JPS587941A - 半導体発光素子高速駆動回路 - Google Patents
半導体発光素子高速駆動回路Info
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- JPS587941A JPS587941A JP56105612A JP10561281A JPS587941A JP S587941 A JPS587941 A JP S587941A JP 56105612 A JP56105612 A JP 56105612A JP 10561281 A JP10561281 A JP 10561281A JP S587941 A JPS587941 A JP S587941A
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- semiconductor light
- light emitting
- capacitor
- trq1
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
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- Led Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザダイオード又は発光ダイオード等の半
導体発光素子駆動回路に関し、特に、駆動速度を向上さ
せる回路構成に関する。
導体発光素子駆動回路に関し、特に、駆動速度を向上さ
せる回路構成に関する。
近年、光通信が発達するにつれて、その伝送容量の大容
量化がますます重要視されてきている。
量化がますます重要視されてきている。
このため、半導体発光素子であるレーザダイオ−ドおよ
び発光りゝ・イオー ド盾をＡ速に動作させる必侠があ
会。
び発光りゝ・イオー ド盾をＡ速に動作させる必侠があ
会。
従来の半導体ｙｉｌ光素子ｌｔＸ動回路の代表的な構成
番−１、第１図に示すように、トランジスタＱのエミッ
タに牛３穫体発）Ｙ、素子−１，Ｄを接ηｎ： Ｌ／た
エミッタ単１１２升（となっている。ぞし、て、トラン
ジスタＱのベースに正′「５位の制御）？ルス■）が印
７ノ［１され、該・ξルｘ Ｔ” Ｑ）ｉ’ｌｉ＋ Ｈ
がトランジスタＱをｊ幀パーイアスするに十分なだげ立
り乙と、川Ａ １ｆｆｆｌ＋ ｔｌ（帷Ｉが流ｉｔて半
導体発光素子ＬＤが発光開始する。一般に、Ｖ・尊体発
尤猷子、特に半導体ゝＩｊｔ光プ・イオード（Ｔ−ＥＤ
）の尤・？ルスの立上りは、次式で示される立上時間ｔ
、ｒによって決められる遅延時間を有する。
番−１、第１図に示すように、トランジスタＱのエミッ
タに牛３穫体発）Ｙ、素子−１，Ｄを接ηｎ： Ｌ／た
エミッタ単１１２升（となっている。ぞし、て、トラン
ジスタＱのベースに正′「５位の制御）？ルス■）が印
７ノ［１され、該・ξルｘ Ｔ” Ｑ）ｉ’ｌｉ＋ Ｈ
がトランジスタＱをｊ幀パーイアスするに十分なだげ立
り乙と、川Ａ １ｆｆｆｌ＋ ｔｌ（帷Ｉが流ｉｔて半
導体発光素子ＬＤが発光開始する。一般に、Ｖ・尊体発
尤猷子、特に半導体ゝＩｊｔ光プ・イオード（Ｔ−ＥＤ
）の尤・？ルスの立上りは、次式で示される立上時間ｔ
、ｒによって決められる遅延時間を有する。
ｔ ｒ ＝ｉ！ｎ ９ ＊ ［ｒ、＋ ４ＫＴＣ５ｚ
’ｑｉ ］ただ１−２、Ｃ８：？乏層電荷静′直容潅Ｉ
： 印刀口′（電流 Ｔ：給体温度（”Ｋ） １（：ボルツマン定数 ｑ：電量 （３） τ８：キャリア寿都時間 −Ｌ式中、ｃ＋＋１ｙｍ可流■以外のパラメータは、半
導体発電素子のＬ臣１牛によ゛つて定斗るが、開力１１
電流■は、駆動回路にＬつて定寸る。従つ−Ｃ１高速で
元パルスを立上らせるためには、印加電流■を大にする
必要がちる。
’ｑｉ ］ただ１−２、Ｃ８：？乏層電荷静′直容潅Ｉ
： 印刀口′（電流 Ｔ：給体温度（”Ｋ） １（：ボルツマン定数 ｑ：電量 （３） τ８：キャリア寿都時間 −Ｌ式中、ｃ＋＋１ｙｍ可流■以外のパラメータは、半
導体発電素子のＬ臣１牛によ゛つて定斗るが、開力１１
電流■は、駆動回路にＬつて定寸る。従つ−Ｃ１高速で
元パルスを立上らせるためには、印加電流■を大にする
必要がちる。
し７かるに、第１図に示ｌ−た従来の駆動回路において
Ｃ１、第２図（ａｔに示す」：うな制伺］、ｅルスＰを
印力１１すると、同図（ｌ〕）に示すような駆動電流Ｉ
が流りる。この駆動電流Ｉが犬きくないときは、上述の
ように半導体発″＃１参子Ｔ、 ｉ）の発光強度の立−
Ｌ時間が遅く、同図ｔｃ＋に曲線２１で示したような尤
パルスとなる。すなわち、元パルスｏｐのｆｆ、 、−
ｈ速度が遅くなるという欠点がある。この立上時間を早
めるためには、［ｔ＋ ７Ｊｌ電流■を大にしなければ
ならないため、高速かつ大室流容栖のトランジスタが必
要となる。かかるトランジスタは、非常に高価であるば
かりでなく、トランジスタの熱放散のために冷却装置を
用意する必要があり、駆動回路の小型化の支障となって
いる。また、入力パルスＰが（４） オフになるとトランジスタＱはオフするが、オン期間中
に半導体発光素子Ｌ Ｄの溶合コンデンザにＳ積された
電荷が直ちに放電することができないため、電流Ｉも若
干のａれを伴う（第２図（ｂ）の曲線２０＠照）と共に
、毘パルスＯＰの抜縁は、同図（ｃｌに曲線２４で示す
ように前記コンデンサの放電時間に依存ｔ２て［１１較
的低速度で低下する。毘パルスＯＰの立）りが遅れると
、次の元パルスの前縁２５に慾影臀を及汀す。このため
、伝送速度を増加させると、光・ξルス間での杓号間干
渉が増大して伝送品質の劣化を生じ、高速化が困離であ
る。
Ｃ１、第２図（ａｔに示す」：うな制伺］、ｅルスＰを
印力１１すると、同図（ｌ〕）に示すような駆動電流Ｉ
が流りる。この駆動電流Ｉが犬きくないときは、上述の
ように半導体発″＃１参子Ｔ、 ｉ）の発光強度の立−
Ｌ時間が遅く、同図ｔｃ＋に曲線２１で示したような尤
パルスとなる。すなわち、元パルスｏｐのｆｆ、 、−
ｈ速度が遅くなるという欠点がある。この立上時間を早
めるためには、［ｔ＋ ７Ｊｌ電流■を大にしなければ
ならないため、高速かつ大室流容栖のトランジスタが必
要となる。かかるトランジスタは、非常に高価であるば
かりでなく、トランジスタの熱放散のために冷却装置を
用意する必要があり、駆動回路の小型化の支障となって
いる。また、入力パルスＰが（４） オフになるとトランジスタＱはオフするが、オン期間中
に半導体発光素子Ｌ Ｄの溶合コンデンザにＳ積された
電荷が直ちに放電することができないため、電流Ｉも若
干のａれを伴う（第２図（ｂ）の曲線２０＠照）と共に
、毘パルスＯＰの抜縁は、同図（ｃｌに曲線２４で示す
ように前記コンデンサの放電時間に依存ｔ２て［１１較
的低速度で低下する。毘パルスＯＰの立）りが遅れると
、次の元パルスの前縁２５に慾影臀を及汀す。このため
、伝送速度を増加させると、光・ξルス間での杓号間干
渉が増大して伝送品質の劣化を生じ、高速化が困離であ
る。
本発明の目的は、上述の従来の欠点を解決し１、高速で
光パルスを発生させることができる半導体発光素子駆動
回路を提供することにある。
光パルスを発生させることができる半導体発光素子駆動
回路を提供することにある。
本発明の駆動回路は、スイッチング機能を有するーの導
電型の第１のトランジスタと、該第１のトランジスタと
反対の導電型の第２のトランジスタと、前記第１のトラ
ンジスタの電源側に接続された立上時間加速用のコンデ
ンサとを備え、前記第１と第２のトランジスタには、そ
れぞれ反対極性の電源を接続し他の電極は共通に接続ｌ
〜で半導体発電素子に接続し各制御入力にけ１α接又は
ダイオードを介して制御・ξルスを入力させるようにし
７にととを特徴とする。
電型の第１のトランジスタと、該第１のトランジスタと
反対の導電型の第２のトランジスタと、前記第１のトラ
ンジスタの電源側に接続された立上時間加速用のコンデ
ンサとを備え、前記第１と第２のトランジスタには、そ
れぞれ反対極性の電源を接続し他の電極は共通に接続ｌ
〜で半導体発電素子に接続し各制御入力にけ１α接又は
ダイオードを介して制御・ξルスを入力させるようにし
７にととを特徴とする。
々お上述の第１および第２のトランジスタは、ＮＰＮ）
う／ジスタとＰＮＰ ）ランジスタを用いてもよく、あ
るいけＮチャンネル′醒界効果トランジスタとＰチャン
ネル電界効果トランジスタを用いてもよいことは勿論で
ある。
う／ジスタとＰＮＰ ）ランジスタを用いてもよく、あ
るいけＮチャンネル′醒界効果トランジスタとＰチャン
ネル電界効果トランジスタを用いてもよいことは勿論で
ある。
次に、本発明について、図面を参照して詳細に説明する
。
。
第５図は、本発明の一実施例を示す回路図である。すな
わち、正電源十■と負電源−Ｖとの間に、Ｎ Ｐ Ｎ
ｔ−ランジスタＱ１のコレクタ、同エミッタ。
わち、正電源十■と負電源−Ｖとの間に、Ｎ Ｐ Ｎ
ｔ−ランジスタＱ１のコレクタ、同エミッタ。
ＰＮＰ ）ランジスタＱｚのエミッタ、同コレクタを直
列に接続し、トランジスタＱｌおよびＱ！のエミッタど
うしの接続点とアース間に半導体発光素子ＬＤを接続す
る。いわゆる相補型エミッタホロワ形式の接続である。
列に接続し、トランジスタＱｌおよびＱ！のエミッタど
うしの接続点とアース間に半導体発光素子ＬＤを接続す
る。いわゆる相補型エミッタホロワ形式の接続である。
トランジスタＱｌ、Ｑｓのば−スは共通に接続して制御
パルスＰの入力端子とする。そして、トランジスタＱ１
のコレクタは、立上時間加速用のコンデンサＣにより接
地された構成である。
パルスＰの入力端子とする。そして、トランジスタＱ１
のコレクタは、立上時間加速用のコンデンサＣにより接
地された構成である。
次に、本実施例の動作について説明する。第４図（ａｌ
に示すような制御）ξルスＰを印加すると、トランジス
タＱ１がオンし、電源十Ｖから電流Ｉｌが流入［７、同
時にコンデンサＣに充電されていたｍ荷によって′混流
■。が流入する。従って半導体発光素子■、Ｄに流れる
市；流は■１ とＩｃの和になり第４図（ｂｌに曲線４
１で示すような過渡電流が流れる。
に示すような制御）ξルスＰを印加すると、トランジス
タＱ１がオンし、電源十Ｖから電流Ｉｌが流入［７、同
時にコンデンサＣに充電されていたｍ荷によって′混流
■。が流入する。従って半導体発光素子■、Ｄに流れる
市；流は■１ とＩｃの和になり第４図（ｂｌに曲線４
１で示すような過渡電流が流れる。
すなわち、′電源−１−ＶとトランジスタＱｌ のコレ
クタ間に存在する抵抗、インダクタンス等によって制限
されかつ遅れを伴う電流Ｉ、のみでなく、コンデンサＣ
に充電されてい＊ 電４＋７により直接流入する電流Ｉ
Ｑが流れるため瞬間的に大電流が流れることになる。立
上り電流が大であると、前述したように、光パルス０１
）の立」−り時間ｔｒが小となる。
クタ間に存在する抵抗、インダクタンス等によって制限
されかつ遅れを伴う電流Ｉ、のみでなく、コンデンサＣ
に充電されてい＊ 電４＋７により直接流入する電流Ｉ
Ｑが流れるため瞬間的に大電流が流れることになる。立
上り電流が大であると、前述したように、光パルス０１
）の立」−り時間ｔｒが小となる。
従って、第４図（ｅｌに示す光・ｅルスＯＰの波形は、
ｎ−１−リ部分４５が急峻になっている。過渡状態の後
は、第４図（ｂ）の曲＃ｉ！４２で示すように電源→−
■（７） とｌ・ランジスタＱｌのコレクタ間の配線抵抗等によっ
て制限された電流Ｉが流れる。従ってトランジスタＱ＋
は比較的低電力のものでよいから、駆動回路の小型化、
経済化が可能である。
ｎ−１−リ部分４５が急峻になっている。過渡状態の後
は、第４図（ｂ）の曲＃ｉ！４２で示すように電源→−
■（７） とｌ・ランジスタＱｌのコレクタ間の配線抵抗等によっ
て制限された電流Ｉが流れる。従ってトランジスタＱ＋
は比較的低電力のものでよいから、駆動回路の小型化、
経済化が可能である。
次に、制御パルスＰがオフすると、ＮＰＮ）ランジスタ
Ｑ１はオフとなる。一方、ＰＮＰトランジスタＱ２のエ
ミッタは、半導体発光素子Ｌ Ｄの接合コンデンサに蓄
えられた電荷により正電位であるため、ＰＮＩ））ラン
ジスタＱ２は順方向にバイアスされてメン状態となる。
Ｑ１はオフとなる。一方、ＰＮＰトランジスタＱ２のエ
ミッタは、半導体発光素子Ｌ Ｄの接合コンデンサに蓄
えられた電荷により正電位であるため、ＰＮＩ））ラン
ジスタＱ２は順方向にバイアスされてメン状態となる。
従って、半導体発光素子Ｉ、Ｄの蓄積電荷は第３図に電
流Ｉ。ｆｆで示したＪ：うに流れて負′東源−Ｖ側に引
抜かれる。この過渡電流Ｉ。ｆｆは、第４図（ｂ）の曲
線４３で示すように、瞬時に流れて蓄積′電荷を高速度
で除去する。従って元パルスｏｐｏｖｚ縁は、第４図（
ｅｌの曲線４６で示すように高速で立下る。以上のよう
に、本実施例では、制御パルスのオン、オフに従って、
光・ξルスＯＰは高速に立上り又は立下るから、高速駆
動が可能となる効果がある。
流Ｉ。ｆｆで示したＪ：うに流れて負′東源−Ｖ側に引
抜かれる。この過渡電流Ｉ。ｆｆは、第４図（ｂ）の曲
線４３で示すように、瞬時に流れて蓄積′電荷を高速度
で除去する。従って元パルスｏｐｏｖｚ縁は、第４図（
ｅｌの曲線４６で示すように高速で立下る。以上のよう
に、本実施例では、制御パルスのオン、オフに従って、
光・ξルスＯＰは高速に立上り又は立下るから、高速駆
動が可能となる効果がある。
第５図は、トランジスタＱ１およびＱ２を能動（８〉
領域で動作させるために抵抗ＲＩ ＋ Ｒ２＋ ダイ
オードＤＩ ＋ Ｄ２等のバイアス回路をベース端子
に接続Ｌ＝たこと以外は一ヒ述の実施例と同様である。
オードＤＩ ＋ Ｄ２等のバイアス回路をベース端子
に接続Ｌ＝たこと以外は一ヒ述の実施例と同様である。
この場合は、トランジスタＱ＋ 、Ｑ２を能動領域で動
作させているため、より高速動作が可能となる。
作させているため、より高速動作が可能となる。
第６図は、相補型電界効果トランジスタを使用した実施
例を示す回路図である。すなわち、Ｎチャンネル電界効
果トランジスタＱ３のドレインに正￥４．源十Ｖを接続
し、Ｐチャンネル′屯界効果トランジスタＱ４のドレイ
ンに負電源−■を接続し、両トランジスタのソースを共
通に接続して半導体発光素子Ｌ Ｄを駆動する。そして
、両トランジスタのゲートを共通に接続して制御パルス
Ｐを人力さ什る。また、トランジスタＱ３のドレイ／に
は立上時間７１１１連用のコンデンサＣが接続されてい
る。
例を示す回路図である。すなわち、Ｎチャンネル電界効
果トランジスタＱ３のドレインに正￥４．源十Ｖを接続
し、Ｐチャンネル′屯界効果トランジスタＱ４のドレイ
ンに負電源−■を接続し、両トランジスタのソースを共
通に接続して半導体発光素子Ｌ Ｄを駆動する。そして
、両トランジスタのゲートを共通に接続して制御パルス
Ｐを人力さ什る。また、トランジスタＱ３のドレイ／に
は立上時間７１１１連用のコンデンサＣが接続されてい
る。
この場合も前述と同様に、オン時にはコンデンサＣの放
電電流によって駆動電流Ｉを瞬時に大にし、オフ時には
、トランジスタＱ４のオンにより蓄積電荷の引抜き電流
■。ｆｆが流れるため、光パルス０Ｐの立−Ｌす、立下
り時間は小となり高速駆動が可能である。
電電流によって駆動電流Ｉを瞬時に大にし、オフ時には
、トランジスタＱ４のオンにより蓄積電荷の引抜き電流
■。ｆｆが流れるため、光パルス０Ｐの立−Ｌす、立下
り時間は小となり高速駆動が可能である。
第７図は、立上時間加速用のコンデンサとして、中心導
体Ｃ１と外部導体Ｃ２から成る終端開放の同軸ケーブル
を使用した実施例を示す。すなわち、中心導体Ｃ１をト
ランジスタＱｌのコレクタに接続し、外部導体Ｃ，はア
ースに接続されている。
体Ｃ１と外部導体Ｃ２から成る終端開放の同軸ケーブル
を使用した実施例を示す。すなわち、中心導体Ｃ１をト
ランジスタＱｌのコレクタに接続し、外部導体Ｃ，はア
ースに接続されている。
また、第８図は容量性スタブをストリップライン８Ｔに
よって実現した実施例を示す。いずれの場合においても
トランジスタＱ１のコレクタは大地に対して容量性のス
タブに接続されているため、第３図に示した実施例と同
様な動作により同様な効果を奏する。
よって実現した実施例を示す。いずれの場合においても
トランジスタＱ１のコレクタは大地に対して容量性のス
タブに接続されているため、第３図に示した実施例と同
様な動作により同様な効果を奏する。
以上のように、本発明においては、制御パルスのオン時
には立上時間加速用のコンデンサにより高速かつ瞬間的
大電流により駆動し、制御パルスオフ時には反対導ｉｔ
型の第２のトランジスタスイッチによって半導体発光素
子の蓄積電荷を急速に引抜くように構成されているから
、半導体発光素子の高速駆動が可能になる効果がある。
には立上時間加速用のコンデンサにより高速かつ瞬間的
大電流により駆動し、制御パルスオフ時には反対導ｉｔ
型の第２のトランジスタスイッチによって半導体発光素
子の蓄積電荷を急速に引抜くように構成されているから
、半導体発光素子の高速駆動が可能になる効果がある。
また、そのためにトランジスタスイッチング素子の電力
容量を増加させる必要はないから、小型かつ安価に提供
することができる。
容量を増加させる必要はないから、小型かつ安価に提供
することができる。
第１図は従来の半導体発光素子駆動回路の一例を示す回
路図、第２図は上記従来例の駆動電流および光パルスの
波形を示す波形図、第６図は本発明の一実施例を示す回
路図、第４図は上記実施例の〃（Ｋ動電流および光パル
スを示す波ノヒ図、第５図はトランジスタスイッチを能
動領域で動作させた場合の実施例を示す回路図、第６図
は電界効果トランジスタを使用した場合の実施例を示す
回路図、第７図および第８図は立上時間加速用のコンデ
ンサの代りに終端開放の同軸ケーブルおよびス） ＩＪ
ツブラインを用いた実施例を示す回路図である。 図において、Ｐ・・・制御パルス、■・・・駆動電流、
ＯＰ・・・元パルス、Ｃ・・・立−Ｆ時間加速用コンデ
ンサ、Ｑｌ・・・ＮＰＮトランジスタ、Ｑｓ ・・・Ｐ
ＮＰ ）ランジスタ、Ｑｓ・・・Ｎチャンネル電界効果
トランジスタ、Ｑ４・・・Ｐチャンネル電界効果トラン
ジスタ、（１１） Ｌ Ｉ）・半導体発光素子。 代理人 升理土 住 １）俊 宗 （１２） 第１図 第２図 第３図 一■ 第４図 第５図 十ｖ −■ 第６因 ｌ０ＦＦ Ｖ −■ 第８因 峠Ｖ
路図、第２図は上記従来例の駆動電流および光パルスの
波形を示す波形図、第６図は本発明の一実施例を示す回
路図、第４図は上記実施例の〃（Ｋ動電流および光パル
スを示す波ノヒ図、第５図はトランジスタスイッチを能
動領域で動作させた場合の実施例を示す回路図、第６図
は電界効果トランジスタを使用した場合の実施例を示す
回路図、第７図および第８図は立上時間加速用のコンデ
ンサの代りに終端開放の同軸ケーブルおよびス） ＩＪ
ツブラインを用いた実施例を示す回路図である。 図において、Ｐ・・・制御パルス、■・・・駆動電流、
ＯＰ・・・元パルス、Ｃ・・・立−Ｆ時間加速用コンデ
ンサ、Ｑｌ・・・ＮＰＮトランジスタ、Ｑｓ ・・・Ｐ
ＮＰ ）ランジスタ、Ｑｓ・・・Ｎチャンネル電界効果
トランジスタ、Ｑ４・・・Ｐチャンネル電界効果トラン
ジスタ、（１１） Ｌ Ｉ）・半導体発光素子。 代理人 升理土 住 １）俊 宗 （１２） 第１図 第２図 第３図 一■ 第４図 第５図 十ｖ −■ 第６因 ｌ０ＦＦ Ｖ −■ 第８因 峠Ｖ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） スイッチング機能を有するーの導電型の第１
のトランジスタと、該第１のトランジスタと反対の導電
型の第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタの
電源側に接続された立上時間加速用のコンデンサとを備
え、前記第１と第２のトランジスタには、それぞれ反対
極性の電源を接続し他の電極は共通に接続して半導体発
光素子に接続し各制御入力には直接又はダイオードを介
して制御パルスを入力させるようにしたことを％徴とす
る半導体発光素子高速駆動回路。 （２、特許請求の範囲第１項記載の半導体発光素子高速
駆動回路において、前記第１のトランジスタをＮＰＮ）
ランジスタで構成し、前記第２のトランジスタをＰＮＰ
）ランジスタで構成し、上記第１および第２のトランジ
スタのエミッタを共通接続して半導体発光素子に接続し
、前記ＮＰＮ）ランジスタのコレクタに前起立上時間加
速用コンデンサを接続したことを特徴とするもの。 （３）特許請求の範囲第１項記載の半導体発光素子高速
駆動回路において、前記第１のトランジスタをＮチャン
ネル電界効果トランジスタで構成し、前記第２のトラン
ジスタをＰチャンネル電界効果トランジスタで構成し、
前記Ｎチャンネル電界効果トランジスタのソース端子と
前記Ｐチャンネル電界効果トランジスタのソース端子と
を共通接続して半導体発光素子に接続し、前記Ｎチャン
ネル電界効果トランジスタのドレイン端子に前記立上時
間加速用コンデンサを接続したことを特徴とするもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56105612A JPS587941A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 半導体発光素子高速駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56105612A JPS587941A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 半導体発光素子高速駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587941A true JPS587941A (ja) | 1983-01-17 |
| JPS625543B2 JPS625543B2 (ja) | 1987-02-05 |
Family
ID=14412317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56105612A Granted JPS587941A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 半導体発光素子高速駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587941A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS61288530A (ja) * | 1985-06-15 | 1986-12-18 | Kyosan Electric Mfg Co Ltd | 光デ−タ伝送装置のフエ−ルセ−フ駆動回路 |
| US4633525A (en) * | 1982-12-14 | 1986-12-30 | Thomson Csf | Light-emitting diode device for suppressing thermal time-constant effects |
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| JPH02110855U (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-05 | ||
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