JPH01298774A - 発光ダイオード駆動回路 - Google Patents
発光ダイオード駆動回路Info
- Publication number
- JPH01298774A JPH01298774A JP63128530A JP12853088A JPH01298774A JP H01298774 A JPH01298774 A JP H01298774A JP 63128530 A JP63128530 A JP 63128530A JP 12853088 A JP12853088 A JP 12853088A JP H01298774 A JPH01298774 A JP H01298774A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- transistor
- led
- collector
- differential
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）シス
テム等の光デイジタル送信回路に用いられる発光ダイオ
ード駆動回路に関する。
テム等の光デイジタル送信回路に用いられる発光ダイオ
ード駆動回路に関する。
従来、光ＬＡＮシステム等の光デイジタル伝送路に用い
られる発光素子としては、一般に信頼度がすぐれ、しか
も安価な発光ダイオード（ＬＥＤ）が用いられている。
られる発光素子としては、一般に信頼度がすぐれ、しか
も安価な発光ダイオード（ＬＥＤ）が用いられている。
近年、伝送すべき情報量の増大に伴ない、光ＬＡＮに対
して高速大容量化の要請が高まっており。
して高速大容量化の要請が高まっており。
このためのＬＥＤを高速にスイッチングすることが必要
である。
である。
ここで第２図を参照して、従来のＬＥＤ駆動回路につい
て説明する。
て説明する。
このＬＥＤ駆動回路はＬＥＤ ４に流れる電流をスイッ
チングするための差動トランジスタ１及び２と最大電流
制御用電流源３を備えている。そして。
チングするための差動トランジスタ１及び２と最大電流
制御用電流源３を備えている。そして。
入力端子５及び入力端子６にはＩ、ＥＤ ４をスイッチ
ングするための互いに相補するディジタル電気信号が入
力される。入力端子５がハイレベル（ｈｉｇｈ）入力端
子６がロウレベル（１０Ｗ）のときには、差動トランジ
スタ２がオン（ＯＮ）となシ、その結果差動トランジス
タ２のコレクターエミ、り間が低インピーダンスとなり
、ＬＥＤ４には順方向に駆動電流が流れて、ＬＥＤ４は
発光状態となる０次に入力端子５がｌｏｗ、入力端子６
がｈｉｇｈとなると、差動トランジスタ２はオフ（ＯＦ
Ｆ）となシ、差動トランジスタ２のコレクターエミ、り
間が高インピーダンスとなる。その結果、ＬＥＤ４に流
れる電流が力、トされ、ＬＥＤ４は消光状態となる。
ングするための互いに相補するディジタル電気信号が入
力される。入力端子５がハイレベル（ｈｉｇｈ）入力端
子６がロウレベル（１０Ｗ）のときには、差動トランジ
スタ２がオン（ＯＮ）となシ、その結果差動トランジス
タ２のコレクターエミ、り間が低インピーダンスとなり
、ＬＥＤ４には順方向に駆動電流が流れて、ＬＥＤ４は
発光状態となる０次に入力端子５がｌｏｗ、入力端子６
がｈｉｇｈとなると、差動トランジスタ２はオフ（ＯＦ
Ｆ）となシ、差動トランジスタ２のコレクターエミ、り
間が高インピーダンスとなる。その結果、ＬＥＤ４に流
れる電流が力、トされ、ＬＥＤ４は消光状態となる。
このようにして差動増幅トランジスタ１及び２をスイッ
チングすることＫよｆｉ 、 ＬＥＤ ４の光強度変調
出力を得ている。
チングすることＫよｆｉ 、 ＬＥＤ ４の光強度変調
出力を得ている。
ところで、一般にＬＥＤは内部容量をもつため。
従来のＬＥＤ駆動回路の場合１発光及び消光時にＬＥＤ
自身の時定数によシ立上シ／立下シが遅くなるという問
題点がある。
自身の時定数によシ立上シ／立下シが遅くなるという問
題点がある。
本発明によれば２発光ダイオード及び該発光ダイオード
を駆動するための第１のスイッチングトランジスタを有
し、前記発光ダイオードのカソードが前記第１のスイッ
チングトランジスタのコレクタだ接続され、該第１のス
イッチングトランジスタのスイッチングによって前記発
光ダイオードを駆動する発光ダイオード駆動回路におい
て、前記発光ダイオードのカッニドには微分回路を介し
て第２のスイッチングトランジスタが接続されているこ
とを特徴とする発光ダイオード駆動回路が得られる。
を駆動するための第１のスイッチングトランジスタを有
し、前記発光ダイオードのカソードが前記第１のスイッ
チングトランジスタのコレクタだ接続され、該第１のス
イッチングトランジスタのスイッチングによって前記発
光ダイオードを駆動する発光ダイオード駆動回路におい
て、前記発光ダイオードのカッニドには微分回路を介し
て第２のスイッチングトランジスタが接続されているこ
とを特徴とする発光ダイオード駆動回路が得られる。
次に本発明について実施例によって説明する。
第１図を参照して、ＬＥＤ４の順方向電流スイッチ用差
動トランジスタｌ及び２の共通のエミッタに、最大電流
制御用電流源３が接続され、これによってスイッチング
のだめの基本回路が構成されている。
動トランジスタｌ及び２の共通のエミッタに、最大電流
制御用電流源３が接続され、これによってスイッチング
のだめの基本回路が構成されている。
差動トランジスタ２のコレクタには一端が接地された抵
抗器８が接続されるとともに、コンデンサ９の一端が接
続されている。これら抵抗器８及びコンデンサ９によっ
て微分回路が構成される。
抗器８が接続されるとともに、コンデンサ９の一端が接
続されている。これら抵抗器８及びコンデンサ９によっ
て微分回路が構成される。
一方、コンデンサ９の他端はトランジスタ７のエミッタ
に接続されている。トランジスタ７のコレクタは接地さ
れておシ、エミッタにはバイアス電圧が印加され、ペー
スには制御電圧パルスが加えられる。モして゛、上述の
微分回路はトランジスタ７によってスイッチングされる
。なお９発光素子であるＬＥＤ ４は差動トランジスタ
２のコレクタにそのカソードが接続され、一方、アノー
ドが接地されている。
に接続されている。トランジスタ７のコレクタは接地さ
れておシ、エミッタにはバイアス電圧が印加され、ペー
スには制御電圧パルスが加えられる。モして゛、上述の
微分回路はトランジスタ７によってスイッチングされる
。なお９発光素子であるＬＥＤ ４は差動トランジスタ
２のコレクタにそのカソードが接続され、一方、アノー
ドが接地されている。
入力端子５がｈｉｇｈ 、入力端子６がｌｏｗのときに
は、差動トランジスタ１がＯＮとなシ、差動トランジス
タ２はＯＦＦとなる。この結果、差動トランジスタ２の
コレクタはｈｉｇｈレベルとなり 、 ＬＥＤ４が発光
状態となる。この際、入力端子６’Ｋｈｉｇｈレベルの
電圧を印加すると、トランジスタ７がＯＮとなって、抵
抗器８とコンデンサ９とから構成される微分回路によ、
） 、 ＬＥＤ ４のカソードには細い立上シパルス（
微分パルス）が加わる。この微分パルスによってＬＥＤ
４は高速に充電されて。
は、差動トランジスタ１がＯＮとなシ、差動トランジス
タ２はＯＦＦとなる。この結果、差動トランジスタ２の
コレクタはｈｉｇｈレベルとなり 、 ＬＥＤ４が発光
状態となる。この際、入力端子６’Ｋｈｉｇｈレベルの
電圧を印加すると、トランジスタ７がＯＮとなって、抵
抗器８とコンデンサ９とから構成される微分回路によ、
） 、 ＬＥＤ ４のカソードには細い立上シパルス（
微分パルス）が加わる。この微分パルスによってＬＥＤ
４は高速に充電されて。
発光時の立上シが高速化される。
一方、入力端子５がｌｏｗ、入力端子６がｈｉｇｈのと
きには、差動トランジスタ２がＯＮとなり。
きには、差動トランジスタ２がＯＮとなり。
差動トランジスタｌはＯＦＦとなる。この結果、差動ト
ランジスタ２のコレクタはｌｏｗレベルになシ。
ランジスタ２のコレクタはｌｏｗレベルになシ。
ＬＥＤ ４は消光状態となる。この際、入力端子６′に
ｌｏｗレベルの電圧を印加すると、トランジスタ７はＯ
ＦＦとなって微分回路によ、９ ＬＥＤ ４のカソード
には細い立下シパルス（微分パルス）が加わる。
ｌｏｗレベルの電圧を印加すると、トランジスタ７はＯ
ＦＦとなって微分回路によ、９ ＬＥＤ ４のカソード
には細い立下シパルス（微分パルス）が加わる。
この微分ノ４ルスによってＬＥＤ ４が逆バイアスされ
。
。
発光時にＬＥＤ ４の内部容量に蓄積された電荷は瞬時
に放電される。このため消光時の立下シが高速化される
。
に放電される。このため消光時の立下シが高速化される
。
以上説明したように本発明では、抵抗とコンデンサから
なる微分回路と、この微分回路をスイッチングするトラ
ンジスタらによってＬＥＤの内部容量の充放電が速めら
れ、 ＬＥＤを高速に変調することができるという効果
がある。
なる微分回路と、この微分回路をスイッチングするトラ
ンジスタらによってＬＥＤの内部容量の充放電が速めら
れ、 ＬＥＤを高速に変調することができるという効果
がある。
以下傘白
第１図は本発明による発光ダイオード駆動回路の一実施
例を示す回路図、第２図は従来の発光ダイオード駆動回
路を示す回路図である。 １・・・差動トランジスタ、２・・・差動トランジスタ
。 ３・・・電流源、４・・・ＬＥＤ （発光ダイオード）
、５・・・入力端子、６・・・入力端子、６′・・・入
力端子、７・・・トランジスタ、８・・・抵抗器、９・
・・コンデンサ、１０・・・電源端子。 第１図
例を示す回路図、第２図は従来の発光ダイオード駆動回
路を示す回路図である。 １・・・差動トランジスタ、２・・・差動トランジスタ
。 ３・・・電流源、４・・・ＬＥＤ （発光ダイオード）
、５・・・入力端子、６・・・入力端子、６′・・・入
力端子、７・・・トランジスタ、８・・・抵抗器、９・
・・コンデンサ、１０・・・電源端子。 第１図
Claims (1)
- １、発光ダイオード及び該発光ダイオードを駆動するた
めの第１のスイッチングトランジスタを有し、前記発光
ダイオードのカソードが前記第１のスイッチングトラン
ジスタのコレクタに接続され、該第１のスイッチングト
ランジスタのスイッチングによって前記発光ダイオード
を駆動する発光ダイオード駆動回路において、前記発光
ダイオードのカソードには微分回路を介して第２のスイ
ッチングトランジスタが接続されていることを特徴とす
る発光ダイオード駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128530A JPH01298774A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 発光ダイオード駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128530A JPH01298774A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 発光ダイオード駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298774A true JPH01298774A (ja) | 1989-12-01 |
Family
ID=14987030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63128530A Pending JPH01298774A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 発光ダイオード駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01298774A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04175009A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-06-23 | Fuji Electric Co Ltd | 光電スイッチ |
| JPH0669544A (ja) * | 1991-11-13 | 1994-03-11 | American Teleph & Telegr Co <Att> | Ｌｅｄドライバ |
| TWI382785B (zh) * | 2007-01-09 | 2013-01-11 | Spi Electronic Co Ltd | The control circuit of the light emitting unit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55141768A (en) * | 1979-04-21 | 1980-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light emitting diode drive circuit |
| JPH01201972A (ja) * | 1988-02-06 | 1989-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 発光素子駆動回路 |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP63128530A patent/JPH01298774A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55141768A (en) * | 1979-04-21 | 1980-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light emitting diode drive circuit |
| JPH01201972A (ja) * | 1988-02-06 | 1989-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 発光素子駆動回路 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04175009A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-06-23 | Fuji Electric Co Ltd | 光電スイッチ |
| JPH0669544A (ja) * | 1991-11-13 | 1994-03-11 | American Teleph & Telegr Co <Att> | Ｌｅｄドライバ |
| TWI382785B (zh) * | 2007-01-09 | 2013-01-11 | Spi Electronic Co Ltd | The control circuit of the light emitting unit |
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