JPH0983050A - 半導体レーザの駆動方法、半導体レーザの駆動回路及び外部変調器 - Google Patents
半導体レーザの駆動方法、半導体レーザの駆動回路及び外部変調器Info
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- JPH0983050A JPH0983050A JP23511395A JP23511395A JPH0983050A JP H0983050 A JPH0983050 A JP H0983050A JP 23511395 A JP23511395 A JP 23511395A JP 23511395 A JP23511395 A JP 23511395A JP H0983050 A JPH0983050 A JP H0983050A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザの駆動方法及び駆動回路に関
し、閾値電流の大きな半導体レーザを使用しても発光遅
延がなく、消光比を大きく保つことができる半導体レー
ザの駆動方法及び駆動回路を提供する。 【解決手段】 入力信号から所定時間遅れたパルス信号
を生成すると共に、該入力信号の立ち上がりと同時に立
ち上がり、該パルス信号の立ち下がりと同時に立ち下が
るバイアス信号を生成し、該パルス信号とバイアス信号
の各々に対応したパルス電流とバイアス電流とを半導体
レーザに供給する。
し、閾値電流の大きな半導体レーザを使用しても発光遅
延がなく、消光比を大きく保つことができる半導体レー
ザの駆動方法及び駆動回路を提供する。 【解決手段】 入力信号から所定時間遅れたパルス信号
を生成すると共に、該入力信号の立ち上がりと同時に立
ち上がり、該パルス信号の立ち下がりと同時に立ち下が
るバイアス信号を生成し、該パルス信号とバイアス信号
の各々に対応したパルス電流とバイアス電流とを半導体
レーザに供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザの駆
動方法及び駆動回路に係り、特に、閾値電流の大きな半
導体レーザを使用しても発光遅延がなく、消光比を大き
く保つことができる半導体レーザの駆動方法及び駆動回
路に関する。
動方法及び駆動回路に係り、特に、閾値電流の大きな半
導体レーザを使用しても発光遅延がなく、消光比を大き
く保つことができる半導体レーザの駆動方法及び駆動回
路に関する。
【０００２】光通信は私設通信網で最初に実用化され、
次いで公衆通信網でも実用化されて本格的に使用される
ようになり、今や、公衆、私設を問わず広く普及してい
る。今後、更に加入者線にも本格的に導入されることは
必至で、通信網が全て光化されるのは遠くない。
次いで公衆通信網でも実用化されて本格的に使用される
ようになり、今や、公衆、私設を問わず広く普及してい
る。今後、更に加入者線にも本格的に導入されることは
必至で、通信網が全て光化されるのは遠くない。
【０００３】この間、発光素子として発光ダイオードが
先ず使用され、半導体レーザが実用化されてからは、大
きな光出力、高速応答という特徴によって次第に半導体
レーザの適用領域が拡大されてきた。しかし、発光ダイ
オードは低価格というメリットにより光伝送路が短いシ
ステム、伝送容量の小さいシステムには今も使用されて
いる。従って、なるべく低価格な半導体レーザをなるべ
く高性能なシステムに使用できるようにすることが大切
である。
先ず使用され、半導体レーザが実用化されてからは、大
きな光出力、高速応答という特徴によって次第に半導体
レーザの適用領域が拡大されてきた。しかし、発光ダイ
オードは低価格というメリットにより光伝送路が短いシ
ステム、伝送容量の小さいシステムには今も使用されて
いる。従って、なるべく低価格な半導体レーザをなるべ
く高性能なシステムに使用できるようにすることが大切
である。
【０００４】
【従来の技術】図１４は、従来の駆動回路の問題点で、
図１４（イ）には閾値電流の大きな半導体レーザを無バ
イアス駆動した場合を、図１４（ロ）には有バイアス駆
動した場合を示している。
図１４（イ）には閾値電流の大きな半導体レーザを無バ
イアス駆動した場合を、図１４（ロ）には有バイアス駆
動した場合を示している。
【０００５】ここで、無バイアス駆動とは半導体レーザ
のバイアス電流を０に設定して、入力信号に対応するパ
ルス電流だけで駆動する方式を意味し、有バイアス駆動
とは半導体レーザのバイアス電流を閾値電流程度に設定
する駆動方式を意味する。
のバイアス電流を０に設定して、入力信号に対応するパ
ルス電流だけで駆動する方式を意味し、有バイアス駆動
とは半導体レーザのバイアス電流を閾値電流程度に設定
する駆動方式を意味する。
【０００６】さて、閾値電流の大きな半導体レーザを無
バイアス駆動した場合には、入力信号の“１”に対応す
る駆動電流（これはパルス電流に等しい。）が入力され
ても、レーザ発信が可能な濃度のキャリアが生成される
までに時間を要するために発光遅延が起こる。この結
果、たとえ入力信号がデューティ比５０％の正常な波形
であっても光出力の波形のデューティ比は低下して波形
歪みが生ずる。この波形歪みは受信側での識別誤りを引
き起こす。
バイアス駆動した場合には、入力信号の“１”に対応す
る駆動電流（これはパルス電流に等しい。）が入力され
ても、レーザ発信が可能な濃度のキャリアが生成される
までに時間を要するために発光遅延が起こる。この結
果、たとえ入力信号がデューティ比５０％の正常な波形
であっても光出力の波形のデューティ比は低下して波形
歪みが生ずる。この波形歪みは受信側での識別誤りを引
き起こす。
【０００７】この問題を回避するために有バイアス駆動
を行なうと、図１４（ロ）の最下の波形図のように、入
力信号の論理レベルが“０”の時にも光出力（Ｐ2 ）が
出るので、入力信号の論理レベル“１”の時の光出力
（Ｐ1 ）との比で定義される消光比が小さくなる。消光
比が小さくなると、受信側での誤り率の低下を引き起こ
す。
を行なうと、図１４（ロ）の最下の波形図のように、入
力信号の論理レベルが“０”の時にも光出力（Ｐ2 ）が
出るので、入力信号の論理レベル“１”の時の光出力
（Ｐ1 ）との比で定義される消光比が小さくなる。消光
比が小さくなると、受信側での誤り率の低下を引き起こ
す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のような問題点を
できるだけ回避するために、半導体レーザの発光遅延時
間を小さくする必要があり、且つ、大きな消光比を確保
する必要がある光通信システムにおいては、閾値電流の
小さな半導体レーザを使用している。この目的に合致す
る半導体レーザは、歪み量子井戸を取り入れたファブリ
ー・ペロー共振器構造のもので、且つ、ファブリー・ペ
ロー共振器の両端面に反射率の高い膜をコートしたもの
である。
できるだけ回避するために、半導体レーザの発光遅延時
間を小さくする必要があり、且つ、大きな消光比を確保
する必要がある光通信システムにおいては、閾値電流の
小さな半導体レーザを使用している。この目的に合致す
る半導体レーザは、歪み量子井戸を取り入れたファブリ
ー・ペロー共振器構造のもので、且つ、ファブリー・ペ
ロー共振器の両端面に反射率の高い膜をコートしたもの
である。
【０００９】しかし、ファブリー・ペロー共振器型半導
体レーザを使用するために出力光の波長範囲が広く、両
端面に反射率の高い膜をコートしたものであるために光
出力が小さいという問題がある。前者により、波長多重
を行なう場合には複数光の波長間隔を広くとる必要があ
るために、多重数に制約が加わる。又、後者により、光
結合系の結合効率を高くするためにレンズ結合を採用す
る必要性が生じ、低価格化が困難である。
体レーザを使用するために出力光の波長範囲が広く、両
端面に反射率の高い膜をコートしたものであるために光
出力が小さいという問題がある。前者により、波長多重
を行なう場合には複数光の波長間隔を広くとる必要があ
るために、多重数に制約が加わる。又、後者により、光
結合系の結合効率を高くするためにレンズ結合を採用す
る必要性が生じ、低価格化が困難である。
【００１０】本発明は、かかる問題点に鑑み、閾値電流
の大きな半導体レーザを使用しても発光遅延がなく、消
光比を大きく保つことができる半導体レーザの駆動方法
及び駆動回路を提供することを目的とする。
の大きな半導体レーザを使用しても発光遅延がなく、消
光比を大きく保つことができる半導体レーザの駆動方法
及び駆動回路を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は、本発明の原理で
ある。本発明の原理は、入力信号に対応したパルス電流
の流れ出しより微小な時間Δｔ早くバイアス電流を流し
始め、該バイアス電流はパルス電流の流れ終りまで流
し、該バイアス電流とパルス電流との和の電流によって
半導体レーザを駆動するものである。該微小な時間Δｔ
は、半導体レーザに固有の応答特性と伝送速度とから実
験的に決定すればよいが、例えば、１００Ｍｂ／ｓの光
通信システムの場合、数百ｐｓ（１ｐｓ＝１０-12 ｓ）
程度でよい。
ある。本発明の原理は、入力信号に対応したパルス電流
の流れ出しより微小な時間Δｔ早くバイアス電流を流し
始め、該バイアス電流はパルス電流の流れ終りまで流
し、該バイアス電流とパルス電流との和の電流によって
半導体レーザを駆動するものである。該微小な時間Δｔ
は、半導体レーザに固有の応答特性と伝送速度とから実
験的に決定すればよいが、例えば、１００Ｍｂ／ｓの光
通信システムの場合、数百ｐｓ（１ｐｓ＝１０-12 ｓ）
程度でよい。
【００１２】上記のようにパルス電流の流れ出しよりΔ
ｔ早くバイアス電流を流し始めるので、パルス電流を流
すタイミングには半導体レーザ内のキャリアは発光に十
分な濃度になっており、発光遅延時間は無視できるよう
になる。又、上記の例に示した如くΔｔはパルス幅に対
して１０％程度であり、消光比も実質的には劣化しな
い。
ｔ早くバイアス電流を流し始めるので、パルス電流を流
すタイミングには半導体レーザ内のキャリアは発光に十
分な濃度になっており、発光遅延時間は無視できるよう
になる。又、上記の例に示した如くΔｔはパルス幅に対
して１０％程度であり、消光比も実質的には劣化しな
い。
【００１３】図２は、本発明の第二の原理である。本発
明の第二の原理は、特にバースト伝送の場合に効果を奏
するものであるが、バーストを送信しない待機期間には
半導体レーザにバイアス電流を供給せず、バーストを送
信する有効期間にのみ半導体レーザにバイアス電流を供
給するものである。
明の第二の原理は、特にバースト伝送の場合に効果を奏
するものであるが、バーストを送信しない待機期間には
半導体レーザにバイアス電流を供給せず、バーストを送
信する有効期間にのみ半導体レーザにバイアス電流を供
給するものである。
【００１４】これにより、待機期間の割合が大きいシス
テムにおいては、待機期間にバイアス電流を流す必要が
ないので電力効率を高めることができる。又、有効期間
においてはバイアス電流を流しているので、有効期間内
の信号パルスに対応する光出力には発光遅延が生じな
い。
テムにおいては、待機期間にバイアス電流を流す必要が
ないので電力効率を高めることができる。又、有効期間
においてはバイアス電流を流しているので、有効期間内
の信号パルスに対応する光出力には発光遅延が生じな
い。
【００１５】図３は、本発明の第三の原理である。本発
明の第三の原理も又、特にバースト伝送の場合に効果を
奏するものであり、バーストを送信しない待機期間には
半導体レーザにバイアス電流を供給せず、バーストを送
信する有効期間にのみ半導体レーザにバイアス電流を供
給することに加えて、有効期間の最初のパルスに対応す
るパルス電流の流れ出しより早くバイアス電流を流し始
めるものである。
明の第三の原理も又、特にバースト伝送の場合に効果を
奏するものであり、バーストを送信しない待機期間には
半導体レーザにバイアス電流を供給せず、バーストを送
信する有効期間にのみ半導体レーザにバイアス電流を供
給することに加えて、有効期間の最初のパルスに対応す
るパルス電流の流れ出しより早くバイアス電流を流し始
めるものである。
【００１６】従って、本発明の第三の原理は、本発明の
第二の原理の利点に加えて、有効期間の最初のパルスに
対しても発光遅延が生じないという利点がある。図４
は、パルス電流とバイアス電流を流すためのパルス信号
とバイアス信号の生成回路である。
第二の原理の利点に加えて、有効期間の最初のパルスに
対しても発光遅延が生じないという利点がある。図４
は、パルス電流とバイアス電流を流すためのパルス信号
とバイアス信号の生成回路である。
【００１７】図４において、１１は遅延回路、１２は論
理和回路である。図５は、図４の構成のタイムチャート
である。以下、図４と図５とを参照して図４の構成の動
作を説明する。
理和回路である。図５は、図４の構成のタイムチャート
である。以下、図４と図５とを参照して図４の構成の動
作を説明する。
【００１８】入力信号は遅延回路と論理和回路の一方の
入力端子に供給される。遅延回路の遅延時間をΔｔとす
ると、遅延回路の出力信号は入力信号にΔｔの遅延が加
わった信号になる。これをパルス信号として出力すると
共に、論理和回路のもう一方の入力端子に供給する。論
理和回路では入力信号と遅延回路の出力信号の論理和を
とるので、論理和回路の出力信号におけるパルスは入力
信号のパルスの立ち上がりで立ち上がって、パルス信号
の立ち下がりで立ち下がる。これをバイアス信号として
出力する。
入力端子に供給される。遅延回路の遅延時間をΔｔとす
ると、遅延回路の出力信号は入力信号にΔｔの遅延が加
わった信号になる。これをパルス信号として出力すると
共に、論理和回路のもう一方の入力端子に供給する。論
理和回路では入力信号と遅延回路の出力信号の論理和を
とるので、論理和回路の出力信号におけるパルスは入力
信号のパルスの立ち上がりで立ち上がって、パルス信号
の立ち下がりで立ち下がる。これをバイアス信号として
出力する。
【００１９】即ち、バイアス信号はパルス電流よりΔｔ
早く立ち上がり、パルス電流と同じタイミングで立ち下
がる信号となる。このパルス信号とバイアス信号によっ
てパルス電流とバイアス電流を供給して半導体レーザを
駆動すれば、本発明の原理に示した駆動電流を半導体レ
ーザに供給することができる。
早く立ち上がり、パルス電流と同じタイミングで立ち下
がる信号となる。このパルス信号とバイアス信号によっ
てパルス電流とバイアス電流を供給して半導体レーザを
駆動すれば、本発明の原理に示した駆動電流を半導体レ
ーザに供給することができる。
【００２０】又、図４の構成の入力端子に、バースト伝
送の送信期間を示す有効信号を供給すれば、有効信号の
立ち上がりと同時に立ち上がり、有効信号をΔｔ遅らせ
た信号の立ち下がりと同時に立ち下がる第二のバイアス
信号をを生成することもできる。尚、この場合には遅延
回路の出力信号は半導体レーザの駆動には使用しない。
送の送信期間を示す有効信号を供給すれば、有効信号の
立ち上がりと同時に立ち上がり、有効信号をΔｔ遅らせ
た信号の立ち下がりと同時に立ち下がる第二のバイアス
信号をを生成することもできる。尚、この場合には遅延
回路の出力信号は半導体レーザの駆動には使用しない。
【００２１】
【発明の実施の形態】図６は、本発明の実施の形態であ
る。図６において、２１は反転増幅器、２２ａ乃至２２
ｄは抵抗、２３は半導体レーザを駆動するトランジス
タ、２４は半導体レーザである。
る。図６において、２１は反転増幅器、２２ａ乃至２２
ｄは抵抗、２３は半導体レーザを駆動するトランジス
タ、２４は半導体レーザである。
【００２２】図６の構成は、反転増幅器と抵抗２２ａ乃
至２２ｃにより加算増幅器が構成されているから、抵抗
２２ａと抵抗２２ｂのオープン側の端子にパルス信号と
バイアス信号を供給し、半導体レーザから光出力を取り
出すものである。加算増幅器の二の入力端子から出力ま
での利得の絶対値は、抵抗２２ｃの抵抗値と抵抗２２ａ
又は抵抗２２ｂの抵抗値の比で与えられるので、これら
の比を適宜設定すればトランジスタ２３に図１に示した
ようなバイアス電流とパルス電流を流すことができ、半
導体レーザに図１にしめしたような駆動電流を供給する
ことができる。尚、図６においては図が煩雑化するのを
避けて二の入力端子に設けるべきレベルシフト回路とト
ランジスタのベースバイアスを決定するバイアス回路は
図示を省略している。
至２２ｃにより加算増幅器が構成されているから、抵抗
２２ａと抵抗２２ｂのオープン側の端子にパルス信号と
バイアス信号を供給し、半導体レーザから光出力を取り
出すものである。加算増幅器の二の入力端子から出力ま
での利得の絶対値は、抵抗２２ｃの抵抗値と抵抗２２ａ
又は抵抗２２ｂの抵抗値の比で与えられるので、これら
の比を適宜設定すればトランジスタ２３に図１に示した
ようなバイアス電流とパルス電流を流すことができ、半
導体レーザに図１にしめしたような駆動電流を供給する
ことができる。尚、図６においては図が煩雑化するのを
避けて二の入力端子に設けるべきレベルシフト回路とト
ランジスタのベースバイアスを決定するバイアス回路は
図示を省略している。
【００２３】又、図６においては、バイポーラ・トラン
ジスタを使用する例を図示しているが、半導体レーザを
駆動する素子はこれに限定されるものではなく、ＭＯＳ
トランジスタや所謂ＨＥＭＴ（High Electron Mobility
Transistor ）のような能動素子であってもよい。この
ことは、以下に示す複数の実施の形態においても同様で
ある。
ジスタを使用する例を図示しているが、半導体レーザを
駆動する素子はこれに限定されるものではなく、ＭＯＳ
トランジスタや所謂ＨＥＭＴ（High Electron Mobility
Transistor ）のような能動素子であってもよい。この
ことは、以下に示す複数の実施の形態においても同様で
ある。
【００２４】図７は、本発明の第二の実施の形態（その
１）である。図７において、３１ａ及び３１ｂは電流ス
イッチを構成するトランジスタ、３１ｃ及び３１ｄは電
流スイッチを構成するトランジスタ、３１ｅ及び３１ｆ
は電流スイッチの電流源としてのトランジスタ、３２ａ
乃至３２ｄは抵抗、３３は半導体レーザである。
１）である。図７において、３１ａ及び３１ｂは電流ス
イッチを構成するトランジスタ、３１ｃ及び３１ｄは電
流スイッチを構成するトランジスタ、３１ｅ及び３１ｆ
は電流スイッチの電流源としてのトランジスタ、３２ａ
乃至３２ｄは抵抗、３３は半導体レーザである。
【００２５】そして、バイアス信号はトランジスタ３１
ａと３１ｂからなる電流スイッチに、パルス信号はトラ
ンジスタ３１ｃと３１ｄからなる電流スイッチに供給す
ると、バイアス信号のパルスに対応するバイアス電流が
トランジスタ３１ｂに流れ、Δｔ遅れてパルス信号に対
応するパルス電流がトランジスタ３１ｄに流れて、半導
体レーザには図１に示した波形の駆動電流が供給され
る。尚、電流スイッチへのバイアス信号の供給の仕方で
あるが、バイアス信号をトランジスタ３１ａのベースに
供給してトランジスタ３１ｂのベースはアースしても、
又、バイアス信号をトランジスタ３１ａのベースに供給
してバイアス信号の反転信号をトランジスタ３１ｂのベ
ースに供給してもよい。これは、電流スイッチへのパル
ス信号の供給の仕方についても同様である。
ａと３１ｂからなる電流スイッチに、パルス信号はトラ
ンジスタ３１ｃと３１ｄからなる電流スイッチに供給す
ると、バイアス信号のパルスに対応するバイアス電流が
トランジスタ３１ｂに流れ、Δｔ遅れてパルス信号に対
応するパルス電流がトランジスタ３１ｄに流れて、半導
体レーザには図１に示した波形の駆動電流が供給され
る。尚、電流スイッチへのバイアス信号の供給の仕方で
あるが、バイアス信号をトランジスタ３１ａのベースに
供給してトランジスタ３１ｂのベースはアースしても、
又、バイアス信号をトランジスタ３１ａのベースに供給
してバイアス信号の反転信号をトランジスタ３１ｂのベ
ースに供給してもよい。これは、電流スイッチへのパル
ス信号の供給の仕方についても同様である。
【００２６】図８は、本発明の第二の実施の形態（その
２）である。図８において、３１ｃ及び３１ｄは電流ス
イッチを構成するトランジスタ、３１ｅ及び３１ｆは電
流源となるトランジスタ、３２ａ乃至３２ｄは抵抗、３
３は半導体レーザである。
２）である。図８において、３１ｃ及び３１ｄは電流ス
イッチを構成するトランジスタ、３１ｅ及び３１ｆは電
流源となるトランジスタ、３２ａ乃至３２ｄは抵抗、３
３は半導体レーザである。
【００２７】図８の構成の場合には、パルス信号をトラ
ンジスタ３１ｃと３１ｄによって構成される電流スイッ
チに供給し、バイアス信号はトランジスタ３１ｅのベー
スに供給する。これにより、バイアス信号のパルスに対
応するバイアス電流がトランジスタ３１ｅに流れ、Δｔ
遅れてパルス信号に対応するパルス電流がトランジスタ
３１ｄに流れて、半導体レーザには図１に示した波形の
駆動電流が供給される。尚、電流スイッチへのパルス信
号の供給の仕方であるが、パルス信号をトランジスタ３
１ｃのベースに供給してトランジスタ３１ｄのベースは
アースしても、又、パルス信号をトランジスタ３１ｃの
ベースに供給してパルス信号の反転信号をトランジスタ
３１ｄのベースに供給してもよい。
ンジスタ３１ｃと３１ｄによって構成される電流スイッ
チに供給し、バイアス信号はトランジスタ３１ｅのベー
スに供給する。これにより、バイアス信号のパルスに対
応するバイアス電流がトランジスタ３１ｅに流れ、Δｔ
遅れてパルス信号に対応するパルス電流がトランジスタ
３１ｄに流れて、半導体レーザには図１に示した波形の
駆動電流が供給される。尚、電流スイッチへのパルス信
号の供給の仕方であるが、パルス信号をトランジスタ３
１ｃのベースに供給してトランジスタ３１ｄのベースは
アースしても、又、パルス信号をトランジスタ３１ｃの
ベースに供給してパルス信号の反転信号をトランジスタ
３１ｄのベースに供給してもよい。
【００２８】図９は、本発明の第三の実施の形態であ
る。図９において、４１ａ及び４１ｂは電流スイッチを
構成するトランジスタ、４１ｃ及び４１ｄは電流スイッ
チを構成するトランジスタ、４１ｅ及び４１ｆは電流ス
イッチの電流源としてのトランジスタ、４２ａ乃至４２
ｃは抵抗、４３は温度によって抵抗値が可変な抵抗、４
３は半導体レーザである。
る。図９において、４１ａ及び４１ｂは電流スイッチを
構成するトランジスタ、４１ｃ及び４１ｄは電流スイッ
チを構成するトランジスタ、４１ｅ及び４１ｆは電流ス
イッチの電流源としてのトランジスタ、４２ａ乃至４２
ｃは抵抗、４３は温度によって抵抗値が可変な抵抗、４
３は半導体レーザである。
【００２９】図９においても図７と同様に、バイアス信
号をトランジスタ４１ａと４１ｂからなる電流スイッチ
に、パルス信号をトランジスタ４１ｃと４１ｄからなる
電流スイッチに供給すると、バイアス信号のパルスに対
応するバイアス電流がトランジスタ４１ｂに流れ、Δｔ
遅れてパルス信号に対応するパルス電流がトランジスタ
４１ｄに流れて、半導体レーザには図１に示した波形の
駆動電流が供給される。尚、電流スイッチへのバイアス
信号の供給についても、図７の説明において記述した仕
方と全く同様である。
号をトランジスタ４１ａと４１ｂからなる電流スイッチ
に、パルス信号をトランジスタ４１ｃと４１ｄからなる
電流スイッチに供給すると、バイアス信号のパルスに対
応するバイアス電流がトランジスタ４１ｂに流れ、Δｔ
遅れてパルス信号に対応するパルス電流がトランジスタ
４１ｄに流れて、半導体レーザには図１に示した波形の
駆動電流が供給される。尚、電流スイッチへのバイアス
信号の供給についても、図７の説明において記述した仕
方と全く同様である。
【００３０】ところで、半導体レーザの駆動電流と光出
力の関係は図１３に概念的に示すように、低温であると
閾値電流が小さく、駆動電流の変化に対する光出力の変
化が大きいのに対して、高温になると閾値電流が大きく
なり、駆動電流の変化に対する光出力の変化が小さくな
る。従って、高温になるにつれて同じバイアス信号に対
するバイアス電流が大きくなるように、又、同じパルス
信号に対するパルス電流が大きくなるようにする必要が
ある。
力の関係は図１３に概念的に示すように、低温であると
閾値電流が小さく、駆動電流の変化に対する光出力の変
化が大きいのに対して、高温になると閾値電流が大きく
なり、駆動電流の変化に対する光出力の変化が小さくな
る。従って、高温になるにつれて同じバイアス信号に対
するバイアス電流が大きくなるように、又、同じパルス
信号に対するパルス電流が大きくなるようにする必要が
ある。
【００３１】今、図９の構成における温度によって抵抗
値が可変な抵抗の温度係数がマイナスであれば、温度が
高くなるにつれてトランジスタ４１ｅとトランジスタ４
１ｆのベース電圧が上昇するので、高温になるにつれて
同じバイアス信号に対するバイアス電流が大きくなるよ
うに、又、同じパルス信号に対するパルス電流がおきく
なるようにすることができる。図９においては、ベース
バイアス回路の高電圧側に温度によって抵抗値が可変な
抵抗を用いるのでマイナスの温度係数が必要となるが、
ベースバイアス回路の低電圧側に温度によって抵抗値が
可変な抵抗を用いる場合にはプラスの温度係数が必要に
なる。尚、図９においては、トランジスタ４１ｅとトラ
ンジスタ４１ｆに共通に温度係数を有するバイアス電圧
を供給する例を図示しているが、閾値電流と光出力に対
する温度係数の差を忠実にバイアス電流とパルス電流に
反映させるためには、トランジスタ４１ｅとトランジス
タ４２ｆには別々の温度係数を有するバイアス電圧を供
給することが必要な場合もあるし、光出力に余裕がある
時などトランジスタ４１ｆには温度係数を有するバイア
ス電圧を供給する必要がない場合もある。
値が可変な抵抗の温度係数がマイナスであれば、温度が
高くなるにつれてトランジスタ４１ｅとトランジスタ４
１ｆのベース電圧が上昇するので、高温になるにつれて
同じバイアス信号に対するバイアス電流が大きくなるよ
うに、又、同じパルス信号に対するパルス電流がおきく
なるようにすることができる。図９においては、ベース
バイアス回路の高電圧側に温度によって抵抗値が可変な
抵抗を用いるのでマイナスの温度係数が必要となるが、
ベースバイアス回路の低電圧側に温度によって抵抗値が
可変な抵抗を用いる場合にはプラスの温度係数が必要に
なる。尚、図９においては、トランジスタ４１ｅとトラ
ンジスタ４１ｆに共通に温度係数を有するバイアス電圧
を供給する例を図示しているが、閾値電流と光出力に対
する温度係数の差を忠実にバイアス電流とパルス電流に
反映させるためには、トランジスタ４１ｅとトランジス
タ４２ｆには別々の温度係数を有するバイアス電圧を供
給することが必要な場合もあるし、光出力に余裕がある
時などトランジスタ４１ｆには温度係数を有するバイア
ス電圧を供給する必要がない場合もある。
【００３２】更に、図９においては、トランジスタ４１
ｅとトランジスタ４１ｆに温度係数を有するバイアス電
圧を供給するために、温度によって可変な抵抗を使用す
る例を説明したが、温度係数を有するバイアス電圧を生
成する回路はこれには限定されない。例えば、図９にお
ける温度によって可変な抵抗４３の代わりに通常の抵抗
と必要な数のダイオードを直列に接続したものを使用し
てもよい。ダイオード、特にシリコン・ダイオードの順
方向電圧は約−２ｍＶ／℃の温度係数を有するので、高
温になると低下するバイアス電圧を生成することができ
る。尚、ダイオードを使用すれば、半導体レーザの駆動
回路を集積化するのに好都合である。
ｅとトランジスタ４１ｆに温度係数を有するバイアス電
圧を供給するために、温度によって可変な抵抗を使用す
る例を説明したが、温度係数を有するバイアス電圧を生
成する回路はこれには限定されない。例えば、図９にお
ける温度によって可変な抵抗４３の代わりに通常の抵抗
と必要な数のダイオードを直列に接続したものを使用し
てもよい。ダイオード、特にシリコン・ダイオードの順
方向電圧は約−２ｍＶ／℃の温度係数を有するので、高
温になると低下するバイアス電圧を生成することができ
る。尚、ダイオードを使用すれば、半導体レーザの駆動
回路を集積化するのに好都合である。
【００３３】マイナスの温度係数を有する抵抗をバイア
ス回路の高電圧側に用いる構成、プラスの温度係数を有
する抵抗をバイアス回路の低電圧側に用いる構成、及
び、ダイオードと抵抗を直列接続したものをバイアス回
路の高電圧側に用いる構成について共通していること
は、電流源となるトランジスタのベースに正の温度係数
を有するバイアス電圧を供給するということである。
ス回路の高電圧側に用いる構成、プラスの温度係数を有
する抵抗をバイアス回路の低電圧側に用いる構成、及
び、ダイオードと抵抗を直列接続したものをバイアス回
路の高電圧側に用いる構成について共通していること
は、電流源となるトランジスタのベースに正の温度係数
を有するバイアス電圧を供給するということである。
【００３４】図１０は、本発明の第四の実施の形態（そ
の１）である。図１０において、５１ａ及び５１ｂは電
流スイッチを構成するトランジスタ、５１ｃ及び５１ｄ
は電流スイッチを構成するトランジスタ、５１ｅ及び５
１ｆは電流スイッチの電流源としてのトランジスタ、５
２ａ乃至５２ｄは抵抗、５３は半導体レーザ、５４はア
ナログ・スイッチである。
の１）である。図１０において、５１ａ及び５１ｂは電
流スイッチを構成するトランジスタ、５１ｃ及び５１ｄ
は電流スイッチを構成するトランジスタ、５１ｅ及び５
１ｆは電流スイッチの電流源としてのトランジスタ、５
２ａ乃至５２ｄは抵抗、５３は半導体レーザ、５４はア
ナログ・スイッチである。
【００３５】図１０の構成は図７の構成と基本的には同
じであり、アナログ・スイッチにおいて、バースト信号
の送信を示す有効信号によって抵抗５２ａの一方の端子
に電圧源の電圧を供給するかアース電圧を供給するか選
択することのみが異なっている。アナログ・スイッチ
を、有効信号が“１”の場合に電圧源の電圧を選択し、
有効信号が“０”の場合にアースを選択するように接続
すれば、半導体レーザには図２のように有効期間にバイ
アス電流が供給され、その上、入力信号のパルスに対応
するパルス電流が供給される。
じであり、アナログ・スイッチにおいて、バースト信号
の送信を示す有効信号によって抵抗５２ａの一方の端子
に電圧源の電圧を供給するかアース電圧を供給するか選
択することのみが異なっている。アナログ・スイッチ
を、有効信号が“１”の場合に電圧源の電圧を選択し、
有効信号が“０”の場合にアースを選択するように接続
すれば、半導体レーザには図２のように有効期間にバイ
アス電流が供給され、その上、入力信号のパルスに対応
するパルス電流が供給される。
【００３６】尚、図１０の構成において、温度係数を有
するバイアス電圧を生成する構成を併せ適用することも
可能であることはいうまでもない。図１１は、本発明の
第四の実施の形態（その２）である。
するバイアス電圧を生成する構成を併せ適用することも
可能であることはいうまでもない。図１１は、本発明の
第四の実施の形態（その２）である。
【００３７】図１１において、５１ｃ及び５１ｄは電流
スイッチを構成するトランジスタ、５１ｅ及び５１ｆは
電流源となるトランジスタ、５２ｃと５２ｄは抵抗、５
３は半導体レーザである。
スイッチを構成するトランジスタ、５１ｅ及び５１ｆは
電流源となるトランジスタ、５２ｃと５２ｄは抵抗、５
３は半導体レーザである。
【００３８】図１１の構成は図８の構成と基本的には同
じであり、有効信号をトランジスタ５１ｅとトランジス
タ５１ｆのベースに供給することのみ異なっている。こ
の構成により、有効期間においてのみバイアス電流が半
導体レーザに供給され、その上、パルス信号のパルスに
対応するパルス電流がトランジスタ５１ｄを介して半導
体レーザに供給される。
じであり、有効信号をトランジスタ５１ｅとトランジス
タ５１ｆのベースに供給することのみ異なっている。こ
の構成により、有効期間においてのみバイアス電流が半
導体レーザに供給され、その上、パルス信号のパルスに
対応するパルス電流がトランジスタ５１ｄを介して半導
体レーザに供給される。
【００３９】又、特に図１０及び図１１と別の図として
は図示しないが、有効信号によって生成した、有効信号
と同時に立ち上がり、有効信号の立ち下がりよりΔｔ遅
れて立ち下がる信号を図１０及び図１１のトランジスタ
５１ｅのベースに供給し、図１０及び図１１のトランジ
スタ５１ｃとトランジスタ５１ｄに入力信号のパルスに
対応するパルス電流を供給すれば、図３に示した駆動電
流を半導体レーザに供給することができる。
は図示しないが、有効信号によって生成した、有効信号
と同時に立ち上がり、有効信号の立ち下がりよりΔｔ遅
れて立ち下がる信号を図１０及び図１１のトランジスタ
５１ｅのベースに供給し、図１０及び図１１のトランジ
スタ５１ｃとトランジスタ５１ｄに入力信号のパルスに
対応するパルス電流を供給すれば、図３に示した駆動電
流を半導体レーザに供給することができる。
【００４０】図１２は本発明の第五の実施の形態であ
る。図１２は、所謂外部変調器の構成で、６１はトラン
ジスタ、６２は抵抗、６３は半導体レーザ、６４は外部
変調素子である。
る。図１２は、所謂外部変調器の構成で、６１はトラン
ジスタ、６２は抵抗、６３は半導体レーザ、６４は外部
変調素子である。
【００４１】外部変調器においては、基本的には半導体
レーザは一定レベルの光出力を外部変調素子に供給し、
該外部変調素子に別に供給される入力信号によって該一
定レベルの光を断続して変調された光を出力する。従っ
て、バースト伝送のような場合には、信号を送信してい
ない待機期間が長いので、常に一定の光出力を外部変調
素子に供給することは電力効率上好ましくない。
レーザは一定レベルの光出力を外部変調素子に供給し、
該外部変調素子に別に供給される入力信号によって該一
定レベルの光を断続して変調された光を出力する。従っ
て、バースト伝送のような場合には、信号を送信してい
ない待機期間が長いので、常に一定の光出力を外部変調
素子に供給することは電力効率上好ましくない。
【００４２】そこで、有効信号又は有効信号と同時に立
ち上がって有効信号よりΔｔ遅れて立ち下がる信号をト
ランジスタ６１のベースに供給して、有効信号又は有効
信号と同時に立ち上がって有効信号よりΔｔ遅れて立ち
下がる電流によって半導体レーザ６３を駆動すれば、電
力効率の向上が可能である。
ち上がって有効信号よりΔｔ遅れて立ち下がる信号をト
ランジスタ６１のベースに供給して、有効信号又は有効
信号と同時に立ち上がって有効信号よりΔｔ遅れて立ち
下がる電流によって半導体レーザ６３を駆動すれば、電
力効率の向上が可能である。
【００４３】又、図１２の構成で、入力信号のパルスの
一つ一つに対応して同様なことを行なうことも当然可能
である。この場合には、図４で生成されたバイアス信号
をトランジスタ６１のベースに供給し、図４で生成され
たパルス信号を外部変調素子の入力信号端子に供給すれ
ばよい。
一つ一つに対応して同様なことを行なうことも当然可能
である。この場合には、図４で生成されたバイアス信号
をトランジスタ６１のベースに供給し、図４で生成され
たパルス信号を外部変調素子の入力信号端子に供給すれ
ばよい。
【００４４】尚、外部変調素子としては、リチウム・ナ
イオベートの表面に光導波路でマッハツェンダ型の干渉
計を形成し、二に分割された導波路に入力信号に対応し
た異なる電圧を印加して光源の光を断続する形式のもの
でも、光源の光を半導体中で入力信号によって断続する
形式のものであってもよい。
イオベートの表面に光導波路でマッハツェンダ型の干渉
計を形成し、二に分割された導波路に入力信号に対応し
た異なる電圧を印加して光源の光を断続する形式のもの
でも、光源の光を半導体中で入力信号によって断続する
形式のものであってもよい。
【００４５】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明により、閾値
電流の大きな半導体レーザを使用しても発光遅延がな
く、消光比を大きく保つことができる半導体レーザの駆
動方法及び駆動回路が実現される。これにより、比較的
低価格ではあるが性能に難点がある半導体レーザを通常
より高性能な光通信装置に適用できるようになり、光通
信装置の低価格化に貢献できる。
電流の大きな半導体レーザを使用しても発光遅延がな
く、消光比を大きく保つことができる半導体レーザの駆
動方法及び駆動回路が実現される。これにより、比較的
低価格ではあるが性能に難点がある半導体レーザを通常
より高性能な光通信装置に適用できるようになり、光通
信装置の低価格化に貢献できる。
【００４６】又、バースト伝送や外部変調器にも同じ原
理を適用して、電力効率を向上することも可能である。
理を適用して、電力効率を向上することも可能である。
【図１】 本発明の原理。
【図２】 本発明の第二の原理。
【図３】 本発明の第三の原理。
【図４】 パルス信号とバイアス信号の生成回路。
【図５】 図４の構成のタイムチャート。
【図６】 本発明の実施の形態。
【図７】 本発明の第二の実施の形態（その１）。
【図８】 本発明の第二の実施の形態（その２）。
【図９】 本発明の第三の実施の形態。
【図１０】 本発明の第四の実施の形態（その１）。
【図１１】 本発明の第四の実施の形態（その２）。
【図１２】 本発明の第五の実施の形態。
【図１３】 半導体レーザの温度特性を説明する図。
【図１４】 従来の駆動回路の問題点。
３１ａ、３１ｂ 電流スイッチを構成するトランジスタ ３１ｃ、３１ｄ 電流スイッチを構成するトランジスタ ３１ｅ、３１ｆ 電流源となるトランジスタ ３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ 抵抗 ３３ 半導体レーザ
Claims (10)
- 【請求項１】 入力信号から所定時間遅れたパルス信号
を生成すると共に、 該入力信号の立ち上がりと同時に立ち上がり、該パルス
信号の立ち下がりと同時に立ち下がるバイアス信号を生
成し、 該パルス信号とバイアス信号の各々に対応したパルス電
流とバイアス電流とを半導体レーザに供給することを特
徴とする半導体レーザの駆動方法。 - 【請求項２】 バースト伝送の送信期間を示す有効信号
によって半導体レーザにバイアス電流を供給し、 バースト伝送の入力信号によって半導体レーザにパルス
電流を供給することを特徴とする半導体レーザの駆動方
法。 - 【請求項３】 バースト伝送の送信期間を示す有効信号
の立ち上がりと同時に立ち上がり、該有効信号より所定
時間遅れた信号の立ち下がりと同時に立ち下がる第二の
バイアス信号によって半導体レーザにバイアス電流を供
給し、 バースト伝送の入力信号によって半導体レーザにパルス
電流を供給することを特徴とする半導体レーザの駆動方
法。 - 【請求項４】 請求項１記載のパルス信号と、請求項１
記載のバイアス信号を加算増幅し、該加算増幅された信
号を、半導体レーザを駆動する能動素子に供給する構成
を備えることを特徴とする半導体レーザの駆動回路。 - 【請求項５】 請求項１記載のパルス信号によって半導
体レーザにパルス電流を供給し、 請求項１記載のバイアス信号によって半導体レーザにバ
イアス電流を供給する構成を備えることを特徴とする半
導体レーザの駆動回路。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体レーザの駆動回路
であって、 半導体レーザのバイアス電流を決定する電流源と該半導
体レーザのパルス電流を決定する電流源の一方又は双方
のバイアス電圧に、半導体レーザの温度特性に見合った
正の温度係数を与える構成を備えることを特徴とする半
導体レーザの駆動回路。 - 【請求項７】 請求項５記載の半導体レーザの駆動回路
であって、 バースト伝送の送信期間を示す有効信号が論理レベル
“１”の時にバイアス電流を半導体レーザに供給し、 バースト伝送の送信期間を示す有効信号が論理レベル
“０”の時に半導体レーザのバイアス電流を停止する構
成を備えることを特徴とする半導体レーザの駆動回路。 - 【請求項８】 請求項５記載の半導体レーザの駆動回路
であって、 請求項３記載の第二のバイアス信号によって半導体レー
ザにバイアス電流を供給する構成を備えることを特徴と
する半導体レーザの駆動回路。 - 【請求項９】 請求項１記載のバイアス信号を光源とな
る半導体レーザを駆動する能動素子に供給し、 請求項１記載のパルス信号を外部変調素子の入力端子に
供給する構成を備えることを特徴とする外部変調器。 - 【請求項１０】 バースト伝送の送信期間を示す有効信
号、又は、請求項３記載の第二のバイアス信号のいずれ
かを光源となる半導体レーザを駆動する能動素子に供給
し、 請求項１記載のパルス信号を外部変調素子の入力端子に
供給する構成を備えることを特徴とする外部変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23511395A JPH0983050A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 半導体レーザの駆動方法、半導体レーザの駆動回路及び外部変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23511395A JPH0983050A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 半導体レーザの駆動方法、半導体レーザの駆動回路及び外部変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983050A true JPH0983050A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16981254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23511395A Pending JPH0983050A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 半導体レーザの駆動方法、半導体レーザの駆動回路及び外部変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0983050A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000025458A1 (fr) * | 1998-10-23 | 2000-05-04 | Fujitsu Limited | Dispositif d'emission optique |
| WO2001011740A1 (fr) * | 1999-08-03 | 2001-02-15 | Fujitsu Limited | Circuit de commande d'un laser a semi-conducteur et procede associe |
| JP2001358400A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Nippon Soken Inc | レーザーダイオード駆動制御装置 |
| JP2003347664A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動回路及び画像形成装置 |
| EP1458068A2 (en) * | 2003-03-13 | 2004-09-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Driving circuit for semiconductor laser |
| JP2006216849A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Seiko Epson Corp | レーザ素子の駆動方法、レーザ素子の駆動回路、光通信装置、電子機器 |
| JP2007521595A (ja) * | 2003-06-27 | 2007-08-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光記憶システムで使用するダイオード装置の制御方法 |
| JP2008028730A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | 光送信装置 |
| US7480320B2 (en) | 2002-10-31 | 2009-01-20 | Ricoh Company, Ltd | Semiconductor laser driving device, semiconductor laser driving method, and image forming apparatus using semiconductor laser driving device |
| WO2009011019A1 (ja) | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Mitsubishi Electric Corporation | 光送信器 |
| JP2009141890A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | バースト光送信器 |
| JP2009143239A (ja) * | 1998-09-23 | 2009-07-02 | Agfa Gevaert Nv | しきい値電流レベルを有するレーザーを制御するための方法と装置 |
| US7672345B2 (en) | 2004-07-29 | 2010-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser drive control apparatus |
| JP2010136244A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Toshiba Corp | 送信回路およびコンプリメンタリー光配線システム |
| JP2011146469A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 低電力レーザ駆動回路 |
| US8811441B2 (en) | 2010-02-18 | 2014-08-19 | Ricoh Company, Limited | Laser driving device, optical scanning device, image forming apparatus, and laser driving method |
| US8896648B2 (en) | 2010-03-16 | 2014-11-25 | Ricoh Company, Ltd. | Laser driving unit and image forming apparatus |
| US8957934B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-02-17 | Ricoh Company, Ltd. | Light source drive circuit, optical scanning apparatus, semiconductor drive circuit, and image forming apparatus |
| JP2015041657A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 株式会社島津製作所 | 光デバイス駆動回路 |
| JP2021150422A (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-27 | 株式会社リコー | 駆動装置、光源、画像投影装置およびヘッドアップディスプレイ |
-
1995
- 1995-09-13 JP JP23511395A patent/JPH0983050A/ja active Pending
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009143239A (ja) * | 1998-09-23 | 2009-07-02 | Agfa Gevaert Nv | しきい値電流レベルを有するレーザーを制御するための方法と装置 |
| WO2000025458A1 (fr) * | 1998-10-23 | 2000-05-04 | Fujitsu Limited | Dispositif d'emission optique |
| WO2001011740A1 (fr) * | 1999-08-03 | 2001-02-15 | Fujitsu Limited | Circuit de commande d'un laser a semi-conducteur et procede associe |
| EP1211762A1 (en) * | 1999-08-03 | 2002-06-05 | Fujitsu Limited | Driver circuit for semiconductor laser, and driving method |
| EP1211762A4 (en) * | 1999-08-03 | 2005-09-28 | Fujitsu Ltd | SEMICONDUCTOR LASER CONTROL CIRCUIT AND ASSOCIATED METHOD |
| US7158551B2 (en) | 1999-08-03 | 2007-01-02 | Fujitsu Limited | Driver circuit and driving method for semiconductor laser |
| JP4557481B2 (ja) * | 1999-08-03 | 2010-10-06 | 富士通株式会社 | 半導体レーザの駆動回路および駆動方法 |
| JP2001358400A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Nippon Soken Inc | レーザーダイオード駆動制御装置 |
| JP2003347664A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動回路及び画像形成装置 |
| US7480320B2 (en) | 2002-10-31 | 2009-01-20 | Ricoh Company, Ltd | Semiconductor laser driving device, semiconductor laser driving method, and image forming apparatus using semiconductor laser driving device |
| EP1458068A2 (en) * | 2003-03-13 | 2004-09-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Driving circuit for semiconductor laser |
| EP1458068A3 (en) * | 2003-03-13 | 2005-07-27 | Alps Electric Co., Ltd. | Driving circuit for semiconductor laser |
| US7822085B2 (en) | 2003-06-27 | 2010-10-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of controlling a diode device for use in optical storage systems |
| JP2007521595A (ja) * | 2003-06-27 | 2007-08-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光記憶システムで使用するダイオード装置の制御方法 |
| US7672345B2 (en) | 2004-07-29 | 2010-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser drive control apparatus |
| JP2006216849A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Seiko Epson Corp | レーザ素子の駆動方法、レーザ素子の駆動回路、光通信装置、電子機器 |
| JP4714103B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2011-06-29 | 株式会社東芝 | 光送信装置 |
| JP2008028730A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | 光送信装置 |
| EP2169789A1 (en) * | 2007-07-13 | 2010-03-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical transmitter |
| JPWO2009011019A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2010-09-09 | 三菱電機株式会社 | 光送信器 |
| WO2009011019A1 (ja) | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Mitsubishi Electric Corporation | 光送信器 |
| EP2169789A4 (en) * | 2007-07-13 | 2012-01-04 | Mitsubishi Electric Corp | OPTICAL TRANSMITTER |
| US8242709B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-08-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical transmitter |
| JP2009141890A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | バースト光送信器 |
| JP2010136244A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Toshiba Corp | 送信回路およびコンプリメンタリー光配線システム |
| JP2011146469A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 低電力レーザ駆動回路 |
| US8811441B2 (en) | 2010-02-18 | 2014-08-19 | Ricoh Company, Limited | Laser driving device, optical scanning device, image forming apparatus, and laser driving method |
| US8896648B2 (en) | 2010-03-16 | 2014-11-25 | Ricoh Company, Ltd. | Laser driving unit and image forming apparatus |
| US8957934B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-02-17 | Ricoh Company, Ltd. | Light source drive circuit, optical scanning apparatus, semiconductor drive circuit, and image forming apparatus |
| JP2015041657A (ja) * | 2013-08-21 | 2015-03-02 | 株式会社島津製作所 | 光デバイス駆動回路 |
| JP2021150422A (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-27 | 株式会社リコー | 駆動装置、光源、画像投影装置およびヘッドアップディスプレイ |
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