JPH057144A - 発光素子駆動回路 - Google Patents
発光素子駆動回路Info
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- JPH057144A JPH057144A JP3197108A JP19710891A JPH057144A JP H057144 A JPH057144 A JP H057144A JP 3197108 A JP3197108 A JP 3197108A JP 19710891 A JP19710891 A JP 19710891A JP H057144 A JPH057144 A JP H057144A
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- light emitting
- transistor
- emitting element
- base
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 差動接続された第１及び第２のＮＰＮトラン
ジスタＱ1 及びＱ2 を具備し、発光素子とＰＮＰトラン
ジスタＱ3 との並列回路が、高電圧側と第１のＮＰＮト
ランジスタＱ1 のコレクタとの間に接続されている。第
１の抵抗Ｒが、高電圧側と第２のＮＰＮトランジスタＱ
2 のコレクタとの間に接続されている。更に、コンデン
サＣが、第２のＮＰＮトランジスタのコレクタとＰＮＰ
トランジスタのベースとの間に接続され、抵抗ｒが、高
電圧側とＰＮＰトランジスタのベースに接続されて、Ｐ
ＮＰトランジスタのベースをバイアスするための微分回
路が設けられている。 【効果】 差動式の発光素子駆動回路において、消光時
の光出力の立ち下がりを急峻にする。
ジスタＱ1 及びＱ2 を具備し、発光素子とＰＮＰトラン
ジスタＱ3 との並列回路が、高電圧側と第１のＮＰＮト
ランジスタＱ1 のコレクタとの間に接続されている。第
１の抵抗Ｒが、高電圧側と第２のＮＰＮトランジスタＱ
2 のコレクタとの間に接続されている。更に、コンデン
サＣが、第２のＮＰＮトランジスタのコレクタとＰＮＰ
トランジスタのベースとの間に接続され、抵抗ｒが、高
電圧側とＰＮＰトランジスタのベースに接続されて、Ｐ
ＮＰトランジスタのベースをバイアスするための微分回
路が設けられている。 【効果】 差動式の発光素子駆動回路において、消光時
の光出力の立ち下がりを急峻にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光素子駆動回路に関
する。より詳細には、本発明は、消費電力が少なく、高
品質な光出力が可能な新規な発光素子駆動回路の構成に
関するものであり、光通信システムの光送信器等に利用
することができる。
する。より詳細には、本発明は、消費電力が少なく、高
品質な光出力が可能な新規な発光素子駆動回路の構成に
関するものであり、光通信システムの光送信器等に利用
することができる。
【０００２】
【従来の技術】光通信等に使用する光送信器では、送信
すべきデータに対応して変調した駆動電流を駆動回路が
発光素子に供給して光信号によるデータ送信を実現して
いる。ここで使用される発光素子駆動回路は、消費電力
が少なく、且つ、高速な信号に対応していることが望ま
しい。ところで、発光素子として最も一般的なＬＥＤ
（発光ダイオード）は、比較的大きな容量を有するの
で、特に出力光信号の立ち下がり時に、消光するまでの
時間が長いという欠点がある。この欠点を補うような発
光素子駆動回路の構成として、特開昭63−234568号公報
に開示されたコンプリメンタリ駆動方式がある。
すべきデータに対応して変調した駆動電流を駆動回路が
発光素子に供給して光信号によるデータ送信を実現して
いる。ここで使用される発光素子駆動回路は、消費電力
が少なく、且つ、高速な信号に対応していることが望ま
しい。ところで、発光素子として最も一般的なＬＥＤ
（発光ダイオード）は、比較的大きな容量を有するの
で、特に出力光信号の立ち下がり時に、消光するまでの
時間が長いという欠点がある。この欠点を補うような発
光素子駆動回路の構成として、特開昭63−234568号公報
に開示されたコンプリメンタリ駆動方式がある。
【０００３】図２は、この種の発光素子駆動回路の典型
的な構成を示す図である。図示の発光素子駆動回路10
は、その前段に波形整形回路12が設けられており、その
波形整形回路12を介して、互いに相補的な一対の信号Ｓ
in及びＳin* を受けるように構成されている。同図に示
すように、発光素子駆動回路10は、エミッタを共通に定
電流源Ｉ1 に接続された１対のＮＰＮトランジスタＱ1
及びＱ2と、トランジスタＱ1 のベースにコンデンサＣ
1 を介してベースが接続されたＰＮＰトランジスタＱ3
とから主に構成されている。発光ダイオードＬＥＤは、
トランジスタＱ1 のコレクタと接地との間に挿入されて
いる。また、トランジスタＱ3 のコレクタは、トランジ
スタＱ1 のコレクタに接続されており、トランジスタＱ
3 のエミッタ及びトランジスタＱ2 のコレクタは、接地
にそれぞれ接続されており、非反転入力信号ＳＤと反転
入力信号ＳＤ* は、トランジスタＱ1 及びＱ2 のベース
にそれぞれ印加される。また、トランジスタＱ3 のベー
スには、抵抗Ｒ1 を介してバイアスが印加される。具体
的には、抵抗Ｒ1 の一端は、接地に接続され、抵抗Ｒ1
の他端は、定電流源Ｉ2 に接続されている。その定電流
源Ｉ2 により供給される電流が抵抗Ｒ1 を流れることに
よって生じる電圧降下が、トランジスタＱ3 のベースに
バイアスとして印加される。なお、定電流源Ｉ1 及び定
電流源Ｉ2 は、固定電源Ｖから固定バイアス電圧がベー
スに供給されるＮＰＮトランジスタＱ4 及びＱ5 と、そ
のＮＰＮトランジスタＱ4 及びＱ5 のエミッタに直列に
接続された抵抗Ｒ2 及びＲ3 との直列回路でそれぞれ構
成されている。
的な構成を示す図である。図示の発光素子駆動回路10
は、その前段に波形整形回路12が設けられており、その
波形整形回路12を介して、互いに相補的な一対の信号Ｓ
in及びＳin* を受けるように構成されている。同図に示
すように、発光素子駆動回路10は、エミッタを共通に定
電流源Ｉ1 に接続された１対のＮＰＮトランジスタＱ1
及びＱ2と、トランジスタＱ1 のベースにコンデンサＣ
1 を介してベースが接続されたＰＮＰトランジスタＱ3
とから主に構成されている。発光ダイオードＬＥＤは、
トランジスタＱ1 のコレクタと接地との間に挿入されて
いる。また、トランジスタＱ3 のコレクタは、トランジ
スタＱ1 のコレクタに接続されており、トランジスタＱ
3 のエミッタ及びトランジスタＱ2 のコレクタは、接地
にそれぞれ接続されており、非反転入力信号ＳＤと反転
入力信号ＳＤ* は、トランジスタＱ1 及びＱ2 のベース
にそれぞれ印加される。また、トランジスタＱ3 のベー
スには、抵抗Ｒ1 を介してバイアスが印加される。具体
的には、抵抗Ｒ1 の一端は、接地に接続され、抵抗Ｒ1
の他端は、定電流源Ｉ2 に接続されている。その定電流
源Ｉ2 により供給される電流が抵抗Ｒ1 を流れることに
よって生じる電圧降下が、トランジスタＱ3 のベースに
バイアスとして印加される。なお、定電流源Ｉ1 及び定
電流源Ｉ2 は、固定電源Ｖから固定バイアス電圧がベー
スに供給されるＮＰＮトランジスタＱ4 及びＱ5 と、そ
のＮＰＮトランジスタＱ4 及びＱ5 のエミッタに直列に
接続された抵抗Ｒ2 及びＲ3 との直列回路でそれぞれ構
成されている。
【０００４】波形整形回路12は、互いに相補的な一対の
信号Ｓin及びＳin* を受ける差動増幅器14を有してい
る。差動増幅器10の互いに相補的な一対の出力は、１対
のＮＰＮトランジスタＱ6 及びＱ7 のベースにそれぞれ
接続されている。ＮＰＮトランジスタＱ6 及びＱ7 のコ
レクタは、接地に接続されており、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ6 及びＱ7 のエミッタは、ぞれぞれ定電流源Ｉ3 及び
定電流源Ｉ4 に接続されている。ＮＰＮトランジスタＱ
6 のエミッタは、上記した非反転入力信号ＳＤを供給す
るようにトランジスタＱ1 のベースに接続されており、
そして、ＮＰＮトランジスタＱ7 のエミッタは、上記し
た反転入力信号ＳＤ* を供給するようにトランジスタＱ
2 のベースに接続されている。定電流源Ｉ3 及び定電流
源Ｉ4 も、固定電源Ｖから固定バイアス電圧がベースに
供給されるＮＰＮトランジスタＱ8 及びＱ9 と、そのＮ
ＰＮトランジスタＱ4 及びＱ5 のエミッタに直列に接続
された抵抗Ｒ4 及びＲ5 との直列回路でそれぞれ構成さ
れている。
信号Ｓin及びＳin* を受ける差動増幅器14を有してい
る。差動増幅器10の互いに相補的な一対の出力は、１対
のＮＰＮトランジスタＱ6 及びＱ7 のベースにそれぞれ
接続されている。ＮＰＮトランジスタＱ6 及びＱ7 のコ
レクタは、接地に接続されており、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ6 及びＱ7 のエミッタは、ぞれぞれ定電流源Ｉ3 及び
定電流源Ｉ4 に接続されている。ＮＰＮトランジスタＱ
6 のエミッタは、上記した非反転入力信号ＳＤを供給す
るようにトランジスタＱ1 のベースに接続されており、
そして、ＮＰＮトランジスタＱ7 のエミッタは、上記し
た反転入力信号ＳＤ* を供給するようにトランジスタＱ
2 のベースに接続されている。定電流源Ｉ3 及び定電流
源Ｉ4 も、固定電源Ｖから固定バイアス電圧がベースに
供給されるＮＰＮトランジスタＱ8 及びＱ9 と、そのＮ
ＰＮトランジスタＱ4 及びＱ5 のエミッタに直列に接続
された抵抗Ｒ4 及びＲ5 との直列回路でそれぞれ構成さ
れている。
【０００５】以上のように構成された発光素子駆動回路
は、以下のように動作する。信号Ｓinがハイレベルとな
り、その反転信号Ｓin* がローレベルになると、ハイレ
ベルとローレベルとの間の遷移が、一対の信号Ｓin及び
Ｓin* の間で同期していなくとも、差動増幅器10は、ハ
イレベルとローレベルとの間の遷移が完全に同期したハ
イレベル電圧とローレベル電圧を、１対のＮＰＮトラン
ジスタＱ6 及びＱ7 のベースにそれぞれ出力する。ＮＰ
ＮトランジスタＱ6 のベースに印加される電圧波形を図
３(a) に図示する。その結果、ＮＰＮトランジスタＱ6
及びＱ7 は、それぞれ導通及び非導通となり、トランジ
スタＱ1 のベース（図２のＡ点）には、図３(b) に示す
ように急峻にハイレベルまで立ち上がる非反転入力信号
ＳＤが印加され、トランジスタＱ2 のベースには、ロー
レベルに変化する反転入力信号ＳＤ* が印加される。
は、以下のように動作する。信号Ｓinがハイレベルとな
り、その反転信号Ｓin* がローレベルになると、ハイレ
ベルとローレベルとの間の遷移が、一対の信号Ｓin及び
Ｓin* の間で同期していなくとも、差動増幅器10は、ハ
イレベルとローレベルとの間の遷移が完全に同期したハ
イレベル電圧とローレベル電圧を、１対のＮＰＮトラン
ジスタＱ6 及びＱ7 のベースにそれぞれ出力する。ＮＰ
ＮトランジスタＱ6 のベースに印加される電圧波形を図
３(a) に図示する。その結果、ＮＰＮトランジスタＱ6
及びＱ7 は、それぞれ導通及び非導通となり、トランジ
スタＱ1 のベース（図２のＡ点）には、図３(b) に示す
ように急峻にハイレベルまで立ち上がる非反転入力信号
ＳＤが印加され、トランジスタＱ2 のベースには、ロー
レベルに変化する反転入力信号ＳＤ* が印加される。
【０００６】反転入力信号ＳＤ* が立ち下がるとトラン
ジスタＱ2 が非導通となり、一方、非反転入力信号ＳＤ
が立ち上がるとトランジスタＱ1 が導通し、発光ダイオ
ードＬＥＤに電流が流れるので、光信号出力も立ち上が
る。このとき、抵抗Ｒ1 とコンデンサＣ1 とにより構成
された微分回路を介してトランジスタＱ3 のベースにも
非反転入力信号入力信号ＳＤが印加されている。従っ
て、トランジスタＱ3 のベース（図２のＢ点）には、図
３(c) に示すように、一瞬立ち上がって再び立ち下がる
微分波形電圧が印加され、トランジスタＱ1 の導通と同
時に、トランジスタＱ3 が非導通となり、導通したトラ
ンジスタＱ1 を流れる電流の全てが、発光ダイオードＬ
ＥＤに流れるようにする。その結果、発光ダイオードＬ
ＥＤは、図３(e) に示すように、急峻に立ち上がる光出
力を発する。従って、発光ダイオードＬＥＤの容量に起
因する出力光信号の発光の遅れが改善される。
ジスタＱ2 が非導通となり、一方、非反転入力信号ＳＤ
が立ち上がるとトランジスタＱ1 が導通し、発光ダイオ
ードＬＥＤに電流が流れるので、光信号出力も立ち上が
る。このとき、抵抗Ｒ1 とコンデンサＣ1 とにより構成
された微分回路を介してトランジスタＱ3 のベースにも
非反転入力信号入力信号ＳＤが印加されている。従っ
て、トランジスタＱ3 のベース（図２のＢ点）には、図
３(c) に示すように、一瞬立ち上がって再び立ち下がる
微分波形電圧が印加され、トランジスタＱ1 の導通と同
時に、トランジスタＱ3 が非導通となり、導通したトラ
ンジスタＱ1 を流れる電流の全てが、発光ダイオードＬ
ＥＤに流れるようにする。その結果、発光ダイオードＬ
ＥＤは、図３(e) に示すように、急峻に立ち上がる光出
力を発する。従って、発光ダイオードＬＥＤの容量に起
因する出力光信号の発光の遅れが改善される。
【０００７】信号Ｓinがローレベルとなり、その反転信
号Ｓin*がハイレベルになると、差動増幅器10は、３(a)
に図示すように、急峻にローレベルに立ち下がる電圧
信号を、ＮＰＮトランジスタＱ6のベースに印加し、一
方、急峻にハイレベルに立ち上がる電圧信号を、ＮＰＮ
トランジスタＱ7 のベースに出力する。それに伴い、ト
ランジスタＱ1 のベース（図２のＡ点）の電圧は立ち下
がり、一方トランジスタＱ2 のベースの電圧は立ち上が
る。非反転入力信号ＳＤが立ち下がると、トランジスタ
Ｑ1 は非導通となり、発光ダイオードＬＥＤに対する電
流の供給は遮断される。このとき、反転入力信号ＳＤ*
は立ち上がるので、電流は導通したトランジスタＱ2 を
流れる。一方、非反転入力信号ＳＤが立ち下がるときに
トランジスタＱ3 が導通状態となり、これを介して発光
ダイオードＬＥＤの放電が促進される。こうして、発光
ダイオードＬＥＤの容量に起因する出力光信号の消光の
遅れが改善される筈である。
号Ｓin*がハイレベルになると、差動増幅器10は、３(a)
に図示すように、急峻にローレベルに立ち下がる電圧
信号を、ＮＰＮトランジスタＱ6のベースに印加し、一
方、急峻にハイレベルに立ち上がる電圧信号を、ＮＰＮ
トランジスタＱ7 のベースに出力する。それに伴い、ト
ランジスタＱ1 のベース（図２のＡ点）の電圧は立ち下
がり、一方トランジスタＱ2 のベースの電圧は立ち上が
る。非反転入力信号ＳＤが立ち下がると、トランジスタ
Ｑ1 は非導通となり、発光ダイオードＬＥＤに対する電
流の供給は遮断される。このとき、反転入力信号ＳＤ*
は立ち上がるので、電流は導通したトランジスタＱ2 を
流れる。一方、非反転入力信号ＳＤが立ち下がるときに
トランジスタＱ3 が導通状態となり、これを介して発光
ダイオードＬＥＤの放電が促進される。こうして、発光
ダイオードＬＥＤの容量に起因する出力光信号の消光の
遅れが改善される筈である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示したような従来の発光素子駆動回路においては、トラ
ンジスタＱ1 のベース（図２のＡ点）の電圧が立ち下が
り、それに伴いトランジスタＱ3 のベース（図２のＢ
点）の電圧が実際に立ち下がってトランジスタＱ3 が導
通するには、コンデンサＣ1 に蓄積された電荷が放出さ
れなればならない。コンデンサＣ1 に蓄積された電荷の
放出が迅速に行われない場合には、図３(b)に示すよう
に、トランジスタＱ1 のベース（図２のＡ点）の電圧
は、誇張して表現するならば、ゆっくり立ち下がり、い
わゆる『裾引き状態』となり、その結果として、トラン
ジスタＱ3 のベース（図２のＢ点）の電圧が、図３(c)
に示すように、十分にマイナス方向に変化しない。その
ため、トランジスタＱ3 が完全な導通状態にならないの
で、発光ダイオードＬＥＤの容量に蓄積された電荷がに
よりトランジスタＱ3 を流れる電流Ｉa が、図３(d) に
実線で示すように、十分に立ち上がらない。その結果、
発光ダイオードＬＥＤの光出力が、急峻に消光せずに、
図３(e) に実線で示すように、『裾引き』を生じる。図
３(d) 及び（e)において、点線で示す状態が理想の状態
である。
示したような従来の発光素子駆動回路においては、トラ
ンジスタＱ1 のベース（図２のＡ点）の電圧が立ち下が
り、それに伴いトランジスタＱ3 のベース（図２のＢ
点）の電圧が実際に立ち下がってトランジスタＱ3 が導
通するには、コンデンサＣ1 に蓄積された電荷が放出さ
れなればならない。コンデンサＣ1 に蓄積された電荷の
放出が迅速に行われない場合には、図３(b)に示すよう
に、トランジスタＱ1 のベース（図２のＡ点）の電圧
は、誇張して表現するならば、ゆっくり立ち下がり、い
わゆる『裾引き状態』となり、その結果として、トラン
ジスタＱ3 のベース（図２のＢ点）の電圧が、図３(c)
に示すように、十分にマイナス方向に変化しない。その
ため、トランジスタＱ3 が完全な導通状態にならないの
で、発光ダイオードＬＥＤの容量に蓄積された電荷がに
よりトランジスタＱ3 を流れる電流Ｉa が、図３(d) に
実線で示すように、十分に立ち上がらない。その結果、
発光ダイオードＬＥＤの光出力が、急峻に消光せずに、
図３(e) に実線で示すように、『裾引き』を生じる。図
３(d) 及び（e)において、点線で示す状態が理想の状態
である。
【０００９】コンデンサＣ1 に蓄積された電荷の放出に
より生じる電流は、定電流源Ｉ3 を流れる。大きな放電
電流を瞬時に流すには、抵抗Ｒ1 とコンデンサＣ1 とに
よって構成された微分回路に入力する信号ＳＤを出力す
る回路すなわち定電流源Ｉ3 のインピーダンスを低くし
なければならない。これは、定電流源Ｉ3 の電流容量を
大きくすることを意味し、それに伴い、トランジスタＱ
6 と定電流源Ｉ3 とで構成されるエミッタホロワの電流
Ｉb を大きしなければならず、波形整形回路12の消費電
流が不可避に増加する。このように、図２に示す従来の
発光素子駆動回路では、発光ダイオードＬＥＤの消光時
の『裾引き』を防止するには、消費電流を大きくせざる
を得ず、消費電流を低く抑えた場合には、発光ダイオー
ドＬＥＤの光出力の立ち下がりを急峻にすることができ
なった。また、発光ダイオードＬＥＤを直接駆動するト
ランジスタＱ1 のベースとトランジスタＱ3 のベースと
が結合されているので、バックゲーティングにより出力
光信号の信号波形が劣化し易い。そこで、本発明は、上
記従来技術の問題点を解決し、高速動作を維持しつつ、
消費電流が少なく、且つ、出力光信号の歪みが生じ難い
新規な発光素子駆動回路を提供することをその目的とし
ている。
より生じる電流は、定電流源Ｉ3 を流れる。大きな放電
電流を瞬時に流すには、抵抗Ｒ1 とコンデンサＣ1 とに
よって構成された微分回路に入力する信号ＳＤを出力す
る回路すなわち定電流源Ｉ3 のインピーダンスを低くし
なければならない。これは、定電流源Ｉ3 の電流容量を
大きくすることを意味し、それに伴い、トランジスタＱ
6 と定電流源Ｉ3 とで構成されるエミッタホロワの電流
Ｉb を大きしなければならず、波形整形回路12の消費電
流が不可避に増加する。このように、図２に示す従来の
発光素子駆動回路では、発光ダイオードＬＥＤの消光時
の『裾引き』を防止するには、消費電流を大きくせざる
を得ず、消費電流を低く抑えた場合には、発光ダイオー
ドＬＥＤの光出力の立ち下がりを急峻にすることができ
なった。また、発光ダイオードＬＥＤを直接駆動するト
ランジスタＱ1 のベースとトランジスタＱ3 のベースと
が結合されているので、バックゲーティングにより出力
光信号の信号波形が劣化し易い。そこで、本発明は、上
記従来技術の問題点を解決し、高速動作を維持しつつ、
消費電流が少なく、且つ、出力光信号の歪みが生じ難い
新規な発光素子駆動回路を提供することをその目的とし
ている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によるならば、電
流源回路と、高電圧側にアノードが接続された発光素子
と、ベースに入力信号が印加され、コレクタが発光素子
のカソードに接続され、エミッタが前記電流源回路に接
続された第１のＮＰＮトランジスタと、ベースに入力信
号の反転信号を印加され、コレクタが高電圧側に接続さ
れ、エミッタを前記第１のＮＰＮトランジスタと共通に
前記電流源回路に接続された第２のＮＰＮトランジスタ
とを含む発光素子駆動回路であって、更に、前記発光素
子のカソードにコレクタが接続され前記発光素子のアノ
ードにエミッタが接続されて、前記発光素子に並列に接
続されたＰＮＰトランジスタと、前記第２のＮＰＮトラ
ンジスタのコレクタと前記高電圧側との間に接続されて
いる第１の抵抗と、前記第２のＮＰＮトランジスタのコ
レクタに一端が接続され、前記ＰＮＰトランジスタのベ
ースに他端が接続されたコンデンサと、前記コンデンサ
の他端に一端を接続され、他端が前記高電圧側に接続さ
れた第２の抵抗とを含む、前記ＰＮＰトランジスタのベ
ースにバイアス電圧を印加するための微分回路とを具備
することを特徴とする発光素子駆動回路が提供される。
流源回路と、高電圧側にアノードが接続された発光素子
と、ベースに入力信号が印加され、コレクタが発光素子
のカソードに接続され、エミッタが前記電流源回路に接
続された第１のＮＰＮトランジスタと、ベースに入力信
号の反転信号を印加され、コレクタが高電圧側に接続さ
れ、エミッタを前記第１のＮＰＮトランジスタと共通に
前記電流源回路に接続された第２のＮＰＮトランジスタ
とを含む発光素子駆動回路であって、更に、前記発光素
子のカソードにコレクタが接続され前記発光素子のアノ
ードにエミッタが接続されて、前記発光素子に並列に接
続されたＰＮＰトランジスタと、前記第２のＮＰＮトラ
ンジスタのコレクタと前記高電圧側との間に接続されて
いる第１の抵抗と、前記第２のＮＰＮトランジスタのコ
レクタに一端が接続され、前記ＰＮＰトランジスタのベ
ースに他端が接続されたコンデンサと、前記コンデンサ
の他端に一端を接続され、他端が前記高電圧側に接続さ
れた第２の抵抗とを含む、前記ＰＮＰトランジスタのベ
ースにバイアス電圧を印加するための微分回路とを具備
することを特徴とする発光素子駆動回路が提供される。
【００１１】また、上記の本発明に係る発光素子駆動回
路において、上記第１及び第２のＮＰＮトランジスタを
ＰＮＰトランジスタとし、上記ＰＮＰトランジスタをＮ
ＰＮトランジスタとし、前記ＮＰＮトランジスタのコレ
クタを上記発光素子のアノードに接続して発光素子駆動
回路を構成することができる。更に、上記２種の発光素
子駆動回路において、ＮＰＮトランジスタをＮチャネル
ＦＥＴとし、ＰＮＰトランジスタをＰチャネルトランジ
スタとして発光素子駆動回路を構成することもできる。
路において、上記第１及び第２のＮＰＮトランジスタを
ＰＮＰトランジスタとし、上記ＰＮＰトランジスタをＮ
ＰＮトランジスタとし、前記ＮＰＮトランジスタのコレ
クタを上記発光素子のアノードに接続して発光素子駆動
回路を構成することができる。更に、上記２種の発光素
子駆動回路において、ＮＰＮトランジスタをＮチャネル
ＦＥＴとし、ＰＮＰトランジスタをＰチャネルトランジ
スタとして発光素子駆動回路を構成することもできる。
【００１２】
【作用】本発明に係る発光素子駆動回路は、消光時に発
光素子の放電を促進するための電流路を構成するトラン
ジスタを、発光素子の接続されていない側の電流路から
駆動するように構成していることをその主要な特徴とし
ている。即ち、発光素子駆動回路は、発光素子を負荷と
する第１のトランジスタと、直接接地に接続された第２
のトランジスタとにより構成される１対の電流路に対し
て選択的に電流を流すことによって発光素子を駆動して
いる。また、発光素子の消光を促進するために、第３の
トランジスタが、発光素子の放電路を形成しており、こ
のトランジスタは、入力信号の微分信号により駆動され
ている。ここで、従来の発光素子駆動回路においては、
第３のトランジスタを、信号入力に接続した微分回路に
より駆動していたので、この発光素子駆動回路に入力信
号を供給する回路の出力インピーダンスを低くしなけれ
ばならなかった。
光素子の放電を促進するための電流路を構成するトラン
ジスタを、発光素子の接続されていない側の電流路から
駆動するように構成していることをその主要な特徴とし
ている。即ち、発光素子駆動回路は、発光素子を負荷と
する第１のトランジスタと、直接接地に接続された第２
のトランジスタとにより構成される１対の電流路に対し
て選択的に電流を流すことによって発光素子を駆動して
いる。また、発光素子の消光を促進するために、第３の
トランジスタが、発光素子の放電路を形成しており、こ
のトランジスタは、入力信号の微分信号により駆動され
ている。ここで、従来の発光素子駆動回路においては、
第３のトランジスタを、信号入力に接続した微分回路に
より駆動していたので、この発光素子駆動回路に入力信
号を供給する回路の出力インピーダンスを低くしなけれ
ばならなかった。
【００１３】これに対して、本発明に係る発光素子駆動
回路においては、微分回路のコンデンサが、第２のトラ
ンジスタのコレクタとＰＮＰトランジスタのベースとの
間に接続されている。発光素子を発光させる状態から発
光素子を消光させる状態に第１及び第２のトランジスタ
の状態を反転させるとき、微分回路のコンデンサに蓄積
されている電荷を積極的に利用して、ＰＮＰトランジス
タの瞬間的に導通させる。その結果、発光素子に蓄積さ
れた電荷が急速に放出されて、発光素子の光出力が急峻
に立ち下がる。一方、上記したＰＮＰトランジスタの瞬
間的な導通のために、発光素子駆動回路に入力信号を供
給する回路の出力インピーダンスを低くする必要はなく
なるので、全体として消費電流を低減することが可能に
なる。また、上述のような独自の構成により、発光素子
を直接駆動する第１のトランジスタに対する入力と、微
分回路に対する入力とが遮断されているので、バックゲ
ーティングにより出力光信号が歪むことが無い。尚、本
発明に係る発光素子駆動回路において、その電流源回路
の構成に特に制限はなく、抵抗素子によって構成するこ
とも、ダイオードやトランジスタ等の素子によって構成
することも、何れも可能である。
回路においては、微分回路のコンデンサが、第２のトラ
ンジスタのコレクタとＰＮＰトランジスタのベースとの
間に接続されている。発光素子を発光させる状態から発
光素子を消光させる状態に第１及び第２のトランジスタ
の状態を反転させるとき、微分回路のコンデンサに蓄積
されている電荷を積極的に利用して、ＰＮＰトランジス
タの瞬間的に導通させる。その結果、発光素子に蓄積さ
れた電荷が急速に放出されて、発光素子の光出力が急峻
に立ち下がる。一方、上記したＰＮＰトランジスタの瞬
間的な導通のために、発光素子駆動回路に入力信号を供
給する回路の出力インピーダンスを低くする必要はなく
なるので、全体として消費電流を低減することが可能に
なる。また、上述のような独自の構成により、発光素子
を直接駆動する第１のトランジスタに対する入力と、微
分回路に対する入力とが遮断されているので、バックゲ
ーティングにより出力光信号が歪むことが無い。尚、本
発明に係る発光素子駆動回路において、その電流源回路
の構成に特に制限はなく、抵抗素子によって構成するこ
とも、ダイオードやトランジスタ等の素子によって構成
することも、何れも可能である。
【００１４】以下、図面を参照して本発明をより具体的
に説明するが、以下開示は本発明の一実施例に過ぎず、
本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
に説明するが、以下開示は本発明の一実施例に過ぎず、
本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明に従った発光素子駆動回路の
１実施例を示す回路図である。なお、図１において、図
２に示す素子と同一又は対応する素子には、同一の参照
符号を付し、特に波形整形回路12は、全く同一であるの
で、説明を省略する。同図に示すように、この発光素子
駆動回路10は、定電流源Ｉ1 と、発光ダイオードＬＥＤ
と、この発光ダイオードＬＥＤに供給する駆動電流を制
御するための１対のＮＰＮトランジスタＱ1 及びＱ
2 と、発光ダイオードＬＥＤの放電路を構成するＰＮＰ
トランジスタＱ3 と、発光ダイオードＬＥＤが接続され
たいない方のＮＰＮトランジスタＱ1 のコレクタと高電
圧側との間に接続された抵抗Ｒと、抵抗ｒ及びコンデン
サＣとから構成された微分回路とから構成されている。
１実施例を示す回路図である。なお、図１において、図
２に示す素子と同一又は対応する素子には、同一の参照
符号を付し、特に波形整形回路12は、全く同一であるの
で、説明を省略する。同図に示すように、この発光素子
駆動回路10は、定電流源Ｉ1 と、発光ダイオードＬＥＤ
と、この発光ダイオードＬＥＤに供給する駆動電流を制
御するための１対のＮＰＮトランジスタＱ1 及びＱ
2 と、発光ダイオードＬＥＤの放電路を構成するＰＮＰ
トランジスタＱ3 と、発光ダイオードＬＥＤが接続され
たいない方のＮＰＮトランジスタＱ1 のコレクタと高電
圧側との間に接続された抵抗Ｒと、抵抗ｒ及びコンデン
サＣとから構成された微分回路とから構成されている。
【００１６】発光ダイオードＬＥＤのアノードは、高電
圧側となる接地に接続されている。トランジスタＱ
1 は、コレクタが発光ダイオードＬＥＤのカソードに接
続され、エミッタが定電流源Ｉ1 に接続され、ベースに
入力信号ＳＤが印加されている。一方、トランジスタＱ
2 は、抵抗Ｒを介してコレクタが接地に接続され、エミ
ッタが定電流源Ｉ1 に接続され、ベースに入力信号ＳＤ
の反転信号ＳＤ* が印加されている。一方、微分回路の
コンデンサＣの一端は、トランジスタＱ2 のコレクタに
接続されている。コンデンサＣの他端は、抵抗ｒの一端
に接続され、更に、微分回路の出力として、トランジス
タＱ3 のベースに接続されている。そして、抵抗ｒの他
端は接地されている。更に、抵抗ｒの一端は、定電流源
Ｉ2 、すなわちトランジスタＱ5 のコレクタに接続さ
れ、抵抗ｒの一端から、トランジスタＱ3 のベースに対
して弱い順方向のバイアスをかけるようにされている。
トランジスタＱ3 のエミッタは接地され、コレクタは、
発光ダイオードＬＥＤのカソードに接続されている。こ
こで、定電流源Ｉ2 が供給する電流をＩ2 とし、抵抗ｒ
の抵抗値をｒとし、更に、トランジスタＱ3 のベース−
エミッタ間電圧をＶbeとすると、ｒ・Ｉ2 ＜Ｖbeの関係
を満足するように設定する。例えば、Ｖbe≒ 0.7Ｖなら
ば、ｒ・Ｉ2 ≒ 0.6Ｖとする。更に、トランジスタＱ2
のコレクタに接続された抵抗Ｒの抵抗値は、トランジス
タＱ2 が導通状態にありトランジスタＱ1 が非導通状態
にあるとき、トランジスタＱ2 のコレクタのコレクタ電
位（図１のノードａ）がトランジスタＱ3 のベース電位
（図１のノードｂ）より低くなるように設定する。例え
ば、発光ダイオードＬＥＤの順方向電圧降下が約１Ｖで
あるならば、抵抗Ｒの電圧降下も約１Ｖとなるように設
定する。
圧側となる接地に接続されている。トランジスタＱ
1 は、コレクタが発光ダイオードＬＥＤのカソードに接
続され、エミッタが定電流源Ｉ1 に接続され、ベースに
入力信号ＳＤが印加されている。一方、トランジスタＱ
2 は、抵抗Ｒを介してコレクタが接地に接続され、エミ
ッタが定電流源Ｉ1 に接続され、ベースに入力信号ＳＤ
の反転信号ＳＤ* が印加されている。一方、微分回路の
コンデンサＣの一端は、トランジスタＱ2 のコレクタに
接続されている。コンデンサＣの他端は、抵抗ｒの一端
に接続され、更に、微分回路の出力として、トランジス
タＱ3 のベースに接続されている。そして、抵抗ｒの他
端は接地されている。更に、抵抗ｒの一端は、定電流源
Ｉ2 、すなわちトランジスタＱ5 のコレクタに接続さ
れ、抵抗ｒの一端から、トランジスタＱ3 のベースに対
して弱い順方向のバイアスをかけるようにされている。
トランジスタＱ3 のエミッタは接地され、コレクタは、
発光ダイオードＬＥＤのカソードに接続されている。こ
こで、定電流源Ｉ2 が供給する電流をＩ2 とし、抵抗ｒ
の抵抗値をｒとし、更に、トランジスタＱ3 のベース−
エミッタ間電圧をＶbeとすると、ｒ・Ｉ2 ＜Ｖbeの関係
を満足するように設定する。例えば、Ｖbe≒ 0.7Ｖなら
ば、ｒ・Ｉ2 ≒ 0.6Ｖとする。更に、トランジスタＱ2
のコレクタに接続された抵抗Ｒの抵抗値は、トランジス
タＱ2 が導通状態にありトランジスタＱ1 が非導通状態
にあるとき、トランジスタＱ2 のコレクタのコレクタ電
位（図１のノードａ）がトランジスタＱ3 のベース電位
（図１のノードｂ）より低くなるように設定する。例え
ば、発光ダイオードＬＥＤの順方向電圧降下が約１Ｖで
あるならば、抵抗Ｒの電圧降下も約１Ｖとなるように設
定する。
【００１７】以上のように構成された発光素子駆動回路
において、入力信号ＳＤが立ち上がると、トランジスタ
Ｑ1 が導通し、一方、反転信号ＳＤ* は立ち下がるの
で、トランジスタＱ2 は非導通となる。トランジスタＱ
1 が非導通状態でトランジスタＱ2 が導通状態にあった
とき、図１のノードｂの電位が図１のノードａの電位よ
り高い状態で、コンデンサＣが充電されている。（この
充電方向を、ここで便宜的に第１の方向と称する。）従
って、反転信号ＳＤ* の立ち下がりによりトランジスタ
Ｑ2 が非導通となったとき、コンデンサＣに充電された
電荷は、図１のノードｂから抵抗ｒ及びＲを通って図１
のノードａへ電流が流れることにより、放電される。そ
の結果、図１のノードｂの電位は、一瞬高くなり、トラ
ンジスタＱ3 を非導通状態に維持する。一方、コンデン
サＣのこの放電電流は、発光ダイオードＬＥＤに供給さ
れる電流には一切影響しない。従って、定電流源Ｉ1 に
より供給される電流が発光ダイオードＬＥＤに流れるの
で、光信号出力が急峻に立ち上がる。コンデンサＣが放
電された後、トランジスタＱ2 が非導通状態にあるの
で、今度は、図１のノードａの電位が接地電位に上昇す
るまで、コンデンサＣが第１の方向と反対の方向に充電
される。（この充電方向を、便宜的に第２の方向と称す
る。）その結果、図１のノードａの電位が、ノードｂの
電位より高くなる。この時のノードａの電位とノードｂ
の電位との電位差を、Ｖabとする。
において、入力信号ＳＤが立ち上がると、トランジスタ
Ｑ1 が導通し、一方、反転信号ＳＤ* は立ち下がるの
で、トランジスタＱ2 は非導通となる。トランジスタＱ
1 が非導通状態でトランジスタＱ2 が導通状態にあった
とき、図１のノードｂの電位が図１のノードａの電位よ
り高い状態で、コンデンサＣが充電されている。（この
充電方向を、ここで便宜的に第１の方向と称する。）従
って、反転信号ＳＤ* の立ち下がりによりトランジスタ
Ｑ2 が非導通となったとき、コンデンサＣに充電された
電荷は、図１のノードｂから抵抗ｒ及びＲを通って図１
のノードａへ電流が流れることにより、放電される。そ
の結果、図１のノードｂの電位は、一瞬高くなり、トラ
ンジスタＱ3 を非導通状態に維持する。一方、コンデン
サＣのこの放電電流は、発光ダイオードＬＥＤに供給さ
れる電流には一切影響しない。従って、定電流源Ｉ1 に
より供給される電流が発光ダイオードＬＥＤに流れるの
で、光信号出力が急峻に立ち上がる。コンデンサＣが放
電された後、トランジスタＱ2 が非導通状態にあるの
で、今度は、図１のノードａの電位が接地電位に上昇す
るまで、コンデンサＣが第１の方向と反対の方向に充電
される。（この充電方向を、便宜的に第２の方向と称す
る。）その結果、図１のノードａの電位が、ノードｂの
電位より高くなる。この時のノードａの電位とノードｂ
の電位との電位差を、Ｖabとする。
【００１８】この状態で、入力信号ＳＤが立ち下がる
と、トランジスタＱ1は非導通状態となり、発光ダイオ
ードＬＥＤに対する電流の供給は遮断される。一方、入
力信号ＳＤの反転信号ＳＤ* は立ち上がるので、定電流
源Ｉ1 から供給される電流は、導通したトランジスタＱ
2 を流れる。このとき、定電流源Ｉ1 によりトランジス
タＱ2 を介して流れる電流により、抵抗Ｒの両端間に電
圧降下が生じ、図１のノードａの電位が、抵抗Ｒの電圧
降下に相当する電位に下がる。その結果、図１のノード
ｂの電位は、コンデンサＣの両端間の電位だけ、すなわ
ち、上述した電位差Ｖabだけ、図１のノードａの電位よ
り更に低くなる。すなわち、トランジスタＱ3 のベース
が順方向に強くバイアスされる。その結果、トランジス
タＱ3 が導通して、発光ダイオードＬＥＤに蓄積された
電荷が、そのトランジスタＱ3 を介して放電され、発光
ダイオードＬＥＤの光出力の消光時の裾引きが解消され
る。なお、コンデンサＣに蓄積された電荷は、図１のノ
ードａから抵抗Ｒ及びｒを介して図１のノードｂに至る
放電路に電流が流れることにより、放電される。コンデ
ンサＣに蓄積された電荷が放電されると、図１のノード
ｂの電位が図１のノードａの電位より高くなり、コンデ
ンサＣが第１の方向に再び充電される。
と、トランジスタＱ1は非導通状態となり、発光ダイオ
ードＬＥＤに対する電流の供給は遮断される。一方、入
力信号ＳＤの反転信号ＳＤ* は立ち上がるので、定電流
源Ｉ1 から供給される電流は、導通したトランジスタＱ
2 を流れる。このとき、定電流源Ｉ1 によりトランジス
タＱ2 を介して流れる電流により、抵抗Ｒの両端間に電
圧降下が生じ、図１のノードａの電位が、抵抗Ｒの電圧
降下に相当する電位に下がる。その結果、図１のノード
ｂの電位は、コンデンサＣの両端間の電位だけ、すなわ
ち、上述した電位差Ｖabだけ、図１のノードａの電位よ
り更に低くなる。すなわち、トランジスタＱ3 のベース
が順方向に強くバイアスされる。その結果、トランジス
タＱ3 が導通して、発光ダイオードＬＥＤに蓄積された
電荷が、そのトランジスタＱ3 を介して放電され、発光
ダイオードＬＥＤの光出力の消光時の裾引きが解消され
る。なお、コンデンサＣに蓄積された電荷は、図１のノ
ードａから抵抗Ｒ及びｒを介して図１のノードｂに至る
放電路に電流が流れることにより、放電される。コンデ
ンサＣに蓄積された電荷が放電されると、図１のノード
ｂの電位が図１のノードａの電位より高くなり、コンデ
ンサＣが第１の方向に再び充電される。
【００１９】以上のように、本実施例の発光素子駆動回
路においては、抵抗ｒとコンデンサＣとにより構成され
た微分回路を介して、トランジスタＱ2 のコレクタ出力
がトランジスタＱ3 のベースに印加されている。従っ
て、反転入力信号ＳＤ* が立ち上がりトランジスタＱ2
が導通するとき、コンデンサＣ2 の放電により、トラン
ジスタＱ3 に対して大きな順方向のバイアスが作用し
て、トランジスタＱ3が導通状態となり、トランジスタ
Ｑ3 を介しての発光ダイオードＬＥＤの放電が促進され
る。
路においては、抵抗ｒとコンデンサＣとにより構成され
た微分回路を介して、トランジスタＱ2 のコレクタ出力
がトランジスタＱ3 のベースに印加されている。従っ
て、反転入力信号ＳＤ* が立ち上がりトランジスタＱ2
が導通するとき、コンデンサＣ2 の放電により、トラン
ジスタＱ3 に対して大きな順方向のバイアスが作用し
て、トランジスタＱ3が導通状態となり、トランジスタ
Ｑ3 を介しての発光ダイオードＬＥＤの放電が促進され
る。
【００２０】以上のような動作をする本実施例に係る発
光素子駆動回路において、微分回路の入力であるノード
ａは、抵抗Ｒを介して高電圧側に接続されているので充
分に低インピーダンスである。例えば、ＰＮＰトランジ
スタＱ3 をオンオフするパルスのピーク値を１ＶP-P と
し、発光ダイオードＬＥＤの駆動電流を80ｍＡとする
と、抵抗Ｒは、12.5Ωとなる。これは、十分に低いイン
ピーダンスと言える。また、微分回路の入力であるノー
ドａは、発光ダイオードＬＥＤを流れる駆動電流の電流
路であるノードｃと分離しているので、所謂バックゲー
ティングにより発光ダイオードＬＥＤの出力光信号の信
号波形が歪むことがない。また、微分回路の入力である
ノードａは、発光ダイオードＬＥＤに流れる駆動電流を
直接に制御する信号ＳＤの入力端子と分離しているの
で、波形整形回路の電流容量を大きくして、発光素子駆
動回路に入力信号を供給する回路の出力インピーダンス
を低くする必要もない。また、最もインピーダンスの低
いノードａとｃとが差動的に動作するので、回路の輻射
するノイズも低減される。
光素子駆動回路において、微分回路の入力であるノード
ａは、抵抗Ｒを介して高電圧側に接続されているので充
分に低インピーダンスである。例えば、ＰＮＰトランジ
スタＱ3 をオンオフするパルスのピーク値を１ＶP-P と
し、発光ダイオードＬＥＤの駆動電流を80ｍＡとする
と、抵抗Ｒは、12.5Ωとなる。これは、十分に低いイン
ピーダンスと言える。また、微分回路の入力であるノー
ドａは、発光ダイオードＬＥＤを流れる駆動電流の電流
路であるノードｃと分離しているので、所謂バックゲー
ティングにより発光ダイオードＬＥＤの出力光信号の信
号波形が歪むことがない。また、微分回路の入力である
ノードａは、発光ダイオードＬＥＤに流れる駆動電流を
直接に制御する信号ＳＤの入力端子と分離しているの
で、波形整形回路の電流容量を大きくして、発光素子駆
動回路に入力信号を供給する回路の出力インピーダンス
を低くする必要もない。また、最もインピーダンスの低
いノードａとｃとが差動的に動作するので、回路の輻射
するノイズも低減される。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る発光
素子駆動回路は、その独自の構成により、発光素子の消
光時に発生する信号波形の裾引きを著しく低減してコン
プリメンタリ駆動方式の特徴を保持しつつ、消費電流と
出力光信号の歪みとを低減している。
素子駆動回路は、その独自の構成により、発光素子の消
光時に発生する信号波形の裾引きを著しく低減してコン
プリメンタリ駆動方式の特徴を保持しつつ、消費電流と
出力光信号の歪みとを低減している。
【図１】本発明に係る発光素子駆動回路の具体的な構成
例を示す回路図。
例を示す回路図。
【図２】従来の発光素子駆動回路の典型的な構成を示す
図。
図。
【図３】発光素子駆動回路の各部の電圧を示す波形図。
10・・・発光素子駆動回路
12・・・波形整形回路
14・・・差動増幅器
Ｃ、Ｃ1 ・・・コンデンサ
Ｉ1 、Ｉ2 、Ｉ3 、Ｉ4 ・・・定電流源
ＬＥＤ・・・発光ダイオード
Ｑ1 、Ｑ2 、Ｑ4 、Ｑ5 、Ｑ6 、Ｑ7 、Ｑ8 、Ｑ9 ・・
ＮＰＮトランジスタ Ｑ3 ・・・ＰＮＰトランジスタ Ｒ、ｒ、Ｒ1 ・・・抵抗 ＳＤ・・・非反転入力信号 ＳＤ* ・・・反転入力信号
ＮＰＮトランジスタ Ｑ3 ・・・ＰＮＰトランジスタ Ｒ、ｒ、Ｒ1 ・・・抵抗 ＳＤ・・・非反転入力信号 ＳＤ* ・・・反転入力信号
Claims (5)
- 【請求項１】電流源回路と、高電圧側にアノードを接続
された発光素子と、ベースに入力信号が印加され、コレ
クタが発光素子のカソードに接続され、エミッタが前記
電流源回路に接続された第１のＮＰＮトランジスタと、
ベースに入力信号の反転信号を印加され、コレクタが高
電圧側に接続され、エミッタを前記第１のＮＰＮトラン
ジスタと共通に前記電流源回路に接続された第２のＮＰ
Ｎトランジスタとを含む発光素子駆動回路であって、更
に、前記発光素子のカソードにコレクタが接続され前記
発光素子のアノードにエミッタが接続されて、前記発光
素子に並列に接続されたＰＮＰトランジスタと、前記第
２のＮＰＮトランジスタのコレクタと前記高電圧側との
間に接続されている第１の抵抗と、前記第２のＮＰＮト
ランジスタのコレクタに一端が接続され、前記ＰＮＰト
ランジスタのベースに他端が接続されたコンデンサと、
前記コンデンサの他端に一端を接続され、他端が前記高
電圧側に接続された第２の抵抗とを含む、前記ＰＮＰト
ランジスタのベースにバイアス電圧を印加するための微
分回路とを具備することを特徴とする発光素子駆動回
路。 - 【請求項２】請求項１に記載された発光素子駆動回路に
おいて、前記第１のＮＰＮトランジスタが導通状態で前
記ＰＮＰトランジスタが非導通状態のとき、前記第２の
抵抗の電圧降下の大きさが、前記ＰＮＰトランジスタの
ベース−エミッタ間電圧より小さく、前記第２のＮＰＮ
トランジスタが導通状態のとき、前記第１の抵抗の電圧
降下により決定される前記第２のＮＰＮトランジスタの
コレクタの電位が、前記ＰＮＰトランジスタのベースの
電位より低いことを特徴とする発光素子駆動回路。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載された発光素子駆動
回路において、前記第１及び第２のＮＰＮトランジスタ
が第１及び第２のＮチャネルＦＥＴであり、前記ＰＮＰ
トランジスタがＰチャネルＦＥＴであることを特徴とす
る発光素子駆動回路。 - 【請求項４】請求項１又は２に記載された発光素子駆動
回路において、前記第１及び第２のＮＰＮトランジスタ
が第１及び第２のＰＮＰトランジスタであり、前記ＰＮ
ＰトランジスタがＮＰＮトランジスタであり、該ＮＰＮ
トランジスタのエミッタが前記発光素子のカソードに接
続されていることを特徴とする発光素子駆動回路。 - 【請求項５】請求項４に記載された発光素子駆動回路に
おいて、前記第１及び第２のＰＮＰトランジスタが第１
及び第２のＰチャネルＦＥＴであり、前記ＮＰＮトラン
ジスタがＮチャネルＦＥＴであることを特徴とする発光
素子駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3197108A JPH057144A (ja) | 1990-08-02 | 1991-07-11 | 発光素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-205772 | 1990-08-02 | ||
| JP20577290 | 1990-08-02 | ||
| JP3197108A JPH057144A (ja) | 1990-08-02 | 1991-07-11 | 発光素子駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH057144A true JPH057144A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=26510171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3197108A Withdrawn JPH057144A (ja) | 1990-08-02 | 1991-07-11 | 発光素子駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH057144A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100503904B1 (ko) * | 2000-09-26 | 2005-07-27 | 가부시끼가이샤 도시바 | 발광다이오드 구동회로 및 이를 이용한 광송신모듈 |
| CN1326337C (zh) * | 2003-10-24 | 2007-07-11 | 夏普株式会社 | 红外线发送电路和电子装置 |
| CN111934764A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-11-13 | 中山大学 | 一种可见光通信系统的驱动器 |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP3197108A patent/JPH057144A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100503904B1 (ko) * | 2000-09-26 | 2005-07-27 | 가부시끼가이샤 도시바 | 발광다이오드 구동회로 및 이를 이용한 광송신모듈 |
| CN1326337C (zh) * | 2003-10-24 | 2007-07-11 | 夏普株式会社 | 红外线发送电路和电子装置 |
| CN111934764A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-11-13 | 中山大学 | 一种可见光通信系统的驱动器 |
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