JPS6159885A - 発光ダイオ−ドの駆動回路 - Google Patents
発光ダイオ−ドの駆動回路Info
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- JPS6159885A JPS6159885A JP59180518A JP18051884A JPS6159885A JP S6159885 A JPS6159885 A JP S6159885A JP 59180518 A JP59180518 A JP 59180518A JP 18051884 A JP18051884 A JP 18051884A JP S6159885 A JPS6159885 A JP S6159885A
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- Japan
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- emitter
- transistor
- collector
- circuit
- potential
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/502—LED transmitters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光通信用発光ダイオードの高速化を可能とする
発光ダイオードの駆動回路に関し、特に長波長発光ダイ
オードの立下り時ｔｍを大幅に短縮できる発光ダイオー
ドの駆動回路に関する。
発光ダイオードの駆動回路に関し、特に長波長発光ダイ
オードの立下り時ｔｍを大幅に短縮できる発光ダイオー
ドの駆動回路に関する。
最近、長波長発光ダイオード（以下、ＬＥＤと廃す）は
１００ Ｍ ｂ ／ ｓ以上の高速化が可能であるため
、伝送距離が１〜２ｋｍのＬＡＮや計算機ネットワーク
、また、公衆通信における局間通信などの光源として有
望視されている。しかし、長波長ＬＥＤは立下り時間が
立上り時間に比べ２〜３倍大きいと云う短波長ＬＥＤに
はない特有の性質がある。例えば、一般的に発光層の不
純物濃度が５ Ｘ ｉ Ｏ”ａｍ−３の時、立上り時間
１．５ｎｓに対し、立下り゛□暗時間４〜５ｎｓである
。従って、長波長ＬＥＤの実用化には、この立下り時間
の高速化が大きな技術課題となっている。
１００ Ｍ ｂ ／ ｓ以上の高速化が可能であるため
、伝送距離が１〜２ｋｍのＬＡＮや計算機ネットワーク
、また、公衆通信における局間通信などの光源として有
望視されている。しかし、長波長ＬＥＤは立下り時間が
立上り時間に比べ２〜３倍大きいと云う短波長ＬＥＤに
はない特有の性質がある。例えば、一般的に発光層の不
純物濃度が５ Ｘ ｉ Ｏ”ａｍ−３の時、立上り時間
１．５ｎｓに対し、立下り゛□暗時間４〜５ｎｓである
。従って、長波長ＬＥＤの実用化には、この立下り時間
の高速化が大きな技術課題となっている。
第１図に、ＬＥＤ高速駆動回路の従来・構成を示す、こ
の種回路は例えば実公昭５９−７７９０号公報に記載さ
れている。ＬＥＤの立下り時間を高速化するには、ＬＥ
Ｄの寄生容量に充電された電荷を。
の種回路は例えば実公昭５９−７７９０号公報に記載さ
れている。ＬＥＤの立下り時間を高速化するには、ＬＥ
Ｄの寄生容量に充電された電荷を。
ＬＥＤの遮断時に速やかに放電させることによって達成
できろ６第１図はこの観点より構成されたもので、トラ
ンジスタ１のコレクタに挿入されたＬＥＩ）２と並列に
電荷放電用の抵抗３及び４、容量５が接続されている。
できろ６第１図はこの観点より構成されたもので、トラ
ンジスタ１のコレクタに挿入されたＬＥＩ）２と並列に
電荷放電用の抵抗３及び４、容量５が接続されている。
この場合、放電時定数は抵抗３と抵抗４の並列接続値と
ＬＥＤ２の寄生容量との積でほぼ決まり、抵抗３，４の
値が小さい程高速化を図ることができる。しかし、抵抗
３゜４の値が小さいと端子８より入力されたパルス信号
の立上り時に１〜ランジスタ１のコレクタ電流は殆んど
この抵抗３，４に流れ、ＬＥＤ２には供給されない。こ
のため、抵抗６と容量７とによるＬＥＤ２の立上り時間
の改善効果は発揮されず。
ＬＥＤ２の寄生容量との積でほぼ決まり、抵抗３，４の
値が小さい程高速化を図ることができる。しかし、抵抗
３゜４の値が小さいと端子８より入力されたパルス信号
の立上り時に１〜ランジスタ１のコレクタ電流は殆んど
この抵抗３，４に流れ、ＬＥＤ２には供給されない。こ
のため、抵抗６と容量７とによるＬＥＤ２の立上り時間
の改善効果は発揮されず。
逆に立上り時間の劣化を惹起する。更に、パルス信号の
定常状態においても、抵抗３に大きな電流が流れるので
、トランジスタ１のコレクタ電流としてはＬＥＤ２を駆
動する電流に加えて、この抵抗３を駆動するための不要
の電流を供給する能力が要求される。それ故、立上り時
間の劣化や不要な電流を避けるには、抵抗３，４の値を
大きくする必要があるが、これはＬＥＤ２の遮断時にお
ける放電時定数を長くするため、立下り時間の改善効果
を損うことになる。結局、第１図の従来痛成ではＬＥＤ
２の立上り時間、立下り時間を同時に高速化することは
困難である。
定常状態においても、抵抗３に大きな電流が流れるので
、トランジスタ１のコレクタ電流としてはＬＥＤ２を駆
動する電流に加えて、この抵抗３を駆動するための不要
の電流を供給する能力が要求される。それ故、立上り時
間の劣化や不要な電流を避けるには、抵抗３，４の値を
大きくする必要があるが、これはＬＥＤ２の遮断時にお
ける放電時定数を長くするため、立下り時間の改善効果
を損うことになる。結局、第１図の従来痛成ではＬＥＤ
２の立上り時間、立下り時間を同時に高速化することは
困難である。
本発明の目的は、ＬＥＤの立上り時間を損ねることなく
、立下り時間を高速化できる発光ダイオードの駆動回路
を提供することにある。
、立下り時間を高速化できる発光ダイオードの駆動回路
を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するために、ＬＥＤの遮断時に
、ＬＥＤの寄生容量に蓄積される電荷を放電させるため
のインピーダンス回路を駆動用トランジスタのコレクタ
ーエミッタ間及びエミッター接地端子間に接続する構成
となっている。
、ＬＥＤの寄生容量に蓄積される電荷を放電させるため
のインピーダンス回路を駆動用トランジスタのコレクタ
ーエミッタ間及びエミッター接地端子間に接続する構成
となっている。
以下１本発明の一実施例を第２図により説明する１本実
施例では、駆動トランジスタ１のコレクターエミッタ間
に接続されたインピーダンス回路１０１は抵抗１１と容
量１２の直列回路で、又、エミッター接地端子（交流的
）間に接続されたインピーダンス回路１０２は抵抗１３
で構成されている。ここで、動作原理を詳述する。最初
に立下り時の動作について述べる。入力パルス信号がＨ
ｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに遷移すると、トランジ
スタ１のベース及びエミッタの電位は下降する。この場
合、トランジスタ１のエミッタ電位は。
施例では、駆動トランジスタ１のコレクターエミッタ間
に接続されたインピーダンス回路１０１は抵抗１１と容
量１２の直列回路で、又、エミッター接地端子（交流的
）間に接続されたインピーダンス回路１０２は抵抗１３
で構成されている。ここで、動作原理を詳述する。最初
に立下り時の動作について述べる。入力パルス信号がＨ
ｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに遷移すると、トランジ
スタ１のベース及びエミッタの電位は下降する。この場
合、トランジスタ１のエミッタ電位は。
ベース・エミッタ間電圧がほぼ一定値であるので、ベー
ス電位に即応して下がる。一方、トランジスタ１のコレ
クタ電位はコレクタ電流がＬＥＤ２に流れなくなるため
、急速に上昇する。従って、インピーダンス回路１０１
の両端の電圧は急激に増大するので、容量１２には電荷
が急速に充電される。この充電電流はＬＥＤ２の寄生容
量に蓄積された電荷の放電によって供給されるため、Ｌ
ＥＤ２の立下り時間は大幅に改善される。この場合の放
電時定数は抵抗１１及び１３が小さい程速くなり、改善
効果は大きい。
ス電位に即応して下がる。一方、トランジスタ１のコレ
クタ電位はコレクタ電流がＬＥＤ２に流れなくなるため
、急速に上昇する。従って、インピーダンス回路１０１
の両端の電圧は急激に増大するので、容量１２には電荷
が急速に充電される。この充電電流はＬＥＤ２の寄生容
量に蓄積された電荷の放電によって供給されるため、Ｌ
ＥＤ２の立下り時間は大幅に改善される。この場合の放
電時定数は抵抗１１及び１３が小さい程速くなり、改善
効果は大きい。
次に、入力パルス信号がＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベ
ルに遷移する場合の動作について述べる。入力パルス信
号が立上るとトランジスタ１のエミッタ電位が上昇し、
コレクタ電流が増大するためＬＥＤ２は湛通状態となる
。この時、トランジスタ１のコレクタ電位が下降するの
でインピーダンス回路１０１の両端の電圧は減少する。
ルに遷移する場合の動作について述べる。入力パルス信
号が立上るとトランジスタ１のエミッタ電位が上昇し、
コレクタ電流が増大するためＬＥＤ２は湛通状態となる
。この時、トランジスタ１のコレクタ電位が下降するの
でインピーダンス回路１０１の両端の電圧は減少する。
この電圧減少により、容量１２に蓄積されていた電荷に
よって流れる放ｆｌｉｔ流はトランジスタ１のコレクタ
電流の一部として流れるが、容量１２の値を適当に選ぶ
ことにより、ＬＥＤ２に流れる電流に比べ無視できるよ
うにすることができる。即ち、入力パルス信号の立上り
時には、トランジスタ１のコレクタ電流は殆んどＬＥＤ
２に流れるので、 ＬＥＤ２の立上り時間はインピーダ
ンス回路１０１の影響は受けることはない、従って、イ
ンピーダンス回路１０２を抵抗１３に容量或いは容量と
抵抗との直列回路を接続することにより、立下り時間と
は別個に立上り時間を改善することができる。
よって流れる放ｆｌｉｔ流はトランジスタ１のコレクタ
電流の一部として流れるが、容量１２の値を適当に選ぶ
ことにより、ＬＥＤ２に流れる電流に比べ無視できるよ
うにすることができる。即ち、入力パルス信号の立上り
時には、トランジスタ１のコレクタ電流は殆んどＬＥＤ
２に流れるので、 ＬＥＤ２の立上り時間はインピーダ
ンス回路１０１の影響は受けることはない、従って、イ
ンピーダンス回路１０２を抵抗１３に容量或いは容量と
抵抗との直列回路を接続することにより、立下り時間と
は別個に立上り時間を改善することができる。
第３図に本発明の他の一実施例の回路構成を示す、第３
図では、ＬＥＤ２の電流駆動用回路として、エミッタが
共通接続されたトランジスタ５１゜５２と定電流源５３
から成る電流切替回路５０１を使用している。又、放電
回路は、トランジスタ５２のコレクターエミッタ間に接
続された抵抗８１と容量８２とから成るインピーダンス
回路１０１′及びトランジスタ５２のエミッター接地端
子間に接続された抵抗８３と容量８４とから成るインピ
ーダンス回路１０２′により構成されている６第３図の
実施例の動作原理は第２図の実施例と基本的には同じで
あるので、ここで簡単に述べることにする。端子６１．
６２より逆極性のパルス信号が入力される場合を考える
。端子６１の電位がＨｉｇｈレベル端子６２の電位がＬ
ｏｗレベルの時、定電流源５３から供給される電流は全
てトランジスタ５１に流れるので、トランジスタ５２は
遮断状態となる。このため、ＬＥＤ２には電流が供給さ
れなくなるので、トランジスタ５２のコレクタ電位は上
昇する。一方、トランジスタ５２のエミッタ電位は導通
状態にあるトランジスタ５１のベース電位の上昇に追随
して上昇するが、その上昇分は入力パルス信号ｍ幅の１
／２となる。
図では、ＬＥＤ２の電流駆動用回路として、エミッタが
共通接続されたトランジスタ５１゜５２と定電流源５３
から成る電流切替回路５０１を使用している。又、放電
回路は、トランジスタ５２のコレクターエミッタ間に接
続された抵抗８１と容量８２とから成るインピーダンス
回路１０１′及びトランジスタ５２のエミッター接地端
子間に接続された抵抗８３と容量８４とから成るインピ
ーダンス回路１０２′により構成されている６第３図の
実施例の動作原理は第２図の実施例と基本的には同じで
あるので、ここで簡単に述べることにする。端子６１．
６２より逆極性のパルス信号が入力される場合を考える
。端子６１の電位がＨｉｇｈレベル端子６２の電位がＬ
ｏｗレベルの時、定電流源５３から供給される電流は全
てトランジスタ５１に流れるので、トランジスタ５２は
遮断状態となる。このため、ＬＥＤ２には電流が供給さ
れなくなるので、トランジスタ５２のコレクタ電位は上
昇する。一方、トランジスタ５２のエミッタ電位は導通
状態にあるトランジスタ５１のベース電位の上昇に追随
して上昇するが、その上昇分は入力パルス信号ｍ幅の１
／２となる。
通常、この振幅は０．８Ｖ程度であるがら、エミッタ電
位の変化は約０．４Ｖである。これに対し。
位の変化は約０．４Ｖである。これに対し。
ＬＥＤ２の電圧変化は１．５〜２ｖ程度であるため、イ
ンピーダンス回路１０１′の両端の電圧は増大すること
になり、容量８２には充ｆｆ１ｆｆｉ流が流れる。この
電流は前述の如＜ＬＥＤ２の寄生容量に蓄積された電荷
によって生じるのでＴ、 Ｅ Ｄ ２の立下り時間を改
善することができる。尚、インピーダンス回路１０２′
は放電路を形成するための回路で、抵抗８３の値が小さ
く、容量８４の値が大きい程改善効果は上がる。次に、
端子６１がＬｏｗレベル、端子６２がＩＩ ｉ ｇ ｈ
レベルになるとトランジスタ５１が遮断状態、トランジ
スタ５２が導通状態となり、ＬＥＤ２の光出力は立上る
。この時、トランジスタ５２のコレクタ電位は下降し、
エミッタ電位は上昇するのでインピーダンス回路１０１
’の両端の電圧は減少するので５容量８２による放電電
流が抵抗８１を介してトランジスタ５２のコレクタ電流
の一部として流れる。しかし、前述の如く、この放電電
流は容量８２の値を適当に選べばコレクタ電流に対し無
視することができる。従って、インピーダンス回路１０
１’ 、 ＋０２’は立上り動作には殆んど影響を及ぼ
さず、立下り動作時のみ機能する。
ンピーダンス回路１０１′の両端の電圧は増大すること
になり、容量８２には充ｆｆ１ｆｆｉ流が流れる。この
電流は前述の如＜ＬＥＤ２の寄生容量に蓄積された電荷
によって生じるのでＴ、 Ｅ Ｄ ２の立下り時間を改
善することができる。尚、インピーダンス回路１０２′
は放電路を形成するための回路で、抵抗８３の値が小さ
く、容量８４の値が大きい程改善効果は上がる。次に、
端子６１がＬｏｗレベル、端子６２がＩＩ ｉ ｇ ｈ
レベルになるとトランジスタ５１が遮断状態、トランジ
スタ５２が導通状態となり、ＬＥＤ２の光出力は立上る
。この時、トランジスタ５２のコレクタ電位は下降し、
エミッタ電位は上昇するのでインピーダンス回路１０１
’の両端の電圧は減少するので５容量８２による放電電
流が抵抗８１を介してトランジスタ５２のコレクタ電流
の一部として流れる。しかし、前述の如く、この放電電
流は容量８２の値を適当に選べばコレクタ電流に対し無
視することができる。従って、インピーダンス回路１０
１’ 、 ＋０２’は立上り動作には殆んど影響を及ぼ
さず、立下り動作時のみ機能する。
第４図は、第３図に示す本発明の一実施例において容量
８２の値Ｃｍ２を変えた時の長波長ＬＥＤの高速化の実
験例を示したものである。ここで、長波長ＬＥＤには発
光層の不純物濃度５Ｘ１０”ｃ１３、立上り時間１．５
ｎｓ、立下り時間４ｎｓのものを使用している。又、抵
抗８１．８３は５Ω、容量８４は１０００ｐＦである。
８２の値Ｃｍ２を変えた時の長波長ＬＥＤの高速化の実
験例を示したものである。ここで、長波長ＬＥＤには発
光層の不純物濃度５Ｘ１０”ｃ１３、立上り時間１．５
ｎｓ、立下り時間４ｎｓのものを使用している。又、抵
抗８１．８３は５Ω、容量８４は１０００ｐＦである。
第４図より、容：ｉ８２の値によって立上り時間は殆ん
ど変わらないが、立下り時間に関しては最適値が存在す
る。
ど変わらないが、立下り時間に関しては最適値が存在す
る。
Ｃ，２が４〜１６ｐＦ範囲が最も改善効果が大きく、立
下り時間が約１．２ ｎ Ｓ、立上り時間が約０．７ｎ
Ｓであり、夫々、３倍、２倍の高速化を実現することが
できた。
下り時間が約１．２ ｎ Ｓ、立上り時間が約０．７ｎ
Ｓであり、夫々、３倍、２倍の高速化を実現することが
できた。
尚、インピーダンス回路は抵抗、容量のみでなく、イン
ダクタンスを使用することもできる。
ダクタンスを使用することもできる。
以上、説明した如く本発明によれば、ＬＥＤの寄生容量
に蓄積された電荷を放電するための放電回路を駆動用ト
ランジスタのコレクターエミッタ間及びエミッター接地
端子間に接続して形成することを特徴としており、この
構成によって、容易にＬＥＤの立上り時間及び立下り時
間を２〜３倍改善することができる。従って、本発明を
長波長′ ＬＥＤの高速化に適用すれば、長波長ＬＥＤ
を１００ Ｍ ｂ ／ ｓ以上の光通信用光源として利
用することが可能となる。
に蓄積された電荷を放電するための放電回路を駆動用ト
ランジスタのコレクターエミッタ間及びエミッター接地
端子間に接続して形成することを特徴としており、この
構成によって、容易にＬＥＤの立上り時間及び立下り時
間を２〜３倍改善することができる。従って、本発明を
長波長′ ＬＥＤの高速化に適用すれば、長波長ＬＥＤ
を１００ Ｍ ｂ ／ ｓ以上の光通信用光源として利
用することが可能となる。
第１図は従来の発光ダイオードの駆動回路の構成を示す
接続図、第２図、第３図は夫々本発明の一実施例の植成
を示す接続図、第４図は、第３図に示す本発明の実施例
を用いた時の実験例を示すグラフである。
接続図、第２図、第３図は夫々本発明の一実施例の植成
を示す接続図、第４図は、第３図に示す本発明の実施例
を用いた時の実験例を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、発光ダイオードと該発光ダイオードがコレクタに接
続された駆動用トランジスタとにより構成される発光ダ
イオードの駆動回路において、駆動用トランジスタのコ
レクタとエミッタ間、及びエミッタと接地端子間に夫々
インピーダンス回路を接続したことを特徴とする発光ダ
イオードの駆動回路。 ２、前記駆動用トランジスタをエミッタが共通接続され
たトランジスタ対と該エミッタに接続された定電流源か
ら成る電流切替回路により構成したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の発光ダイオードの駆動回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180518A JPS6159885A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 発光ダイオ−ドの駆動回路 |
| US06/769,971 US4723312A (en) | 1984-08-31 | 1985-08-27 | Light emitting diode driver circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180518A JPS6159885A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 発光ダイオ−ドの駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159885A true JPS6159885A (ja) | 1986-03-27 |
Family
ID=16084660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59180518A Pending JPS6159885A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 発光ダイオ−ドの駆動回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4723312A (ja) |
| JP (1) | JPS6159885A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05218542A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-27 | Fujitsu Ltd | レーザーダイオード駆動回路 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5329210A (en) * | 1991-11-13 | 1994-07-12 | At&T Bell Laboratories | High-speed driver for an LED communication system or the like |
| CA2159842A1 (en) * | 1994-12-05 | 1996-06-06 | Joe A. Ortiz | Diode drive current source |
| SE504326C2 (sv) * | 1995-05-17 | 1997-01-13 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordningar avseende ljusemitterande organ |
| JP3368738B2 (ja) * | 1996-01-17 | 2003-01-20 | 三菱電機株式会社 | 光送信器 |
| US6419161B1 (en) | 1996-01-22 | 2002-07-16 | Welcome Real-Time | Apparatus and method for processing coded information stored on an integrated circuit card |
| FR2743916B1 (fr) | 1996-01-22 | 1998-03-27 | Marketlink | Procede et dispositif de traitement d'informations codees avec carte a puce |
| US5706303A (en) * | 1996-04-09 | 1998-01-06 | Lawrence; Zachary Andrew | Laser diode coupling and bias circuit and method |
| JPH11275031A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Fujitsu Ltd | 光伝送装置 |
| DE19815491C2 (de) * | 1998-04-07 | 2000-04-27 | Vishay Semiconductor Gmbh | Verfahren und Schaltungsanordnung zum Ansteuern einer Luminiszenzdiode |
| JP3769180B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2006-04-19 | 株式会社東芝 | 発光ダイオード駆動回路およびそれを用いた光送信モジュール |
| US6859624B1 (en) * | 2000-11-17 | 2005-02-22 | Alloptic, Inc. | Laser diode optical transmitter for TDMA system with fast enable and disable times |
| US7609733B2 (en) * | 2001-10-15 | 2009-10-27 | Finisar Corporation | Laser diode assembly and device for operating a laser diode |
| CA2391681A1 (en) * | 2002-06-26 | 2003-12-26 | Star Headlight & Lantern Co. Of Canada Ltd. | Solid-state warning light with microprocessor controlled excitation circuit |
| US20040095184A1 (en) * | 2002-11-20 | 2004-05-20 | Stanley Electric Co., Ltd. | Driving circuit and driving method of light emitting device and optical communication apparatus |
| WO2008050779A1 (fr) * | 2006-10-18 | 2008-05-02 | Koa Corporation | Circuit de commande de del |
| US8207711B2 (en) * | 2008-08-15 | 2012-06-26 | Analog Modules, Inc. | Biphase laser diode driver and method |
| US8729870B2 (en) | 2008-08-15 | 2014-05-20 | Analog Modules, Inc. | Biphase laser diode driver and method |
| EP2395815B1 (de) * | 2010-06-09 | 2014-12-24 | ATLAS Elektronik GmbH | Leuchtmittel mit LED und Treiberschaltung sowie Verfahren zum Betreiben eines Leuchtmittels |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2951976C2 (de) * | 1979-12-22 | 1985-07-11 | Walter Ing.(Grad.) 8728 Hassfurt Voll | Elektrische Installationseinrichtung |
| JPS58107693A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Minolta Camera Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| JPS5935494A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動回路 |
| FR2552285B1 (fr) * | 1983-09-15 | 1986-07-18 | Telecommunications Sa | Systeme de linearisation d'emetteurs optiques |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59180518A patent/JPS6159885A/ja active Pending
-
1985
- 1985-08-27 US US06/769,971 patent/US4723312A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05218542A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-27 | Fujitsu Ltd | レーザーダイオード駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4723312A (en) | 1988-02-02 |
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