＤ駆
動回路であって、所定の電圧信号を入力するための入力
手段と、入力手段に入力された電圧信号の時間微分に比
例する電圧信号を出力する第１の微分手段と、入力手段
に入力された電圧信号および第１の微分手段が出力する
電圧信号に応じて電圧駆動され、その電流値が変化する
駆動電流を出力する電圧駆動電流源と、電圧駆動電流源
が出力する駆動電流の電流値に応じて発光／消光するＬ
ＥＤとを備えている。
発明は、ＬＥＤ（発光ダイオード）を駆動するＬＥＤ駆
動回路であって、所定の電圧信号を入力するための入力
手段と、入力手段に入力された電圧信号の時間微分に比
例する電圧信号を出力する第１の微分手段と、入力手段
に入力された電圧信号および第１の微分手段が出力する
電圧信号に応じて電圧駆動され、その電流値が変化する
駆動電流を出力する電圧駆動電流源と、電圧駆動電流源
が出力する駆動電流の電流値に応じて発光／消光するＬ
ＥＤとを備えている。
【００１６】上記のように、第１の発明では、入力手段
に所定の電圧信号が入力されると、微分手段は、その電
圧信号の時間微分に比例する電圧信号を出力する。電圧
駆動電流源は、入力手段に入力された電圧信号および微
分手段が出力する電圧信号に応じて電圧駆動され、その
電流値が変化する駆動電流を出力する。ＬＥＤは、電圧
駆動電流源が出力する駆動電流の電流値に応じて発光／
消光する。
に所定の電圧信号が入力されると、微分手段は、その電
圧信号の時間微分に比例する電圧信号を出力する。電圧
駆動電流源は、入力手段に入力された電圧信号および微
分手段が出力する電圧信号に応じて電圧駆動され、その
電流値が変化する駆動電流を出力する。ＬＥＤは、電圧
駆動電流源が出力する駆動電流の電流値に応じて発光／
消光する。
【００１７】このように、所定の電圧信号と、その信号
の時間微分に比例した電圧信号とに応じて電圧駆動さ
れ、その電流値が変化する駆動電流でＬＥＤを駆動する
ことにより、大振幅の電圧信号を印可することなく、Ｌ
ＥＤを高速に発光させることができる。
の時間微分に比例した電圧信号とに応じて電圧駆動さ
れ、その電流値が変化する駆動電流でＬＥＤを駆動する
ことにより、大振幅の電圧信号を印可することなく、Ｌ
ＥＤを高速に発光させることができる。
【００１８】第２の発明は、第１の発明において、電圧
駆動電流源が出力する駆動電流の電流値は、入力手段に
入力された電圧信号の電圧値および第１の微分手段が出
力する電圧信号の電圧値で定まることを特徴としてい
る。
駆動電流源が出力する駆動電流の電流値は、入力手段に
入力された電圧信号の電圧値および第１の微分手段が出
力する電圧信号の電圧値で定まることを特徴としてい
る。
【００１９】これにより、駆動電流を、その立ち上がり
時にピーク成分を有するものとすることができ、従っ
て、ＬＥＤをより高速に発光させることができる。
時にピーク成分を有するものとすることができ、従っ
て、ＬＥＤをより高速に発光させることができる。
【００２０】第３の発明は、第１の発明において、電圧
駆動電流源が出力する駆動電流の電流値は、入力手段に
入力された電圧信号の電圧値で定まる電流値と、第１の
微分手段が出力する電圧信号の電圧値で定まる電流値と
の和であることを特徴としている。
駆動電流源が出力する駆動電流の電流値は、入力手段に
入力された電圧信号の電圧値で定まる電流値と、第１の
微分手段が出力する電圧信号の電圧値で定まる電流値と
の和であることを特徴としている。
【００２１】これにより、駆動電流を、その立ち上がり
時にピーク成分を有するものとすることができ、従っ
て、ＬＥＤをより高速に発光させることができる。ま
た、そのピーク成分を動的に変更することができ、従っ
て、ＬＥＤの特性に最適な高速化を行うことができる。
時にピーク成分を有するものとすることができ、従っ
て、ＬＥＤをより高速に発光させることができる。ま
た、そのピーク成分を動的に変更することができ、従っ
て、ＬＥＤの特性に最適な高速化を行うことができる。
【００２２】第４の発明は、第１の発明において、入力
手段に入力された電圧信号の時間微分に比例する電圧信
号を出力する第２の微分手段と、第２の微分手段が出力
する電圧信号の電圧値が予め決められた値以下である場
合に、ＬＥＤのカソード側と電源線とを導通させるスイ
ッチング手段とをさらに備えている。
手段に入力された電圧信号の時間微分に比例する電圧信
号を出力する第２の微分手段と、第２の微分手段が出力
する電圧信号の電圧値が予め決められた値以下である場
合に、ＬＥＤのカソード側と電源線とを導通させるスイ
ッチング手段とをさらに備えている。
【００２３】上記のように、第４の発明では、第２の微
分手段は、入力手段に入力された電圧信号の時間微分に
比例する電圧信号を出力する。スイッチング手段は、第
２の微分手段が出力する電圧信号の電圧値が予め決めら
れた値以下である場合に、ＬＥＤのカソード側と電源線
とを導通させる。
分手段は、入力手段に入力された電圧信号の時間微分に
比例する電圧信号を出力する。スイッチング手段は、第
２の微分手段が出力する電圧信号の電圧値が予め決めら
れた値以下である場合に、ＬＥＤのカソード側と電源線
とを導通させる。
【００２４】これにより、消光時、ＬＥＤの内部のキャ
リアが電源線に移動可能となり、従って、大振幅の電圧
信号を印可することなく、ＬＥＤを高速に消光させるこ
とができる。また、入力される電圧信号の立ち下がり時
にのみ、ＬＥＤのカソード側と電源線とを導通させるこ
とができ、立ち下がり時以降、次の立ち上がり時直前ま
で、微妙な電流をＬＥＤに流しておくことができるた
め、次回の発光時、ＬＥＤの内部のキャリアが不足して
高速発光を妨げることがない。
リアが電源線に移動可能となり、従って、大振幅の電圧
信号を印可することなく、ＬＥＤを高速に消光させるこ
とができる。また、入力される電圧信号の立ち下がり時
にのみ、ＬＥＤのカソード側と電源線とを導通させるこ
とができ、立ち下がり時以降、次の立ち上がり時直前ま
で、微妙な電流をＬＥＤに流しておくことができるた
め、次回の発光時、ＬＥＤの内部のキャリアが不足して
高速発光を妨げることがない。
【００２５】第５の発明は、第２の発明において、電圧
駆動電流源はデュアルゲートＦＥＴ（電界効果トランジ
スタ）であり、デュアルゲートＦＥＴの第１のゲート端
子は入力手段に、第２のゲート端子は第１の微分手段
に、ドレイン端子はＬＥＤのカソード側にそれぞれ接続
され、かつ、ソース端子は接地されることを特徴として
いる。
駆動電流源はデュアルゲートＦＥＴ（電界効果トランジ
スタ）であり、デュアルゲートＦＥＴの第１のゲート端
子は入力手段に、第２のゲート端子は第１の微分手段
に、ドレイン端子はＬＥＤのカソード側にそれぞれ接続
され、かつ、ソース端子は接地されることを特徴として
いる。
【００２６】上記のように、電圧駆動電流源を１つのデ
ュアルゲートＦＥＴで実現することにより、ＬＥＤ駆動
回路の規模を小型化できる。
ュアルゲートＦＥＴで実現することにより、ＬＥＤ駆動
回路の規模を小型化できる。
【００２７】第６の発明は、第３の発明において、電圧
駆動電流源は第１および第２のＦＥＴであり、第１およ
び第２のＦＥＴのゲート端子はそれぞれ入力手段、第１
の微分手段に接続され、かつ、ドレイン端子はそれぞれ
ＬＥＤのカソード側に接続され、かつ、ソース端子はそ
れぞれ接地されることを特徴としている。
駆動電流源は第１および第２のＦＥＴであり、第１およ
び第２のＦＥＴのゲート端子はそれぞれ入力手段、第１
の微分手段に接続され、かつ、ドレイン端子はそれぞれ
ＬＥＤのカソード側に接続され、かつ、ソース端子はそ
れぞれ接地されることを特徴としている。
【００２８】上記のように、電圧駆動電流源を２つのＦ
ＥＴで実現することにより、微分手段が出力する電圧信
号に対するアドミッタンスを独立に選択でき、従って、
容易に、駆動電流のピーク成分を変更することができ
る。
ＥＴで実現することにより、微分手段が出力する電圧信
号に対するアドミッタンスを独立に選択でき、従って、
容易に、駆動電流のピーク成分を変更することができ
る。
【００２９】第７の発明は、第４の発明において、スイ
ッチング手段はＰＮＰトランジスタであることを特徴と
している。
ッチング手段はＰＮＰトランジスタであることを特徴と
している。
【００３０】上記のように、スイッチング手段をＰＮＰ
トランジスタで実現することにより、ＬＥＤ駆動回路の
規模を小型化できる。
トランジスタで実現することにより、ＬＥＤ駆動回路の
規模を小型化できる。
【００３１】
（第１の実施形態）以下、本発明の第１の実施形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の
第１の実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す回路
図である。図１のＬＥＤ駆動回路は、デュアルゲートＦ
ＥＴ１１、入力端子１２、コンデンサ１３１および１４
１、抵抗１３２、１３３、１４２および１４３、ＰＮＰ
トランジスタ１５ならびにＬＥＤ１６を備えている。
いて、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の
第１の実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構成を示す回路
図である。図１のＬＥＤ駆動回路は、デュアルゲートＦ
ＥＴ１１、入力端子１２、コンデンサ１３１および１４
１、抵抗１３２、１３３、１４２および１４３、ＰＮＰ
トランジスタ１５ならびにＬＥＤ１６を備えている。
【００３２】入力端子１２は、デュアルゲートＦＥＴ１
１の第１ゲート端子（Ｇ1 ）に接続され、かつコンデン
サ１３１の一方の端子に接続される。コンデンサ１３１
の他方の端子ならびに抵抗１３２および１３３の一端
は、デュアルゲートＦＥＴ１１の第２ゲート端子
（Ｇ2 ）に接続される。デュアルゲートＦＥＴ１１のド
レイン端子（Ｄ）は、ＬＥＤ１６のカソードに接続さ
れ、ソース端子（Ｓ）は接地される。ＬＥＤ１６のアノ
ードは、電源線に接続される。
１の第１ゲート端子（Ｇ1 ）に接続され、かつコンデン
サ１３１の一方の端子に接続される。コンデンサ１３１
の他方の端子ならびに抵抗１３２および１３３の一端
は、デュアルゲートＦＥＴ１１の第２ゲート端子
（Ｇ2 ）に接続される。デュアルゲートＦＥＴ１１のド
レイン端子（Ｄ）は、ＬＥＤ１６のカソードに接続さ
れ、ソース端子（Ｓ）は接地される。ＬＥＤ１６のアノ
ードは、電源線に接続される。
【００３３】入力端子１２はまた、コンデンサ１４１の
一方の端子へも接続される。コンデンサ１４１の他方の
端子ならびに抵抗１４２および１４３の一端は、トラン
ジスタ１５のベースへ接続される。トランジスタ１５の
エミッタは電源線へ、コレクタはＬＥＤ１６のカソード
へそれぞれ接続される。抵抗１３２および１４２の他端
はそれぞれ電源線に接続され、抵抗１３３および１４３
の他端はそれぞれ接地される。
一方の端子へも接続される。コンデンサ１４１の他方の
端子ならびに抵抗１４２および１４３の一端は、トラン
ジスタ１５のベースへ接続される。トランジスタ１５の
エミッタは電源線へ、コレクタはＬＥＤ１６のカソード
へそれぞれ接続される。抵抗１３２および１４２の他端
はそれぞれ電源線に接続され、抵抗１３３および１４３
の他端はそれぞれ接地される。
【００３４】コンデンサ１３１ならびに抵抗１３２およ
び１３３で微分回路１３が、コンデンサ１４１ならびに
抵抗１４２および１４３で微分回路１４がそれぞれ構成
される。微分回路１３および１４はそれぞれ、入力端子
１２から入力される電圧信号の時間微分に比例する電圧
信号を出力する。デュアルゲートＦＥＴ１１は、入力端
子１２から入力される電圧信号および微分回路１３が出
力する電圧信号に応じて電圧駆動され、その電流値が変
化する駆動電流を出力する電圧駆動電流源として機能す
る。ＬＥＤ１６は、デュアルゲートＦＥＴ１１が出力す
る駆動電流の電流値に応じて発光／消光する。トランジ
スタ１５は、微分回路１４が出力する電圧信号の電圧値
が予め決められた値よりも低い場合に、ＬＥＤ１６のカ
ソードと電源線とを導通させるスイッチング素子／回路
として機能する。
び１３３で微分回路１３が、コンデンサ１４１ならびに
抵抗１４２および１４３で微分回路１４がそれぞれ構成
される。微分回路１３および１４はそれぞれ、入力端子
１２から入力される電圧信号の時間微分に比例する電圧
信号を出力する。デュアルゲートＦＥＴ１１は、入力端
子１２から入力される電圧信号および微分回路１３が出
力する電圧信号に応じて電圧駆動され、その電流値が変
化する駆動電流を出力する電圧駆動電流源として機能す
る。ＬＥＤ１６は、デュアルゲートＦＥＴ１１が出力す
る駆動電流の電流値に応じて発光／消光する。トランジ
スタ１５は、微分回路１４が出力する電圧信号の電圧値
が予め決められた値よりも低い場合に、ＬＥＤ１６のカ
ソードと電源線とを導通させるスイッチング素子／回路
として機能する。
【００３５】図２は、図１の入力端子１２に印加される
電圧信号ならびに微分回路１３および１４が出力する電
圧信号の波形を示す図である。図２（ａ）は、入力端子
１２に印加される電圧信号の波形を示している。（ｂ）
および（ｃ）はそれぞれ、入力端子１２に（ａ）に示す
信号が印加された場合に、微分回路１３、微分回路１４
が出力する電圧信号の波形を示している。
電圧信号ならびに微分回路１３および１４が出力する電
圧信号の波形を示す図である。図２（ａ）は、入力端子
１２に印加される電圧信号の波形を示している。（ｂ）
および（ｃ）はそれぞれ、入力端子１２に（ａ）に示す
信号が印加された場合に、微分回路１３、微分回路１４
が出力する電圧信号の波形を示している。
【００３６】図３は、図１のデュアルゲートＦＥＴ１１
の動作特性を示す図である。図３において、横軸は、デ
ュアルゲートＦＥＴ１１の第１ゲート端子（Ｇ1 ）およ
びソース端子（Ｓ）間の電圧、縦軸は、ドレイン端子
（Ｄ）を流れるドレイン電流の電流値である。図３に
は、第２ゲート端子（Ｇ2 ）およびソース端子（Ｓ）間
の電圧Ｖ1 、Ｖ2 およびＶ3 に対応する３つの動作曲線
を示している。
の動作特性を示す図である。図３において、横軸は、デ
ュアルゲートＦＥＴ１１の第１ゲート端子（Ｇ1 ）およ
びソース端子（Ｓ）間の電圧、縦軸は、ドレイン端子
（Ｄ）を流れるドレイン電流の電流値である。図３に
は、第２ゲート端子（Ｇ2 ）およびソース端子（Ｓ）間
の電圧Ｖ1 、Ｖ2 およびＶ3 に対応する３つの動作曲線
を示している。
【００３７】図４は、図１の入力端子１２に図２（ａ）
の信号が印加された場合に、デュアルゲートＦＥＴ１１
のドレイン端子（Ｄ）を流れるドレイン電流の波形を示
す図である。図５は、図１のＬＥＤ１６を流れる駆動電
流の波形モデルを示す図である。図６は、図１のＬＥＤ
１６に図５の波形モデルと同様の駆動電流が流れた場合
の、ＬＥＤ１６からの光出力を示す図である。
の信号が印加された場合に、デュアルゲートＦＥＴ１１
のドレイン端子（Ｄ）を流れるドレイン電流の波形を示
す図である。図５は、図１のＬＥＤ１６を流れる駆動電
流の波形モデルを示す図である。図６は、図１のＬＥＤ
１６に図５の波形モデルと同様の駆動電流が流れた場合
の、ＬＥＤ１６からの光出力を示す図である。
【００３８】以下には、図１のＬＥＤ駆動回路の動作
を、図２〜６を用いて説明する。最初、図１のＬＥＤ駆
動回路が、ＬＥＤ１６を高速に発光させる動作について
説明する。図１の入力端子１２に、図２（ａ）に示すよ
うな、ピーク電圧Ｖｐのパルス信号が印加されると、微
分回路１３は、図２（ｂ）に示すような、最大値Ｖ3 、
平均値Ｖ2 、最小値Ｖ1 のパルス信号を出力する。この
とき、デュアルゲートＦＥＴ１１の第１ゲート端子（Ｇ
1 ）に図２（ａ）の信号が、第２ゲート端子（Ｇ2）に
は図２（ｂ）の信号がそれぞれ印加されるため、図２
（ａ）のパルス信号が立ち上がる際、ドレイン端子
（Ｄ）には、図３の動作点３１に対応する電流値Ｉ2 の
ドレイン電流が流れる。
を、図２〜６を用いて説明する。最初、図１のＬＥＤ駆
動回路が、ＬＥＤ１６を高速に発光させる動作について
説明する。図１の入力端子１２に、図２（ａ）に示すよ
うな、ピーク電圧Ｖｐのパルス信号が印加されると、微
分回路１３は、図２（ｂ）に示すような、最大値Ｖ3 、
平均値Ｖ2 、最小値Ｖ1 のパルス信号を出力する。この
とき、デュアルゲートＦＥＴ１１の第１ゲート端子（Ｇ
1 ）に図２（ａ）の信号が、第２ゲート端子（Ｇ2）に
は図２（ｂ）の信号がそれぞれ印加されるため、図２
（ａ）のパルス信号が立ち上がる際、ドレイン端子
（Ｄ）には、図３の動作点３１に対応する電流値Ｉ2 の
ドレイン電流が流れる。
【００３９】図２（ａ）のパルス信号が電圧Ｖp で一定
の期間は、デュアルゲートＦＥＴ１１の第２ゲート端子
（Ｇ2 ）に電圧Ｖ2 が印加され、第１ゲート端子
（Ｇ1 ）には電圧Ｖp が印加されるため、ドレイン端子
（Ｄ）には、図３の動作点３２に対応する電流値Ｉ1 の
ドレイン電流が流れる。すなわち、図１の入力端子１２
に図２（ａ）のパルス信号が印加された場合、デュアル
ゲートＦＥＴ１１のドレイン端子（Ｄ）には、図４に示
すような波形のドレイン電流が流れる。
の期間は、デュアルゲートＦＥＴ１１の第２ゲート端子
（Ｇ2 ）に電圧Ｖ2 が印加され、第１ゲート端子
（Ｇ1 ）には電圧Ｖp が印加されるため、ドレイン端子
（Ｄ）には、図３の動作点３２に対応する電流値Ｉ1 の
ドレイン電流が流れる。すなわち、図１の入力端子１２
に図２（ａ）のパルス信号が印加された場合、デュアル
ゲートＦＥＴ１１のドレイン端子（Ｄ）には、図４に示
すような波形のドレイン電流が流れる。
【００４０】ここで、図１のＬＥＤ１６に、図５の波形
モデルと同様の波形を有する駆動電流が流れる場合につ
いて考える。なお、図５の波形モデルは、パルスの先頭
（時刻ｔ＝０）から時刻ｔ＝ｔp1までの期間の電流値を
Ｊ2 とし、その後、所定の時刻までの期間の電流値をＪ
1 としたものである。図５の波形モデルと同様の駆動電
流が流れたとすると、ＬＥＤ１６の内部のキャリアのラ
イフタイムをτn として、電流値Ｊ2 とＪ1 との比が次
式（１）を満足する場合、ＬＥＤ１６からの光出力は、
図６の波形６２のような、立ち上がり時間ｔp1のパルス
となる。 Ｊ2 ／Ｊ1 ＝１／｛１−ｅｘｐ（−ｔp1／τn ）｝…（１）
モデルと同様の波形を有する駆動電流が流れる場合につ
いて考える。なお、図５の波形モデルは、パルスの先頭
（時刻ｔ＝０）から時刻ｔ＝ｔp1までの期間の電流値を
Ｊ2 とし、その後、所定の時刻までの期間の電流値をＪ
1 としたものである。図５の波形モデルと同様の駆動電
流が流れたとすると、ＬＥＤ１６の内部のキャリアのラ
イフタイムをτn として、電流値Ｊ2 とＪ1 との比が次
式（１）を満足する場合、ＬＥＤ１６からの光出力は、
図６の波形６２のような、立ち上がり時間ｔp1のパルス
となる。 Ｊ2 ／Ｊ1 ＝１／｛１−ｅｘｐ（−ｔp1／τn ）｝…（１）
【００４１】電流値Ｊ2 とＪ1 との比が次式（２）を満
足する場合には、ＬＥＤ１６からの光出力は、図６の波
形６３のようになり、高速な立ち上がり特性が得られな
いことがわかる。 Ｊ2 ／Ｊ1 ＜１／｛１−ｅｘｐ（−ｔp1／τn ）｝…（２）
足する場合には、ＬＥＤ１６からの光出力は、図６の波
形６３のようになり、高速な立ち上がり特性が得られな
いことがわかる。 Ｊ2 ／Ｊ1 ＜１／｛１−ｅｘｐ（−ｔp1／τn ）｝…（２）
【００４２】電流値Ｊ2 とＪ1 との比が次式（３）を満
足する場合には、ＬＥＤ１６からの光出力は、図６の波
形６１のようになり、立ち上がり時にオーバシュートを
有するパルスとなることがわかる。 Ｊ2 ／Ｊ1 ＞１／｛１−ｅｘｐ（−ｔp1／τn ）｝…（３）
足する場合には、ＬＥＤ１６からの光出力は、図６の波
形６１のようになり、立ち上がり時にオーバシュートを
有するパルスとなることがわかる。 Ｊ2 ／Ｊ1 ＞１／｛１−ｅｘｐ（−ｔp1／τn ）｝…（３）
【００４３】ＬＥＤ１６からの出力光を光通信に利用す
る場合、入力パルス信号は一般に、１ビット単位の様々
な間隔で出現するため、図６の波形６１や６３のような
パルスでは十分なアイ開口率が得られない。このため、
ＬＥＤ１６からの出力光は、波形６２のようなパルスで
あるのが望ましい。
る場合、入力パルス信号は一般に、１ビット単位の様々
な間隔で出現するため、図６の波形６１や６３のような
パルスでは十分なアイ開口率が得られない。このため、
ＬＥＤ１６からの出力光は、波形６２のようなパルスで
あるのが望ましい。
【００４４】そこで、図４のドレイン電流の電流値Ｉ2
とＩ1 との比が、ＬＥＤ１６の内部のキャリアのライフ
タイムをτn1、ピーク成分の継続時間をｔp2として、次
式（４）を満足するようにＦＥＴ１１の動作点を選択す
ることにより、ＬＥＤ１６の光出力は、高速かつオーバ
ーシュートのない立ち上がり特性を有するものとなる。 Ｉ2 ／Ｉ1 ＝１／｛１−ｅｘｐ（−ｔp2／τn1）｝…（４）
とＩ1 との比が、ＬＥＤ１６の内部のキャリアのライフ
タイムをτn1、ピーク成分の継続時間をｔp2として、次
式（４）を満足するようにＦＥＴ１１の動作点を選択す
ることにより、ＬＥＤ１６の光出力は、高速かつオーバ
ーシュートのない立ち上がり特性を有するものとなる。 Ｉ2 ／Ｉ1 ＝１／｛１−ｅｘｐ（−ｔp2／τn1）｝…（４）
【００４５】デュアルゲートＦＥＴ１１として、アドミ
ッタンスが適切な値であり、かつＬＥＤ１６の特性に合
わせた動作点を選択することが可能なタイプを選べば、
図１のＬＥＤ駆動回路は、大振幅の電圧信号を印加する
ことなく、ＬＥＤ１６を高速に発光させることができ
る。
ッタンスが適切な値であり、かつＬＥＤ１６の特性に合
わせた動作点を選択することが可能なタイプを選べば、
図１のＬＥＤ駆動回路は、大振幅の電圧信号を印加する
ことなく、ＬＥＤ１６を高速に発光させることができ
る。
【００４６】次に、図１のＬＥＤ駆動回路が、ＬＥＤ１
６を高速に消光させる動作について説明する。図１の入
力端子１２に、図２（ａ）に示すような、ピーク電圧Ｖ
ｐのパルス信号が印加されると、微分回路１４は、図２
（ｃ）に示すような、最大値Ｖ6 、平均値Ｖ5 、最小値
Ｖ4 であるパルス信号を出力する。平均値Ｖ5 は、抵抗
１４２および１４３の抵抗値で決まるバイアス電圧であ
るが、このバイアス電圧Ｖ5 を、ＰＮＰトランジスタ１
５のベース−エミッタ間の電圧が導通時のそれ（しきい
値）よりもわずかに低くなるように設定しておく。
６を高速に消光させる動作について説明する。図１の入
力端子１２に、図２（ａ）に示すような、ピーク電圧Ｖ
ｐのパルス信号が印加されると、微分回路１４は、図２
（ｃ）に示すような、最大値Ｖ6 、平均値Ｖ5 、最小値
Ｖ4 であるパルス信号を出力する。平均値Ｖ5 は、抵抗
１４２および１４３の抵抗値で決まるバイアス電圧であ
るが、このバイアス電圧Ｖ5 を、ＰＮＰトランジスタ１
５のベース−エミッタ間の電圧が導通時のそれ（しきい
値）よりもわずかに低くなるように設定しておく。
【００４７】このように設定することにより、図２
（ａ）のパルス信号がハイレベルからローレベルへ変化
する際、微分回路１４は、図２（ｃ）に示すように、立
ち下がりパルスを出力し、ＰＮＰトランジスタ１５のベ
ース−エミッタ間の電圧がしきい値を越えて、コレクタ
−エミッタ間が導通する。それまでにＬＥＤ１６の内部
の容量成分に蓄積されたキャリアは、ＰＮＰトランジス
タ１５が導通した時点で電源線へ移動することが可能と
なり、従って、図１のＬＥＤ駆動回路は、大振幅の電圧
信号を印加することなく、ＬＥＤ１６を高速に消光させ
ることができる。
（ａ）のパルス信号がハイレベルからローレベルへ変化
する際、微分回路１４は、図２（ｃ）に示すように、立
ち下がりパルスを出力し、ＰＮＰトランジスタ１５のベ
ース−エミッタ間の電圧がしきい値を越えて、コレクタ
−エミッタ間が導通する。それまでにＬＥＤ１６の内部
の容量成分に蓄積されたキャリアは、ＰＮＰトランジス
タ１５が導通した時点で電源線へ移動することが可能と
なり、従って、図１のＬＥＤ駆動回路は、大振幅の電圧
信号を印加することなく、ＬＥＤ１６を高速に消光させ
ることができる。
【００４８】なお、図２（ａ）のパルス信号がハイレベ
ルからローレベルへ変化した後は、デュアルゲートＦＥ
Ｔ１１の第１ゲート端子（Ｇ1 ）および第２ゲート端子
（Ｇ 2 ）へ印加される電圧がそれぞれ０、Ｖ2 であるた
め、図４に示すように、ドレイン電流の電流値はＩ0 と
なる。この電流値Ｉ0 は、ＬＥＤ１６を次回発光させる
際、高速に発光させるための最小限の電流値である。
ルからローレベルへ変化した後は、デュアルゲートＦＥ
Ｔ１１の第１ゲート端子（Ｇ1 ）および第２ゲート端子
（Ｇ 2 ）へ印加される電圧がそれぞれ０、Ｖ2 であるた
め、図４に示すように、ドレイン電流の電流値はＩ0 と
なる。この電流値Ｉ0 は、ＬＥＤ１６を次回発光させる
際、高速に発光させるための最小限の電流値である。
【００４９】以上のように、本実施形態によれば、入力
される電圧信号と、その信号の時間微分に比例した電圧
信号とに応じて電圧駆動され、その電流値が変化する駆
動電流でＬＥＤ１６を駆動することにより、大振幅の電
圧信号を印可することなく、ＬＥＤ１６を高速に発光さ
せることができる。また、駆動電流の電流値は、入力さ
れた電圧信号の電圧値と、その信号の時間微分に比例し
た電圧信号の電圧値とで定まるため、駆動電流を、その
立ち上がり時にピーク成分を有するものとすることがで
き、従って、ＬＥＤ１６をより高速に発光させることが
できる。さらにその際、駆動電流を出力する電圧駆動電
流源として、デュアルゲートＦＥＴ１１を用いることに
より、ＬＥＤ駆動回路の規模を小型化できる。
される電圧信号と、その信号の時間微分に比例した電圧
信号とに応じて電圧駆動され、その電流値が変化する駆
動電流でＬＥＤ１６を駆動することにより、大振幅の電
圧信号を印可することなく、ＬＥＤ１６を高速に発光さ
せることができる。また、駆動電流の電流値は、入力さ
れた電圧信号の電圧値と、その信号の時間微分に比例し
た電圧信号の電圧値とで定まるため、駆動電流を、その
立ち上がり時にピーク成分を有するものとすることがで
き、従って、ＬＥＤ１６をより高速に発光させることが
できる。さらにその際、駆動電流を出力する電圧駆動電
流源として、デュアルゲートＦＥＴ１１を用いることに
より、ＬＥＤ駆動回路の規模を小型化できる。
【００５０】また、入力される電圧信号の時間微分に比
例する電圧信号の電圧値が予め決められた値以下である
場合に、ＬＥＤ１６のカソード側と電源線とを導通させ
ることにより、消光時、ＬＥＤ１６の内部のキャリアが
電源線に移動可能となり、従って、大振幅の電圧信号を
印可することなく、ＬＥＤ１６を高速に消光させること
ができる。さらに、入力される電圧信号の立ち下がり時
にのみ、ＬＥＤ１６のカソード側と電源線とを導通させ
ることができ、従って、次回の発光時、ＬＥＤ１６の内
部のキャリアが不足して高速発光を妨げることがない。
さらにその際、ＬＥＤ１６のカソード側と電源線とを導
通させるスイッチング素子／回路として、ＰＮＰトラン
ジスタ１５を用いることにより、ＬＥＤ駆動回路の規模
を小型化できる。
例する電圧信号の電圧値が予め決められた値以下である
場合に、ＬＥＤ１６のカソード側と電源線とを導通させ
ることにより、消光時、ＬＥＤ１６の内部のキャリアが
電源線に移動可能となり、従って、大振幅の電圧信号を
印可することなく、ＬＥＤ１６を高速に消光させること
ができる。さらに、入力される電圧信号の立ち下がり時
にのみ、ＬＥＤ１６のカソード側と電源線とを導通させ
ることができ、従って、次回の発光時、ＬＥＤ１６の内
部のキャリアが不足して高速発光を妨げることがない。
さらにその際、ＬＥＤ１６のカソード側と電源線とを導
通させるスイッチング素子／回路として、ＰＮＰトラン
ジスタ１５を用いることにより、ＬＥＤ駆動回路の規模
を小型化できる。
【００５１】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について、図面を参照しながら説明する。図７
は、本発明の第２の実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構
成を示す回路図である。図７のＬＥＤ駆動回路は、ＦＥ
Ｔ７１および７２、入力端子７３、コンデンサ７４１お
よび７５１、抵抗７４２、７４３、７５２および７５
３、ＰＮＰトランジスタ７６ならびにＬＥＤ７７を備え
ている。
実施形態について、図面を参照しながら説明する。図７
は、本発明の第２の実施形態に係るＬＥＤ駆動回路の構
成を示す回路図である。図７のＬＥＤ駆動回路は、ＦＥ
Ｔ７１および７２、入力端子７３、コンデンサ７４１お
よび７５１、抵抗７４２、７４３、７５２および７５
３、ＰＮＰトランジスタ７６ならびにＬＥＤ７７を備え
ている。
【００５２】入力端子７３は、ＦＥＴ７１のゲート端子
（Ｇ）に接続され、かつ、コンデンサ７４１の一方の端
子に接続される。コンデンサ７４１の他方の端子ならび
に抵抗７４２および７４３の一端は、ＦＥＴ７２のゲー
ト端子（Ｇ）に接続される。ＦＥＴ７１および７２のド
レイン端子（Ｄ）は、ＬＥＤ７７のカソードへ接続さ
れ、ソース端子（Ｓ）はそれぞれ接地される。ＬＥＤ７
７のアノードは、電源線に接続される。
（Ｇ）に接続され、かつ、コンデンサ７４１の一方の端
子に接続される。コンデンサ７４１の他方の端子ならび
に抵抗７４２および７４３の一端は、ＦＥＴ７２のゲー
ト端子（Ｇ）に接続される。ＦＥＴ７１および７２のド
レイン端子（Ｄ）は、ＬＥＤ７７のカソードへ接続さ
れ、ソース端子（Ｓ）はそれぞれ接地される。ＬＥＤ７
７のアノードは、電源線に接続される。
【００５３】入力端子７３はまた、コンデンサ７５１の
一方の端子へも接続される。コンデンサ７５１の他方の
端子ならびに抵抗７５２および７５３の一端は、ＰＮＰ
トランジスタ７６のベースに接続される。ＰＮＰトラン
ジスタ７６のエミッタは電源線へ、コレクタはＬＥＤ７
７のカソードへそれぞれ接続される。抵抗７４２および
７５２の他端はそれぞれ電源線に接続され、抵抗７４３
および７５３の他端はそれぞれ接地される。
一方の端子へも接続される。コンデンサ７５１の他方の
端子ならびに抵抗７５２および７５３の一端は、ＰＮＰ
トランジスタ７６のベースに接続される。ＰＮＰトラン
ジスタ７６のエミッタは電源線へ、コレクタはＬＥＤ７
７のカソードへそれぞれ接続される。抵抗７４２および
７５２の他端はそれぞれ電源線に接続され、抵抗７４３
および７５３の他端はそれぞれ接地される。
【００５４】コンデンサ７４１ならびに抵抗７４２およ
び７４３で微分回路７４が、コンデンサ７５１ならびに
抵抗７５２および７５３で微分回路７５がそれぞれ構成
される。微分回路７４および７５はそれぞれ、入力端子
７３から入力される電圧信号の時間微分に比例する電圧
信号を出力する。ＦＥＴ７１および７２は、入力端子７
３から入力される電圧信号および微分回路７４が出力す
る電圧信号に応じて電圧駆動され、その電流値が変化す
る駆動電流を出力する電圧駆動電流源として機能する。
ＬＥＤ７７は、ＦＥＴ７１および７２が出力する駆動電
流の電流値に応じて発光／消光する。トランジスタ７６
は、微分回路７５が出力する電圧信号の電圧値が予め決
められた値よりも小さい場合に、ＬＥＤ７７のカソード
と電源線とを導通させるスイッチング素子／回路として
機能する。
び７４３で微分回路７４が、コンデンサ７５１ならびに
抵抗７５２および７５３で微分回路７５がそれぞれ構成
される。微分回路７４および７５はそれぞれ、入力端子
７３から入力される電圧信号の時間微分に比例する電圧
信号を出力する。ＦＥＴ７１および７２は、入力端子７
３から入力される電圧信号および微分回路７４が出力す
る電圧信号に応じて電圧駆動され、その電流値が変化す
る駆動電流を出力する電圧駆動電流源として機能する。
ＬＥＤ７７は、ＦＥＴ７１および７２が出力する駆動電
流の電流値に応じて発光／消光する。トランジスタ７６
は、微分回路７５が出力する電圧信号の電圧値が予め決
められた値よりも小さい場合に、ＬＥＤ７７のカソード
と電源線とを導通させるスイッチング素子／回路として
機能する。
【００５５】図８は、図７のＦＥＴ７１の動作特性を示
す図である。図８において、横軸は、ＦＥＴ７１のゲー
ト端子（Ｇ）およびソース端子（Ｓ）間の電圧、縦軸
は、ドレイン端子（Ｄ）を流れるドレイン電流の電流値
である。図９は、図７の入力端子７３に図２（ａ）の信
号が印加された場合に、ＦＥＴ７１のドレイン端子
（Ｄ）を流れるドレイン電流の波形を示す図である。
す図である。図８において、横軸は、ＦＥＴ７１のゲー
ト端子（Ｇ）およびソース端子（Ｓ）間の電圧、縦軸
は、ドレイン端子（Ｄ）を流れるドレイン電流の電流値
である。図９は、図７の入力端子７３に図２（ａ）の信
号が印加された場合に、ＦＥＴ７１のドレイン端子
（Ｄ）を流れるドレイン電流の波形を示す図である。
【００５６】図１０は、図７のＦＥＴ７２の動作特性を
示す図である。図１０において、横軸は、ＦＥＴ７２の
ゲート端子（Ｇ）およびソース端子（Ｓ）間の電圧であ
り、縦軸は、ドレイン端子（Ｄ）を流れるドレイン電流
の電流値である。図１１は、図７の入力端子７３に図２
（ａ）の信号が印加された場合に、ＦＥＴ７２のドレイ
ン端子（Ｄ）を流れるドレイン電流の波形を示す図であ
る。図１２は、図７の入力端子７３に図２（ａ）のパル
ス信号が印加された場合に、ＦＥＴ７１および７２のド
レイン端子（Ｄ）を流れるドレイン電流の和の電流の波
形を示す図である。
示す図である。図１０において、横軸は、ＦＥＴ７２の
ゲート端子（Ｇ）およびソース端子（Ｓ）間の電圧であ
り、縦軸は、ドレイン端子（Ｄ）を流れるドレイン電流
の電流値である。図１１は、図７の入力端子７３に図２
（ａ）の信号が印加された場合に、ＦＥＴ７２のドレイ
ン端子（Ｄ）を流れるドレイン電流の波形を示す図であ
る。図１２は、図７の入力端子７３に図２（ａ）のパル
ス信号が印加された場合に、ＦＥＴ７１および７２のド
レイン端子（Ｄ）を流れるドレイン電流の和の電流の波
形を示す図である。
【００５７】以下には、図７のＬＥＤ駆動回路の動作に
ついて、図２、８〜１２を用いて説明する。最初、図７
のＬＥＤ駆動回路が、ＬＥＤ７７を高速に発光させる動
作について説明する。図７の入力端子７３に、図２
（ａ）のパルス信号が印加されると、微分回路７４は、
図２（ｂ）に示すようなパルス信号を出力する。このと
き、ＦＥＴ７１のゲート端子（Ｇ）に図２（ａ）の信号
が、ＦＥＴ７２のゲート端子（Ｇ）には図２（ｂ）の信
号がそれぞれ印加されるため、ＦＥＴ７１および７２の
動作特性がそれぞれ図８、図１０に示すものである場
合、ＦＥＴ７１のドレイン端子（Ｄ）には、図９に示す
ドレイン電流が流れ、一方、ＦＥＴ７２のドレイン端子
（Ｄ）には、図１１に示すドレイン電流が流れる。従っ
て、ＦＥＴ７１および７２のドレイン端子（Ｄ）にそれ
ぞれ流れるドレイン電流の和の電流、すなわち、図１２
に示すドレイン電流が、ＬＥＤ７７を流れることにな
る。
ついて、図２、８〜１２を用いて説明する。最初、図７
のＬＥＤ駆動回路が、ＬＥＤ７７を高速に発光させる動
作について説明する。図７の入力端子７３に、図２
（ａ）のパルス信号が印加されると、微分回路７４は、
図２（ｂ）に示すようなパルス信号を出力する。このと
き、ＦＥＴ７１のゲート端子（Ｇ）に図２（ａ）の信号
が、ＦＥＴ７２のゲート端子（Ｇ）には図２（ｂ）の信
号がそれぞれ印加されるため、ＦＥＴ７１および７２の
動作特性がそれぞれ図８、図１０に示すものである場
合、ＦＥＴ７１のドレイン端子（Ｄ）には、図９に示す
ドレイン電流が流れ、一方、ＦＥＴ７２のドレイン端子
（Ｄ）には、図１１に示すドレイン電流が流れる。従っ
て、ＦＥＴ７１および７２のドレイン端子（Ｄ）にそれ
ぞれ流れるドレイン電流の和の電流、すなわち、図１２
に示すドレイン電流が、ＬＥＤ７７を流れることにな
る。
【００５８】第１の実施形態と同様、図１２のドレイン
電流の電流値Ｉ3 ＋Ｉ4 とＩ3 との比が、ＬＥＤ７７の
内部のキャリアのライフタイムをτn1、ピーク成分の継
続時間をｔp2として、次式（５）を満足するようにＦＥ
Ｔ７１および７２の動作点を選択することにより、ＬＥ
Ｄ７７の光出力は、高速かつオーバシュートのない立ち
上がり特性を有するものとなる。 （Ｉ3 ＋Ｉ4 ）／Ｉ3 ＝１／｛１−ｅｘｐ（−ｔp2／τn1）｝…（５）
電流の電流値Ｉ3 ＋Ｉ4 とＩ3 との比が、ＬＥＤ７７の
内部のキャリアのライフタイムをτn1、ピーク成分の継
続時間をｔp2として、次式（５）を満足するようにＦＥ
Ｔ７１および７２の動作点を選択することにより、ＬＥ
Ｄ７７の光出力は、高速かつオーバシュートのない立ち
上がり特性を有するものとなる。 （Ｉ3 ＋Ｉ4 ）／Ｉ3 ＝１／｛１−ｅｘｐ（−ｔp2／τn1）｝…（５）
【００５９】ＦＥＴ７１および７２として、アドミッタ
ンスが適切な値であり、かつＬＥＤ７７の特性に合わせ
た動作点を選択することが可能なタイプを選べば、図７
のＬＥＤ駆動回路は、大振幅の電圧信号を印加すること
なく、ＬＥＤ７７を高速に発光させることができる。さ
らに、ＦＥＴ７２として、ＦＥＴ７１よりもアドミッタ
ンスがより大きいものを用いるようにすると、（Ｉ3 ＋
Ｉ4 ）／Ｉ3 の値をより大きく設定することができるた
め、より低速なＬＥＤを補償する効果が得られる。
ンスが適切な値であり、かつＬＥＤ７７の特性に合わせ
た動作点を選択することが可能なタイプを選べば、図７
のＬＥＤ駆動回路は、大振幅の電圧信号を印加すること
なく、ＬＥＤ７７を高速に発光させることができる。さ
らに、ＦＥＴ７２として、ＦＥＴ７１よりもアドミッタ
ンスがより大きいものを用いるようにすると、（Ｉ3 ＋
Ｉ4 ）／Ｉ3 の値をより大きく設定することができるた
め、より低速なＬＥＤを補償する効果が得られる。
【００６０】次に、図７のＬＥＤ駆動回路がＬＥＤ７７
を高速に消光させる動作について説明する。図７の入力
端子７３に、図２（ａ）のパルス信号が印加されると、
微分回路７５は、図２（ｃ）に示す信号を出力する。こ
こで、第１の実施形態と同様、バイアス電圧Ｖ5 を、Ｐ
ＮＰトランジスタ７６のベース−エミッタ間の電圧が、
導通時のそれ（しきい値）よりもわずかに低くなるなる
ように設定しておく。
を高速に消光させる動作について説明する。図７の入力
端子７３に、図２（ａ）のパルス信号が印加されると、
微分回路７５は、図２（ｃ）に示す信号を出力する。こ
こで、第１の実施形態と同様、バイアス電圧Ｖ5 を、Ｐ
ＮＰトランジスタ７６のベース−エミッタ間の電圧が、
導通時のそれ（しきい値）よりもわずかに低くなるなる
ように設定しておく。
【００６１】このように設定することにより、図２
（ａ）のパルス信号がハイレベルからローレベルへ変化
する際、微分回路７５は、立ち下がりパルス出力し、Ｐ
ＮＰトランジスタ７６のベース−エミッタ間の電圧がし
きい値を越えて、コレクタ−エミッタ間が導通する。そ
れまでにＬＥＤ７７の内部の容量成分に蓄積されたキャ
リアは、ＰＮＰトランジスタ７６が導通した時点で電源
線へ移動することが可能となり、従って、図７のＬＥＤ
駆動回路は、大振幅の電圧信号を印加することなく、Ｌ
ＥＤ７７を高速に消光させることができる。
（ａ）のパルス信号がハイレベルからローレベルへ変化
する際、微分回路７５は、立ち下がりパルス出力し、Ｐ
ＮＰトランジスタ７６のベース−エミッタ間の電圧がし
きい値を越えて、コレクタ−エミッタ間が導通する。そ
れまでにＬＥＤ７７の内部の容量成分に蓄積されたキャ
リアは、ＰＮＰトランジスタ７６が導通した時点で電源
線へ移動することが可能となり、従って、図７のＬＥＤ
駆動回路は、大振幅の電圧信号を印加することなく、Ｌ
ＥＤ７７を高速に消光させることができる。
【００６２】なお、図２（ａ）の入力パルス信号がハイ
レベルからローレベルへ変化した後は、図１２に示すよ
うに、ＦＥＴ７１および７２のドレイン端子（Ｄ）を流
れるドレイン電流の和の電流値はＩ5 となる。この電流
値Ｉ5 は、ＬＥＤ７７を次回発光させる際、高速に発光
させるための最小限の電流値である。
レベルからローレベルへ変化した後は、図１２に示すよ
うに、ＦＥＴ７１および７２のドレイン端子（Ｄ）を流
れるドレイン電流の和の電流値はＩ5 となる。この電流
値Ｉ5 は、ＬＥＤ７７を次回発光させる際、高速に発光
させるための最小限の電流値である。
【００６３】以上のように、本実施形態によれば、入力
される電圧信号と、その信号の時間微分に比例した電圧
信号とに応じて電圧駆動され、その電流値が変化する駆
動電流でＬＥＤ７７を駆動することにより、大振幅の電
圧信号を印可することなく、ＬＥＤ７７を高速に発光さ
せることができる。また、駆動電流の電流値は、入力さ
れる電圧信号の電圧値で定まる電流値と、その信号の時
間微分に比例した電圧信号の電圧値で定まる電流値との
和であるため、駆動電流を、立ち上がり時にピーク成分
を有するものとすることができるとともに、そのピーク
成分を動的に変更することができ、従って、その特性に
合わせてＬＥＤ７７をより高速に発光させることができ
る。さらにその際、駆動電流を出力する電圧駆動電流源
として、２つのＦＥＴ７１および７２を用いることによ
り、微分回路７４が出力する電圧信号に対するアドミッ
タンスを任意に選択でき、従って、容易にピーク成分を
変更することができる。
される電圧信号と、その信号の時間微分に比例した電圧
信号とに応じて電圧駆動され、その電流値が変化する駆
動電流でＬＥＤ７７を駆動することにより、大振幅の電
圧信号を印可することなく、ＬＥＤ７７を高速に発光さ
せることができる。また、駆動電流の電流値は、入力さ
れる電圧信号の電圧値で定まる電流値と、その信号の時
間微分に比例した電圧信号の電圧値で定まる電流値との
和であるため、駆動電流を、立ち上がり時にピーク成分
を有するものとすることができるとともに、そのピーク
成分を動的に変更することができ、従って、その特性に
合わせてＬＥＤ７７をより高速に発光させることができ
る。さらにその際、駆動電流を出力する電圧駆動電流源
として、２つのＦＥＴ７１および７２を用いることによ
り、微分回路７４が出力する電圧信号に対するアドミッ
タンスを任意に選択でき、従って、容易にピーク成分を
変更することができる。
【００６４】また、入力される電圧信号の時間微分に比
例する電圧信号の電圧値が予め決められた値以下である
場合に、ＬＥＤ７７のカソード側と電源線とを導通させ
ることにより、消光時、ＬＥＤ７７の内部のキャリアが
電源線に移動可能となり、従って、大振幅の電圧信号を
印可することなく、ＬＥＤ７７を高速に消光させること
ができる。さらに、入力される電圧信号の立ち下がり時
にのみ、ＬＥＤ７７のカソード側と電源線とを導通させ
ることができ、従って、次回の発光時、ＬＥＤ７７の内
部のキャリアが不足して高速発光を妨げることがない。
さらにその際、ＬＥＤ７７のカソード側と電源線とを導
通させるスイッチング素子／回路として、ＰＮＰトラン
ジスタ７６を用いることにより、ＬＥＤ駆動回路の規模
を小型化できる。
例する電圧信号の電圧値が予め決められた値以下である
場合に、ＬＥＤ７７のカソード側と電源線とを導通させ
ることにより、消光時、ＬＥＤ７７の内部のキャリアが
電源線に移動可能となり、従って、大振幅の電圧信号を
印可することなく、ＬＥＤ７７を高速に消光させること
ができる。さらに、入力される電圧信号の立ち下がり時
にのみ、ＬＥＤ７７のカソード側と電源線とを導通させ
ることができ、従って、次回の発光時、ＬＥＤ７７の内
部のキャリアが不足して高速発光を妨げることがない。
さらにその際、ＬＥＤ７７のカソード側と電源線とを導
通させるスイッチング素子／回路として、ＰＮＰトラン
ジスタ７６を用いることにより、ＬＥＤ駆動回路の規模
を小型化できる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＬＥＤ駆動回路
の構成を示す回路図である。
の構成を示す回路図である。
【図２】図１の入力端子１２に印加される電圧信号なら
びに微分回路１３および１４が出力する電圧信号の波形
を示す図である。
びに微分回路１３および１４が出力する電圧信号の波形
を示す図である。
【図３】図１のデュアルゲートＦＥＴ１１の動作特性を
示す図である。
示す図である。
【図４】図１の入力端子１２に図２（ａ）の信号が印加
された場合に、デュアルゲートＦＥＴ１１のドレイン端
子（Ｄ）を流れるドレイン電流の波形を示す図である。
された場合に、デュアルゲートＦＥＴ１１のドレイン端
子（Ｄ）を流れるドレイン電流の波形を示す図である。
【図５】図１のＬＥＤ１６を流れる駆動電流の波形モデ
ルを示す図である。
ルを示す図である。
【図６】図１のＬＥＤ１６に図５の波形モデルと同様の
駆動電流が流れた場合の、ＬＥＤ１６からの光出力を示
す図である。
駆動電流が流れた場合の、ＬＥＤ１６からの光出力を示
す図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るＬＥＤ駆動回路
の構成を示す回路図である。
の構成を示す回路図である。
【図８】図７のＦＥＴ７１の動作特性を示す図である。
【図９】図７の入力端子７３に図２（ａ）の信号が印加
された場合に、ＦＥＴ７１のドレイン端子（Ｄ）を流れ
るドレイン電流の波形を示す図である。
された場合に、ＦＥＴ７１のドレイン端子（Ｄ）を流れ
るドレイン電流の波形を示す図である。
【図１０】図７のＦＥＴ７２の動作特性を示す図であ
る。
る。
【図１１】図７の入力端子７３に図２（ａ）の信号が印
加された場合に、ＦＥＴ７２のドレイン端子（Ｄ）を流
れるドレイン電流の波形を示す図である。
加された場合に、ＦＥＴ７２のドレイン端子（Ｄ）を流
れるドレイン電流の波形を示す図である。
【図１２】図７の入力端子７３に図２（ａ）のパルス信
号が印加された場合に、ＦＥＴ７１および７２のドレイ
ン端子（Ｄ）を流れるドレイン電流の和の電流の波形を
示す図である。
号が印加された場合に、ＦＥＴ７１および７２のドレイ
ン端子（Ｄ）を流れるドレイン電流の和の電流の波形を
示す図である。
【図１３】従来のＬＥＤ駆動回路の構成の一例を示す回
路図である。
路図である。
【図１４】従来のＬＥＤ駆動回路の構成の他の一例を示
す回路図である。
す回路図である。
１１…デュアルゲートＦＥＴ １２、７３…入力端子 １３、１４、７４、７５…微分回路 １５、７６…ＰＮＰトランジスタ １６、７７…ＬＥＤ ７１、７２…ＦＥＴ １３１、１４１、７４１、７５１…コンデンサ １３２、１３３、１４２、１４３、７４２、７４３、７
５２、７５３…抵抗
５２、７５３…抵抗
Claims (7)
- 【請求項１】 ＬＥＤ（発光ダイオード）を駆動するＬ
ＥＤ駆動回路であって、 所定の電圧信号を入力するための入力手段と、 前記入力手段に入力された電圧信号の時間微分に比例す
る電圧信号を出力する第１の微分手段と、 前記入力手段に入力された電圧信号および前記第１の微
分手段が出力する電圧信号に応じて電圧駆動され、その
電流値が変化する駆動電流を出力する電圧駆動電流源
と、 前記電圧駆動電流源が出力する駆動電流の電流値に応じ
て発光／消光するＬＥＤとを備えるＬＥＤ駆動回路。 - 【請求項２】 前記電圧駆動電流源が出力する駆動電流
の電流値は、前記入力手段に入力された電圧信号の電圧
値および前記第１の微分手段が出力する電圧信号の電圧
値で定まることを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤ
駆動回路。 - 【請求項３】 前記電圧駆動電流源が出力する駆動電流
の電流値は、前記入力手段に入力された電圧信号の電圧
値で定まる電流値と、前記第１の微分手段が出力する電
圧信号の電圧値で定まる電流値との和であることを特徴
とする、請求項１に記載のＬＥＤ駆動回路。 - 【請求項４】 前記入力手段に入力された電圧信号の時
間微分に比例する電圧信号を出力する第２の微分手段
と、 前記第２の微分手段が出力する電圧信号の電圧値が予め
決められた値以下である場合に、前記ＬＥＤのカソード
側と電源線とを導通させるスイッチング手段とをさらに
備える、請求項１に記載のＬＥＤ駆動回路。 - 【請求項５】 前記電圧駆動電流源はデュアルゲートＦ
ＥＴ（電界効果トランジスタ）であり、 前記デュアルゲートＦＥＴの第１のゲート端子は前記入
力手段に、第２のゲート端子は前記第１の微分手段に、
ドレイン端子は前記ＬＥＤのカソード側にそれぞれ接続
され、かつ、ソース端子は接地されることを特徴とす
る、請求項２に記載のＬＥＤ駆動回路。 - 【請求項６】 前記電圧駆動電流源は第１および第２の
ＦＥＴであり、 前記第１および第２のＦＥＴのゲート端子はそれぞれ前
記入力手段、前記第１の微分手段に接続され、かつ、ド
レイン端子はそれぞれ前記ＬＥＤのカソード側に接続さ
れ、かつ、ソース端子はそれぞれ接地されることを特徴
とする、請求項３に記載のＬＥＤ駆動回路。 - 【請求項７】 前記スイッチング手段はＰＮＰトランジ
スタであることを特徴とする、請求項４に記載のＬＥＤ
駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24663896A JPH1093143A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Ｌｅｄ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24663896A JPH1093143A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Ｌｅｄ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1093143A true JPH1093143A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17151392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24663896A Pending JPH1093143A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | Ｌｅｄ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1093143A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100429202B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2004-04-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압 모드의 ｌｅｄ 소자 |
| JP2013098537A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Lg Innotek Co Ltd | Ｌｅｄ保護回路 |
| US10072207B2 (en) | 2003-11-26 | 2018-09-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
-
1996
- 1996-09-18 JP JP24663896A patent/JPH1093143A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100429202B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2004-04-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압 모드의 ｌｅｄ 소자 |
| US10072207B2 (en) | 2003-11-26 | 2018-09-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
| JP2013098537A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Lg Innotek Co Ltd | Ｌｅｄ保護回路 |
| US8686645B2 (en) | 2011-10-28 | 2014-04-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | LED protection circuit |
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