JPS61230438A - 光送信器 - Google Patents
光送信器Info
- Publication number
- JPS61230438A JPS61230438A JP60070314A JP7031485A JPS61230438A JP S61230438 A JPS61230438 A JP S61230438A JP 60070314 A JP60070314 A JP 60070314A JP 7031485 A JP7031485 A JP 7031485A JP S61230438 A JPS61230438 A JP S61230438A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- signal
- light emitting
- semiconductor light
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光送信器の＾連化に関するものである。
第３図は例えば電子通信学会技術研究報告０ＱＥ８２−
９６に示された従来の光送信器の回路構成を示す図であ
り９図において（１）は信号大刀端子、（２）はＦＥＴ
、（３１はこのＦＥＴのバイアス用抵抗、（４）はバイ
アス用電源端子、（５）はＦＥＴのソース端子。
９６に示された従来の光送信器の回路構成を示す図であ
り９図において（１）は信号大刀端子、（２）はＦＥＴ
、（３１はこのＦＥＴのバイアス用抵抗、（４）はバイ
アス用電源端子、（５）はＦＥＴのソース端子。
（６）は半導体発光素子、（７）は半導体発光素子とＰ
ＥＴのドレイン間に接続された抵抗、（８）はこの抵抗
に並列接続されたコンデンサ、（９）は同軸短絡反射線
路である。第４図は、第３図の各部の信号波形を示す図
である。
ＥＴのドレイン間に接続された抵抗、（８）はこの抵抗
に並列接続されたコンデンサ、（９）は同軸短絡反射線
路である。第４図は、第３図の各部の信号波形を示す図
である。
従来の光送信器は上記のように構成され、信号入力端子
山に第４図（ａ）に示すような２値信号が加えられると
、信号が Ｈｌｔ（ｈ のときＦ Ｅ Ｔ （２１は
導通し、信号がＬｏｗ のときはＦ ＥＴ １２＋は
しゃ断となるので、ＦＩＴ！２１のドレイン電圧は第４
図（ｂ）のようになる。また、 Ｆ Ｋ Ｔ ＋２１の
ドレインには同軸短絡反射線路１９）が接続されていて
、同軸短絡反射線路（９）をパルスが往鎮する遅延時間
を、伝送する信号波形のパルス幅と同じ時間に設定すれ
ば。
山に第４図（ａ）に示すような２値信号が加えられると
、信号が Ｈｌｔ（ｈ のときＦ Ｅ Ｔ （２１は
導通し、信号がＬｏｗ のときはＦ ＥＴ １２＋は
しゃ断となるので、ＦＩＴ！２１のドレイン電圧は第４
図（ｂ）のようになる。また、 Ｆ Ｋ Ｔ ＋２１の
ドレインには同軸短絡反射線路１９）が接続されていて
、同軸短絡反射線路（９）をパルスが往鎮する遅延時間
を、伝送する信号波形のパルス幅と同じ時間に設定すれ
ば。
Ｆ Ｅ Ｔ （２＋のドレイン電圧が ＬＯＷ から
Ｈｌｇｈに変化するときに、第４図（Ｃンに示す様に
Ｆ Ｂ Ｔ ！２）のドレイン電圧と逆極性のパルスが
Ｆ Ｅ Ｔ （２）のドレインに加わる。したがって、
ＦＥＴ（２１のドレイン電圧は第４図（ｄ）のように変
化することになる。第４図（ｄ）に示した電圧波形が抵
抗（７）とコンデンサ（８）で構成された微分回路を通
して発光素子（６）に印加される。したがって、波形の
変化点での１駆動インピーダンスは小さくなり、定常状
態では抵抗（７）の値となる。その結果１発光素子（６
１の駆動電流にはピーキングがかかり、その波形は第４
図（＠）のようになる。そのため９発光素子（６）の光
出力波形の立上り、立下り時間は速くなる。
Ｈｌｇｈに変化するときに、第４図（Ｃンに示す様に
Ｆ Ｂ Ｔ ！２）のドレイン電圧と逆極性のパルスが
Ｆ Ｅ Ｔ （２）のドレインに加わる。したがって、
ＦＥＴ（２１のドレイン電圧は第４図（ｄ）のように変
化することになる。第４図（ｄ）に示した電圧波形が抵
抗（７）とコンデンサ（８）で構成された微分回路を通
して発光素子（６）に印加される。したがって、波形の
変化点での１駆動インピーダンスは小さくなり、定常状
態では抵抗（７）の値となる。その結果１発光素子（６
１の駆動電流にはピーキングがかかり、その波形は第４
図（＠）のようになる。そのため９発光素子（６）の光
出力波形の立上り、立下り時間は速くなる。
〔発明が解決しようとする問題点３
以上の様に従来の光送信器は構成されていて。
同軸短絡反射線路（９）を用いて信号波形の立下り時に
逆バイアスパルスを印加することにより光出力波形の立
下り時間を速くしているので、伝送する信号のパルス幅
が変化すると同軸短絡反射線路（９）の遅延時間を変化
させなければならないという欠点があった。
逆バイアスパルスを印加することにより光出力波形の立
下り時間を速くしているので、伝送する信号のパルス幅
が変化すると同軸短絡反射線路（９）の遅延時間を変化
させなければならないという欠点があった。
この発明はこの様な欠点を解決するためになされたもの
で、任意のパルス幅の信号で動作する高速の光送信器を
得ることを目的としている。
で、任意のパルス幅の信号で動作する高速の光送信器を
得ることを目的としている。
この発明による光送信器は、２個の電流切換スイッチを
用い、それぞれの電流切換スイッチに接続された半導体
発光素子と抵抗間にコンデンサを接続したものである。
用い、それぞれの電流切換スイッチに接続された半導体
発光素子と抵抗間にコンデンサを接続したものである。
この発明においては、２個の電流切換スイッチ間をコン
デンサで結合しているため、任意のパルス幅の篤速信号
を駆動することができる。
デンサで結合しているため、任意のパルス幅の篤速信号
を駆動することができる。
第１図はこの発明の一実施例の回路構成を示す図であり
、（１）は信号入力端子、（６）は半導体発光素子、
ｌｉ＋）はゲート回路、αυは第１の電流切換スイッチ
、Ｈ（１３は第１の電流切換スイッチを構成するトラン
ジスタ、（１４Ｈ工第２の電流切換スイッチ、αｈｅは
第２の電流切換スイッチヲ構成するトランジスタ、Ｑカ
はコンデンサ、 （Ｉｌは抵抗、 （１４１（至）は定
電流源。
、（１）は信号入力端子、（６）は半導体発光素子、
ｌｉ＋）はゲート回路、αυは第１の電流切換スイッチ
、Ｈ（１３は第１の電流切換スイッチを構成するトラン
ジスタ、（１４Ｈ工第２の電流切換スイッチ、αｈｅは
第２の電流切換スイッチヲ構成するトランジスタ、Ｑカ
はコンデンサ、 （Ｉｌは抵抗、 （１４１（至）は定
電流源。
Ｑυはバイアス電圧印加端子である。第２図は第１図に
示した回路の各部の信号波形を示す図である。
示した回路の各部の信号波形を示す図である。
上記のように構成された光送信器において、第２図（ａ
）に示したよりな２値信号が信号入力端子（！１に印加
されると、ゲート回路（ＩＩを通して、第１及び第２の
電流切換スイッチ住υ、（１４に印加され、信それぞれ
足電流源α傷及び（ホ）の電流値の電流が流れトランジ
スタ０階、αｅはしゃ断となる。信号がＬｏｗのときト
ランジスタａ２ 、α荀はしゃ断となり、トランジスタ
ー、αｅは導通となる。したがって、トランジスタａ３
のコレクタ電圧は入力信号に対応して第２図（ｂ）の様
になる。そこで、抵抗Ｑ８の値を、半導体発光素子（６
）の内部抵抗より大きくしておけば。
）に示したよりな２値信号が信号入力端子（！１に印加
されると、ゲート回路（ＩＩを通して、第１及び第２の
電流切換スイッチ住υ、（１４に印加され、信それぞれ
足電流源α傷及び（ホ）の電流値の電流が流れトランジ
スタ０階、αｅはしゃ断となる。信号がＬｏｗのときト
ランジスタａ２ 、α荀はしゃ断となり、トランジスタ
ー、αｅは導通となる。したがって、トランジスタａ３
のコレクタ電圧は入力信号に対応して第２図（ｂ）の様
になる。そこで、抵抗Ｑ８の値を、半導体発光素子（６
）の内部抵抗より大きくしておけば。
トランジスタＩのコレクタ電圧の変動分が第２図（ｃ）
のようにコンデンサσ乃全通して半導体発光素子（６）
に印加される。したがって、半導体発光素子（６）をη
すれる電流は第２図（ｄ）のように、その立上り及び立
下りにおいてピーキングがかかった波形となり、その結
果光出力波形の立上り、立下り時間は速くなる。
のようにコンデンサσ乃全通して半導体発光素子（６）
に印加される。したがって、半導体発光素子（６）をη
すれる電流は第２図（ｄ）のように、その立上り及び立
下りにおいてピーキングがかかった波形となり、その結
果光出力波形の立上り、立下り時間は速くなる。
この発明は以上説明したとおり、２個の電流切換スイッ
チをコンデンサで結合することによりピーキングをかけ
、光出力波形の立上り、立下り時間を速くしているため
、任意のパルス幅の信号を駆動できる効果がある。
チをコンデンサで結合することによりピーキングをかけ
、光出力波形の立上り、立下り時間を速くしているため
、任意のパルス幅の信号を駆動できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の回路構成を示す図、第２
図は第１図に示した回路構成の各部の信号波形を示す図
、第３図は従来の光送信器の回路構成を示す図、第４図
は第３図に示した回路構成の各部の信号波形を示す図で
ある。 図において、（ｌ）は信号入力端子、（２）はＦＢＴ。 （３）はバイアス用抵抗、（４）はバイアス用電源端子
。 （５）はＦＥＴのソース端子、（６）は半導体発光素子
。 （７）ハ抵抗、（８）はコンデンサ、（９）は同軸短絡
反射線路、Ｑψはゲート回路、αυは第１の電流切換ス
イッチ、ｉＩ３．αＪはトランジスタ、Ｑ４）は第２の
電流切換スイッチ、 ｕｉａ 、 （ｌ［９はトランジ
スタ、ａ？）はコンデンサ、Ｑ砂は抵抗、ｉｔ！１．（
至）は定電流源、ｒ２υはバイアス電圧印加端子である
。 な２．各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図は第１図に示した回路構成の各部の信号波形を示す図
、第３図は従来の光送信器の回路構成を示す図、第４図
は第３図に示した回路構成の各部の信号波形を示す図で
ある。 図において、（ｌ）は信号入力端子、（２）はＦＢＴ。 （３）はバイアス用抵抗、（４）はバイアス用電源端子
。 （５）はＦＥＴのソース端子、（６）は半導体発光素子
。 （７）ハ抵抗、（８）はコンデンサ、（９）は同軸短絡
反射線路、Ｑψはゲート回路、αυは第１の電流切換ス
イッチ、ｉＩ３．αＪはトランジスタ、Ｑ４）は第２の
電流切換スイッチ、 ｕｉａ 、 （ｌ［９はトランジ
スタ、ａ？）はコンデンサ、Ｑ砂は抵抗、ｉｔ！１．（
至）は定電流源、ｒ２υはバイアス電圧印加端子である
。 な２．各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- ２値データに対応して電流の経路を切換える第１及び第
２の電流切換スイッチと、同相で切換えられる上記第１
及び第２の電流切換スイッチの端子間に接続されたコン
デンサと、コンデンサが接続された上記第１の電流切換
スイッチの端子に接続された半導体発光素子と、コンデ
ンサが接続された上記第２の電流切換スイッチの端子に
接続された抵抗とを備えたことを特徴とする光送信器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60070314A JPS61230438A (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | 光送信器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60070314A JPS61230438A (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | 光送信器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61230438A true JPS61230438A (ja) | 1986-10-14 |
| JPH0380378B2 JPH0380378B2 (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=13427866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60070314A Granted JPS61230438A (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | 光送信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61230438A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0472318A3 (en) * | 1990-08-06 | 1994-08-10 | At & T Corp | Led pulse shaping circuit |
| EP1152532A3 (en) * | 2000-04-12 | 2003-10-29 | Infineon Technologies North America Corp. | Mos-gated photo-coupled relay having a reduced turn-on time |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5739593A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-04 | Nec Corp | Driving circuit of semiconductor light emitting element |
| JPS587941A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-17 | Nec Corp | 半導体発光素子高速駆動回路 |
-
1985
- 1985-04-03 JP JP60070314A patent/JPS61230438A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5739593A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-04 | Nec Corp | Driving circuit of semiconductor light emitting element |
| JPS587941A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-17 | Nec Corp | 半導体発光素子高速駆動回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0472318A3 (en) * | 1990-08-06 | 1994-08-10 | At & T Corp | Led pulse shaping circuit |
| EP1152532A3 (en) * | 2000-04-12 | 2003-10-29 | Infineon Technologies North America Corp. | Mos-gated photo-coupled relay having a reduced turn-on time |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0380378B2 (ja) | 1991-12-24 |
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