JPS63312687A - レ−ザダイオ−ド駆動回路 - Google Patents
レ−ザダイオ−ド駆動回路Info
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- JPS63312687A JPS63312687A JP62149976A JP14997687A JPS63312687A JP S63312687 A JPS63312687 A JP S63312687A JP 62149976 A JP62149976 A JP 62149976A JP 14997687 A JP14997687 A JP 14997687A JP S63312687 A JPS63312687 A JP S63312687A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、例えばディジタル光通信に用いられるレー
ザダイオード駆動回路に関するものである。
ザダイオード駆動回路に関するものである。
「従来の技術」
第７図に従来用いられてきた、レーザダイオ−ド駆動回
路の代表例を示す。レーザダイオード１１のＰ形導電領
域が接地され、Ｎ形導電領域がバイアス電流用電流源１
２を通じて負電源端子１３に接続されると共にＮＰＮ
トランジスタ１４のコレクタに接続され、ＮＰＮトラン
ジスタ１４のベースは逆相信号又は基準電圧入力端子１
５に接続され、エミッタは駆動パルス用電流源１６を通
じて負電源端子１３に接続される。このエミッタ及び電
流源１６の接続点にＮＰＮトランジスタ１７のエミッタ
が接続され、ＮＰＮ トランジスタ１７のコレクタは抵
抗器１８を通じて接地され、ベースは信号入力端子１９
に接続される。トランジスタ１４．１７は電流切替えス
イッチを構成している。
路の代表例を示す。レーザダイオード１１のＰ形導電領
域が接地され、Ｎ形導電領域がバイアス電流用電流源１
２を通じて負電源端子１３に接続されると共にＮＰＮ
トランジスタ１４のコレクタに接続され、ＮＰＮトラン
ジスタ１４のベースは逆相信号又は基準電圧入力端子１
５に接続され、エミッタは駆動パルス用電流源１６を通
じて負電源端子１３に接続される。このエミッタ及び電
流源１６の接続点にＮＰＮトランジスタ１７のエミッタ
が接続され、ＮＰＮ トランジスタ１７のコレクタは抵
抗器１８を通じて接地され、ベースは信号入力端子１９
に接続される。トランジスタ１４．１７は電流切替えス
イッチを構成している。
信号入力端子１９の電圧が高レベルの場合はトランジス
タ１７はＯｎで電流源１６の電流が流れ、トランジスタ
１４はｏｆｆで、レーザダイオード１１にバイアス電流
用電流源１２よりレーザダイオード１１のしきい値電流
に近い電流がレーザダイオード１１に流れる。信号入力
端子１９の電圧が低レベルになるとトランジスタ１７は
ｏｆｆ。
タ１７はＯｎで電流源１６の電流が流れ、トランジスタ
１４はｏｆｆで、レーザダイオード１１にバイアス電流
用電流源１２よりレーザダイオード１１のしきい値電流
に近い電流がレーザダイオード１１に流れる。信号入力
端子１９の電圧が低レベルになるとトランジスタ１７は
ｏｆｆ。
トランジスタ１４はＯｎに切替わり、電流ａｔ６の電流
がレーザダイオード１１に流れ、レーザダイオードｌｌ
は励起される。
がレーザダイオード１１に流れ、レーザダイオードｌｌ
は励起される。
シリコン半導体においては、少数キャリアの移動度がホ
ールと電子とでは電子の方が速く、そのため、ｆｒ
（利得帯域幅積）の大きいＰＮＰトランジスタの実現が
困難である。したがって、従来、高速パルスでレーザダ
イオードに強痩変調を行う場合、レーザダイオードの電
流をスイッチングする素子として、ｆアの大きいＮＰＮ
トランジスタが用いられてきた。また、第７図に示すよ
うに、ＮＰＮトランジスタ１４．１７で構成した電流ス
イッチでレーザダイオード１１を駆動するため、レーザ
ダイオード１１は、Ｐ形厚ｉｉｉ Ｈ域側を接地したも
のが用いられていた。
ールと電子とでは電子の方が速く、そのため、ｆｒ
（利得帯域幅積）の大きいＰＮＰトランジスタの実現が
困難である。したがって、従来、高速パルスでレーザダ
イオードに強痩変調を行う場合、レーザダイオードの電
流をスイッチングする素子として、ｆアの大きいＮＰＮ
トランジスタが用いられてきた。また、第７図に示すよ
うに、ＮＰＮトランジスタ１４．１７で構成した電流ス
イッチでレーザダイオード１１を駆動するため、レーザ
ダイオード１１は、Ｐ形厚ｉｉｉ Ｈ域側を接地したも
のが用いられていた。
このような駆動回路では、回路の電源電圧が負となり、
ＴＴＬ回路から出力された信号でレーザダイオード１１
を変調しようとする場合、信号のレベルをシフトする回
路が必要であるという欠点を有していた。また、高速の
ＰＮＰトランジスタを実現しないと、Ｎ形導電領域側を
接地したレーザダイオードは、駆動出来ないという欠点
を有していた。
ＴＴＬ回路から出力された信号でレーザダイオード１１
を変調しようとする場合、信号のレベルをシフトする回
路が必要であるという欠点を有していた。また、高速の
ＰＮＰトランジスタを実現しないと、Ｎ形導電領域側を
接地したレーザダイオードは、駆動出来ないという欠点
を有していた。
この発明の目的は、高速のＮＰＮ トランジスタを用い
、Ｎ形導電領域側が接地されたレーザダイオードを駆動
することができ、かつＴＴＬ回路と整合がよい正電源で
動作するレーザダイオード駆動回路を提供することにあ
る。
、Ｎ形導電領域側が接地されたレーザダイオードを駆動
することができ、かつＴＴＬ回路と整合がよい正電源で
動作するレーザダイオード駆動回路を提供することにあ
る。
「問題点を解決するための手段」
この発明によれば第１と第２の電流駆動回路を並列に接
続した回路をレーザダイオードに直列に接続し、その第
１の電流駆動回路よりレーザダイオードがしきい値近傍
になるような、電流をながし、第２の電流駆動回路より
レーザダイオードにながれる電流値を変調信号に応じて
、変化させることによって、レーザダイオードの光強度
を変調する回路において、 第１と第２の電流駆動回路のそれぞれを、ＮＰＮトラン
ジスタとＰＮＰ トランジスタとを用い、そのＮＰＮ
トランジスタのベースとＰＮＰ トランジスタのコレク
タ、および、ＮＰＮ トランジスタのコレクタとＰＮＰ
トランジスタのエミッタをそれぞれ接続し、ＰＮＰ
トランジスタのベースの電位によりＮＰＮ トランジス
タのエミッタより流出する電流を制御するダーリントン
構成とし、レーザダイオードを第１と第２の電流駆動回
路のＮＰＮトランジスタのエミッタより流出する電流に
より駆動し、第２の電流駆動回路のＰＮＰ トランジス
タのコレクタから、ＮＰＮトランジスタのベースに流入
する電流を変調信号に応じて、電流分岐することにより
、第２の電流駆動回路のＮＰＮトランジスタのエミッタ
からレーザダイオードに流れる電流の制御を行い、レー
ザダイオードの光強度を変調する。
続した回路をレーザダイオードに直列に接続し、その第
１の電流駆動回路よりレーザダイオードがしきい値近傍
になるような、電流をながし、第２の電流駆動回路より
レーザダイオードにながれる電流値を変調信号に応じて
、変化させることによって、レーザダイオードの光強度
を変調する回路において、 第１と第２の電流駆動回路のそれぞれを、ＮＰＮトラン
ジスタとＰＮＰ トランジスタとを用い、そのＮＰＮ
トランジスタのベースとＰＮＰ トランジスタのコレク
タ、および、ＮＰＮ トランジスタのコレクタとＰＮＰ
トランジスタのエミッタをそれぞれ接続し、ＰＮＰ
トランジスタのベースの電位によりＮＰＮ トランジス
タのエミッタより流出する電流を制御するダーリントン
構成とし、レーザダイオードを第１と第２の電流駆動回
路のＮＰＮトランジスタのエミッタより流出する電流に
より駆動し、第２の電流駆動回路のＰＮＰ トランジス
タのコレクタから、ＮＰＮトランジスタのベースに流入
する電流を変調信号に応じて、電流分岐することにより
、第２の電流駆動回路のＮＰＮトランジスタのエミッタ
からレーザダイオードに流れる電流の制御を行い、レー
ザダイオードの光強度を変調する。
このようにこの発明によればレーザダイオードのＮ形導
電領域側を接地でき、ＮＰＮ トランジスタで駆動する
ためレーザダイオードを高速変調できるとともに、ＴＴ
Ｌ回路と整合がよい正′ｒ４源で動作させることができ
る。
電領域側を接地でき、ＮＰＮ トランジスタで駆動する
ためレーザダイオードを高速変調できるとともに、ＴＴ
Ｌ回路と整合がよい正′ｒ４源で動作させることができ
る。
「実施例」
レーザダイオード１１のＮ形導電領域側は接地され、Ｐ
形導電領域側はＮＰＮ トランジスタ２１゜２２のエミ
ッタに接続される。ＮＰＮトランジスタ２１．２２の各
ベースはそれぞれＰＮＰ トランジスタ２３．２４の各
コレクタに接続され、各コレクタはＰＮＰ トランジス
タ２３，２４の各エミッタに接続され、つまりトランジ
スタ２１．２３またトランジスタ２２．２４はそれぞれ
ダーリントン接続されている。トランジスタ２３．２４
の各ベースは温度補償用ダイオード２５．２６、抵抗器
２７．２８をそれぞれ通じて正電源端子２９に接続され
ると共にＮＰＮ トランジスタ３１，３２の各コレクタ
に接続される。トランジスタ３１゜３２の各エミッタは
抵抗器３３．３４を通じて接地すれ、各ベースはレーザ
ダイオード電流制御電圧入力端子３５、パルス電流波高
値制御電圧入力端子３６にそれぞれ接続される。ＰＮＰ
トランジスタ２４のコレクタはＮＰＮ トランジスタ３
７のコレクタに接続され、ＮＰＮ トランジスタ３７の
エミッタは抵抗器３８を通じて接地され、ベースは信号
入力端子１９に接続される。ＮＰＮトランジスタ２１．
２２の各コレクタは抵抗器４１．４２を通じて正電源端
子２９に接続され、ＰＮＰ トランジスタ２４のエミッ
タはコンデンサ４３を通じて正電源端子２９に接続され
る。
形導電領域側はＮＰＮ トランジスタ２１゜２２のエミ
ッタに接続される。ＮＰＮトランジスタ２１．２２の各
ベースはそれぞれＰＮＰ トランジスタ２３．２４の各
コレクタに接続され、各コレクタはＰＮＰ トランジス
タ２３，２４の各エミッタに接続され、つまりトランジ
スタ２１．２３またトランジスタ２２．２４はそれぞれ
ダーリントン接続されている。トランジスタ２３．２４
の各ベースは温度補償用ダイオード２５．２６、抵抗器
２７．２８をそれぞれ通じて正電源端子２９に接続され
ると共にＮＰＮ トランジスタ３１，３２の各コレクタ
に接続される。トランジスタ３１゜３２の各エミッタは
抵抗器３３．３４を通じて接地すれ、各ベースはレーザ
ダイオード電流制御電圧入力端子３５、パルス電流波高
値制御電圧入力端子３６にそれぞれ接続される。ＰＮＰ
トランジスタ２４のコレクタはＮＰＮ トランジスタ３
７のコレクタに接続され、ＮＰＮ トランジスタ３７の
エミッタは抵抗器３８を通じて接地され、ベースは信号
入力端子１９に接続される。ＮＰＮトランジスタ２１．
２２の各コレクタは抵抗器４１．４２を通じて正電源端
子２９に接続され、ＰＮＰ トランジスタ２４のエミッ
タはコンデンサ４３を通じて正電源端子２９に接続され
る。
抵抗器２７はＰＮＰ トランジスタ２３のベース電圧設
定用であり、同様に抵抗器２８はＰＮＰ トランジスタ
２４のベース電圧設定用であり、トランジスタ３１はト
ランジスタ２３０ベース電圧設定用であり、トランジス
タ３２はトランジスタ２４のベース電圧設定用である。
定用であり、同様に抵抗器２８はＰＮＰ トランジスタ
２４のベース電圧設定用であり、トランジスタ３１はト
ランジスタ２３０ベース電圧設定用であり、トランジス
タ３２はトランジスタ２４のベース電圧設定用である。
抵抗器３３はトランジスタ３１のエミッタ電流制御用で
あり、抵抗器３４はトランジスタ３２のエミッタ電流制
御用である。トランジスタ３７はトランジスタ２２のベ
ース電流制御用であり、抵抗器３８はトランジスタ３７
のエミッタ電流制御用である。抵抗器４１はトランジス
タ２１．２３で構成される第１の電流駆動回路４４の電
流制御用であり、抵抗器４２はトランジスタ２２．２４
で構成される第２の電流駆動回路４５の電流制御用であ
り、コンデンサ４３はトランジスタ２４のコレクタ電流
を一定とするためのものである。
あり、抵抗器３４はトランジスタ３２のエミッタ電流制
御用である。トランジスタ３７はトランジスタ２２のベ
ース電流制御用であり、抵抗器３８はトランジスタ３７
のエミッタ電流制御用である。抵抗器４１はトランジス
タ２１．２３で構成される第１の電流駆動回路４４の電
流制御用であり、抵抗器４２はトランジスタ２２．２４
で構成される第２の電流駆動回路４５の電流制御用であ
り、コンデンサ４３はトランジスタ２４のコレクタ電流
を一定とするためのものである。
トランジスタ２１，２３，３１、抵抗器２７゜３３．４
１、ダイオード２５は定電流回路４６を構成しており、
定電流回路４６は第２図に示すようにレーザダイオード
１１と正電源端子２９との間に接続される。トランジス
タ３２、抵抗器３４は定電流回路４７を構成し、この定
電流回路４７がトランジスタ２４のベース及び接地間に
接続される。 ・ つぎに、この実施例の動作を説明する。レーザダイオー
ド電流制御電圧入力端子３５の電位に応じて、定電流回
路４６には、レーザダイオード１１のしきい値電流近傍
の電流１ ｂｊ４１が流れる。一方、信号入力端子１９
が低電圧でトランジスタ３７がｏｆｆの場合、トランジ
スタ２４のコレクタ電流１ｃは、トランジスタ２２のベ
ースへの注入電流Ｉ、。ｆｆとなる。したがって、トラ
ンジスタ２２のエミッタよりレーザダイオード１１に（
ｒｔ。２．×トランジスタ２２の電流増倍率）の電流が
流れる。つぎに、信号入力端子１９が高電圧でトランジ
スタ３７がｏｎの場合、トランジスタ２４のコレクタ電
流（Ｉｃ ＝ １ｓｏｎ ＋ Ｉｃｏｎ ）は、トラン
ジスタ２２のベースへの注入電流Ｕｓ。７）と、トラン
ジスタ３７のコレクタ電流（＋ｃ。、）とに分流する。
１、ダイオード２５は定電流回路４６を構成しており、
定電流回路４６は第２図に示すようにレーザダイオード
１１と正電源端子２９との間に接続される。トランジス
タ３２、抵抗器３４は定電流回路４７を構成し、この定
電流回路４７がトランジスタ２４のベース及び接地間に
接続される。 ・ つぎに、この実施例の動作を説明する。レーザダイオー
ド電流制御電圧入力端子３５の電位に応じて、定電流回
路４６には、レーザダイオード１１のしきい値電流近傍
の電流１ ｂｊ４１が流れる。一方、信号入力端子１９
が低電圧でトランジスタ３７がｏｆｆの場合、トランジ
スタ２４のコレクタ電流１ｃは、トランジスタ２２のベ
ースへの注入電流Ｉ、。ｆｆとなる。したがって、トラ
ンジスタ２２のエミッタよりレーザダイオード１１に（
ｒｔ。２．×トランジスタ２２の電流増倍率）の電流が
流れる。つぎに、信号入力端子１９が高電圧でトランジ
スタ３７がｏｎの場合、トランジスタ２４のコレクタ電
流（Ｉｃ ＝ １ｓｏｎ ＋ Ｉｃｏｎ ）は、トラン
ジスタ２２のベースへの注入電流Ｕｓ。７）と、トラン
ジスタ３７のコレクタ電流（＋ｃ。、）とに分流する。
したがって、トランジスタ２２のエミッタよりレーザダ
イオード１１に（１＋＋ｏｎ×トランジスタ２２の電流
増倍率）の電流が流れるａｌｔは定電流であり、したが
って、■、。ｔｒ＞Ｉｔ。、となるので、トランジスタ
３７をｏｎｌｏｆｆすることにより、トランジスタ２２
のエミッタより、レーザダイオード１１に流入する電流
を制御できる。
イオード１１に（１＋＋ｏｎ×トランジスタ２２の電流
増倍率）の電流が流れるａｌｔは定電流であり、したが
って、■、。ｔｒ＞Ｉｔ。、となるので、トランジスタ
３７をｏｎｌｏｆｆすることにより、トランジスタ２２
のエミッタより、レーザダイオード１１に流入する電流
を制御できる。
つぎに、第１図に示した回路のシミュレーション結果を
示す０表１にシミュレーションに用いた部品の特性の概
略、表２に入力端子条件およびシミュレーション温度を
示す０表１・２に示した条件で、信号入力端子１９に、
パルス電圧を入力した場合のレーザダイオードの電流応
答特性の結果を第３図〜第５図に示す。第６図に信号入
力端子１９への入力パルス例として、振ｆｐＭ ＩＶ
（０，ＯＶ。
示す０表１にシミュレーションに用いた部品の特性の概
略、表２に入力端子条件およびシミュレーション温度を
示す０表１・２に示した条件で、信号入力端子１９に、
パルス電圧を入力した場合のレーザダイオードの電流応
答特性の結果を第３図〜第５図に示す。第６図に信号入
力端子１９への入力パルス例として、振ｆｐＭ ＩＶ
（０，ＯＶ。
１、ＯＶ）のパルス波形を示す。
第３図は温度を０°〜８０”まで変化させた場合のレー
ザダイオード電流特性である。第４図は電源端子３６の
電圧を４．５〜５．５■まで変化させた場合のレーザダ
イオード電流特性である。第５図は信号入力端子１９へ
の入力端子振幅を０．７〜１．４Ｖまで変化させた場合
のレーザダイオード電流特性である。
ザダイオード電流特性である。第４図は電源端子３６の
電圧を４．５〜５．５■まで変化させた場合のレーザダ
イオード電流特性である。第５図は信号入力端子１９へ
の入力端子振幅を０．７〜１．４Ｖまで変化させた場合
のレーザダイオード電流特性である。
第３図乃至第５図からも、この発明により、Ｎ側を接地
したレーザダイオードを変調できることが明らかである
。
したレーザダイオードを変調できることが明らかである
。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明は、高速のＰＮＰトラン
ジスタを用いることなく、Ｎ側を接地したレーザダイオ
ード高速変調できる利点を有する。
ジスタを用いることなく、Ｎ側を接地したレーザダイオ
ード高速変調できる利点を有する。
つまりこの発明によればレーザダイオード１１を直接駆
動するものはＮＰＮ トランジスタ２２であり、ＰＮＰ
トランジスタ２４には定電流回路４７で決まる定電流
が流れ、その電流をトランジスタ２２のベースへ供給す
るが、トランジスタ３７に分流するかの制御をＮＰＮト
ランジスタ３７を制御して行うため、高速動作が可能で
ある。
動するものはＮＰＮ トランジスタ２２であり、ＰＮＰ
トランジスタ２４には定電流回路４７で決まる定電流
が流れ、その電流をトランジスタ２２のベースへ供給す
るが、トランジスタ３７に分流するかの制御をＮＰＮト
ランジスタ３７を制御して行うため、高速動作が可能で
ある。
また正電源により回路が動作するために、ＴＴＬ回路か
らの出力によりレーザダイオードを駆動する場合、ＴＴ
Ｌ回路とレーザダイオード駆動回路との間のインターフ
ェースが簡易になるという利点を有する。
らの出力によりレーザダイオードを駆動する場合、ＴＴ
Ｌ回路とレーザダイオード駆動回路との間のインターフ
ェースが簡易になるという利点を有する。
第１図はこの発明の実施例を示す接続図、第２図は第１
図の実施例の機能を説明するための機能説明図、第３図
は温度を０°〜８０°まで変化させた場合のレーザダイ
オード電流特性図、第４図は電源端子３６の電圧を４．
５〜５．５■まで変化させた場合のレーザダイオード電
流特性図、第５図は信号入力端子１９への入力電圧振幅
を０．７〜１．４■まで変化させた場合のレーザダイオ
ード電流特性図、第６図は第３図、第４図のシミュレー
ションにおける信号入力端子１９への入力電圧パルス波
形を示す図、第７図は従来のレーザダイオード駆動回路
を示す接続図である。 矛 ２ 図 ２つ ＋１−７ 記
図の実施例の機能を説明するための機能説明図、第３図
は温度を０°〜８０°まで変化させた場合のレーザダイ
オード電流特性図、第４図は電源端子３６の電圧を４．
５〜５．５■まで変化させた場合のレーザダイオード電
流特性図、第５図は信号入力端子１９への入力電圧振幅
を０．７〜１．４■まで変化させた場合のレーザダイオ
ード電流特性図、第６図は第３図、第４図のシミュレー
ションにおける信号入力端子１９への入力電圧パルス波
形を示す図、第７図は従来のレーザダイオード駆動回路
を示す接続図である。 矛 ２ 図 ２つ ＋１−７ 記
Claims (1)
- （１）第１と第２の電流駆動回路を並列に接続した回路
をレーザダイオードに直列に接続し、その第１の電流駆
動回路よりレーザダイオードがしきい値近傍になるよう
な、電流をながし、上記第２の電流駆動回路より上記レ
ーザダイオードにながれる電流値を変調信号に応じて、
変化させることによって、レーザダイオードの光強度を
変調するレーザダイオード駆動回路において、 上記第１と第２の電流駆動回路の両者にそれぞれ、ＮＰ
ＮトランジスタとＰＮＰトランジスタとが用いられ、 そのＮＰＮトランジスタのベースとＰＮＰトランジスタ
のコレクタ、および、ＮＰＮトランジスタのコレクタと
ＰＮＰトランジスタのエミッタがそれぞれ接続され、 上記ＰＮＰトランジスタのベースの電位により上記ＮＰ
Ｎトランジスタのエミッタより流出する電機を制御する
ダーリントン構成とされ、 上記レーザダイオードを上記第１と第２の電流駆動回路
の上記各ＮＰＮトランジスタのエミッタより流出する電
流により駆動し、 上記第２の電流駆動回路の上記ＰＮＰトランジスタのコ
レクタから、上記ＮＰＮトランジスタのベースに流入す
る電流を変調信号に応じて、電流分岐することにより、
その第２の電流駆動回路のＮＰＮトランジスタのエミッ
タから上記レーザダイオードに流れる電流の制御を行い
、そのレーザダイオードの光強度を変調することを特徴
とするレーザダイオード駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62149976A JPS63312687A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62149976A JPS63312687A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63312687A true JPS63312687A (ja) | 1988-12-21 |
Family
ID=15486744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62149976A Pending JPS63312687A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63312687A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0495576A2 (en) * | 1991-01-17 | 1992-07-22 | International Business Machines Corporation | laser driver for an optical disk drive |
| EP0798828A2 (en) * | 1996-03-29 | 1997-10-01 | Fujitsu Limited | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same |
-
1987
- 1987-06-15 JP JP62149976A patent/JPS63312687A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0495576A2 (en) * | 1991-01-17 | 1992-07-22 | International Business Machines Corporation | laser driver for an optical disk drive |
| EP0798828A2 (en) * | 1996-03-29 | 1997-10-01 | Fujitsu Limited | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same |
| EP0798828A3 (en) * | 1996-03-29 | 1997-12-03 | Fujitsu Limited | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same |
| US6031855A (en) * | 1996-03-29 | 2000-02-29 | Fujitsu Limited | Light emitting element driving circuit and light emitting device having the same |
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