JPH0224420B2 - - Google Patents
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- JPH0224420B2 JPH0224420B2 JP58120974A JP12097483A JPH0224420B2 JP H0224420 B2 JPH0224420 B2 JP H0224420B2 JP 58120974 A JP58120974 A JP 58120974A JP 12097483 A JP12097483 A JP 12097483A JP H0224420 B2 JPH0224420 B2 JP H0224420B2
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- Japan
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- light emitting
- emitting diode
- electrical signal
- circuit
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 43
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光ダイオードを用いて高速伝送速度
の論理電気信号を光パルス信号に変換して光伝送
路を送出する光送信回路の改良に関するものであ
る。
の論理電気信号を光パルス信号に変換して光伝送
路を送出する光送信回路の改良に関するものであ
る。
従来この種の光送信回路は、あとに詳しく説明
するが、発光ダイオードのアノード側に直流電圧
源と抵抗体の直列回路を接続し、カソード側に
TTL論理ゲート素子の並列接続回路を接続し、
この並列回路の入力端子に論理電気信号レベル
“１”および“０”を入力して、このレベル“１”
に対応する部分に光パルス信号を得るようにして
いた。しかし乍らこのような回路構成では、論理
電気信号レベル“０”になつたときに発光ダイオ
ードのアノードカソード間内部に蓄積された電荷
のTTL論理ゲート素子の並列接続回路を通して
の放電時間が長く掛つて発光ダイオードの消光速
度（立下り速度）が遅くなり、これにより高速対
応性が劣化するという欠点があつた。
するが、発光ダイオードのアノード側に直流電圧
源と抵抗体の直列回路を接続し、カソード側に
TTL論理ゲート素子の並列接続回路を接続し、
この並列回路の入力端子に論理電気信号レベル
“１”および“０”を入力して、このレベル“１”
に対応する部分に光パルス信号を得るようにして
いた。しかし乍らこのような回路構成では、論理
電気信号レベル“０”になつたときに発光ダイオ
ードのアノードカソード間内部に蓄積された電荷
のTTL論理ゲート素子の並列接続回路を通して
の放電時間が長く掛つて発光ダイオードの消光速
度（立下り速度）が遅くなり、これにより高速対
応性が劣化するという欠点があつた。
したがつて本発明の目的は高速対応性のある光
送信回路、より具体的にいえば使用する発光ダイ
オードの立下り速度の早い光送信回路を得ようと
するものである。
送信回路、より具体的にいえば使用する発光ダイ
オードの立下り速度の早い光送信回路を得ようと
するものである。
本発明は以上の目的を達成するために、論理電
気信号のレベル“０”のとき発光ダイオードのア
ノード側にカソード側の電位より低くなる一定の
電位を供給して発光ダイオードを逆バイアス状態
にする駆動回路を設けるようにしたものである。
気信号のレベル“０”のとき発光ダイオードのア
ノード側にカソード側の電位より低くなる一定の
電位を供給して発光ダイオードを逆バイアス状態
にする駆動回路を設けるようにしたものである。
本発明によれば、発光ダイオードにより論理電
気信号を光パルス信号に変換して光伝送路へ送出
する光送信回路において、前記発光ダイオードの
アノード側に、第１のTTL論理ゲート素子の並
列接続回路および該第１のTTL論理ゲート素子
の出力側に片端を接続された第１の抵抗体からな
る第１の直列回路と、定電流を供給するための直
流電圧源および該直流電圧源の出力端に片端を接
続され前記第１の抵抗体の他端に他の片端を接続
された第２の抵抗体からなる第２の直列回路とか
ら構成された第１の駆動回路を設け、前記発光ダ
イオードのカソード側に、第２のTTL論理ゲー
ト素子の並列接続回路で構成された第２の駆動回
路とを設けて成り、前記第１の駆動回路が前記論
理電気信号のレベル“１”のとき定電流を供給し
前記論理電気信号のレベル“０”のとき一定の電
位V1を供給し、前記第２の駆動回路が、前記論
理電気信号のレベル“１”のとき低インピーダン
スの接地電位を供給し前記論理電気信号のレベル
“０”のとき一定の電位V2を供給し、而して前記
一定の電位V1と前記一定の電位V2との関係がV1
≦V2となるように設定してあることを特徴とす
る光送信回路が得られる。
気信号を光パルス信号に変換して光伝送路へ送出
する光送信回路において、前記発光ダイオードの
アノード側に、第１のTTL論理ゲート素子の並
列接続回路および該第１のTTL論理ゲート素子
の出力側に片端を接続された第１の抵抗体からな
る第１の直列回路と、定電流を供給するための直
流電圧源および該直流電圧源の出力端に片端を接
続され前記第１の抵抗体の他端に他の片端を接続
された第２の抵抗体からなる第２の直列回路とか
ら構成された第１の駆動回路を設け、前記発光ダ
イオードのカソード側に、第２のTTL論理ゲー
ト素子の並列接続回路で構成された第２の駆動回
路とを設けて成り、前記第１の駆動回路が前記論
理電気信号のレベル“１”のとき定電流を供給し
前記論理電気信号のレベル“０”のとき一定の電
位V1を供給し、前記第２の駆動回路が、前記論
理電気信号のレベル“１”のとき低インピーダン
スの接地電位を供給し前記論理電気信号のレベル
“０”のとき一定の電位V2を供給し、而して前記
一定の電位V1と前記一定の電位V2との関係がV1
≦V2となるように設定してあることを特徴とす
る光送信回路が得られる。
また本発明によれば、発光ダイオードにより論
理電気信号を光パルス信号に変換して光伝送路へ
送出する光送信回路において、前記発光ダイオー
ドのアノード側に、第１のトランジスタと、定電
流を供給するための直流電圧源および該直流電圧
源の出力端に片端を接続され前記第１のトランジ
スタのコレクタ側に他の片端を接続された抵抗体
からなる直列回路とから構成された第１の駆動回
路を設け、前記発光ダイオードのカソード側に、
第２のトランジスタで構成された第２の駆動回路
を設けて成り、前記第１の駆動回路が、前記論理
電気信号のレベル“１”のとき定電流を供給し前
記論理電気信号のレベル“０”のとき一定の電位
V1を供給し、前記第２の駆動回路が、前記論理
電気信号のレベル“１”のとき低インピーダンス
の接地電位を供給し前記論理電気信号のレベル
“０”のとき一定の電位V2を供給し、而して前記
一定の電位V1と前記一定の電位V2との関係がV1
≦V2となるように設定してあることを特徴とす
る光送信回路が得られる。
理電気信号を光パルス信号に変換して光伝送路へ
送出する光送信回路において、前記発光ダイオー
ドのアノード側に、第１のトランジスタと、定電
流を供給するための直流電圧源および該直流電圧
源の出力端に片端を接続され前記第１のトランジ
スタのコレクタ側に他の片端を接続された抵抗体
からなる直列回路とから構成された第１の駆動回
路を設け、前記発光ダイオードのカソード側に、
第２のトランジスタで構成された第２の駆動回路
を設けて成り、前記第１の駆動回路が、前記論理
電気信号のレベル“１”のとき定電流を供給し前
記論理電気信号のレベル“０”のとき一定の電位
V1を供給し、前記第２の駆動回路が、前記論理
電気信号のレベル“１”のとき低インピーダンス
の接地電位を供給し前記論理電気信号のレベル
“０”のとき一定の電位V2を供給し、而して前記
一定の電位V1と前記一定の電位V2との関係がV1
≦V2となるように設定してあることを特徴とす
る光送信回路が得られる。
次に図面を参照して詳細に説明する。
第１図は発光ダイオードを用いた従来における
光送信回路の構成を示す図である。第１図におい
て、１は入力端、２はTTL論理ゲート素子の並
列接続回路、３は発光ダイオード、４は直流電圧
源、５抵抗体である。入力端１には論理電気信号
のレベル“１”又は“０”が入力される。論理電
気信号のレベル“１”のときTTL論理ゲート素
子の並列接続回路２では低インピーダンスの接地
電位が発光ダイオード３のカソード側に供給され
て、直流電圧源６から抵抗体７を介した直流定電
流が発光ダイオード３のアノード側に供給される
ことにより、発光ダイオード３から光パルス信号
が出力される。一方、論理電気信号のレベル
“０”のときTTL論理ゲート素子の並列接続回路
２ではその出力電位V3が発光ダイオード３のカ
ソード側に供給され、又直流電圧源６からの電位
V4が抵抗体７を経て発光ダイオード３のアノー
ド側へ供給される。このとき発光ダイオード３の
両端に印加される電位V3とV4との関係は、発光
ダイオード３の順方向接合電位をV5とすると、 V5≧V4−V3＞０ …(1) である。しかしながらこのような構成では論理電
気信号レベル“０”のときでも発光ダイオード３
のアノード電位V4がカソード電位V3より高いた
めに、発光ダイオード３のアノード−カソード間
内部において蓄積された電荷がTTL論理ゲート
素子の並列接続回路２を通して放電されるのに時
間が長くかかり、従つて発光ダイオード３の消光
速度が遅くなつていた。
光送信回路の構成を示す図である。第１図におい
て、１は入力端、２はTTL論理ゲート素子の並
列接続回路、３は発光ダイオード、４は直流電圧
源、５抵抗体である。入力端１には論理電気信号
のレベル“１”又は“０”が入力される。論理電
気信号のレベル“１”のときTTL論理ゲート素
子の並列接続回路２では低インピーダンスの接地
電位が発光ダイオード３のカソード側に供給され
て、直流電圧源６から抵抗体７を介した直流定電
流が発光ダイオード３のアノード側に供給される
ことにより、発光ダイオード３から光パルス信号
が出力される。一方、論理電気信号のレベル
“０”のときTTL論理ゲート素子の並列接続回路
２ではその出力電位V3が発光ダイオード３のカ
ソード側に供給され、又直流電圧源６からの電位
V4が抵抗体７を経て発光ダイオード３のアノー
ド側へ供給される。このとき発光ダイオード３の
両端に印加される電位V3とV4との関係は、発光
ダイオード３の順方向接合電位をV5とすると、 V5≧V4−V3＞０ …(1) である。しかしながらこのような構成では論理電
気信号レベル“０”のときでも発光ダイオード３
のアノード電位V4がカソード電位V3より高いた
めに、発光ダイオード３のアノード−カソード間
内部において蓄積された電荷がTTL論理ゲート
素子の並列接続回路２を通して放電されるのに時
間が長くかかり、従つて発光ダイオード３の消光
速度が遅くなつていた。
第２図は上記のような従来の光送信回路の入出
力信号の波形を示した特性図である。第２図にお
いて、ａは論理電気信号の入力波形ｂは光パルス
信号の出力波形である。第２図ｂの光パルス信号
の波形からすぐ分るように、レベル“０”におけ
る出力波形において立下り特性が緩慢となつてお
り、高速応答性が劣化していることが分る。
力信号の波形を示した特性図である。第２図にお
いて、ａは論理電気信号の入力波形ｂは光パルス
信号の出力波形である。第２図ｂの光パルス信号
の波形からすぐ分るように、レベル“０”におけ
る出力波形において立下り特性が緩慢となつてお
り、高速応答性が劣化していることが分る。
以上述べたような動作理由により、従来の発光
ダイオードを備えた光送信回路においては、論理
電気信号を光パルス信号に変換して光伝送する場
合に論理電気信号の伝送速度の高速性が著しく制
約されて高速伝送できなかつたものである。
ダイオードを備えた光送信回路においては、論理
電気信号を光パルス信号に変換して光伝送する場
合に論理電気信号の伝送速度の高速性が著しく制
約されて高速伝送できなかつたものである。
第３図は本発明の光送信回路の基本構成をあら
わすブロツク図である。この第３図において、前
記第１図と同一構成部分については同一符号を付
してある。入力端６には、入力端１に入力される
論理電気信号のレベル“１”、“０”に対して反転
させてある反転論理電気信号が入力される。発光
ダイオード３の第１の駆動回路７では、発光ダイ
オード３のアノード側に前記論理電気信号のレベ
ルが“１”のとき定電流を供給し“０”のとき一
定の電位V1を供給している。又、入力端１には
論理電気信号が入力されており、発光ダイオード
３の第２の駆動回路８では、発光ダイオード３の
カソード側に前記論理電気信号のレベルが“１”
のとき低インピーダンスの接地電位を供給し
“０”のとき一定の電位V2を供給している。なお
端子９と１０はあとに出てくる図面との対比を易
くするために画いたものである。
わすブロツク図である。この第３図において、前
記第１図と同一構成部分については同一符号を付
してある。入力端６には、入力端１に入力される
論理電気信号のレベル“１”、“０”に対して反転
させてある反転論理電気信号が入力される。発光
ダイオード３の第１の駆動回路７では、発光ダイ
オード３のアノード側に前記論理電気信号のレベ
ルが“１”のとき定電流を供給し“０”のとき一
定の電位V1を供給している。又、入力端１には
論理電気信号が入力されており、発光ダイオード
３の第２の駆動回路８では、発光ダイオード３の
カソード側に前記論理電気信号のレベルが“１”
のとき低インピーダンスの接地電位を供給し
“０”のとき一定の電位V2を供給している。なお
端子９と１０はあとに出てくる図面との対比を易
くするために画いたものである。
上記において、第１の駆動回路７の一定電位
V1と第２の駆動回路８の一定電位V2との関係が V1≦V2 …(2) となるように動作することが特徴となつている。
発光ダイオード３は該アノード側が第１の駆動回
路７に接続され該カソード側が第２の駆動回路６
に接続されており、論理電気信号のレベル“１”、
“０”に対応して発光、消光の動作をそれぞれ行
つている。
V1と第２の駆動回路８の一定電位V2との関係が V1≦V2 …(2) となるように動作することが特徴となつている。
発光ダイオード３は該アノード側が第１の駆動回
路７に接続され該カソード側が第２の駆動回路６
に接続されており、論理電気信号のレベル“１”、
“０”に対応して発光、消光の動作をそれぞれ行
つている。
第４図は本発明の具体的な実施例の構成をあら
わした図である。この例では第１および第２の駆
動回路はいずれもTTL論理ゲート素子を用いた
駆動回路である。なお両図においては前記第１図
と同一構成要素については同一符号を付してい
る。
わした図である。この例では第１および第２の駆
動回路はいずれもTTL論理ゲート素子を用いた
駆動回路である。なお両図においては前記第１図
と同一構成要素については同一符号を付してい
る。
第１の駆動回路７の側においては、入力端６に
は反転論理電気信号が入力されており、論理電気
信号のレベル“１”のときTTL論理ゲート素子
の並列接続回路２の出力側に接続された電位調整
用抵抗体１１の電位はハイレベルであり、直流電
圧源４の電位は抵抗体５を介して端子９から発光
ダイオード３へ定電流供給できる。又、論理電気
信号のレベル“０”のときTTL論理ゲート素子
の並列接続回路２はローレベルとなり、直流電圧
源４の電位は抵抗体５及び電位調整用抵抗体１１
を通じて論理ゲート素子の並列接続回路２に流れ
込んでおり、直流電圧源４の電位の抵抗分圧され
た一定の電位V1を出力端９から発光ダイオード
３へ供給している。
は反転論理電気信号が入力されており、論理電気
信号のレベル“１”のときTTL論理ゲート素子
の並列接続回路２の出力側に接続された電位調整
用抵抗体１１の電位はハイレベルであり、直流電
圧源４の電位は抵抗体５を介して端子９から発光
ダイオード３へ定電流供給できる。又、論理電気
信号のレベル“０”のときTTL論理ゲート素子
の並列接続回路２はローレベルとなり、直流電圧
源４の電位は抵抗体５及び電位調整用抵抗体１１
を通じて論理ゲート素子の並列接続回路２に流れ
込んでおり、直流電圧源４の電位の抵抗分圧され
た一定の電位V1を出力端９から発光ダイオード
３へ供給している。
一方、第２の駆動回路８の側においては、入力
端１に接続されるTTL論理ゲート素子の並列接
続回路（この場合第２の駆動回路そのもの）の出
力端１０からは論理電気信号レベル“１”のとき
低インピーダンスの接地電位を発光ダイオード３
へ供給でき、論理電気信号のレベル“０”のとき
ハイレベルの一定電位V2を供給している。
端１に接続されるTTL論理ゲート素子の並列接
続回路（この場合第２の駆動回路そのもの）の出
力端１０からは論理電気信号レベル“１”のとき
低インピーダンスの接地電位を発光ダイオード３
へ供給でき、論理電気信号のレベル“０”のとき
ハイレベルの一定電位V2を供給している。
第５図はトランジスタスイツチング回路を駆動
回路構成要素として用いた本発明の他の具体的な
実施の構成をあらわした図である。第５図におい
て、１２と１３はトランジスタ、１４は抵抗体で
ある。論理電気信号のレベルが“１”のときは第
１の駆動回路７の側のトランジスタ１２がカツト
オフで第２の駆動回路８の側のトランジスタ１３
がスイツチオン状態であり、論理電気信号のレベ
ルが“０”のときは第１の駆動回路７の側のトラ
ンジスタ１２がスイツチオン状態であり、端子９
には直流電圧源１４の電位より低い一定の電位
V1を供給している。このようにトランジスタの
スイツチング回路を用いても本発明の光送信回路
を構成することができ、また同様にオペアンプを
用いることができる。
回路構成要素として用いた本発明の他の具体的な
実施の構成をあらわした図である。第５図におい
て、１２と１３はトランジスタ、１４は抵抗体で
ある。論理電気信号のレベルが“１”のときは第
１の駆動回路７の側のトランジスタ１２がカツト
オフで第２の駆動回路８の側のトランジスタ１３
がスイツチオン状態であり、論理電気信号のレベ
ルが“０”のときは第１の駆動回路７の側のトラ
ンジスタ１２がスイツチオン状態であり、端子９
には直流電圧源１４の電位より低い一定の電位
V1を供給している。このようにトランジスタの
スイツチング回路を用いても本発明の光送信回路
を構成することができ、また同様にオペアンプを
用いることができる。
以上述べてきたように、本発明による光送信回
路においては、論理電気信号のレベル“０”のと
き、発光ダイオードのアノード側の電位V1がカ
ソード側の電位V2よりも低くなるような一定電
位関係を保つように電位を供給して発光ダイオー
ドを逆バイアス状態にすることにより、発光ダイ
オードのアノード−カソード間内部の蓄積電荷を
瞬時に吸収して発光ダイオードの消光速度を速く
している。
路においては、論理電気信号のレベル“０”のと
き、発光ダイオードのアノード側の電位V1がカ
ソード側の電位V2よりも低くなるような一定電
位関係を保つように電位を供給して発光ダイオー
ドを逆バイアス状態にすることにより、発光ダイ
オードのアノード−カソード間内部の蓄積電荷を
瞬時に吸収して発光ダイオードの消光速度を速く
している。
第６図は本発明の光送信回路を用いた場合の入
力信号の波形を示す図である。第６図において、
ａは論理電気信号ｂは光パルス信号である。波形
ｂから分るように、光パルス信号のレベル“０”
における出力波形において従来の場合（破線で示
す）に比べて立下り特性が著しく急峻であり高速
応答性が改善されている。従つて、本発明による
光送信回路を用いれば、高速の論理電気信号を高
速の光パルス信号に変換して送出することが実現
できる。更に、本発明の光送信回路の構成要素と
しては、トランジスタやオペアンプだけに限ら
ず、安価で小形なTTL論理ゲート素子のみで構
成できるという大きな利点が生じている。
力信号の波形を示す図である。第６図において、
ａは論理電気信号ｂは光パルス信号である。波形
ｂから分るように、光パルス信号のレベル“０”
における出力波形において従来の場合（破線で示
す）に比べて立下り特性が著しく急峻であり高速
応答性が改善されている。従つて、本発明による
光送信回路を用いれば、高速の論理電気信号を高
速の光パルス信号に変換して送出することが実現
できる。更に、本発明の光送信回路の構成要素と
しては、トランジスタやオペアンプだけに限ら
ず、安価で小形なTTL論理ゲート素子のみで構
成できるという大きな利点が生じている。
第１図は従来における光送信回路の構成を示す
回路図、第２図は従来の光送信回路の入出力信号
の波形を示す特性図、第３図は本発明の光送信回
路基本構成を示すブロツク図、第４図は本発明の
具体的な実施例の構成を示す図、第５図は本発明
の他の具体的な実施例の構成を示す図、第６図は
本発明の光送信回路の入出力信号の波形を示す特
性図である。 記号の説明：１は入力端、２はTTL論理ゲー
ト素子の並列接続回路、３は発光ダイオード、４
は直流電圧源、５は抵抗体、６は入力端、７は第
１の駆動回路、８は第２の駆動回路、９と１０は
端子、１１は抵抗体、１２と１３はトランジス
タ、１４は抵抗体をそれぞれあらわしている。
回路図、第２図は従来の光送信回路の入出力信号
の波形を示す特性図、第３図は本発明の光送信回
路基本構成を示すブロツク図、第４図は本発明の
具体的な実施例の構成を示す図、第５図は本発明
の他の具体的な実施例の構成を示す図、第６図は
本発明の光送信回路の入出力信号の波形を示す特
性図である。 記号の説明：１は入力端、２はTTL論理ゲー
ト素子の並列接続回路、３は発光ダイオード、４
は直流電圧源、５は抵抗体、６は入力端、７は第
１の駆動回路、８は第２の駆動回路、９と１０は
端子、１１は抵抗体、１２と１３はトランジス
タ、１４は抵抗体をそれぞれあらわしている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発光ダイオードにより論理電気信号を光パル
ス信号に変換して光伝送路へ送出する光送信回路
において、 前記発光ダイオードのアノード側に、第１の
TTL論理ゲート素子の並列接続回路および該第
１のTTL論理ゲート素子の出力側に片端を接続
された第１の抵抗体からなる第１の直列回路と、
定電流を供給するための直流電圧源および該直流
電圧源の出力端に片端を接続され前記第１の抵抗
体の他端に他の片端を接続された第２の抵抗体か
らなる第２の直列回路とから構成された第１の駆
動回路を設け、 前記発光ダイオードのカソード側に、第２の
TTL論理ゲート素子の並列接続回路で構成され
た第２の駆動回路を設けて成り、 前記第１の駆動回路が前記論理電気信号のレベ
ル“１”のとき定電流を供給し前記論理電気信号
のレベル“０”のとき一定の電位V1を供給し、
前記第２の駆動回路が前記論理電気信号のレベル
“１”のとき低インピーダンスの接地電位を供給
し前記論理電気信号のレベル“０”のとき一定の
電位V2を供給し、而して前記一定の電位V1と前
記一定の電位V2との関係がV1≦V2となるように
設定してあることを特徴とする光送信回路。 ２ 発光ダイオードにより論理電気信号を光パル
ス信号に変換して光伝送路へ送出する光送信回路
において、 前記発光ダイオードのアノード側に、第１のト
ランジスタと、定電流を供給するための直流電圧
源および該直流電圧源の出力端に片端を接続され
前記第１のトランジスタのコレクタ側に他の片端
を接続された抵抗体からなる直列回路とから構成
された第１の駆動回路を設け、 前記発光ダイオードのカソード側に、第２のト
ランジスタで構成された第２の駆動回路を設けて
成り、 前記第１の駆動回路が、前記論理電気信号のレ
ベル“１”のとき定電流を供給し前記論理電気信
号のレベル“０”のとき一定の電位V1を供給し、
前記第２の駆動回路が、前記論理電気信号のレベ
ル“１”のとき低インピーダンスの接地電位を供
給し前記論理電気信号のレベル“０”のとき一定
の電位V2を供給し、而して前記一定の電位V1と
前記一定の電位V2との関係がV1≦V2となるよう
に設定してあることを特徴とする光送信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58120974A JPS6014535A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 光送信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58120974A JPS6014535A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 光送信回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6014535A JPS6014535A (ja) | 1985-01-25 |
| JPH0224420B2 true JPH0224420B2 (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=14799639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58120974A Granted JPS6014535A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 光送信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014535A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137340A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオ−ド駆動回路 |
-
1983
- 1983-07-05 JP JP58120974A patent/JPS6014535A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137340A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオ−ド駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6014535A (ja) | 1985-01-25 |
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