JP2005294758A - 発光素子駆動回路 - Google Patents

Abstract

【課題】 発光素子を高速で駆動すると共に、逆電圧による素子の破壊を防止する。
【解決手段】 ＬＥＤ１と直列に定電流源９が接続され、このＬＥＤ１と並列に、ダイオード１０とＮＭＯＳトランジスタ１１により構成される電流路Ｂ１が形成されている。ＮＭＯＳトランジスタ１１が導通状態とされている場合の電流路Ｂ１全体の電圧降下は、ＬＥＤ１の点灯時の順方向電圧Ｖｆよりも小さくされている。ＮＭＯＳトランジスタ１１が入力信号ＩＮにより導通状態とされると、ＬＥＤ１のアノード電位がＶｆよりも小さくなり、これによりＬＥＤ１は消灯する
【選択図】 図１

Description

本発明は、ＬＥＤ等の発光素子を駆動するのに利用される発光素子駆動回路に関する。

ＬＥＤ等の半導体発光素子を駆動する発光素子駆動回路として、図１２に示すようなものが知られている（特許文献１）。
この駆動回路では、駆動されるＬＥＤ１は、定電流源２１より駆動電流の供給を受ける。この発光素子としてのＬＥＤ１のカソードと接地端子（ＧＮＤ）との間には、順にスイッチング素子２２、抵抗素子２３が接続されて電流路Ａが形成されている。一方、この電流路Ａと並列に、抵抗素子２４、スイッチング素子２５及び抵抗素子２６との直列接続により、電流路Ｂが形成されている。スイッチング素子２５は、制御信号としての入力信号ＩＮに基づいてオン／オフ制御され、一方、スイッチング素子２２は、入力信号ＩＮのインバータ２７による反転信号＊ＩＮに基づいてオン／オフ制御される。すなわち、スイッチング素子２２と２５とは差動的にオン／オフ制御される。

この構成において、入力信号ＩＮを「Ｌｏｗ」にすると、スイッチング素子２２がオンとなり、一方スイッチング素子２５はオフとなる。この結果、ＬＥＤ１に駆動電流Ｉｄが流れ、一方電流路Ｂを流れる電流Ｉｉはゼロとなり、ＬＥＤ１が発光する。一方、入力信号ＩＮを「Ｈｉ」にするとスイッチング素子２２がオフし、スイッチング素子２５がオンする。この結果、電流路Ｂに電流Ｉｉが流れ、一方電流Ｉｄはゼロとなって、ＬＥＤ１は消光する。
この特許文献１の回路では、発光素子としてのＬＥＤ１が存在する電流路Ａと、スイッチング部としての電流路Ｂの両方に半導体スイッチング素子が必要とされる。

半導体発光素子を駆動する回路の別の従来例として、図１３に示されるような回路が知られている。ＬＥＤ１のアノード（Ａ）に駆動素子としてインバータ３２の出力端子が接続され、ＬＥＤ１のカソード（Ｋ）と接地端子（ＧＮＤ）との間に抵抗３３が接続されている。ここで、抵抗３３はＬＥＤ１の順方向の電流値Ｉf を設定するために用いられる。
この駆動回路は、特許文献１のものに比べ、スイッチング素子が不要となるという利点があるが、次のような問題があった。すなわち、ＬＥＤ１の消光／発光を制御するためには、アノード−カソード間の電位差を０〜２Ｖの間で変動させる必要がある。このため、ＬＥＤ１の接合容量等の寄生容量を充放電させるのに時間がかかり、ＬＥＤ１を高速に駆動させることができないという問題があった。

この問題に鑑み、アノード電位の変動を抑えてＬＥＤ１の駆動を高速化させる駆動回路が提案されている（例えば特許文献２参照）。この特許文献２に開示された駆動回路の構成を図１４に示す。ＬＥＤ１のカソード（Ｋ）は接地されており、電源電圧（Ｖｃｃ）とＬＥＤ１のアノード（Ａ）との間には電流源３５が接続されている。そして、このＬＥＤ１への電流の供給を切り替えるための駆動素子として、インバータ３４が設けられている。インバータ３４の入力端子から入力される入力信号ＩＮの論理が切り替わることにより、ＬＥＤ１のオン、オフが切り替えられる。また、インバータ３４の出力端子とＬＥＤ１のアノード端子（Ａ）との間には、アノード端子（Ａ）側からインバータ３４の出力端子へ向かう方向を順方向とするダイオード３６が接続されている。

この駆動回路において、ＬＥＤ１を発光させる場合には、入力信号ＩＮを「Ｌｏｗ」とし、インバータ３４の出力信号を「Ｈｉ」とする。電源電圧が５Ｖの場合、インバータ３４の出力信号も約５Ｖとなり、従ってダイオード３６には逆電圧が印加される。このため、電流源３５から供給される電流は、ダイオード３６には供給されずＬＥＤ１に供給され、ＬＥＤ１が発光する。
一方、ＬＥＤ１を消灯させる場合には、入力信号ＩＮを「Ｈｉ」とし、インバータ３４の出力信号を「Ｌｏｗ」とする。ダイオード３６には順電圧が印加されるので、電流源３５から供給される電流は、ダイオード３６に供給され、インバータ３４の出力端子に吸い込まれる。これにより、ＬＥＤ１には電流は供給されず、ＬＥＤ１は消灯する。ＬＥＤ１が消灯している場合においては、ＬＥＤ１のアノード電位は、ダイオード３６の順方向電圧に保たれる。例えば、図１４に示すように、ダイオード３６が２個の直列接続されたダイオード素子により形成され、１つのダイオード素子の順方向電圧が０．８Ｖであれば、ＬＥＤ１のアノード電位は２×０．８＝１．６Ｖとなる。従って、例えばＬＥＤ１が点灯しているときのアノード電位が２．０Ｖであれば、ＬＥＤ１のアノード電位は、１．６Ｖ〜２．０Ｖの範囲で変動する。従って、変動幅は図１３の駆動回路に比べて大幅に減少し、従ってＬＥＤ１の充放電に必要な時間が短縮され、高速駆動が可能になる。

特開平７−１５４０１５（段落［０００２］〜［０００３］欄、図９等） 特開平１２−２３２２４０号公報（段落［００１１］〜［００１３］、図１等）

しかし、図１４の駆動回路では、ＬＥＤ１のアノード電位の変動幅は小さくされているものの、ダイオード３６のカソード電位が大きく変動することにより、ダイオード３６に逆電圧の耐圧超過による素子破壊の可能性が生じるという問題があった。すなわち、図１４の駆動回路において、インバータ３４の入力信号ＩＮが「Ｈｉ」で、出力信号が「Ｌｏｗ」の場合（この場合、ＬＥＤ１は消灯している）には、ダイオード３６のカソード電位はほぼ零であり、一方ダイオード３６のアノード電位は、ダイオード３６の順方向電圧である１．６［Ｖ］程度となる（図１５参照）。従って、ダイオード３６には順方向電圧が印加されるので問題ない。しかし、インバータ３４の入力信号ＩＮが「Ｌｏｗ」で、その出力信号が「Ｈｉ」の場合（この場合、ＬＥＤ１は点灯する）には、ダイオード３６のカソード電位は、例えば５［Ｖ］程度とされる一方、ダイオード３６のアノード電位は、ＬＥＤ１の順方向電圧Ｖｆと略等しい２［Ｖ］程度となる（図１５参照）。従って、ダイオード３６には、約３［Ｖ］もの逆電圧が印加されることになる。

こうした駆動回路を集積回路上に構成する場合、このダイオード３６は、コレクタ・ベースをショートさせたバイポーラｎｐｎトランジスタ３６ａにより形成される。構造上、コレクタとベースをショートさせたｎｐｎトランジスタ３６ａにより形成されるダイオードは、帯域は高いが逆電圧の耐圧が低くなり、３［Ｖ］まで耐圧を上げることは難しい。また、ベースとエミッタとをショートさせたｎｐｎトランジスタ３６ｂによりダイオード３６を形成すれば逆電圧の耐圧は改善されるが容量が大きくなって帯域が低くなるという問題がある。また、ベースとエミッタとをショートさせたｎｐｎトランジスタ３６ｂにより形成されるダイオード３６は、構造によっては基板に電流が抜けることが考えられ問題となる。本発明は、この問題に鑑み、発光素子を高速で駆動することができると共に、逆電圧の耐圧超過による素子の破壊等を防止することができる発光素子駆動回路を提供することを目的とするものである。

上記目的達成のため、本発明に係る発光素子駆動回路は、発光素子と直列に接続され前記発光素子に電流を供給する電流供給部と、前記電流供給部による前記発光素子への電流の供給状態を切り替える制御を行うスイッチング部とを備え、前記スイッチング部は、前記発光素子と並列に、前記発光素子のアノードからカソードに向かう方向を順方向として接続されたダイオードと、前記ダイオードと直列に接続され制御信号に基づき導通状態と非導通状態とが切り替わる半導体スイッチング素子とにより構成される電流路を備えており、前記半導体スイッチング素子が導通状態とされた場合における前記電流路の電圧降下が、前記発光素子の発光時の順方向電圧よりも小さくされていることを特徴とする。

本発明によれば、半導体スイッチング素子が導通状態とされると、半導体スイッチング素子とダイオードとにより形成される電流路に、発光素子のアノード側から電流が流れる。この場合の電流路の電圧降下が、発光素子の発光時の順方向電圧よりも小さくされていることにより、発光素子を消灯させることができる。また、発光素子のアノード電位は、電流路を構成するダイオードの順方向電圧により、発光素子が消灯している場合においても少なくともダイオードの順方向電圧以上の所定の値に維持される。従って、発光素子を高速で駆動することができる。さらに、電流路を構成するダイオードには常に逆方向電圧が印加されないので、逆電圧の耐圧超過による素子の破壊等を防止することができる。

次に、本発明の第１の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。なお、従来技術の構成要素と同一の構成要素については図面中で同一の符号を付して説明する。
本発明の第１の実施の形態による発光素子駆動回路を図１に示す。図１の回路では、発光素子としてのＬＥＤ１のアノード（Ａ）が定電流源９を介して電源電圧Ｖｃｃに接続される一方、カソード（Ｋ）が接地端子ＧＮＤに接続されている。さらに、ＬＥＤ１のアノード（Ａ）側には、ダイオード１０と、半導体スイッチング素子としてのＮＭＯＳトランジスタ１１が接続されている。ダイオード１０は、定電流源９からＮＭＯＳトランジスタ１１へ向かう方向が順方向となるように接続されている。

ＮＭＯＳトランジスタ１１は、そのゲートに入力される制御信号により導通状態と非導通状態との間で切り替えられるものである。このダイオード１０とＮＭＯＳトランジスタ１１とによりスイッチング部の電流路Ｂ１が形成され、ＮＭＯＳトランジスタ１１が導通状態とされた場合の電流路Ｂ１全体の電圧降下が、ＬＥＤ１の発光時の順方向電圧Ｖｆよりも低くされている。ここでは、Ｖｆが２．０［Ｖ］で、ダイオード１０の順方向電圧が１．６［Ｖ］とされることにより、この状態が得られているものとする（ＮＭＯＳトランジスタ１１の導通状態時の電圧降下はここでは無視するものとする）。なお、この実施の形態の発光素子駆動回路では、ダイオード１０とＬＥＤ１とは同一の材料により形成することも可能である。

なお、本発明の実施の形態に係る発光素子駆動回路は、例えば図２に示すような光伝送モジュール１００と受信モジュール２００を光ファイバ３００で接続した光伝送システムに適用される。光伝送モジュール１００は、入力される電気信号を光信号に変換する。変換された光信号は光ファイバ３００により伝送され、受信モジュール２００で再び電気信号に変換される。図１に示す発光素子駆動回路は、この光伝送モジュール１００に適用され得る。

次に、この図１に示す発光素子駆動回路の動作を、図３及び図４に基づいて説明する。図３は、ダイオード１０のアノード及びカソードの電位の変化を示すグラフであり、図４は、ＬＥＤ１を流れる電流の変化を示すグラフである。
入力信号ＩＮが「Ｌｏｗ」で、ＮＭＯＳトランジスタ１１が非導通状態とされると、定電流源９からの電流は、ＬＥＤ１に向かって流れ、これによりＬＥＤ１が発光する。この場合、ダイオード１０のアノード電位は、図３のグラフに示すように、ＬＥＤ１の発光時の順方向電圧Ｖｆと等しくなり、約２．０［Ｖ］となる。一方、ダイオード１０のカソードは、ＮＭＯＳトランジスタ１１が理想的なものであればフローティング状態となり、アノード電位とカソード電位は等しくなる筈である。しかし実際には、ダイオード１０やＮＭＯＳトランジスタ１１のリーク電流や過渡的な電流により、ダイオード１０のカソード電位は、アノード電位よりも若干低い値となる。

入力信号ＩＮが「Ｈｉ」で、ＮＭＯＳトランジスタ１１が導通状態とされると、定電流源９からの電流は、電流路Ｂ１即ちダイオード１０及びＮＭＯＳトランジスタ１１に流れる。電流路Ｂ１全体の電圧降下が、ＬＥＤ１の発光時の順方向電圧Ｖｆよりも小さくされていることにより、ＬＥＤ１は消灯する。このとき、ダイオード１０のアノード電位は、約１．６［Ｖ］とされ、カソード電位は略ゼロとなる。このように、この実施の形態では、ＬＥＤ１が発光している場合及び消灯している場合のいずれの場合にも、ダイオード１０には順方向電圧が印加される。このため、従来技術に係る図１４の発光素子駆動回路のように、耐圧を超える逆電圧がダイオードに印加される事態は回避されている。一方で、この実施の形態では、図３に示すように、ダイオード１０のアノード電位は１．６〜２．０［Ｖ］という小さい変動幅で変動することになり、従って、図１４に示す駆動回路と同等に、ＬＥＤ１を高速駆動させることができる。

なお、第１の実施の形態においては、ＬＥＤ１に電流を供給する手段として定電流源９を使用しているが、定電流源の代わりに、図５に示すように、電源電圧ＶｃｃとＬＥＤ１のアノードとの間に抵抗Ｒｃを接続し、この抵抗Ｒｃと電源電圧Ｖｃｃとにより決まる電流をＬＥＤ１に供給するようにしてもよい。また、図示は省略するが、図１においてＮＭＯＳトランジスタ１１の代わりにＰＭＯＳトランジスタをスイッチング素子として用いてもよい。

本発明の第２の実施の形態による発光素子駆動回路を、図６を用いて説明する。図１と同一の部材については同一の符号を付し、その詳しい説明は省略する。この第２の実施の形態は、入力信号ＩＮの端子とダイオード１０のアノードとの間に、インバータ１２、キャパシタＣ３及び抵抗Ｒ３からなるピーキング回路１３を接続している点において第１の実施の形態と相違する。入力信号ＩＮが「Ｈｉ」の場合、インバータ１２の出力信号は「Ｌｏｗ」で、ＮＭＯＳトランジスタ１１は導通状態とされる。この状態においては、ピーキング回路１３と電流路Ｂ１とは実質的に並列に接続された状態となるものである。

この第２の実施の形態の発光素子駆動回路の動作を以下に説明する。
インバータ１２の入力信号ＩＮが「Ｈｉ」から「Ｌｏｗ」となり（出力信号が「Ｌｏｗ」から「Ｈｉ」に変わり）、ＮＭＯＳトランジスタ１１が導通状態から非導通状態とされると、定電流源９からの電流はＬＥＤ１に流れるようになり、これによりＬＥＤ１が消灯状態から発光状態に移行する。このとき、ピーキング回路１３のキャパシタＣ３の充電電荷がＬＥＤ１のアノードに向けて放電される。これにより、このインバータ１２の出力信号を微分した波形のピーキング電流が所定期間だけ流れ、定電流源９からの電流に重畳される（図７）。これにより、ＬＥＤ１がオーバドライブされることになり、第１の実施の形態に比較して消灯状態から発光状態への高速な切り換えが可能となっている。

一方、ＬＥＤ１が発光状態である場合において、インバータ１２の入力信号ＩＮが「Ｌｏｗ」から「Ｈｉ」に変わり（出力信号が「Ｈｉ」から「Ｌｏｗ」に変わり）、ＮＭＯＳトランジスタ１１が非導通状態から導通状態になると、定電流源９からの電流は、電流路Ｂ１即ちダイオード１０及びＮＭＯＳトランジスタ１１に流れるようになる。これによりＬＥＤ１は点灯状態から消灯状態に変わる。
ＬＥＤ１が発光状態から消灯状態に変わると、ピーキング回路１３のキャパシタＣ３にＬＥＤ１の容量に蓄積された内部電荷及び定電流源９からの電流が吸い込まれる。これにより、このインバータ１２の出力信号を微分した波形のマイナス方向のピーキング電流が流れ、電流の吸い込み時間を速くできる（図７）。これにより、ＬＥＤ１がオーバドライブされることになり、ＬＥＤ１の発光状態から消灯状態への切り換えが高速に行なわれる。
なお、この図６の発光素子駆動回路において、定電流源９を抵抗で置き換えることができることはいうまでもない。また、抵抗Ｒ３はオーバドライブ量を調整するためのものであり、省略することもできる。

次に、本発明の第３の実施の形態を、図８に基づいて説明する。
この実施の形態は、上記第１及び第２の実施の形態と異なり、ＬＥＤ１のアノード（Ａ）側を電源電圧Ｖccの端子に接続し、一方カソード（Ｋ）側を定電流源９’に接続している。ＬＥＤ１と並列に電流路Ｂ１を形成している点、電流路Ｂ１全体の電圧降下が、ＬＥＤ１が発光しているときの順方向電圧Ｖｆよりも小さくされている点は、第１及び第２の実施の形態と同一である。ただし、この実施の形態の電流路Ｂ１は、半導体スイッチング素子として、ＮＭＯＳトランジスタの代わりにＰＭＯＳトランジスタ１１’を用いていると共に、ダイオード１０’と直列に抵抗１４を接続している点において第１及び第２の実施の形態と異なっている。抵抗１４は、電流路Ｂ１による電圧降下の大きさを調整する役割を有するものである。なお、ＰＭＯＳトランジスタ１１’は、上記実施の形態と同様、ＮＭＯＳトランジスタに置き換えてもよい。また、図９に示すように、この定電流源９’を抵抗Ｒｃで置き換えてもよい。

この第３の実施の形態による発光素子駆動回路の動作は、第１の実施の形態の駆動回路と略同様である。すなわち、入力信号ＩＮが「Ｈｉ」でＰＭＯＳトランジスタ１１’が非導通状態とされると、定電流源９’の電流は、ＬＥＤ１を通って流れ、これによりＬＥＤ１が発光する。入力信号ＩＮが「Ｌｏｗ」でＰＭＯＳトランジスタ１１’が導通状態とされると、定電流源９’の電流は、電流路Ｂ１即ちＰＭＯＳトランジスタ１１’、ダイオード１０’及び抵抗１４を流れる。電流路Ｂ１全体の電圧降下が、ＬＥＤ１の発光時の順方向電圧Ｖｆよりも小さくされていることにより、ＬＥＤ１は消灯する。

ＬＥＤ１の点灯時、消灯時とも、ダイオード１０’のアノード電位とカソード電位の変動は、図３に示すグラフと略同様となり、ダイオード１０’には、常に順方向電圧が印加され、逆電圧の耐圧超過によるダイオード１０’の破損の虞は回避されている。

次に、本発明の第４の実施の形態を、図１０を参照して説明する。この実施の形態は、上記第３の実施の形態の構成に加え、更にインバータ１２及びピーキング回路１３を、入力信号ＩＮの端子とＬＥＤ１のカソード（Ｋ）との間に接続している。

この第４の実施の形態の発光素子駆動回路の動作を以下に説明する。
インバータ１２の入力信号ＩＮが「Ｌｏｗ」から「Ｈｉ」となり（出力信号が「Ｈｉ」から「Ｌｏｗ」に変わり）、ＰＭＯＳトランジスタ１１’が導通状態から非導通状態とされると、定電流源９’の電流はＬＥＤ１に流れるようになり、これによりＬＥＤ１が消灯状態から発光状態に移行する。このとき、ピーキング回路１３のキャパシタＣ３に電源電圧（Ｖｃｃ）からＬＥＤ１を介し電流が吸い込まれる。これにより、このインバータ１２の出力信号を微分した波形のマイナス方向のピーキング電流が流れ、定電流源９’の吸い込み電流に重畳される。これにより、ＬＥＤ１がオーバドライブされ、消灯状態から発光状態への高速な切り換えが可能となっている。

一方、ＬＥＤ１が発光状態である場合において、インバータ１２の入力信号ＩＮが「Ｈｉ」から「Ｌｏｗ」に変わり（出力信号が「Ｌｏｗ」から「Ｈｉ」に変わり）、ＰＭＯＳトランジスタ１１’が非導通状態から導通状態になると、定電流源９’の電流は、電流路Ｂ１即ちダイオード１０’及びＰＭＯＳトランジスタ１１’に流れるようになる。これによりＬＥＤ１は点灯状態から消灯状態に変わる。
ＬＥＤ１が発光状態から消灯状態に変わると、ピーキング回路１３のキャパシタＣ３の電荷がＬＥＤ１のカソードに向けて放電される。これにより、このインバータ１２の出力信号を微分した波形のピーキング電流が流れ、ＬＥＤ１の容量に蓄積された内部電荷を放電させ、同時に電流路Ｂ１即ちダイオード１０’及びＰＭＯＳトランジスタ１１’を介し定電流源９’に電流を吸い込む時間を速くできる。これにより、ＬＥＤ１がオーバドライブされることになり、ＬＥＤ１の発光状態から消灯状態への切り換えが高速に行なわれる。なお、この図１０の発光素子駆動回路において、図１１に示すように定電流源９’を抵抗Ｒｃで置き換えることができることはいうまでもない。また、抵抗Ｒ３を省略可能であることは第２の実施の形態と同様である。

以上、発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、様々な改変、追加及び置換等が可能である。

本発明の第１の実施の形態に係る発光素子駆動回路の構成を示す。 本発明の発光素子駆動回路が適用され得る光伝送システムの構成を示す。 第１の実施の形態に係る発光素子駆動回路の動作（電圧の変化）を示すグラフである。 第１の実施の形態に係る発光素子駆動回路の動作（電流の変化）を示すグラフである。 第１の実施の形態の変形例を示す。 本発明の第２の実施の形態に係る発光素子駆動回路の構成を示す。 第１の実施の形態に係る発光素子駆動回路の動作（電流の変化）を示すグラフである。 本発明の第３の実施の形態に係る発光素子駆動回路の構成を示す。 第３の実施の形態の変形例を示す。 本発明の第４の実施の形態に係る発光素子駆動回路の構成を示す。 第４の実施の形態の変形例を示す。 第１の従来技術に係る発光素子駆動回路の構成を示す。 第２の従来技術に係る発光素子駆動回路の構成を示す。 第３の従来技術に係る発光素子駆動回路の構成を示す。 第３の従来技術に係る発光素子駆動回路の動作（電圧の変化）を示すグラフである。

符号の説明

１・・・ＬＥＤ、 ９、９’・・・定電流源、 １０、１０’・・・ダイオード、 １１、１１’・・・ＭＯＳトランジスタ、 Ｂ１・・・電流路、 Ｒｃ・・・抵抗、 １２・・・インバータ、 １３・・・ピーキング回路、 １４・・・抵抗。

Claims (4)

1. 発光素子と直列に接続され前記発光素子に電流を供給する電流供給部と、
   前記電流供給部による前記発光素子への電流の供給状態を切り替える制御を行うスイッチング部とを備え、
   前記スイッチング部は、前記発光素子と並列に、前記発光素子のアノードからカソードに向かう方向を順方向として接続されたダイオードと、前記ダイオードと直列に接続され制御信号に基づき導通状態と非導通状態とが切り替わる半導体スイッチング素子とにより構成される電流路を備えており、
   前記半導体スイッチング素子が導通状態とされた場合における前記電流路の電圧降下が、前記発光素子の発光時の順方向電圧よりも小さくされている
   ことを特徴とする発光素子駆動回路。
2. 前記電流供給部が前記発光素子のアノード側に接続され、前記発光素子のカソードは接地されたものであることを特徴とする請求項１記載の発光素子駆動回路。
3. 前記電流供給部が前記発光素子のカソード側に接続され、前記発光素子のアノードが電源電圧に接続されたものであることを特徴とする請求項１記載の発光素子駆動回路。
4. 前記半導体スイッチング素子を非導通状態とさせる信号を受けて所定期間だけ前記発光素子の前記順方向にピーキング電流を流すと共に、
   前記半導体スイッチング素子を導通状態とさせる信号を受けて所定期間だけ前記発光素子の前記順方向と逆方向にピーキング電流を流すピーキング回路を更に備えた請求項１記載の発光素子駆動回路。

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