JPS6248398B2 - - Google Patents
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- JPS6248398B2 JPS6248398B2 JP55170156A JP17015680A JPS6248398B2 JP S6248398 B2 JPS6248398 B2 JP S6248398B2 JP 55170156 A JP55170156 A JP 55170156A JP 17015680 A JP17015680 A JP 17015680A JP S6248398 B2 JPS6248398 B2 JP S6248398B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- transistor
- power supply
- base
- transmission signal
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 15
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 6
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザを駆動する為の半導体レ
ーザ駆動回路に関する。
ーザ駆動回路に関する。
斯種半導体レーザ駆動回路として従来、第１図
に示す如く、バイポーラ型にして且NPN型のト
ランジスタ１を有し、而してそのトランジスタ１
のコレクタが半導体レーザ２を通じて正側の電源
端子３に、エミツタが抵抗７を通じて電源端子３
と対をなす負側の電源端子４（接地端子）に接続
され、一方電源端子３及び４間に直流バイアス用
抵抗５及び６の直列回路が接続され、その抵抗５
及び６の接続中点がトランジスタ１のベースに接
続され、又トランジスタ１のベースより、そのベ
ース側とは反対側をして抵抗９を通じて電源端子
４に接続せる直流阻止兼結合用コンデンサ８を通
じて伝送用信号入力端子１０が導出されてなる構
成のものが提案されている。
に示す如く、バイポーラ型にして且NPN型のト
ランジスタ１を有し、而してそのトランジスタ１
のコレクタが半導体レーザ２を通じて正側の電源
端子３に、エミツタが抵抗７を通じて電源端子３
と対をなす負側の電源端子４（接地端子）に接続
され、一方電源端子３及び４間に直流バイアス用
抵抗５及び６の直列回路が接続され、その抵抗５
及び６の接続中点がトランジスタ１のベースに接
続され、又トランジスタ１のベースより、そのベ
ース側とは反対側をして抵抗９を通じて電源端子
４に接続せる直流阻止兼結合用コンデンサ８を通
じて伝送用信号入力端子１０が導出されてなる構
成のものが提案されている。
所で斯る構成を有する半導体レーザ駆動回路の
場合、電源端子３及び４間に所要の電源を接続せ
る状態で、入力端子１０及び端子４間に伝送用信
号を供給すれば、その振幅に応じた電流がトラン
ジスタ１のコレクタ及びエミツタを通つて半導体
レーザ２に流れてその半導体レーザ２より伝送用
信号の振幅に応じた強さを以つて輝度変調せる態
様の半導体レーザ光が得られるものであるが、そ
の半導体レーザ光は一般に可干渉性を有し、この
為斯る半導体レーザ光を多モード光フアイバに伝
播せしめる場合、その多モード光フアイバに伝播
せる半導体レーザ光の各伝播モード間の干渉によ
るスペツクルが生ずるものである。
場合、電源端子３及び４間に所要の電源を接続せ
る状態で、入力端子１０及び端子４間に伝送用信
号を供給すれば、その振幅に応じた電流がトラン
ジスタ１のコレクタ及びエミツタを通つて半導体
レーザ２に流れてその半導体レーザ２より伝送用
信号の振幅に応じた強さを以つて輝度変調せる態
様の半導体レーザ光が得られるものであるが、そ
の半導体レーザ光は一般に可干渉性を有し、この
為斯る半導体レーザ光を多モード光フアイバに伝
播せしめる場合、その多モード光フアイバに伝播
せる半導体レーザ光の各伝播モード間の干渉によ
るスペツクルが生ずるものである。
所で第１図にて上述せる半導体レーザ駆動回路
の場合、半導体レーザ２に伝送用信号の振幅に応
じた電流のみが流れることによつてその半導体レ
ーザ２より半導体レーザ光が得られる為その半導
体レーザ光の可干渉性が比較的高く、 この為上述せるスペツクルが大なるものとして
得られ、依つて半導体レーザ２より得られる半導
体レーザ光が伝送用信号の振幅に応じた輝度変調
せる態様を以つて得られるとする、その半導体レ
ーザ光が伝送用信号の振幅従つて波形に忠実なも
のとして得られないという欠点を有していた。
の場合、半導体レーザ２に伝送用信号の振幅に応
じた電流のみが流れることによつてその半導体レ
ーザ２より半導体レーザ光が得られる為その半導
体レーザ光の可干渉性が比較的高く、 この為上述せるスペツクルが大なるものとして
得られ、依つて半導体レーザ２より得られる半導
体レーザ光が伝送用信号の振幅に応じた輝度変調
せる態様を以つて得られるとする、その半導体レ
ーザ光が伝送用信号の振幅従つて波形に忠実なも
のとして得られないという欠点を有していた。
依つて本発明は上述せる欠点のない新規な半導
体レーザ駆動回路を提案せんとするもので、以下
詳述する所より明らかとなるであろう。
体レーザ駆動回路を提案せんとするもので、以下
詳述する所より明らかとなるであろう。
第２図は本発明による半導体レーザ駆動回路の
一例を示し、バイポーラ型にして且PNP型のトラ
ンジスタ２１及び２２を有し、それ等トランジス
タ２１及び２２のコレクタが夫々抵抗２３及び半
導体レーザ２４を通じて負側の電源端子２５（接
地端子）に、エミツタが互に接続されてトランジ
スタ２１及び２２に対して共通の、バイポーラ型
にして且PNP型のトランジスタ２６を含んで構成
せる定電流回路４８を通じて電源端子２５と対を
なす正側の電源端子２７に接続され、この場合必
要に応じて半導体レーザ２４と並列に定電流源４
７が接続され、又定電流回路４８がトランジスタ
２６のコレクタをトランジスタ２１及び２２のエ
ミツタに接続し、エミツタを抵抗２８を通じて電
源端子２７に接続せる構成を有し、一方電源端子
２５及び２７間に直流バイアス用抵抗２９及び３
０の直列回路が接続され、その抵抗２９及び３０
の接続中点が必要に応じて抵抗３１を通じてトラ
ンジスタ２２のベースに接続され、又電源端子２
５及び２７間に直流バイアス用抵抗３２及び３３
の直列回路が接続され、その抵抗３２及び３３の
接続中点が必要に応じて抵抗３４を通じてトラン
ジスタ２１のベースに接続され、更に電源端子２
５及び２７間に直流バイアス用抵抗３５及び３６
の直列回路が接続され、その抵抗３５及び３６の
接続中点がトランジスタ２６のベースに接続さ
れ、又トランジスタ２１のベースより、抵抗３４
を通じ、次で抵抗３４側とは反対側をして抵抗３
７を通じて電源端子２５に接続せる直流阻止兼結
合用コンデンサ３８を通じてスイツチング用高周
波信号入力端子３９が導出され、更にトランジス
タ２６のベースより、そのベース側とは反対側を
して抵抗４０を通じて電源端子２５に接続せる直
流阻止兼結合用コンデンサ４５を通じて伝送用信
号入力端子４６が導出されている。
一例を示し、バイポーラ型にして且PNP型のトラ
ンジスタ２１及び２２を有し、それ等トランジス
タ２１及び２２のコレクタが夫々抵抗２３及び半
導体レーザ２４を通じて負側の電源端子２５（接
地端子）に、エミツタが互に接続されてトランジ
スタ２１及び２２に対して共通の、バイポーラ型
にして且PNP型のトランジスタ２６を含んで構成
せる定電流回路４８を通じて電源端子２５と対を
なす正側の電源端子２７に接続され、この場合必
要に応じて半導体レーザ２４と並列に定電流源４
７が接続され、又定電流回路４８がトランジスタ
２６のコレクタをトランジスタ２１及び２２のエ
ミツタに接続し、エミツタを抵抗２８を通じて電
源端子２７に接続せる構成を有し、一方電源端子
２５及び２７間に直流バイアス用抵抗２９及び３
０の直列回路が接続され、その抵抗２９及び３０
の接続中点が必要に応じて抵抗３１を通じてトラ
ンジスタ２２のベースに接続され、又電源端子２
５及び２７間に直流バイアス用抵抗３２及び３３
の直列回路が接続され、その抵抗３２及び３３の
接続中点が必要に応じて抵抗３４を通じてトラン
ジスタ２１のベースに接続され、更に電源端子２
５及び２７間に直流バイアス用抵抗３５及び３６
の直列回路が接続され、その抵抗３５及び３６の
接続中点がトランジスタ２６のベースに接続さ
れ、又トランジスタ２１のベースより、抵抗３４
を通じ、次で抵抗３４側とは反対側をして抵抗３
７を通じて電源端子２５に接続せる直流阻止兼結
合用コンデンサ３８を通じてスイツチング用高周
波信号入力端子３９が導出され、更にトランジス
タ２６のベースより、そのベース側とは反対側を
して抵抗４０を通じて電源端子２５に接続せる直
流阻止兼結合用コンデンサ４５を通じて伝送用信
号入力端子４６が導出されている。
以上が本発明による半導体レーザ駆動回路の一
例構成であるが、斯る構成によれば、入力端子４
６及び２５間に第３図Ａに示す如き伝送用信号Ｓ
を、又入力端子３９及び２５間に第３図Ｂに示す
如きスイツチング用高周波信号Ｗを供給するもの
であるが、入力端子４６及び２５間に伝送用信号
Ｓが供給されず且入力端子３９及び２５間にスイ
ツチング用高周波信号Ｗが供給されない状態に於
て、トランジスタ２６が導通状態を保つべく抵抗
３５及び３６の値を予め適当に選び且トランジス
タ２２がオン状態を保つもトランジスタ２１がオ
フ状態を保つべく抵抗２９，３０，３２及び３３
の値を予め適当に選んで置けば、スイツチング用
高周波信号Ｗによつてトランジスタ２１がオン・
オフを繰返し、之に応じてトランジスタ２２がト
ランジスタ２１とは逆関係にオン・オフを繰返
し、又トランジスタ２６のエミツタに流れる電流
が伝送用信号Ｓの振幅が大なるに応じて小となる
関係を以つて流れ、これに応じてトランジスタ２
２のエミツタに流れる電流が伝送用信号の振幅が
大なるに応じて大となる関係を以つて流れ、依つ
て半導体レーザ２４に第３図Ｃに示す如き、直流
バイアス電流分ＩBにスイツチング用高周波信号
Ｗに対応する高周波電流W′が重畳され、而して
その高周波電流W′の尖頭値が伝送用信号Ｓの振
幅従つて波形に対応せる包絡線Ｂ上にあるという
電流Ｄが流れ、依つて半導体レーザ２４より斯る
電流Ｄによつて輝度変調せる態様の半導体レーザ
光が得られるものである。
例構成であるが、斯る構成によれば、入力端子４
６及び２５間に第３図Ａに示す如き伝送用信号Ｓ
を、又入力端子３９及び２５間に第３図Ｂに示す
如きスイツチング用高周波信号Ｗを供給するもの
であるが、入力端子４６及び２５間に伝送用信号
Ｓが供給されず且入力端子３９及び２５間にスイ
ツチング用高周波信号Ｗが供給されない状態に於
て、トランジスタ２６が導通状態を保つべく抵抗
３５及び３６の値を予め適当に選び且トランジス
タ２２がオン状態を保つもトランジスタ２１がオ
フ状態を保つべく抵抗２９，３０，３２及び３３
の値を予め適当に選んで置けば、スイツチング用
高周波信号Ｗによつてトランジスタ２１がオン・
オフを繰返し、之に応じてトランジスタ２２がト
ランジスタ２１とは逆関係にオン・オフを繰返
し、又トランジスタ２６のエミツタに流れる電流
が伝送用信号Ｓの振幅が大なるに応じて小となる
関係を以つて流れ、これに応じてトランジスタ２
２のエミツタに流れる電流が伝送用信号の振幅が
大なるに応じて大となる関係を以つて流れ、依つ
て半導体レーザ２４に第３図Ｃに示す如き、直流
バイアス電流分ＩBにスイツチング用高周波信号
Ｗに対応する高周波電流W′が重畳され、而して
その高周波電流W′の尖頭値が伝送用信号Ｓの振
幅従つて波形に対応せる包絡線Ｂ上にあるという
電流Ｄが流れ、依つて半導体レーザ２４より斯る
電流Ｄによつて輝度変調せる態様の半導体レーザ
光が得られるものである。
従つて第２図にて上述せる本発明による半導体
レーザ駆動回路によれば、伝送用信号Ｓの振幅従
つて波形に応じて輝度変調せる態様の半導体レー
ザ光を半導体レーザ２４より得ることが出来るも
のであるが、伝送用信号Ｓの振幅従つて波形に応
じた尖頭を以つて間断せる態様の電流Ｄが流れる
ことによつて、その半導体レーザ２４より半導体
レーザ光が得られるので、その半導体レーザ光の
スペクトルが多数本化することにより、その半導
体レーザ光が第１図の場合に於てその半導体レー
ザ２より得られる半導体レーザ光に比し格段的に
低い可干渉性を有するものとして得られ、この為
斯る半導体レーザ光を多モード光フアイバに伝播
せしめたとしても、その多モード光フアイバに伝
播せる半導体レーザ光の各伝播モード間の干渉に
よるスペツクルが、第１図に示す従来の半導体レ
ーザ駆動回路にて得られる半導体レーザ光による
場合に比し、格段的に小なるものとなるものであ
る。
レーザ駆動回路によれば、伝送用信号Ｓの振幅従
つて波形に応じて輝度変調せる態様の半導体レー
ザ光を半導体レーザ２４より得ることが出来るも
のであるが、伝送用信号Ｓの振幅従つて波形に応
じた尖頭を以つて間断せる態様の電流Ｄが流れる
ことによつて、その半導体レーザ２４より半導体
レーザ光が得られるので、その半導体レーザ光の
スペクトルが多数本化することにより、その半導
体レーザ光が第１図の場合に於てその半導体レー
ザ２より得られる半導体レーザ光に比し格段的に
低い可干渉性を有するものとして得られ、この為
斯る半導体レーザ光を多モード光フアイバに伝播
せしめたとしても、その多モード光フアイバに伝
播せる半導体レーザ光の各伝播モード間の干渉に
よるスペツクルが、第１図に示す従来の半導体レ
ーザ駆動回路にて得られる半導体レーザ光による
場合に比し、格段的に小なるものとなるものであ
る。
依つて第２図にて上述せる本発明による半導体
レーザ駆動回路によれば、半導体レーザ２４より
得られる半導体レーザ光が、第１図にて上述せる
従来の半導体レーザ駆動回路の場合に比し、伝送
用信号の振幅従つて波形により忠実に応じたもの
として得られるという大なる特徴を有するもので
ある。尚上述せる如くに得られる半導体レーザ２
４より得られる半導体レーザ光より伝送用信号Ｓ
を再現するには、その半導体レーザ光を伝送する
光フアイバの出力端又はその出力端に結合せる受
光回路の入力側にスイツチング用高周波信号Ｗの
帯域成分を除去する波回路を設ければ良いもの
である。
レーザ駆動回路によれば、半導体レーザ２４より
得られる半導体レーザ光が、第１図にて上述せる
従来の半導体レーザ駆動回路の場合に比し、伝送
用信号の振幅従つて波形により忠実に応じたもの
として得られるという大なる特徴を有するもので
ある。尚上述せる如くに得られる半導体レーザ２
４より得られる半導体レーザ光より伝送用信号Ｓ
を再現するには、その半導体レーザ光を伝送する
光フアイバの出力端又はその出力端に結合せる受
光回路の入力側にスイツチング用高周波信号Ｗの
帯域成分を除去する波回路を設ければ良いもの
である。
尚上述に於ては本発明の一例を示したに留ま
り、トランジスタ２１，２２及び２６をPNP型よ
りNPN型に代え、之に応じて電源端子２５及び
２７の極性を上述せるとは逆とすることも出来、
その他本発明の精神を脱することなしに種々の変
型変更をなし得るであろう。
り、トランジスタ２１，２２及び２６をPNP型よ
りNPN型に代え、之に応じて電源端子２５及び
２７の極性を上述せるとは逆とすることも出来、
その他本発明の精神を脱することなしに種々の変
型変更をなし得るであろう。
第１図は従来の半導体レーザ駆動回路を示す接
続図、第２図は本発明による半導体レーザ駆動回
路の一例を示す接続図、第３図Ａ、Ｂ及びＣはそ
の動作の説明に供する波形図である。 図中２１，２２及び２６はトランジスタ、２３
は抵抗、２４は半導体レーザ、４８は定電流回
路、３９はスイツチング用高周波信号入力端子、
４６は伝送用信号入力端子を夫々示す。
続図、第２図は本発明による半導体レーザ駆動回
路の一例を示す接続図、第３図Ａ、Ｂ及びＣはそ
の動作の説明に供する波形図である。 図中２１，２２及び２６はトランジスタ、２３
は抵抗、２４は半導体レーザ、４８は定電流回
路、３９はスイツチング用高周波信号入力端子、
４６は伝送用信号入力端子を夫々示す。
Claims (1)
- １ 第１及び第２のトランジスタを有し、第１及
び第２のトランジスタのコレクタが夫々抵抗及び
半導体レーザを通じて第１の電源端子に、エミツ
タがそれ等に共通の第３のトランジスタを含んで
構成せる定電流回路を通じて上記第１の電源端子
と対をなす第２の電源端子に、ベースが夫々上記
第１及び第２の電源端子間に接続せる第１及び第
２の直流バイアス回路に接続され、上記定電流回
路を構成せる第３のトランジスタのベースより伝
送用信号入力端子が、上記第１及び第２のトラン
ジスタの何れか一方のベースよりスイツチング用
高周波信号入力端子が導出されてなる事を特徴と
する半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55170156A JPS5792883A (en) | 1980-12-01 | 1980-12-01 | Semiconductor laser driving circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55170156A JPS5792883A (en) | 1980-12-01 | 1980-12-01 | Semiconductor laser driving circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5792883A JPS5792883A (en) | 1982-06-09 |
| JPS6248398B2 true JPS6248398B2 (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=15899714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55170156A Granted JPS5792883A (en) | 1980-12-01 | 1980-12-01 | Semiconductor laser driving circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5792883A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214492A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザの駆動方法 |
| JPH08186312A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-07-16 | Sony Corp | レーザダイオード駆動回路 |
| JP6119367B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-04-26 | フジテック株式会社 | 乗客コンベアのリニューアル工法 |
-
1980
- 1980-12-01 JP JP55170156A patent/JPS5792883A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5792883A (en) | 1982-06-09 |
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