JP2771163B2 - Led駆動回路 - Google Patents
Led駆動回路Info
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- JP2771163B2 JP2771163B2 JP15879987A JP15879987A JP2771163B2 JP 2771163 B2 JP2771163 B2 JP 2771163B2 JP 15879987 A JP15879987 A JP 15879987A JP 15879987 A JP15879987 A JP 15879987A JP 2771163 B2 JP2771163 B2 JP 2771163B2
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- Japan
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- led
- drive circuit
- transistor
- collector
- differential
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光LAN(ローカルエリアネットワーク)シス
テムなどの光ディジタル送信回路に関し,特にLED駆動
回路に関する。 〔従来の技術〕 従来,光LANシステムなどの光ディジタル伝送路を構
成する発光素子として,信頼度がすぐれており安価なLE
D(発光ダイオード)がよく用いられている。 近年では,情報量の増大にともない光LANも高速大容
量化の要請が高まり,LEDを高速にスイッチングする手法
が必要となってきた。 第2図は従来用いられているLED駆動回路の一例であ
る。LED駆動回路は,LED4に流れる電流をスイッチングす
るための差動トランジスタ1,2および最大電流制御用電
流源3で構成されている。入力端子5および入力端子6
にはLED4をスイッチングするための互いに相補のディジ
タル電気信号が入力される。入力端子5への入力がハイ
レベル,入力端子6への入力がローレベルのときは,差
動トランジスタ2がオンとなり,コレクタ−エミッタ間
が低インピーダンスとなってLED4には順方向に駆動電流
が流れ,LED4は発光状態となる。次に,入力端子5への
入力がロー,入力端子6への入力がハイとなると,差動
トランジスタ2はオフとなり,コレクタ−エミッタ間が
高インピーダンスとなってLED4に流れる電流がカットさ
れ,LED4は消光状態となる。このようにして差動増幅ト
ランジスタをスイッチングすることにより,LED4の光強
度変調出力を得るものである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述した従来のLED駆動回路は,LED4が内部容量をもつ
ため,発光時に駆動電流によって電荷が蓄積される。こ
の蓄積電荷は第2図における差動トランジスタ2がオフ
となると,差動トランジスタのコレクタ−エミッタ間が
高インピーダンスとなって放電経路を失なう構成となっ
ている。LED4は順方向電流が小さくなると,LED4の内部
抵抗が大きくなる性質を有し,消光時のLED蓄積電荷は,
LED自身の内部容量と内部抵抗によって決まる時定数で
放電される。これにともない,LED4の発光が続くため,
従来回路では高速変調化が損われる欠点を有している。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明のLED駆動回路は,LEDの順方向電流スイッチ用
差動トランジスタ及び最大電流制御用電流源と,LEDの蓄
積電荷の放電を早めるための逆方向電流源用トランジス
タ及びLEDの逆方向電圧上昇を制限するための逆電圧保
護ダイオードを有している。 〔実施例〕 次に,本発明について図面を参照して説明する。 第1図は本発明の一実施例である。LED4の順方向電流
スイッチ用差動トランジスタ1,2の共通のエミッタに最
大電流制御用電流源3を接続して,LED駆動回路のスイッ
チングに必要な基本回路を構成している。差動トランジ
スタ2のコレクタにはLED4の逆方向電流源用トランジス
タ7のコレクタを接続する。同じく差動トランジスタ2
のコレクタにLED4の逆電圧保護ダイオード8のアノード
を接続し,カソードを接地する。発光素子であるLED4
は,差動トランジスタ2のコレクタにカソードを接続
し,アノードを接地する構成とした。 次に,動作原理につき説明する。 第1図において,差動トランジスタ2がオンの時,LED
4に最大電流制御回路で決定する電流IOと逆方向電流源
から流れ出る電流ICの差(IO−IC)が流れ,LED4は発光
状態となる。このときLED4は内部容量により順方向に電
荷が蓄積される。 次に,差動トランジスタ2がオフとなったとき,IO→
0となり,LED4に逆方向電流源から流れ出る電流ICが流
れ込み,LED4の蓄積電荷が瞬時に放電される。放電が終
わった後,LED4の逆方向電圧は並列に接続してあるダイ
オード8の順方向電圧で制限されるように構成されてい
る。また,差動トランジスタは,シリコンバイポーラト
ランジスタでもFET(電界効果トランジスタ)でも実現
できる。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は,従来の差動型LED駆動
回路に逆方向電流源用トランジスタと,逆電圧保護ダイ
オードを付加し,LEDに蓄積される電荷の放電を早めるよ
う構成しているため,LED高速変調を可能とする効果があ
る。
テムなどの光ディジタル送信回路に関し,特にLED駆動
回路に関する。 〔従来の技術〕 従来,光LANシステムなどの光ディジタル伝送路を構
成する発光素子として,信頼度がすぐれており安価なLE
D(発光ダイオード)がよく用いられている。 近年では,情報量の増大にともない光LANも高速大容
量化の要請が高まり,LEDを高速にスイッチングする手法
が必要となってきた。 第2図は従来用いられているLED駆動回路の一例であ
る。LED駆動回路は,LED4に流れる電流をスイッチングす
るための差動トランジスタ1,2および最大電流制御用電
流源3で構成されている。入力端子5および入力端子6
にはLED4をスイッチングするための互いに相補のディジ
タル電気信号が入力される。入力端子5への入力がハイ
レベル,入力端子6への入力がローレベルのときは,差
動トランジスタ2がオンとなり,コレクタ−エミッタ間
が低インピーダンスとなってLED4には順方向に駆動電流
が流れ,LED4は発光状態となる。次に,入力端子5への
入力がロー,入力端子6への入力がハイとなると,差動
トランジスタ2はオフとなり,コレクタ−エミッタ間が
高インピーダンスとなってLED4に流れる電流がカットさ
れ,LED4は消光状態となる。このようにして差動増幅ト
ランジスタをスイッチングすることにより,LED4の光強
度変調出力を得るものである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述した従来のLED駆動回路は,LED4が内部容量をもつ
ため,発光時に駆動電流によって電荷が蓄積される。こ
の蓄積電荷は第2図における差動トランジスタ2がオフ
となると,差動トランジスタのコレクタ−エミッタ間が
高インピーダンスとなって放電経路を失なう構成となっ
ている。LED4は順方向電流が小さくなると,LED4の内部
抵抗が大きくなる性質を有し,消光時のLED蓄積電荷は,
LED自身の内部容量と内部抵抗によって決まる時定数で
放電される。これにともない,LED4の発光が続くため,
従来回路では高速変調化が損われる欠点を有している。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明のLED駆動回路は,LEDの順方向電流スイッチ用
差動トランジスタ及び最大電流制御用電流源と,LEDの蓄
積電荷の放電を早めるための逆方向電流源用トランジス
タ及びLEDの逆方向電圧上昇を制限するための逆電圧保
護ダイオードを有している。 〔実施例〕 次に,本発明について図面を参照して説明する。 第1図は本発明の一実施例である。LED4の順方向電流
スイッチ用差動トランジスタ1,2の共通のエミッタに最
大電流制御用電流源3を接続して,LED駆動回路のスイッ
チングに必要な基本回路を構成している。差動トランジ
スタ2のコレクタにはLED4の逆方向電流源用トランジス
タ7のコレクタを接続する。同じく差動トランジスタ2
のコレクタにLED4の逆電圧保護ダイオード8のアノード
を接続し,カソードを接地する。発光素子であるLED4
は,差動トランジスタ2のコレクタにカソードを接続
し,アノードを接地する構成とした。 次に,動作原理につき説明する。 第1図において,差動トランジスタ2がオンの時,LED
4に最大電流制御回路で決定する電流IOと逆方向電流源
から流れ出る電流ICの差(IO−IC)が流れ,LED4は発光
状態となる。このときLED4は内部容量により順方向に電
荷が蓄積される。 次に,差動トランジスタ2がオフとなったとき,IO→
0となり,LED4に逆方向電流源から流れ出る電流ICが流
れ込み,LED4の蓄積電荷が瞬時に放電される。放電が終
わった後,LED4の逆方向電圧は並列に接続してあるダイ
オード8の順方向電圧で制限されるように構成されてい
る。また,差動トランジスタは,シリコンバイポーラト
ランジスタでもFET(電界効果トランジスタ)でも実現
できる。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は,従来の差動型LED駆動
回路に逆方向電流源用トランジスタと,逆電圧保護ダイ
オードを付加し,LEDに蓄積される電荷の放電を早めるよ
う構成しているため,LED高速変調を可能とする効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例,第2図は従来のLED駆動回
路である。 図において, 1,2:差動トランジスタ,3:最大電流制御用電流源,4:LED,
7:逆方向電流源用トランジスタ,8:逆電圧保護ダイオー
ド。
路である。 図において, 1,2:差動トランジスタ,3:最大電流制御用電流源,4:LED,
7:逆方向電流源用トランジスタ,8:逆電圧保護ダイオー
ド。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 1.対をなす順方向電流スイッチ用差動トランジスタの
共通のエミッタに最大電流制御用電流源を接続し、一方
の差動トランジスタのコレクタにLEDのカソードを接続
すると共に、アノードを接地してなり、前記対をなす差
動トランジスタの制御端子に互いに相補な電圧パルスを
印加して該差動トランジスタをスイッチングすることに
より、前記LEDの光強度変調を行うLED駆動回路におい
て、前記一方の差動トランジスタのコレクタに、前記LE
Dの逆方向電流源用トランジスタのコレクタを接続する
と共に、前記LEDの逆電圧保護ダイオードのアノードを
接続したことを特徴とするLED駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15879987A JP2771163B2 (ja) | 1987-06-27 | 1987-06-27 | Led駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15879987A JP2771163B2 (ja) | 1987-06-27 | 1987-06-27 | Led駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS645078A JPS645078A (en) | 1989-01-10 |
JP2771163B2 true JP2771163B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=15679606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15879987A Expired - Lifetime JP2771163B2 (ja) | 1987-06-27 | 1987-06-27 | Led駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2771163B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0472318A3 (en) * | 1990-08-06 | 1994-08-10 | At & T Corp | Led pulse shaping circuit |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5856271B2 (ja) * | 1978-12-26 | 1983-12-14 | 富士通株式会社 | 発光ダイオ−ド駆動回路 |
JPS5636176A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-09 | Hitachi Cable Ltd | Light emission diode drive circuit |
JPS57133685A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-18 | Hitachi Cable Ltd | Excitation circuit for light emitting element |
JPS587941A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-17 | Nec Corp | 半導体発光素子高速駆動回路 |
-
1987
- 1987-06-27 JP JP15879987A patent/JP2771163B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS645078A (en) | 1989-01-10 |
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