JP2970601B2 - 光変調器ドライバ回路 - Google Patents
光変調器ドライバ回路Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ通信シ
ステムに用いられる電界吸収型光変調器のドライバ回路
に関する。
ステムに用いられる電界吸収型光変調器のドライバ回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ファイバ通信システムでは伝送
情報の高速かつ高密度化、中継距離の長距離化が必要と
されている。高速伝送を可能にするためには、送信波形
の劣化を抑えることが必要であり、今日ではレーザダイ
オードの直接変調方式に変わり外部変調方式が採用され
ている。このシステムで使用される光変調器として電界
吸収型光変調器（以下ＥＡ変調器と略す）がある。この
変調器は、印加電圧に応じてキャリア光を吸収すること
により強度変調された光信号を生成するもので、他の外
部変調器と比べて低電圧駆動が可能で小型化に適してい
る。また、半導体積層技術により製造されるため、発光
源となるレーザダイオードとの一体構成が可能であり、
このことから光送信器の小型化、高性能化に極めて有利
であるといえる。
情報の高速かつ高密度化、中継距離の長距離化が必要と
されている。高速伝送を可能にするためには、送信波形
の劣化を抑えることが必要であり、今日ではレーザダイ
オードの直接変調方式に変わり外部変調方式が採用され
ている。このシステムで使用される光変調器として電界
吸収型光変調器（以下ＥＡ変調器と略す）がある。この
変調器は、印加電圧に応じてキャリア光を吸収すること
により強度変調された光信号を生成するもので、他の外
部変調器と比べて低電圧駆動が可能で小型化に適してい
る。また、半導体積層技術により製造されるため、発光
源となるレーザダイオードとの一体構成が可能であり、
このことから光送信器の小型化、高性能化に極めて有利
であるといえる。
【０００３】図１０に、ＥＡ変調器を用いた光送信器の
構成例を示す。レーザダイオード等の光源３７から生成
されたキャリア光はＥＡ変調器３８に入力され、印加電
圧に応じてキャリア光を吸収することにより、強度変調
された光信号４２を出力する。この変調器をドライブす
るＥＡ変調器ドライバ回路３９は、入力端子４０からの
入力信号を受けて、入力信号に対応する変調信号を変調
部入力端子４１に供給している。
構成例を示す。レーザダイオード等の光源３７から生成
されたキャリア光はＥＡ変調器３８に入力され、印加電
圧に応じてキャリア光を吸収することにより、強度変調
された光信号４２を出力する。この変調器をドライブす
るＥＡ変調器ドライバ回路３９は、入力端子４０からの
入力信号を受けて、入力信号に対応する変調信号を変調
部入力端子４１に供給している。
【０００４】図１１は上記ＥＡ変調器３８の入出力特性
と入出力波形の一例を示した図で、一般に光出力パワー
ＰOUT の変化は、印加電圧ＶEAの変化に対して、１２の
曲線で示されるように非線形性を有する。ここで、１ビ
ットのハイレベルとロウレベルの時間比をデューティー
とすると、ＥＡ変調器３８の入力端子４１に供給される
変調信号４３のデューティーは５０％であっても、ＥＡ
変調器３８から出力される光信号４４のデューティー
は、消光特性が図１１の曲線１２の様に非線形となるた
めにハイレベルのパルス幅が小さくなり、５０％よりも
小さくなる。このため、出力アイパターンの立ち上がり
と立ち下がりのクロスポイントがロウ側に近づいてしま
い、受光側の受信感度を劣化させる。これを解決して、
特性曲線４５で示されるようなデューティー５０％の光
出力を得るためには、特性曲線４６で示されるように、
ドライバ出力信号のデューティーを予め５０％よりも大
きくしておくことが必要となる。
と入出力波形の一例を示した図で、一般に光出力パワー
ＰOUT の変化は、印加電圧ＶEAの変化に対して、１２の
曲線で示されるように非線形性を有する。ここで、１ビ
ットのハイレベルとロウレベルの時間比をデューティー
とすると、ＥＡ変調器３８の入力端子４１に供給される
変調信号４３のデューティーは５０％であっても、ＥＡ
変調器３８から出力される光信号４４のデューティー
は、消光特性が図１１の曲線１２の様に非線形となるた
めにハイレベルのパルス幅が小さくなり、５０％よりも
小さくなる。このため、出力アイパターンの立ち上がり
と立ち下がりのクロスポイントがロウ側に近づいてしま
い、受光側の受信感度を劣化させる。これを解決して、
特性曲線４５で示されるようなデューティー５０％の光
出力を得るためには、特性曲線４６で示されるように、
ドライバ出力信号のデューティーを予め５０％よりも大
きくしておくことが必要となる。
【０００５】図１２には、光信号のデューティーを５０
％とするために、予め変調信号のデューティーを任意の
値に設定することができる機能を有する従来のドライバ
回路を示す。この回路では差動回路で構成される変調信
号生成回路４７に対して、差動対の一方のＦＥＴ４８に
デジタル入力信号５０が入力され、もう一方のＦＥＴ４
９に参照電位５１が入力される。このとき、参照電位５
１を外部から調整可能にすることにより回路の論理しき
い値が変化して、デューティーが所望の値に変換された
信号がポート５２に出力され、図１１の波形４５の様に
デューティー５０％でクロスポイントをハイレベルとロ
ウレベルの中点に設定した出力光を得ることが出来る。
％とするために、予め変調信号のデューティーを任意の
値に設定することができる機能を有する従来のドライバ
回路を示す。この回路では差動回路で構成される変調信
号生成回路４７に対して、差動対の一方のＦＥＴ４８に
デジタル入力信号５０が入力され、もう一方のＦＥＴ４
９に参照電位５１が入力される。このとき、参照電位５
１を外部から調整可能にすることにより回路の論理しき
い値が変化して、デューティーが所望の値に変換された
信号がポート５２に出力され、図１１の波形４５の様に
デューティー５０％でクロスポイントをハイレベルとロ
ウレベルの中点に設定した出力光を得ることが出来る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来例では単相入力の差動回路となるため、ゲインが小さ
い。変調器ドライバ全体で所望のゲインを得るためには
多段構成が必要となるため、消費電力が増大してしまう
という課題がある。
来例では単相入力の差動回路となるため、ゲインが小さ
い。変調器ドライバ全体で所望のゲインを得るためには
多段構成が必要となるため、消費電力が増大してしまう
という課題がある。
【０００７】本発明の目的は、ゲインを大きくとれ、消
費電力の増大を抑えたデューティー可変機能を有する変
調器ドライバ回路を得ることにある。
費電力の増大を抑えたデューティー可変機能を有する変
調器ドライバ回路を得ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の変調器ドライバ回路は、光源からのキャリ
ア光を受けて、印加電圧に応じてキャリア光を吸収する
ことにより、強度変調された光信号を出力する電界吸収
型光変調器のドライバ回路において、互いに論理が正補
の関係にあるデジタル入力信号が供給される第１および
第２の入力ポートを有する差動回路から構成されてお
り、差動回路の差動対を構成する２つの電界効果トラン
ジスタのソース端子に２つの抵抗を挿入し、その抵抗の
少なくとも一方の抵抗値を可変可能とすることにより、
ドライバ回路の出力電気信号のクロスポイントをずらし
た状態で光変調器を駆動することを特徴としている。
め、本発明の変調器ドライバ回路は、光源からのキャリ
ア光を受けて、印加電圧に応じてキャリア光を吸収する
ことにより、強度変調された光信号を出力する電界吸収
型光変調器のドライバ回路において、互いに論理が正補
の関係にあるデジタル入力信号が供給される第１および
第２の入力ポートを有する差動回路から構成されてお
り、差動回路の差動対を構成する２つの電界効果トラン
ジスタのソース端子に２つの抵抗を挿入し、その抵抗の
少なくとも一方の抵抗値を可変可能とすることにより、
ドライバ回路の出力電気信号のクロスポイントをずらし
た状態で光変調器を駆動することを特徴としている。
【０００９】また、本発明の変調器ドライバ回路は、変
調器ドライバ回路のソース端子に挿入された抵抗がデプ
リッション型電界効果トランジスタであり、両トランジ
スタのゲート部分のコントロール電圧を、外部から個々
に設定することを特徴としている。
調器ドライバ回路のソース端子に挿入された抵抗がデプ
リッション型電界効果トランジスタであり、両トランジ
スタのゲート部分のコントロール電圧を、外部から個々
に設定することを特徴としている。
【００１０】さらに、本発明の変調器ドライバ回路は、
光源からのキャリア光を受けて印加電圧に応じてキャリ
ア光を吸収することにより、強度変調された光信号を出
力する電界吸収型光変調器のドライバ回路であり、互い
に論理が正補の関係にあるデジタル入力信号が供給され
る第１および第２の入力ポートを有する差動回路から構
成されており、差動回路の差動対を構成する２つのバイ
ポーラトランジスタのエミッタ端子に２つの抵抗を挿入
し、その抵抗の少なくとも一方の抵抗値を可変可能とす
ることにより、ドライバ回路の出力電気信号のクロスポ
イントをずらした状態で光変調器を駆動することを特徴
としている。
光源からのキャリア光を受けて印加電圧に応じてキャリ
ア光を吸収することにより、強度変調された光信号を出
力する電界吸収型光変調器のドライバ回路であり、互い
に論理が正補の関係にあるデジタル入力信号が供給され
る第１および第２の入力ポートを有する差動回路から構
成されており、差動回路の差動対を構成する２つのバイ
ポーラトランジスタのエミッタ端子に２つの抵抗を挿入
し、その抵抗の少なくとも一方の抵抗値を可変可能とす
ることにより、ドライバ回路の出力電気信号のクロスポ
イントをずらした状態で光変調器を駆動することを特徴
としている。
【００１１】そして、変調器ドライバ回路の抵抗値又は
コントロール電圧の設定に際して、上記光変調器からの
光信号のデューティーが、上記デジタル入力信号のデュ
ーティに一致するように設定することを特徴としてい
る。
コントロール電圧の設定に際して、上記光変調器からの
光信号のデューティーが、上記デジタル入力信号のデュ
ーティに一致するように設定することを特徴としてい
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図を用いて
説明する。
説明する。
【００１３】図１は本発明の変調器ドライバ回路の第１
実施例の構成を示す回路図である。図２は第１実施例の
内部動作波形を示す図、図３は第１実施例の出力動作波
形を示す図である。
実施例の構成を示す回路図である。図２は第１実施例の
内部動作波形を示す図、図３は第１実施例の出力動作波
形を示す図である。
【００１４】図１に示すように、変調器ドライバ回路の
１段目の差動対を構成するＦＥＴ１、２には互いに反転
信号となるデジタル信号が入力される。ＦＥＴ１のソー
ス側３には、可変抵抗４が挿入され、ＦＥＴ２のソース
側５には抵抗６が挿入されている。１段目の差動対の出
力ポート７、８は２段目の差動対に入力され、出力ポー
ト９からＥＡ変調器１０への変調信号が出力される。こ
のとき、可変抵抗４と抵抗６の値が等しい場合は、図２
（Ａ）の波形のように出力ポート７の波形（ａ）と出力
ポート８の波形（ｂ）とで出力電圧レベルが等しく、こ
の波形を次段の差動対に入力すると、ポート９のドライ
バ出力は図３（Ａ）の波形（ｃ）の様にデューティーが
５０％になり、アイパターンのクロスポイントが中心に
なる。
１段目の差動対を構成するＦＥＴ１、２には互いに反転
信号となるデジタル信号が入力される。ＦＥＴ１のソー
ス側３には、可変抵抗４が挿入され、ＦＥＴ２のソース
側５には抵抗６が挿入されている。１段目の差動対の出
力ポート７、８は２段目の差動対に入力され、出力ポー
ト９からＥＡ変調器１０への変調信号が出力される。こ
のとき、可変抵抗４と抵抗６の値が等しい場合は、図２
（Ａ）の波形のように出力ポート７の波形（ａ）と出力
ポート８の波形（ｂ）とで出力電圧レベルが等しく、こ
の波形を次段の差動対に入力すると、ポート９のドライ
バ出力は図３（Ａ）の波形（ｃ）の様にデューティーが
５０％になり、アイパターンのクロスポイントが中心に
なる。
【００１５】一方、可変抵抗４の抵抗値を変化させ、抵
抗６の値より小さく設定すると、図２（Ｂ）の波形の様
に、１段目の出力ポート７の波形（ａ）と、出力ポート
８の波形（ｂ）とで出力電圧レベルが異なる波形が得ら
れる。この波形を次段の差動対に入力すると、ポート９
のドライバ出力はデューティー比が５０％より大きくな
り、図３（Ｂ）の様にアイパターン（ｃ）のクロスポイ
ントをハイ側にずれた状態に調整出来る。
抗６の値より小さく設定すると、図２（Ｂ）の波形の様
に、１段目の出力ポート７の波形（ａ）と、出力ポート
８の波形（ｂ）とで出力電圧レベルが異なる波形が得ら
れる。この波形を次段の差動対に入力すると、ポート９
のドライバ出力はデューティー比が５０％より大きくな
り、図３（Ｂ）の様にアイパターン（ｃ）のクロスポイ
ントをハイ側にずれた状態に調整出来る。
【００１６】本発明は、従ってこの機能を利用して、Ｅ
Ａ光変調器の消光特性の非線形性によって、光出力ポー
トの光波形１１のクロスポイントをハイレベルとロウレ
ベルの中間に設定することにする。
Ａ光変調器の消光特性の非線形性によって、光出力ポー
トの光波形１１のクロスポイントをハイレベルとロウレ
ベルの中間に設定することにする。
【００１７】以上のことから、本実施例では光送信器の
光信号のデューティーのシフトによる受信感度の劣化等
を抑えることが出来るようになる。また、本実施例では
デューティー変化を両相入力の差動回路で実現出来るた
めに、従来の約２倍の電圧ゲインが得られるため、回路
段数が低減出来るので低消費電力化が可能となる。
光信号のデューティーのシフトによる受信感度の劣化等
を抑えることが出来るようになる。また、本実施例では
デューティー変化を両相入力の差動回路で実現出来るた
めに、従来の約２倍の電圧ゲインが得られるため、回路
段数が低減出来るので低消費電力化が可能となる。
【００１８】なお、可変抵抗の挿入位置はＦＥＴ２のソ
ース側５の場合でも、あるいはＦＥＴ１、２のそれぞれ
のソース側４、６に両方に挿入しても可能である。
ース側５の場合でも、あるいはＦＥＴ１、２のそれぞれ
のソース側４、６に両方に挿入しても可能である。
【００１９】以上の動作では、光信号のデューティーが
５０％になるように設計されている場合、即ち、出力ア
イパターンのクロスポイントがハイレベルとロウレベル
の中間に位置するような場合を想定して述べたが、本発
明のドライバ回路では、可変抵抗６の抵抗値を変化させ
ることによって、ドライバ回路の出力信号のクロスポイ
ントを５０％以外の所望の値に変換することも出来るた
め、光出力のデューティーを５０％以外に設定すること
も可能である。
５０％になるように設計されている場合、即ち、出力ア
イパターンのクロスポイントがハイレベルとロウレベル
の中間に位置するような場合を想定して述べたが、本発
明のドライバ回路では、可変抵抗６の抵抗値を変化させ
ることによって、ドライバ回路の出力信号のクロスポイ
ントを５０％以外の所望の値に変換することも出来るた
め、光出力のデューティーを５０％以外に設定すること
も可能である。
【００２０】図４は本発明の変調器ドライバ回路の第２
実施例の構成を示す回路図である。図５は第２実施例の
内部動作波形を示す図、図６は第２実施例の出力動作波
形を示す図である。
実施例の構成を示す回路図である。図５は第２実施例の
内部動作波形を示す図、図６は第２実施例の出力動作波
形を示す図である。
【００２１】この変調器ドライバ回路は、第１実施例と
同様差動構成となっており、１段目の差動対を構成する
ＦＥＴ１３、１４には論理の正補が異なるデジタル信号
が入力される。本実施例における変調器ドライバ回路で
は、ＦＥＴ１３、１４のソース側１５、１６にデプリッ
ション型電界効果トランジスタ１７、１８を挿入し、両
トランジスタのゲート部分１９、２０のコントロール電
圧は外部から別々に設定する構成となっている。
同様差動構成となっており、１段目の差動対を構成する
ＦＥＴ１３、１４には論理の正補が異なるデジタル信号
が入力される。本実施例における変調器ドライバ回路で
は、ＦＥＴ１３、１４のソース側１５、１６にデプリッ
ション型電界効果トランジスタ１７、１８を挿入し、両
トランジスタのゲート部分１９、２０のコントロール電
圧は外部から別々に設定する構成となっている。
【００２２】次に本実施例変調器ドライバ回路の動作に
ついてを図５および図６を用いながら説明する。コント
ロール電圧１９、２０の値を等しく設定した場合は、図
５（Ａ）の様に出力ポート２１の波形（ｄ）と出力ポー
ト２２の波形（ｅ）とで出力電圧レベルが等しく、この
波形を次段の差動対に入力すると、ポート２３のドライ
バ出力は図６（ｆ）の様にデューティーが５０％にな
り、アイパターンのクロスポイントが中心になる。一
方、ゲート１９のコントロール電圧をゲート２０のコン
トロール電圧より大きく設定すると、図５（Ｂ）の波形
の様に、１段目の差動対の出力ポート２１の波形（ｄ）
と、出力ポート２２の波形（ｅ）とで出力電圧レベルが
異なる波形が得られる。この波形を次段の差動対に入力
すると、ポート２３のドライバ出力はデューティーが５
０％より大きく、図６（Ｂ）の波形（ｆ）の様にアイパ
ターンのクロスポイントをハイ側にずれた状態に調整出
来る。従って、第１の実施例と同様、光出力ポート２５
の光波形のクロスポイントをハイレベルとロウレベルの
中間に設定出来る。
ついてを図５および図６を用いながら説明する。コント
ロール電圧１９、２０の値を等しく設定した場合は、図
５（Ａ）の様に出力ポート２１の波形（ｄ）と出力ポー
ト２２の波形（ｅ）とで出力電圧レベルが等しく、この
波形を次段の差動対に入力すると、ポート２３のドライ
バ出力は図６（ｆ）の様にデューティーが５０％にな
り、アイパターンのクロスポイントが中心になる。一
方、ゲート１９のコントロール電圧をゲート２０のコン
トロール電圧より大きく設定すると、図５（Ｂ）の波形
の様に、１段目の差動対の出力ポート２１の波形（ｄ）
と、出力ポート２２の波形（ｅ）とで出力電圧レベルが
異なる波形が得られる。この波形を次段の差動対に入力
すると、ポート２３のドライバ出力はデューティーが５
０％より大きく、図６（Ｂ）の波形（ｆ）の様にアイパ
ターンのクロスポイントをハイ側にずれた状態に調整出
来る。従って、第１の実施例と同様、光出力ポート２５
の光波形のクロスポイントをハイレベルとロウレベルの
中間に設定出来る。
【００２３】以上のことから、本実施例では光送信器の
光信号のデューティーのシフトによる受信感度の劣化等
を抑えることが出来るようになる。また、本実施例では
デューティー変化を両相入力の差動回路で実現出来るた
めに、従来の約２倍の電圧ゲインが得られるため、回路
段数が低減出来るので低消費電力化が可能となる。
光信号のデューティーのシフトによる受信感度の劣化等
を抑えることが出来るようになる。また、本実施例では
デューティー変化を両相入力の差動回路で実現出来るた
めに、従来の約２倍の電圧ゲインが得られるため、回路
段数が低減出来るので低消費電力化が可能となる。
【００２４】以上の動作では、デューティーが５０％に
なるように設計されている場合を想定して述べたが、本
発明の変調器ドライバ回路では、コントロール電圧１
９、２０を独立に変化させることによって、ドライバ回
路の出力信号のクロスポイントを５０％以外の所望の値
にも変換可能であるため、デューティーが５０％以外に
も調整が可能である。
なるように設計されている場合を想定して述べたが、本
発明の変調器ドライバ回路では、コントロール電圧１
９、２０を独立に変化させることによって、ドライバ回
路の出力信号のクロスポイントを５０％以外の所望の値
にも変換可能であるため、デューティーが５０％以外に
も調整が可能である。
【００２５】図７は本発明の変調器ドライバ回路の第３
実施例の構成を示す回路図である。図８は第３実施例の
内部動作波形を示す図、図９は第３実施例の出力動作波
形を示す図である。この変調器ドライバ回路は、第１、
第２の実施例と同様に差動構成となっており、このドラ
イバ回路の差動対は２つのバイポーラトランジスタ２
６、２７から構成されている。このバイポーラトランジ
スタのエミッタ側２８に可変抵抗３０を挿入し、もう一
方のエミッタ２９に抵抗３１を挿入し、可変抵抗の抵抗
値を変化させることで、両差動対で別々の抵抗値を設定
する。
実施例の構成を示す回路図である。図８は第３実施例の
内部動作波形を示す図、図９は第３実施例の出力動作波
形を示す図である。この変調器ドライバ回路は、第１、
第２の実施例と同様に差動構成となっており、このドラ
イバ回路の差動対は２つのバイポーラトランジスタ２
６、２７から構成されている。このバイポーラトランジ
スタのエミッタ側２８に可変抵抗３０を挿入し、もう一
方のエミッタ２９に抵抗３１を挿入し、可変抵抗の抵抗
値を変化させることで、両差動対で別々の抵抗値を設定
する。
【００２６】次に、本実施例における動作原理を図８お
よび図９を用いて説明する。可変抵抗３０と抵抗３１の
値が等しい場合は、図８（Ａ）のように出力ポート３２
の波形（ｇ）と出力ポート３３の波形（ｈ）とで出力電
圧レベルが等しく、この波形を次段の差動対に入力する
と、ポート３４のドライバ出力は図９（Ａ）の波形
（ｉ）の様にデューティーが５０％になり、アイパター
ンのクロスポイントが中心になる。一方、可変抵抗３０
の抵抗値を変化させ、抵抗３１の値より小さく設定する
と、図８（Ｂ）の様に、１段目の出力ポート３２の波形
（ｇ）と、出力ポート３３の波形（ｈ）とで出力電圧レ
ベルが異なる波形が得られる。この波形を次段の差動対
に入力すると、ポート３４のドライバ出力はデューティ
ー比が５０％より大きくなり、図９（Ｂ）のアイパター
ン（ｉ）の様にクロスポイントをハイ側にずれた状態に
調整出来る。従ってＥＡ光変調器３５の消光特性の非線
形性によって、光出力ポート３６の光波形のクロスポイ
ントをハイレベルとロウレベルの中間に設定出来る。
よび図９を用いて説明する。可変抵抗３０と抵抗３１の
値が等しい場合は、図８（Ａ）のように出力ポート３２
の波形（ｇ）と出力ポート３３の波形（ｈ）とで出力電
圧レベルが等しく、この波形を次段の差動対に入力する
と、ポート３４のドライバ出力は図９（Ａ）の波形
（ｉ）の様にデューティーが５０％になり、アイパター
ンのクロスポイントが中心になる。一方、可変抵抗３０
の抵抗値を変化させ、抵抗３１の値より小さく設定する
と、図８（Ｂ）の様に、１段目の出力ポート３２の波形
（ｇ）と、出力ポート３３の波形（ｈ）とで出力電圧レ
ベルが異なる波形が得られる。この波形を次段の差動対
に入力すると、ポート３４のドライバ出力はデューティ
ー比が５０％より大きくなり、図９（Ｂ）のアイパター
ン（ｉ）の様にクロスポイントをハイ側にずれた状態に
調整出来る。従ってＥＡ光変調器３５の消光特性の非線
形性によって、光出力ポート３６の光波形のクロスポイ
ントをハイレベルとロウレベルの中間に設定出来る。
【００２７】以上のことから、本実施例では光送信器の
光信号のデューティーのシフトによる受信感度の劣化等
を抑えることが出来るようになる。また、本実施例では
デューティー変化を両相入力の差動回路で実現出来るた
めに、従来の約２倍の電圧ゲインが得られるため、回路
段数が低減出来るので低消費電力化が可能となる。な
お、可変抵抗の挿入位置は、バイポーラトランジスタ２
７のエミッタ側２９の場合でも、あるいは、バイポーラ
トランジスタ２６、２７のそれぞれのエミッタ側に両方
に挿入しても可能である。
光信号のデューティーのシフトによる受信感度の劣化等
を抑えることが出来るようになる。また、本実施例では
デューティー変化を両相入力の差動回路で実現出来るた
めに、従来の約２倍の電圧ゲインが得られるため、回路
段数が低減出来るので低消費電力化が可能となる。な
お、可変抵抗の挿入位置は、バイポーラトランジスタ２
７のエミッタ側２９の場合でも、あるいは、バイポーラ
トランジスタ２６、２７のそれぞれのエミッタ側に両方
に挿入しても可能である。
【００２８】以上の動作では、デューティーが５０％に
なるように設計されている場合、即ちクロスポイントが
ハイレベルとロウレベルの中間になることを想定して述
べたが、本発明のドライバ回路では、第１の実施例と同
様にデューティーが５０％以外でも対応可能である。
なるように設計されている場合、即ちクロスポイントが
ハイレベルとロウレベルの中間になることを想定して述
べたが、本発明のドライバ回路では、第１の実施例と同
様にデューティーが５０％以外でも対応可能である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、ゲ
インを大きくとれ、素子数増加を抑え、消費電力の増加
を抑えたデューティー可変機能を有する変調器ドライバ
回路を実現することが可能になる。
インを大きくとれ、素子数増加を抑え、消費電力の増加
を抑えたデューティー可変機能を有する変調器ドライバ
回路を実現することが可能になる。
【００３０】さらに本発明の変調器ドライバ回路を用い
ることにより、素子数及び消費電力の減少した小型の光
送信器を構成することが出来る。
ることにより、素子数及び消費電力の減少した小型の光
送信器を構成することが出来る。
【図１】本発明の変調器ドライバ回路の第１実施例の構
成を示す回路図
成を示す回路図
【図２】本発明の第１実施例の内部動作波形を示す図
【図３】本発明の第１実施例の出力動作波形を示す図
【図４】本発明の変調器ドライバ回路の第２実施例の構
成を示す回路図
成を示す回路図
【図５】本発明の第２実施例の内部動作波形を示す図
【図６】本発明の第２実施例の出力動作波形を示す図
【図７】本発明の変調器ドライバ回路の第３実施例の構
成を示す回路図
成を示す回路図
【図８】本発明の第３実施例の内部動作波形を示す図
【図９】本発明の第３実施例の出力動作波形を示す図
【図１０】光送信器の従来構成を示すブロック図
【図１１】ＥＡ変調器の入出力特性と入出力波形の一例
【図１２】デューティー可変機能を有する変調器ドライ
バ回路の従来型の構成を示すブロック図
バ回路の従来型の構成を示すブロック図
１、２ ドライバ回路差動対入力部電界効果トランジス
タ ３ 入力側ＦＥＴソース部 ４ 可変抵抗 ５ 入力側ＦＥＴソース部 ６ 抵抗 ７、８ ドライバ回路１段目出力ポート ９ 変調信号出力ポート １０ ＥＡ変調器 １１ 光信号出力 １２ ＥＡ変調器の消光特性 １３、１４ドライバ回路差動対入力部電界効果トランジ
スタ １５、１６入力側ＦＥＴソース部 １７、１８デプリッション型電界効果トランジスタ １９、２０コントロール電圧入力端子 ２１、２２ドライバ回路１段目出力ポート ２３ 変調信号出力ポート ２４ ＥＡ変調器 ２５ 光信号出力 ２６、２７ドライバ回路差動対入力部バイポーラトラン
ジスタ ２８、２９入力側バイポーラトランジスタエミッタ部 ３０ 可変抵抗 ３１ 抵抗 ３２、３３ドライバ回路１段目出力ポート ３４ 変調信号出力ポート ３５ ＥＡ変調器 ３６ 光信号出力 ３７ 光源 ３８ 電界吸収型光変調器 ３９ 変調器ドライバ ４０ 変調器ドライバ入力信号 ４１ 変調信号入力端子 ４２ 光信号出力 ４３ デューティー５０％の変調信号波形 ４４ デューティー５０％以下の光信号波形 ４５ デューティー５０％の光信号波形 ４６ デューティー５０％以上の変調信号波形 ４７ 変調信号生成回路 ４８、４９入力部電界効果トランジスタ ５０ デジタル信号入力端子 ５１ 参照電位入力端子 ５２ 変調信号
タ ３ 入力側ＦＥＴソース部 ４ 可変抵抗 ５ 入力側ＦＥＴソース部 ６ 抵抗 ７、８ ドライバ回路１段目出力ポート ９ 変調信号出力ポート １０ ＥＡ変調器 １１ 光信号出力 １２ ＥＡ変調器の消光特性 １３、１４ドライバ回路差動対入力部電界効果トランジ
スタ １５、１６入力側ＦＥＴソース部 １７、１８デプリッション型電界効果トランジスタ １９、２０コントロール電圧入力端子 ２１、２２ドライバ回路１段目出力ポート ２３ 変調信号出力ポート ２４ ＥＡ変調器 ２５ 光信号出力 ２６、２７ドライバ回路差動対入力部バイポーラトラン
ジスタ ２８、２９入力側バイポーラトランジスタエミッタ部 ３０ 可変抵抗 ３１ 抵抗 ３２、３３ドライバ回路１段目出力ポート ３４ 変調信号出力ポート ３５ ＥＡ変調器 ３６ 光信号出力 ３７ 光源 ３８ 電界吸収型光変調器 ３９ 変調器ドライバ ４０ 変調器ドライバ入力信号 ４１ 変調信号入力端子 ４２ 光信号出力 ４３ デューティー５０％の変調信号波形 ４４ デューティー５０％以下の光信号波形 ４５ デューティー５０％の光信号波形 ４６ デューティー５０％以上の変調信号波形 ４７ 変調信号生成回路 ４８、４９入力部電界効果トランジスタ ５０ デジタル信号入力端子 ５１ 参照電位入力端子 ５２ 変調信号
Claims (5)
- 【請求項１】 光源からのキャリア光を受けて、印加電
圧に応じてキャリア光を吸収することにより、強度変調
された光信号を出力する電界吸収型光変調器のドライバ
回路において、互いに論理が正補の関係にあるデジタル
入力信号が供給される第１および第２の入力ポートを有
する差動回路から構成されており、差動回路の差動対を
構成する２つの電界効果トランジスタのソース端子に２
つの抵抗を挿入し、その抵抗の少なくとも一方の抵抗値
を可変可能とすることにより、ドライバ回路の出力電気
信号のクロスポイントをずらした状態で光変調器を駆動
することを特徴とする電界吸収型光変調器ドライバ回
路。 - 【請求項２】 上記抵抗値の設定は、上記光変調器から
の光信号のデューティーが、上記入力信号のデューティ
ーに一致するように設定されることを特徴とする請求項
１記載の変調器ドライバ回路。 - 【請求項３】 ソース端子に挿入された抵抗がデプリッ
ション型電界効果トランジスタであり、両トランジスタ
のゲート部分にコントロール電圧を印加し、外部から個
々に設定することを特徴とする請求項１記載の変調器ド
ライバ回路。 - 【請求項４】 上記コントロール電圧の設定は、上記光
変調器からの光信号のデューティーが、上記デジタル入
力信号のデューティーに一致するように設定されること
を特徴とする請求項３記載の変調器ドライバ回路。 - 【請求項５】 光源からのキャリア光を受けて、印加電
圧に応じてキャリア光を吸収することにより、強度変調
された光信号を出力する電界吸収型光変調器のドライバ
回路において、互いに論理が正補の関係にあるデジタル
入力信号が供給される第１および第２の入力ポートを有
する差動回路から構成されており、差動回路の差動対を
構成する２つのバイポーラトランジスタのエミッタ端子
に２つの抵抗を挿入し、その抵抗の少なくとも一方の抵
抗値を可変可能とすることにより、ドライバ回路の出力
電気信号のクロスポイントをずらした状態で光変調器を
駆動することを特徴とする電界吸収型光変調器ドライバ
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16606997A JP2970601B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 光変調器ドライバ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16606997A JP2970601B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 光変調器ドライバ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1114951A JPH1114951A (ja) | 1999-01-22 |
| JP2970601B2 true JP2970601B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=15824408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16606997A Expired - Fee Related JP2970601B2 (ja) | 1997-06-23 | 1997-06-23 | 光変調器ドライバ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2970601B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010109512A (ja) | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | ドライバ回路及びドライバｉｃ |
| JP5724546B2 (ja) | 2011-03-31 | 2015-05-27 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光送信機および光波形補償方法 |
| JP5793218B2 (ja) * | 2014-05-12 | 2015-10-14 | 日本電信電話株式会社 | 光送受信システム |
-
1997
- 1997-06-23 JP JP16606997A patent/JP2970601B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1114951A (ja) | 1999-01-22 |
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